JPH06120177A - ドライエッチング方法とそれに使用する装置 - Google Patents
ドライエッチング方法とそれに使用する装置Info
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- JPH06120177A JPH06120177A JP27132992A JP27132992A JPH06120177A JP H06120177 A JPH06120177 A JP H06120177A JP 27132992 A JP27132992 A JP 27132992A JP 27132992 A JP27132992 A JP 27132992A JP H06120177 A JPH06120177 A JP H06120177A
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- Japan
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- etching
- etching apparatus
- treating gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の構成部材であるＳｉＯ2 膜をエ
ッチングする工程に用いられるドライエッチング方法と
それに用いる装置に関し、エッチングの終点を検出する
ためにプラズマの発光スペクトルを観測するための光透
過窓の上にフロロカーボン重合膜が堆積して透過度が劣
化するのを防ぐ方法と装置を提供する。 【構成】 ＣＦ4 とＨ2 のような少なくともＣとＦとＨ
を含む処理ガスを用いてドライエッチする工程におい
て、この処理ガスをドライエッチング装置の観測用光透
過窓に吹きつけながらエッチングを行う。また、ＣＦ4
とＨ2 のような少なくともＣとＦとＨを含む処理ガスを
用いるドライエッチング装置において、この処理ガスを
ドライエッチング装置の観測用光透過窓（１２）に吹き
つけるように処理ガス導入口（１０）を形成する。この
場合、処理ガス導入口を被処理基板（７）の中心に対し
て点対称に２つ以上設けることができる。
ッチングする工程に用いられるドライエッチング方法と
それに用いる装置に関し、エッチングの終点を検出する
ためにプラズマの発光スペクトルを観測するための光透
過窓の上にフロロカーボン重合膜が堆積して透過度が劣
化するのを防ぐ方法と装置を提供する。 【構成】 ＣＦ4 とＨ2 のような少なくともＣとＦとＨ
を含む処理ガスを用いてドライエッチする工程におい
て、この処理ガスをドライエッチング装置の観測用光透
過窓に吹きつけながらエッチングを行う。また、ＣＦ4
とＨ2 のような少なくともＣとＦとＨを含む処理ガスを
用いるドライエッチング装置において、この処理ガスを
ドライエッチング装置の観測用光透過窓（１２）に吹き
つけるように処理ガス導入口（１０）を形成する。この
場合、処理ガス導入口を被処理基板（７）の中心に対し
て点対称に２つ以上設けることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工
程、特に半導体装置の構成部材であるＳｉＯ2膜をエッ
チングする工程に用いられるドライエッチング方法とそ
れに使用する装置に関する。
程、特に半導体装置の構成部材であるＳｉＯ2膜をエッ
チングする工程に用いられるドライエッチング方法とそ
れに使用する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＯ2 膜のエッチングには、エッチン
グの形状や寸法の制御の点で有利な、ＣＦ4 ，ＣＨ
Ｆ3 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ4 Ｆ8 等の、ＣとＦと
Ｈを含むフロロカーボン系の処理ガスを用いたドライエ
ッチングが広く採用されている。
グの形状や寸法の制御の点で有利な、ＣＦ4 ，ＣＨ
Ｆ3 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ4 Ｆ8 等の、ＣとＦと
Ｈを含むフロロカーボン系の処理ガスを用いたドライエ
ッチングが広く採用されている。
【０００３】そして、半導体装置の製造工程を量産化お
よび自動化するため、エッチング装置にも、製造工程の
自動化に対応する機能を付与することが不可欠であり、
その一環として被処理膜のエッチングの終点を自動的に
検出するいくつかの方法が提案されている。
よび自動化するため、エッチング装置にも、製造工程の
自動化に対応する機能を付与することが不可欠であり、
その一環として被処理膜のエッチングの終点を自動的に
検出するいくつかの方法が提案されている。
【０００４】非処理膜のエッチングの終点を検出する方
法の一つに、プラズマ中の発光スペクトルを観測する方
法が挙げられる。エッチングプラズマの発光スペクトル
は、エッチングガスの組成や比率によって異なるが、同
じエッチングガスを用いても、被処理膜がエッチングさ
れると、被処理膜を構成する元素がエッチングプラズマ
中に混入するため、その発光スペクトルは変化する。
法の一つに、プラズマ中の発光スペクトルを観測する方
法が挙げられる。エッチングプラズマの発光スペクトル
は、エッチングガスの組成や比率によって異なるが、同
じエッチングガスを用いても、被処理膜がエッチングさ
れると、被処理膜を構成する元素がエッチングプラズマ
中に混入するため、その発光スペクトルは変化する。
【０００５】この発光スペクトルの変化を分光分析する
ことによって、エッチングの終点を検出することができ
る。このように、エッチングプラズマの発光スペクトル
をエッチング装置の外から観測するために、ドライエッ
チング装置にプラズマ発光の波長を透過する光透過窓を
設けることが必要である。
ことによって、エッチングの終点を検出することができ
る。このように、エッチングプラズマの発光スペクトル
をエッチング装置の外から観測するために、ドライエッ
チング装置にプラズマ発光の波長を透過する光透過窓を
設けることが必要である。
【０００６】図３は、従来のドライエッチング装置の概
略説明図である。この図において、２１は容器、２２は
カソード電極、２３，３１は絶縁体、２４は静電チャッ
ク、２５はＨｅ供給口、２６はＨｅ排出口、２７は直流
電源、２８は高周波電源、２９はウェハ、３０はアノー
ド電極、３２はエッチングガス供給口、３３はエッチン
グガス排出口、３４は石英窓、３５は分光器プローブを
示している。
略説明図である。この図において、２１は容器、２２は
カソード電極、２３，３１は絶縁体、２４は静電チャッ
ク、２５はＨｅ供給口、２６はＨｅ排出口、２７は直流
電源、２８は高周波電源、２９はウェハ、３０はアノー
ド電極、３２はエッチングガス供給口、３３はエッチン
グガス排出口、３４は石英窓、３５は分光器プローブを
示している。
【０００７】この従来のドライエッチング装置において
は、容器２１の下側にはカソード電極２２が絶縁体２３
を介して設置され、このカソード電極２２の上に静電チ
ャック２４が設置されており、容器２１の上側にはアノ
ード電極３０が設置され、その表面に絶縁体３１が設け
られている。
は、容器２１の下側にはカソード電極２２が絶縁体２３
を介して設置され、このカソード電極２２の上に静電チ
ャック２４が設置されており、容器２１の上側にはアノ
ード電極３０が設置され、その表面に絶縁体３１が設け
られている。
【０００８】そして、カソード電極２２の上の静電チャ
ック２４のセグメントには直流電源２７が接続されウェ
ハ２９が吸着され、Ｈｅ供給口２５からＨｅを供給しＨ
ｅ排出口２６から排出して、ウェハ２９とカソード電極
２２との間の熱抵抗を低減している。
ック２４のセグメントには直流電源２７が接続されウェ
ハ２９が吸着され、Ｈｅ供給口２５からＨｅを供給しＨ
ｅ排出口２６から排出して、ウェハ２９とカソード電極
２２との間の熱抵抗を低減している。
【０００９】また、エッチングガス供給口３２からエッ
チングガスを供給し、エッチングガス排出口３３から排
出しながら、カソード電極２２とアノード電極３０の間
に接続された高周波電源２８によってプラズマ化して、
ウェハ２９の表面をドライエッチングする。
チングガスを供給し、エッチングガス排出口３３から排
出しながら、カソード電極２２とアノード電極３０の間
に接続された高周波電源２８によってプラズマ化して、
ウェハ２９の表面をドライエッチングする。
【００１０】また、エッチングガスの流路から離れた位
置に石英窓３４が設けられ、この石英窓３４を通して分
光器プローブ３５によってプラズマ発光スペクトルを観
察するようになっている。
置に石英窓３４が設けられ、この石英窓３４を通して分
光器プローブ３５によってプラズマ発光スペクトルを観
察するようになっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のドラ
イエッチング装置によってＳｉＯ2 膜をエッチングする
と、容器内壁にフロロカーボン重合膜が堆積するが、容
器の一部であるエッチング終点観測用の光透過窓の上に
もフロロカーボン重合膜が堆積し、窓を透過するプラズ
マ発光の光の強度が次第に低下して、エッチング終点の
検出が不可能になるため、光透過窓を頻繁に洗浄し、あ
るいは交換することが不可欠であった。
イエッチング装置によってＳｉＯ2 膜をエッチングする
と、容器内壁にフロロカーボン重合膜が堆積するが、容
器の一部であるエッチング終点観測用の光透過窓の上に
もフロロカーボン重合膜が堆積し、窓を透過するプラズ
マ発光の光の強度が次第に低下して、エッチング終点の
検出が不可能になるため、光透過窓を頻繁に洗浄し、あ
るいは交換することが不可欠であった。
【００１２】本発明は、ドライエッチングの終点を検出
するためにプラズマの発光スペクトルを観測するための
光透過窓の上にフロロカーボン重合膜が堆積して透過度
が劣化するのを防ぐことを目的とする。
するためにプラズマの発光スペクトルを観測するための
光透過窓の上にフロロカーボン重合膜が堆積して透過度
が劣化するのを防ぐことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるドライエ
ッチング方法においては、少なくともＣとＦとＨを含む
処理ガスを用いてドライエッチングする工程において、
この処理ガスをドライエッチング装置の観測用光透過窓
に吹きつけながらエッチングを行う工程を採用した。
ッチング方法においては、少なくともＣとＦとＨを含む
処理ガスを用いてドライエッチングする工程において、
この処理ガスをドライエッチング装置の観測用光透過窓
に吹きつけながらエッチングを行う工程を採用した。
【００１４】この場合、少なくともＣとＦとＨを含む処
理ガスをＣＦ4 とＨ2 にすることができる。
理ガスをＣＦ4 とＨ2 にすることができる。
【００１５】また、本発明にかかるドライエッチング装
置においては、少なくともＣとＦとＨを含む処理ガスを
用いるドライエッチング装置において、この処理ガスを
ドライエッチング装置の観測用光透過窓に吹きつけるよ
うに処理ガス導入口が形成されている構成を採用した。
置においては、少なくともＣとＦとＨを含む処理ガスを
用いるドライエッチング装置において、この処理ガスを
ドライエッチング装置の観測用光透過窓に吹きつけるよ
うに処理ガス導入口が形成されている構成を採用した。
【００１６】この場合、処理ガスの導入口を２つ以上形
成し、被処理基板の中心に対して、点対称に配置するこ
とができる。
成し、被処理基板の中心に対して、点対称に配置するこ
とができる。
【００１７】また、この場合、観測用光透過窓を、石英
またはサファイアによって構成することができる。
またはサファイアによって構成することができる。
【００１８】
【作用】本発明のように、エッチングガス導入口を観測
用光透過窓近傍に設け、エッチングガスをこの透過窓に
吹きつけるようにするとフロロカーボン重合膜の堆積を
低減ないし皆無にすることができる。
用光透過窓近傍に設け、エッチングガスをこの透過窓に
吹きつけるようにするとフロロカーボン重合膜の堆積を
低減ないし皆無にすることができる。
【００１９】図４は、フロロカーボン堆積速度の実験装
置の説明図である。この図に示されたフロロカーボン堆
積速度の実験装置の構造は、図３に示された従来のドラ
イエッチング装置と基本的に同じであるから、図３と同
符号を付して説明を省略する。図４に新たに表れた符号
３６はテスト用石英基板、ｄはエッチングガス供給口３
２とテスト用石英基板３６の間の距離を示している。
置の説明図である。この図に示されたフロロカーボン堆
積速度の実験装置の構造は、図３に示された従来のドラ
イエッチング装置と基本的に同じであるから、図３と同
符号を付して説明を省略する。図４に新たに表れた符号
３６はテスト用石英基板、ｄはエッチングガス供給口３
２とテスト用石英基板３６の間の距離を示している。
【００２０】この実験装置を用い、エッチングガス供給
口３２の直下に、距離ｄ離してテスト用石英基板３６を
配置して通常の条件でウェハ２９をドライエッチング
し、テスト用石英基板３６の上に堆積されたフロロカー
ボン堆積速度を測定した。
口３２の直下に、距離ｄ離してテスト用石英基板３６を
配置して通常の条件でウェハ２９をドライエッチング
し、テスト用石英基板３６の上に堆積されたフロロカー
ボン堆積速度を測定した。
【００２１】図５は、ガス導入口からの距離とフロロカ
ーボン堆積速度の関係図である。この図は、テスト用石
英基板に堆積するフロロカーボンの堆積速度とエッチン
グガスの導入口との距離の関係を示している。横軸がガ
ス導入口と基板との距離ｄ（ｃｍ）を、縦軸が堆積速度
（Å／ｍｉｎ）である。
ーボン堆積速度の関係図である。この図は、テスト用石
英基板に堆積するフロロカーボンの堆積速度とエッチン
グガスの導入口との距離の関係を示している。横軸がガ
ス導入口と基板との距離ｄ（ｃｍ）を、縦軸が堆積速度
（Å／ｍｉｎ）である。
【００２２】この実験における処理条件は、 ＣＦ4 流量 ５０ｓｃｃｍ Ｈ2 流量 ５０ｓｃｃｍ 圧力 ０．５Ｔｏｒｒ 高周波電力 ３００Ｗ であった。
【００２３】この図に示されるように、ガス導入口近傍
の点では石英基板上にはフロロカーボンは堆積せず、ガ
ス導入口と基板との距離ｄが６ｃｍ程度から堆積速度が
上昇し、８ｃｍ程度から堆積速度が急激に上昇する。こ
の実験結果は、エッチングガスの流速が速いと石英基板
上にフロロカーボンが堆積しないという事実をも示して
いる。
の点では石英基板上にはフロロカーボンは堆積せず、ガ
ス導入口と基板との距離ｄが６ｃｍ程度から堆積速度が
上昇し、８ｃｍ程度から堆積速度が急激に上昇する。こ
の実験結果は、エッチングガスの流速が速いと石英基板
上にフロロカーボンが堆積しないという事実をも示して
いる。
【００２４】したがって、エッチング終点観測用光透過
窓の近傍にエッチングガスであるＣＦ4 ／Ｈ2 ガスの導
入口を設け、また特に、エッチングガスをエッチング終
点監視用光透過窓に吹きつけるようにすると、フロロカ
ーボンを堆積を完全に防ぐことができる。
窓の近傍にエッチングガスであるＣＦ4 ／Ｈ2 ガスの導
入口を設け、また特に、エッチングガスをエッチング終
点監視用光透過窓に吹きつけるようにすると、フロロカ
ーボンを堆積を完全に防ぐことができる。
【００２５】エッチングガス導入口を複数個設け被処理
基板の中心に対して点対称の位置に配置し、中心に向か
って吹きつけることにより、エッチングガスをエッチン
グ装置内に均一に拡散させ、エッチング速度およびエッ
チング後の形状の均一性を向上することができる。ま
た、被処理基板の中心に対して点対称の位置に配置した
複数のエッチングガス導入口から被処理基板の中心から
所定の角度だけずらした方向に吹きつけることによっ
て、エッチングガスの分布を調節することができる。
基板の中心に対して点対称の位置に配置し、中心に向か
って吹きつけることにより、エッチングガスをエッチン
グ装置内に均一に拡散させ、エッチング速度およびエッ
チング後の形状の均一性を向上することができる。ま
た、被処理基板の中心に対して点対称の位置に配置した
複数のエッチングガス導入口から被処理基板の中心から
所定の角度だけずらした方向に吹きつけることによっ
て、エッチングガスの分布を調節することができる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
一実施例のドライエッチング装置の概略説明図である。
この図において、１は容器、２はカソード電極、３，９
は絶縁体、４は静電チャック、５は直流電源、６は高周
波電源、７はウェハ、８はアノード電極、１０はエッチ
ングガス供給口、１１はエッチングガス排出口、１２は
石英窓、１３は分光器プローブを示している。
一実施例のドライエッチング装置の概略説明図である。
この図において、１は容器、２はカソード電極、３，９
は絶縁体、４は静電チャック、５は直流電源、６は高周
波電源、７はウェハ、８はアノード電極、１０はエッチ
ングガス供給口、１１はエッチングガス排出口、１２は
石英窓、１３は分光器プローブを示している。
【００２７】この実施例のカソード結合型のドライエッ
チング装置においては、容器１の下側にはカソード電極
２が絶縁体３を介して設置され、このカソード電極２の
上に静電チャック４が設置されており、容器１の上側に
は開口を有するアノード電極８が設置され、その開口は
石英窓１２によって閉鎖され、石英窓１２の外側に分光
器プローブ１３が配置されている。また、アノード電極
８の表面にはアノード電極８を汚染から保護する絶縁体
９が設けられている。
チング装置においては、容器１の下側にはカソード電極
２が絶縁体３を介して設置され、このカソード電極２の
上に静電チャック４が設置されており、容器１の上側に
は開口を有するアノード電極８が設置され、その開口は
石英窓１２によって閉鎖され、石英窓１２の外側に分光
器プローブ１３が配置されている。また、アノード電極
８の表面にはアノード電極８を汚染から保護する絶縁体
９が設けられている。
【００２８】そして、カソード電極２の上の静電チャッ
ク４のセグメントには高圧の直流電源５が接続されてウ
ェハ７が吸着されている。また、アノード電極８の開口
の周辺には複数のエッチングガス供給口１０が設けら
れ、このエッチングガス供給口１０からエッチングガス
を石英窓１２の中心に向かって吹き出し、エッチングガ
ス排出口１１から排出し、カソード電極２とアノード電
極８の間に接続されている高周波電源６から供給される
１３．５６ＭＨｚの高周波電力によってエッチングガス
をプラズマ化してウェハ７をエッチングする。
ク４のセグメントには高圧の直流電源５が接続されてウ
ェハ７が吸着されている。また、アノード電極８の開口
の周辺には複数のエッチングガス供給口１０が設けら
れ、このエッチングガス供給口１０からエッチングガス
を石英窓１２の中心に向かって吹き出し、エッチングガ
ス排出口１１から排出し、カソード電極２とアノード電
極８の間に接続されている高周波電源６から供給される
１３．５６ＭＨｚの高周波電力によってエッチングガス
をプラズマ化してウェハ７をエッチングする。
【００２９】図２は、一実施例のドライエッチング装置
のガス導入口の説明図であり、（Ａ）はガス導入口の断
面図、（Ｂ）はその平面図である。また、この図におけ
る符号は図１において使用したものと同様である。
のガス導入口の説明図であり、（Ａ）はガス導入口の断
面図、（Ｂ）はその平面図である。また、この図におけ
る符号は図１において使用したものと同様である。
【００３０】一実施例のドライエッチング装置のガス導
入口は、アノード電極８の開口の周辺に、被処理基板に
対称な位置に４か所設けられて、エッチングガスの分布
を均一にするようになっている。
入口は、アノード電極８の開口の周辺に、被処理基板に
対称な位置に４か所設けられて、エッチングガスの分布
を均一にするようになっている。
【００３１】この実施例の装置を用いて、エッチング条
件ＣＦ4 流量３０ｓｃｃｍ、Ｈ2 流量７０ｓｃｃｍ、圧
力０．２Ｔｏｒｒ、高周波電力５００ＷでＳｉＯ2 をエ
ッチングした。エッチング処理を繰り返して、合計３０
分間のエッチングを行ったが、光透過窓１２にフロロカ
ーボンは全く堆積しなかった。
件ＣＦ4 流量３０ｓｃｃｍ、Ｈ2 流量７０ｓｃｃｍ、圧
力０．２Ｔｏｒｒ、高周波電力５００ＷでＳｉＯ2 をエ
ッチングした。エッチング処理を繰り返して、合計３０
分間のエッチングを行ったが、光透過窓１２にフロロカ
ーボンは全く堆積しなかった。
【００３２】図３に示された従来のドライエッチング装
置を用いて、上記と同様に、エッチング条件ＣＦ4 流量
３０ｓｃｃｍ、Ｈ2 流量７０ｓｃｃｍ、圧力０．２Ｔｏ
ｒｒ、高周波電力５００ＷでＳｉＯ2 をエッチングし
た。エッチング処理を上記と同様に合計３０分間行った
ところ、光透過窓１２にフロロカーボンが３５０Å堆積
した。
置を用いて、上記と同様に、エッチング条件ＣＦ4 流量
３０ｓｃｃｍ、Ｈ2 流量７０ｓｃｃｍ、圧力０．２Ｔｏ
ｒｒ、高周波電力５００ＷでＳｉＯ2 をエッチングし
た。エッチング処理を上記と同様に合計３０分間行った
ところ、光透過窓１２にフロロカーボンが３５０Å堆積
した。
【００３３】上記の第１実施例と第２実施例において
は、発光スペクトル観測用光透過窓を石英によって形成
したものとして説明したが、この光透過窓をサファイア
によって形成すると、吹きつけるエッチングガスによっ
て透過窓自体がエッチングされるのを防ぐことができ
る。
は、発光スペクトル観測用光透過窓を石英によって形成
したものとして説明したが、この光透過窓をサファイア
によって形成すると、吹きつけるエッチングガスによっ
て透過窓自体がエッチングされるのを防ぐことができ
る。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるドラ
イエッチング方法あるいはドライエッチング装置による
と、プラズマ発光によってエッチングの終点を検出する
ための光透過窓にフロロカーボンが３５０Å堆積しない
ため、透過光の強度が長期間にわたって弱まることがな
く、ドライエッチングの稼働率を向上することができ、
半導体装置の製造コストの低減に寄与するところが大き
い。
イエッチング方法あるいはドライエッチング装置による
と、プラズマ発光によってエッチングの終点を検出する
ための光透過窓にフロロカーボンが３５０Å堆積しない
ため、透過光の強度が長期間にわたって弱まることがな
く、ドライエッチングの稼働率を向上することができ、
半導体装置の製造コストの低減に寄与するところが大き
い。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施例のドライエッチング装置の概略説明図
である。
である。
【図２】一実施例のドライエッチング装置のガス導入口
の説明図であり、（Ａ）はガス導入口の断面図、（Ｂ）
はその平面図である。
の説明図であり、（Ａ）はガス導入口の断面図、（Ｂ）
はその平面図である。
【図３】従来のドライエッチング装置の概略説明図であ
る。
る。
【図４】フロロカーボン堆積速度の実験装置の説明図で
ある。
ある。
【図５】ガス導入口からの距離とフロロカーボン堆積速
度の関係図である。
度の関係図である。
１ 容器 ２ カソード電極 ３，９ 絶縁体 ４ 静電チャック ５ 直流電源 ６ 高周波電源 ７ ウェハ ８ アノード電極 １０ エッチングガス供給口 １１ エッチングガス排出口 １２ 石英窓 １３ 分光器プローブ
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくともＣとＦとＨを含む処理ガスを
用いてドライエッチングする工程において、該処理ガス
をドライエッチング装置の観測用光透過窓に吹きつけな
がらエッチングを行うことを特徴とするドライエッチン
グ方法。 - 【請求項２】 少なくともＣとＦとＨを含む処理ガスが
ＣＦ4 とＨ2 であることを特徴とする請求項１に記載さ
れたドライエッチング方法。 - 【請求項３】 少なくともＣとＦとＨを含む処理ガスを
用いるドライエッチング装置において、該処理ガスをド
ライエッチング装置の観測用光透過窓に吹きつけるよう
に処理ガス導入口が形成されていることを特徴とするド
ライエッチング装置。 - 【請求項４】 処理ガスの導入口を２つ以上有し、被処
理基板の中心に対して、点対称に配置されていることを
特徴とする請求項３に記載されたドライエッチング装
置。 - 【請求項５】 観測用光透過窓が、石英またはサファイ
アによって構成されていることを特徴とする請求項３ま
たは請求項４に記載されたドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27132992A JPH06120177A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | ドライエッチング方法とそれに使用する装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27132992A JPH06120177A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | ドライエッチング方法とそれに使用する装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120177A true JPH06120177A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17498539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27132992A Withdrawn JPH06120177A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | ドライエッチング方法とそれに使用する装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120177A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002519845A (ja) * | 1998-06-23 | 2002-07-02 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理室用の高スパッタリング・エッチング抵抗窓部 |
| JP2002540625A (ja) * | 1999-03-31 | 2002-11-26 | ラム・リサーチ・コーポレーション | プロセスガスを用いて浄化される光学窓を備えた処理チャンバ |
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- 1992-10-09 JP JP27132992A patent/JPH06120177A/ja not_active Withdrawn
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