KR101475975B1

KR101475975B1 - 고 시준된 집광 배열을 위한 방법 및 장치

Info

Publication number: KR101475975B1
Application number: KR1020107002040A
Authority: KR
Inventors: 비자야쿠마르 씨 베누고팔; 에릭 에이 파프
Original assignee: 램 리써치 코포레이션
Priority date: 2007-06-29
Filing date: 2008-06-12
Publication date: 2014-12-23
Also published as: WO2009005993A3; TWI459463B; US7907260B2; WO2009005993A2; KR20100084151A; JP5255057B2; JP2010532476A; CN101796617A; CN101796617B; TW200908142A; SG182967A1; US20090002836A1

Abstract

플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마 프로세싱 동안의 플라즈마의 광학 인터로게이션을 위한 방법이 제공된다. 방법은 광학 뷰포트를 제공하는 단계를 포함한다. 또한, 방법은 시준기 배열을 제공하는 단계를 포함한다. 시준기 배열은 복수의 시준기들을 갖도록 구성되며, 복수의 시준기들 중 제 1 시준기는 접속 구역에 의해 복수의 시준기들 내의 제 2 시준기로부터 분리된다. 방법은, 기판이 프로세싱되는 동안, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 플라즈마로부터 시준기 배열을 통해 광학 신호들을 수집하여, 고 시준된 광학 신호들을 생성하는 단계를 더 포함한다.

Description

고 시준된 집광 배열을 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR A HIGHLY COLLIMATED LIGHT COLLECTION ARRANGEMENT}

플라즈마 프로세싱에서의 진보는 반도체 산업에서의 성장을 촉진해 왔다. 플라즈마 프로세싱 동안에, 프로세싱되는 디바이스들의 고 수율을 보장하기 위해 진단 툴들이 채용될 수도 있다. 프로세스 파라미터들의 엄격한 제어를 유지시키기 위해 에천트들 및 에칭된 프로덕트들의 기상 (gas-phase) 모니터링을 위한 진단 툴로서 OES (optical emission spectroscopy) 가 종종 이용된다.

플라즈마의 광학 인터로게이션 (optical interrogation) 에서, 플라즈마 방전과 연관된, 특유의 글로 (glow), 즉 특정 발광 스펙트럼이 존재한다. 광학 인터로게이션으로부터의 스펙트럼 정보로, 구성 종들에 관한 상당한 양의 정보가 수집되고 분석되어, 플라즈마 프로세싱 동안의 프로세스 모니터링 및 제어를 위한 가이던스 (guidance) 를 제공할 수도 있다.

논의를 용이하게 하기 위해, 도 1a는, 플라즈마 (104) 로의 직접적인 가시선 (line of sight) 을 갖는, 광학 뷰포트, 즉 윈도우 (102) 를 갖는 종래의 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 의 개략도를 도시한다. 여기서 그 용어가 채용되는 바와 같이, 가시선은 어떠한 형태의 방해도 없는 소스로부터 수집기로의 광학 직선 경로이다.

예컨대, 플라즈마 (104) 의 광학 인터로게이션이 수행되는 상황을 고찰한다. 광학 경로 길이로 인해, 가시선은 광학 뷰포트 (102) 에서 얼마간의 임의의 수용 각도를 가질 수도 있다. 여기서 용어가 채용되는 바와 같이, 수용 각도는, 비축상 (non-axial) 광 소스가 광학 뷰포트 (102) 의 수집기 단부에 여전히 도달할 수도 있는 뷰포트 (102) 의 말단부로부터의 각도이다.

일 예에서, 광학 인터로게이션을 통해 종점 검출을 수행하기 위해서는, 뷰포트 (102) 에서의 특정한 가시선으로 플라즈마 (104) 의 특정 영역으로부터의 신호 소스를 수집하는 것이 바람직할 수도 있다. 수용 각도 밖의 영역은 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 에서의 다른 표면들로부터의 광의 회절 및/또는 반사를 포함할 수도 있다. 따라서, 플라즈마 (104) 의 특정 영역의 광학 인터로게이션을 위해 낮은 수용 각도가 매우 바람직할 수도 있다. 그러나, 도 1a의 예에서 뷰포트 (102) 의 간단한 셋업만으로도 더 큰 수용 각도를 줄 수도 있다.

플라즈마의 스펙트럼 방출을 검사하기 위해, 광학 뷰포트 (102) 는 측정되는 파장(들)에 대해 광학적으로 투명하도록 요구될 수도 있다. 적외선 (IR) 내지 자외선 (UV) 파장들에 대해, 광학 뷰포트 (102) 는 예컨대 반도체 그레이드 (grade) 또는 UV 광학 그레이드와 같은 몇몇 타입의 용융 실리카 (fused silica) 로부터 구축될 수도 있다. 플라즈마에 근접한 구역 내에 광학적으로 투명한 뷰포트를 위치시키는데 있어서의 문제점들 중 하나는 시간이 지남에 따른 광학 뷰포트 (102) 상의 증착 또는 에칭에 대한 가능성이다.

일반적으로, 광학적으로 투명한 윈도우들은 플라즈마 프로세싱 동안에 흐리게 되거나 (cloud) 또는 부식 (erode) 될 수도 있다. 이들 원인들로부터의 광학 신호 열화가 시스템 성능에 영향을 미치는 레벨에 도달하는 경우에, 초기 기능성을 회복하기 위해 장비가 서비스로부터 제거되어야만 한다. 시스템 다운타임은 유지 비용 (부품들의 제거, 클리닝 또는 교체, 재설치) 을 증가시키고 전체 산출량을 감소시킨다.

예컨대, 광학 인터로게이션을 사용하여 시간 제로 (zero) 에서의 베이스라인 프로세스로부터의 정량 값 (quantitative value) 들의 특정한 세트로 제조 프로세스가 미세-튜닝되는 상황을 고찰한다. 플라즈마 프로세싱 동안에, 제조 프로세스는 실험 값들과 베이스라인 값들을 비교하여 최적의 수율을 산출한다. 그러나, 광학 뷰포트 (102) 가 시간이 지남에 따라 증착 또는 에칭에 의해 손상된 경우에, 제조 프로세스는, 신호 강도의 전달에서의 편차 (drift) 가 플라즈마 특성들에서의 변화로 인한 것인지 또는 뷰포트 (102) 가 컨디셔닝된 것으로 인한 것인지를 결정하지 못할 수도 있다.

또한, 신호 강도의 전달에서의 변화는 파장 의존성일 수도 있다. 예컨대, UV 내지 IR 스펙트럼의 신호 강도가 플라즈마 프로세스에 대해 검사된다. 시간 제로에서, UV 내지 IR 스펙트럼은 100 퍼센트로 전달할 수도 있다. 그러나, 시간 X에서, UV 파장들은 50 퍼센트로 전달할 수도 있고, IR 파장들은 90 퍼센트로 전달할 수도 있다. 따라서, 얼마간의 한정된 기간에 걸친 윈도우 투과율에서의 변화들로부터 플라즈마 스펙트럼 신호에서의 변화들을 정량적으로 분리하는 것은 어려울 수도 있다.

도 1b는 플라즈마 프로세싱 챔버 (120) 에서 시준기 (128) 를 채용하는 종래의 솔루션의 개략도를 도시한다. 도 1b의 예에서, 시준기 (128) 는 플라즈마 (124) 로의 직접적인 가시선을 갖는 광학 뷰포트 (122) 에 커플링된다. 일 예에서, 시준기 (128) 는 임의의 길이 (L) 및 직경 (D) 을 갖는다. D에 대한 L의 무차원 비, 즉 (L/D) 는 애스팩트 비이다.

시준기 (128) 를 채용함으로써, 도 1b의 예는, 비축상 광의 수용 각도 및/또는 뷰포트 컨디셔닝의 문제점들의 일부를 해소하는 것이 가능할 수도 있다. 예컨대, 시준기의 애스팩트 비 (L/D) 가 높아질수록 D에 비해 L의 값이 커진다. 수용 각도의 경우에서, 시준기 (128) 의 수집기 단부에 도달하는 비축상 광의 양은 애스팩트 비가 증가함에 따라 최소화된다. 유사하게, 분자 확산계수 (molecular diffusivity) 로 인해, 광학 뷰포트 (122) 에 도달하는 반응 챔버로부터의 재료들의 양도 또한 최소화된다. 따라서, 전술된 이익들로 인해 높은 애스팩트 비를 갖는 시준기가 매우 바람직하다.

도 1c는 플라즈마 프로세싱 챔버 (140) 에서 긴 시준기 (148) 를 갖는 종래의 솔루션의 개략도를 도시한다. 도 1c의 예에서, 시준기 (148) 는 플라즈마 (144) 로의 직접적인 가시선을 갖는 광학 뷰포트 (142) 에 커플링된다. 일 예에서, 시준기 (148) 는 길이 (L) 및 직경 (D) 을 갖는다. 높은 애스팩트 비를 얻기 위해, 도 1c의 예에서, L의 값은 D의 값보다 더 크다.

뷰포트 (142) 상의 증착 또는 에칭을 최소화하기 위해, 10:1 보다 더 큰 애스팩트 비가 종종 요구된다. 유사하게, 예컨대 적합한 광학 커플링에 대해 2 °미만의 가시선과 같은 작은 수용 각도를 달성하기 위해, 약 30:1 을 넘는 애스팩트 비가 바람직하다. 예컨대, 시준기 (148) 가 약 1 인치의 직경 (D) 을 갖는 상황을 고찰한다. 뷰포트 컨디셔닝을 최소화하고/하거나 작은 수용 각도를 달성하기 위해, 시준기 (148) 는 대략 2 °의 수용 각도를 얻기 위해 길이 (L) 가 30 인치일 필요가 있을 수도 있다. 그러나, 현 시점에서, 길이가 30″인 시준기는 플라즈마 프로세싱 장비에 대한 실용적인 솔루션이 아니다.

도 2a는 플라즈마 프로세싱 챔버 (220) 에서 단일의 작은 직경의 홀을 갖는 시준기 (228) 의 종래의 솔루션의 개략도를 도시한다. 도 2a의 예에서, 시준기 (228) 는 플라즈마 (224) 로의 직접적인 가시선을 갖는 광학 뷰포트 (222) 에 커플링된다.

높은 애스팩트 비를 갖는 콤팩트한 시준기를 생성하기 위해, 시준기 내의 홀의 직경이 감소될 수도 있다. 예컨대, 시준기 (228) 는 솔리드 튜브의 길이에 걸쳐 천공된 제 1 소정의 값을 갖는 직경의 홀 (230) 을 갖는 솔리드 튜브이다. 도 2a의 시준기 (228) 에 대한 제 1 소정의 값을 갖는 홀의 직경은 도 1b의 시준기 (148) 에 대한 제 2 소정의 값을 갖는 홀의 직경보다 더 작다.

시준기의 길이를 감소시키고 높은 애스팩트 비를 여전히 유지하기 위해, 시준기는 예컨대 1 인치의 사이즈의 1/10인 직경의 홀을 가질 수도 있다. 따라서, 시준기 (228) 의 길이는 특정된 애스팩트 비를 획득하기 위해 1″의 홀 직경에 대해 요구되는 시준기 길이의 1/10일 것이다. 그러나, 수집되는 광의 양이 극미하므로, 매우 작은 직경의 홀을 갖는 시준기는 실용적이지 않을 수도 있다. 따라서, 신호를 프로세싱하기 위한 대부분의 분광 측광기들을 사용하기 위한 능력은, 터무니없는 적산 시간 및/또는 높은 신호 대 노이즈 비로 인해 비실용적이다.

도 2b는 플라즈마 프로세싱 챔버 (240) 에서의 다중-홀 시준기의 개략도를 도시한다. 도 2a의 예에서, 시준기 (248) 는 플라즈마 (244) 로의 직접적인 가시선을 갖는 광학 뷰포트 (242) 에 커플링된다. 시준기 (248) 는 솔리드 튜브의 길이에 걸쳐 천공된 직경 (D) 의 복수의 홀들 (250A...250N) 을 갖는 솔리드 튜브이다.

도 2b의 시준기 (248) 는, 시준기 (248) 의 말단부의 전체 영역에 입사하는 광의 60 %를 넘는 광을 수집하기 위한 홀들의 풀 어레이 (full array) 를 갖도록 구성될 수도 있다. 제조성의 견지로부터, 도 2b의 시준기 셋업은 약 10:1 까지의 애스팩트 비로 용이하게 머시닝 가능 (machineable) 할 수도 있다. 그러나, 10:1의 애스팩트 비를 넘으면, 수집 영역에 대한 양호한 정도의 수직성 (perpendicularity) 을 유지하는 홀들을 머시닝 (machine) 하는 것이 매우 어려워지고 고가가 될 수도 있다. 10:1의 애스팩트 비가 광학 뷰포트 (242) 컨디셔닝을 감소시킬 수도 있지만, 비축상 광 수집을 최소화하기 위한 직접적인 가시선에 대한 작은 수용 각도를 얻기 위해 더 높은 애스팩트 비, 즉 30:1이 요구된다.

불행히도, 전술된 종래의 시준기들은, 발광 분광법, 레이저 유도 형광법 (laser induced fluorescence), 파티클 검출, 흡광 분광법 (optical absorption spectroscopy), 또는 반도체 프로세싱 환경들에서 사용되는 다른 광학 인터로게이션 방법들을 채용하는 플라즈마의 광학 인터로게이션에 대한 최적의 솔루션을 제공하지 않을 수도 있다. 광학 뷰포트 상의 증착 또는 에칭 및/또는 높은 수용 각도의 문제점들을 극복하기 위해, 높은 애스팩트 비를 갖는 시준기들이 바람직하다. 요구되는 높은 애스팩트 비를 얻기 위한 종래의 솔루션들은 비실용적이거나, 너무 고가이거나, 또는 현재의 머시닝 능력 밖일 수도 있다.

발명의 개요

일 실시형태에서, 본 발명은 플라즈마 프로세싱 챔버에서 플라즈마 프로세싱 동안의 플라즈마의 광학 인터로게이션을 위한 방법에 관한 것이다. 그 방법은 광학 뷰포트를 제공하는 단계를 포함한다. 또한, 그 방법은 시준기 배열을 제공하는 단계를 포함한다. 시준기 배열은 복수의 시준기들을 갖도록 구성되며, 복수의 시준기들 중 제 1 시준기는 접속 구역에 의해 복수의 시준기들 내의 제 2 시준기로부터 분리된다. 그 방법은, 기판이 프로세싱되는 동안, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 플라즈마로부터 시준기 배열을 통해 광학 신호들을 수집하여, 고 시준된 광학 신호들을 생성하는 단계를 더 포함한다.

상기 개요는 여기서 개시되는 발명의 다수의 실시형태들 중 하나의 실시형태에 관한 것이며, 여기서 청구의 범위에서 설명되는 본 발명의 범위를 한정하도록 의도되지 않는다. 본 발명의 이들 및 다른 특징들은 다음의 도면들과 관련하여 본 발명의 상세한 설명에서 이하 더 상세히 설명될 것이다.

도면의 간단한 설명

본 발명은, 유사한 참조 번호들이 유사한 엘리먼트들을 지칭하는 첨부 도면의 도면들로 예에 의해 설명되며 이에 한정되지는 않는다.

도 1a는 플라즈마로의 직접적인 가시선을 갖는, 광학 뷰포트, 즉 윈도우를 갖는 종래의 플라즈마 프로세싱 챔버의 개략도를 도시한다.

도 1b는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 시준기를 채용하는 종래의 솔루션의 개략도를 도시한다.

도 1c는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 긴 시준기를 갖는 종래의 솔루션의 개략도를 도시한다.

도 2a는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 단일의 작은 직경의 홀을 갖는 시준기의 종래의 솔루션의 개략도를 도시한다.

도 2b는 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 다중 홀 시준기의 개략도를 도시한다.

도 3a는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 2개의 시준기들을 갖는 시준기 배열의 개략도를 도시한다.

도 3b는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 모놀리식 (monolithic) 시준기 배열의 개략도를 도시한다.

도 3c는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 다중 컴포넌트 시준기 배열의 개략도를 도시한다.

도 4는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 정렬 피쳐들을 갖는 다중 컴포넌트 시준기 배열의 개략도를 도시한다.

도 5a는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 시준기 내의 홀의 형상에 대한 변형들의 개략도를 도시한다.

도 5b는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 시준기를 통해 테이퍼링하는 홀 직경에 대한 변형들의 개략도를 도시한다.

도 6a는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 시준기 상의 홀 배치에 대한 변형들의 개략도를 도시한다.

도 6b는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 시준기 상의 홀 밀도에 대한 변형들의 개략도를 도시한다.

도 6c는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 시준기 상의 홀 직경들의 분포에 대한 변형들의 개략도를 도시한다.

실시형태들의 상세한 설명

이제, 본 발명은 첨부 도면들에서 예시되는 본 발명의 몇몇 실시형태들을 참조하여 상세히 설명될 것이다. 다음의 설명에서, 본 발명의 철저한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정 세부사항들이 설명된다. 그러나, 그 특정 세부사항들의 일부 또는 전부가 없이도 본 발명이 실시될 수도 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 경우에서, 본 발명을 불필요하게 불명료히 하지 않기 위해 공지의 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 상세히 설명되지 않았다.

방법들 및 기술들을 포함하는 다양한 실시형태들이 이하 설명된다. 본 발명이 본 발명의 기술의 실시형태들을 수행하기 위한 컴퓨터 판독가능한 명령들이 저장된 컴퓨터 판독가능한 매체를 포함하는 제조품 (article of manufacture) 들을 또한 커버할 수도 있다는 것을 유념해야 한다. 컴퓨터 판독가능한 매체는 예컨대, 반도체, 자성, 광자기, 광학, 또는 컴퓨터 판독가능한 코드를 저장하기 위한 컴퓨터 판독가능한 매체의 다른 형태들을 포함할 수도 있다. 또한, 본 발명은 본 발명의 실시형태들을 실시하기 위한 장치들을 또한 커버할 수도 있다. 그러한 장치는 본 발명의 실시형태들에 관련된 태스크들을 수행하기 위한, 전용 및/또는 프로그래밍가능한 회로들을 포함할 수도 있다. 그러한 장치의 예들은, 범용 컴퓨터 및/또는 적절하게 프로그래밍된 전용 컴퓨팅 디바이스를 포함하며, 본 발명의 실시형태들에 관련된 다양한 태스크들에 대해 구성된 전용/프로그래밍가능한 회로들과 컴퓨터/컴퓨팅 디바이스의 조합을 포함할 수도 있다.

본 발명의 실시형태들에 따르면, 플라즈마 프로세싱 동안에 플라즈마의 광학 인터로게이션을 수행하기 위한 진단 툴의 효율을 개선하기 위한 방법들 및 배열들이 제공된다. 본 발명의 실시형태들은, 더 높은 유효 애스팩트 비를 달성하기 위해 복수의 시준기들을 갖는 시준기 배열을 채용하는 것을 포함한다. 더 높은 유효 애스팩트 비를 달성함으로써, 시준기 배열은, 외부 신호 측정 디바이스에 도달하는 비축상 광의 양을 감소시키면서, 플라즈마 종들에 의해 컨디셔닝되는 것으로부터 뷰포트를 보호할 수도 있다.

일 실시형태에서, 시준기 배열은, 접속 구역에 의해 분리된 2개의 시준기들을 갖도록 구성될 수도 있다. 또 다른 실시형태에서, 각각의 시준기는, 더 높은 비용 효율 및/또는 상업적으로 실현가능한 애스팩트 비를 달성하기 위해 독립적으로 머시닝될 수도 있다. 독립적으로 머시닝 가능한 시준기들 및/또는 접속 구역을 제공함으로써, 각각의 시준기의 애스팩트 비들의 단순한 산술 합을 넘는 유효 애스팩트 비의 증가를 달성하는 것이 가능할 수도 있다.

일 실시형태에서, 시준기 배열은 단일 유닛으로부터 머시닝될 수도 있다. 일 실시형태에서, 시준기 배열은 다중 컴포넌트들로부터 구축될 수도 있다. 따라서, 시준기 배열은 복수의 방법들에 의해 제조되어 유사한 결과들을 달성할 수도 있다.

다중 컴포넌트 시준기 배열의 제조에서, 복수의 시준기들 사이의 정렬은 더 높은 광학 신호 강도 수집을 달성하는데 중요할 수도 있다. 일 예에서, 시준기 배열은, 각각의 시준기 상에 및/또는 일 실시형태에서는 시준기 외부 하우징 상에 키잉 (keying) 피쳐들을 갖도록 구성될 수도 있다. 일 실시형태에서, 다중 컴포넌트 시준기 배열 내의 시준기는, 병진 (translational), 회전, 및/또는 짐발링 (gimballing) 모션을 허용하기 위한 무브먼트 (movement) 스테이지를 갖도록 구성될 수도 있다. 키잉 피쳐들 및/또는 무브먼트 스테이지를 가짐으로써, 최적의 성능을 위한 필요에 따라 시준기들의 정렬이 수행될 수도 있다.

일 실시형태에서, 각각의 시준기는, 상이한 직경들, 길이들, 형상들, 테이퍼링 펑션들, 배치들, 밀도들, 및/또는 직경 분포들의 홀들을 갖도록 독립적으로 구성될 수도 있다. 각각의 시준기에 대한 옵션들의 이들 변경을 가짐으로써, 시준기 배열은 원하는 광학 수집 효율을 달성하기 위해 최적화될 수도 있다.

본 발명의 특징들 및 이점들은 도면들 및 이어지는 논의들을 참조하여 더 이해될 수도 있다. 도 3a는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 2개의 시준기들을 갖는 시준기 배열 (300) 의 개략도를 도시한다.

일 실시형태에서, 시준기 (300) 는 2개의 시준기들, 즉 보이드 영역 (304) 에 의해 분리된 제 1 시준기 (306) 및 제 2 시준기 (316) 를 갖도록 구성될 수도 있다. 보이드 영역 (304) 은, 제 1 시준기 (306) 와 제 2 시준기 (316) 사이에서의 분리 및/또는 정렬 양자 모두를 유지시키기 위해 보이드 영역 (304) 둘레에 셸 (302) 을 갖도록 구성될 수도 있다.

또 다른 실시형태에서, 시준기 배열 (300) 은, 시준기들의 각각, 즉 제 1 시준기 (306) 및/또는 제 2 시준기 (316) 가 홀의 수, 공간 어레이, 각각의 홀의 직경, 시준기의 길이 등에서 독립적이도록 구성될 수도 있다. 각각의 시준기의 독립적인 피쳐들은 특정 애플리케이션 요구들에 맞추기 위한 시준기 배열 (300) 의 커스토마이제이션 및/또는 설계에서의 유연성을 제공할 수도 있다.

일 예에서, 제 1 시준기 (306) 는, 제 1 소정의 길이 (310), 제 1 소정의 수의 홀의 어레이 (308), 및 각각의 홀에 대한 제 1 소정의 직경 (312) 을 가질 수도 있다. 유사하게, 제 2 시준기 (316) 는 또한, 제 2 소정의 길이 (320), 제 2 소정의 수의 홀의 어레이 (308), 및 각각의 홀에 대한 제 2 소정의 직경 (322) 을 가질 수도 있다. 따라서, 각각의 시준기는, 예컨대 경제적 및 제조 제약들 양자 모두에서 실현가능한 더 높은 애스팩트 비로 독립적으로 머시닝될 수도 있다.

머시닝 능력이 높은 애스팩트 비를 갖는 시준기들을 제조하기 위한 경제적인 제한 인자이므로, 최첨단 기술의 프로세스에 의해 달성가능한 한계까지 개별적으로 각각의 시준기를 머시닝하는 능력은 애스팩트 비에서의 총 증가를 허용한다. 유효 애스팩트 비에서의 증가는 각각의 시준기의 애스팩트 비들의 산술 합을 넘어선다. 그러나, 시준기 배열 (300) 의 총 길이는 유효 애스팩트 비에 상한을 부여할 수도 있다.

도 3a에 도시된 바와 같이, 시준기 배열 (300) 의 유효 애스팩트 비는 시준기들의 애스팩트 비들의 합과 시준기 배열 (300) 의 총 길이에 의해 결정된 애스팩트 비 사이에 있을 수도 있다. 예컨대, 각각의 시준기가 예컨대 10:1의 애스팩트 비와 같은 상업적으로 실현가능한 머시닝 능력으로 머시닝될 수도 있는 상황을 고찰한다. 일 예에서, 시준기 배열 (300) 의 총 길이는 30:1의 총 애스팩트 비를 가질 수도 있다. 유효 시준기 애스팩트 비는 20:1 내지 30:1 사이에 있을 수도 있다. 따라서, 유효 애스팩트 비를 증가시키기 위해, 보이드 영역 (304) 이 시준기 배열 (300) 의 총 길이를 유리하게 증가시킨다.

종래 기술과 대조적으로, 시준기 배열 (300) 은, 엄청난 제조 비용 및/또는 비실용적인 시준기 길이를 초래하지 않으면서, 매우 높은 유효 애스팩트 비, 즉 30:1 보다 더 큰 유효 애스팩트 비를 달성할 수도 있다. 높은 유효 애스팩트 비를 달성함으로써, 시준기 배열 (300) 은 가시선에 대한 낮은 수용 각도를 달성하면서 플라즈마 종들에 의해 컨디셔닝되는 것으로부터 뷰포트를 보호할 수도 있다.

도 3b는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 모놀리식 시준기 배열 (330) 의 개략도를 도시한다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 모놀리식 시준기 배열 (330) 은 단일 피스의 재료로부터 각각의 단부에 제 1 시준기 (332) 및 제 2 시준기 (336) 를 갖도록 구성될 수도 있다. 제 1 시준기 (332) 및 제 2 시준기 (336) 는 접속 구역 (334) 에 의해 분리된다. 플라즈마 종들 또는 원하지 않는 광 소스가 2개의 시준된 피스들 사이에 머시닝된 접속 구역 (334) 에 직접적으로 액세스하는 것을 방지하기 위해, 시준기 배열 (330) 은 외부 하우징 (338) 내에 피팅될 수도 있다.

도 3b의 구현에서, 일 실시형태에서, 시준기 배열 (330) 은 단일 유닛으로부터 머시닝될 수도 있다. 일 실시형태에 따라, 제 1 시준기 (332) 및 제 2 시준기 (336) 는 홀의 수, 공간 어레이, 각각의 홀의 직경, 시준기의 길이 등에서 독립적으로 머시닝될 수도 있다. 따라서, 제 1 시준기 (332) 및 제 2 시준기 (336) 는 종래 이용가능한 툴들로부터 저렴하게 적당한 애스팩트 비로 제조될 수도 있다. 다르게는, 각각의 시준기는, 엄청난 비용을 초래하지 않으면서 최첨단 기술의 툴들로 가능한 가장 높은 애스팩트 비를 달성하도록 머시닝될 수도 있다. 그러나, 제 1 시준기 (332) 와 제 2 시준기 (336) 를 결합시킴으로써, 시준기 배열 (330) 은 단일 시준기의 종래의 머시닝에 의해 가능한 것보다 더 높은 유효 애스팩트 비를 달성할 수도 있다.

초기에, 시준기 배열 (330) 은 단일 솔리드 피스의 재료일 수도 있다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 제 1 시준기 (332) 및 제 2 시준기 (336) 는 접속 구역 (334) 에 의해 분리된다. 일 실시형태에서, 제 1 시준기 (332) 와 제 2 시준기 (336) 사이에서 실질적으로 완전한 광의 전달을 허용할 수도 있는 보이드 영역 (340) 을 생성하기 위해 접속 구역 (334) 이 머시닝될 수도 있다. 단일 유닛으로부터 제 1 시준기 (332), 제 2 시준기 (336), 및 접속 구역 (334) 을 머시닝하는 것의 이점은 시준기들 사이의 정렬에 대한 매우 높은 제어일 수도 있다. 또한, 접속 구역 (334) 은, 2개의 시준기들에 대한 분리부로서 기능하고, 유효 애스팩트 비를 증가시키기 위해 시준기 배열 (330) 을 길게 할 수도 있다. 따라서, 높은 애스팩트 비와 함께 시준기들 사이의 홀들의 정렬은 작은 수용 각도를 갖는 가시선을 제공할 수도 있다.

높은 유효 애스팩트 비를 달성하기 위한 방법을 예시하기 위해, 2개의 시준기들을 갖는 시준기 배열이 도 3a 및 도 3b의 구현에서 논의되었지만, 예컨대 2개보다 더 많은 시준기들과 같은 복수의 시준기들을 가질 수도 있는 다른 실시형태들이 또한 채용될 수도 있다. 예컨대, 사용자가 전술된 보이드 영역의 짧아진 길이를 갖는 시준기 배열을 필요로 할 수도 있는 상황을 고찰한다. 시준기 배열은 전술된 보이드 영역의 동일한 길이의 3개 이상의 시준기들을 갖도록 구성될 수도 있다. 따라서, 각각의 시준기 사이의 보이드 영역의 길이는, 유효 애스팩트 비에 상당히 영향을 미치지 않으면서 효과적으로 감소된다.

도 3c는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 다중 컴포넌트 시준기 배열 (350) 의 개략도를 도시한다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 다중 컴포넌트 시준기 배열 (350) 은 외부 하우징 (358) 의 각각의 단부 내에 탑재하기 위한 제 1 시준기 (352) 및 제 2 시준기 (356) 를 갖도록 구성될 수도 있다.

도 3c의 구현에 도시된 바와 같이, 제 1 시준기 (352) 및 제 2 시준기 (356) 는 개별적인 유닛들이다. 일 실시형태에서, 각각의 시준기는, 홀의 수, 공간 어레이, 각각의 홀의 직경, 시준기의 길이 등에서 독립적으로 머시닝될 수도 있다. 따라서, 각각의 시준기는 합리적인 비용으로 더 높은 달성가능한 애스팩트 비로 머시닝될 수도 있다.

일 실시형태에서, 제 1 시준기 (352) 및 제 2 시준기 (356) 는 외부 하우징 (358) 의 각각의 단부 내에 탑재될 수도 있다. 일 실시형태에서, 외부 하우징 (358) 은 시준기들 사이의 분리 및/또는 정렬을 유지시키도록 채용될 수도 있다. 전술된 바와 같이, 분리 피쳐 외부 하우징 (358) 은 유효 애스팩트 비를 증가시키기 위해 시준기 배열 (350) 을 길게 하도록 기능할 수도 있다.

도 3c에 도시된 바와 같이, 다중 컴포넌트 시준기 배열 (350) 의 정렬은 복수의 방법들에 의해 달성될 수도 있다. 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 키잉 피쳐(들)이 정렬을 달성하기 위해 시준기 상에 구성될 수도 있다. 일 예에서, 제 1 시준기 (352) 는 제 1 키잉 피쳐 (360) 를 갖도록 구성될 수도 있다. 일 실시형태에서, 제 1 키잉 피쳐 (360) 는, 외부 하우징 (358) 으로의 삽입의 깊이를 결정하기 위한 깊이 키로서 기능하기 위해 제 1 시준기 (352) 의 일 단부에 구성될 수도 있다. 다르게는 및/또는 동시에, 일 실시형태에서, 제 1 키잉 피쳐 (360) 는 제 1 시준기 (352) 를 위한 회전 정렬 키로서 기능할 수도 있다.

본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 키잉 피쳐(들)이 외부 하우징 (358) 상에 구성될 수도 있다. 예컨대, 제 2 키잉 피쳐 (362) 는 외부 하우징 (358) 의 내부면 상에 구성될 수도 있다. 유사하게, 제 2 키잉 피쳐 (362) 도 정렬 및/또는 깊이 키잉 방법들로서 또한 채용될 수도 있다.

정렬 및/또는 깊이 키잉 방법들을 예시하기 위해, 키잉 방법들이 도 3c의 구현에서 논의되었지만, 정렬 및/또는 깊이 키잉을 위한 동일하고/하거나 상이한 피쳐들을 수반하는 다른 배열들이 또한 채용될 수도 있다.

일반적으로, 복수의 시준기들을 채용할 수도 있는 시준기 배열에서, 시준기들 사이의 정렬은 최적의 신호 강도 수집을 위해 중요할 수도 있다. 다수의 광학 인터로게이션 기술들에 대해, 진공 챔버의 직경에서의 대향 측들 상에서 시준된 어셈블리들이 요구된다. 따라서, 크로스-챔버 (cross-chamber) 정렬을 위해 전체 시준기 어셈블리의 미세한 병진 및 회전 제어가 요구된다. 도 4는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 정렬 피쳐들을 갖는 다중 컴포넌트 시준기 배열 (400) 의 개략도를 도시한다.

일 예에서, 다중 컴포넌트 시준기 배열 (400) 은 제 1 시준기 (404) 를 갖도록 구성될 수도 있다. 제 1 시준기 (404) 는 외부 하우징 (402) 대해 적소에 고정되도록 구성될 수도 있다. 외부 하우징 (402) 의 대향 단부에서, 제 2 시준기 (406) 가 정렬을 위한 무브먼트 스테이지 (408) 를 이용하여 탑재될 수도 있다. 무브먼트 스테이지 (408) 는 제 2 시준기 (406) 로 하여금 병진 모션, 회전 모션, 및/또는 짐발링 모션을 갖는 것을 허용하도록 구성될 수도 있다.

도 4에 도시된 바와 같이, 병진 모션들은 x 방향 (420), y 방향 (422), 및 z 방향 (424) 에 따른 움직임을 포함할 수도 있다. 회전 모션은, 외부 하우징 (402) 둘레의 각 θ (426) 에 의해 정의되는 바와 같이, 시계방향 또는 반시계방향 움직임을 포함할 수도 있다. 짐발링 모션은 공간에서의 임의의 포인트 (428) 근방에서 제 2 시준기 (406) 를 기울이는 것을 포함할 수도 있다. 도 4의 구현에서, 제 2 시준기 (406) 는 포인트 (428) 근방에서 x 방향 (420) 및/또는 y 방향 (422) 으로 짐발링될 수도 있다. 또한, 시준기 배열 (400) 을 정렬시키기 위한 제 2 시준기 (406) 를 이동시키는 다른 방법들이 채용될 수도 있다.

전술된 정렬 능력들을 가짐으로써, 시준기 배열 (400) 은 가장 높은 광학 신호 강도 수집을 달성하기 위해 최적화될 수도 있다. 예컨대, z 방향 (424) 병진은 특정 유효 애스팩트 비를 위한 시준기 배열 (400) 의 길이를 미세 튜닝하기 위해 채용될 수도 있다. 더 높은 유효 애스팩트 비가 특정한 광학 경로를 위한 더 작은 수용 각도로 변환될 수도 있다. 다른 예에서, 회전 모션은 제 1 시준기 (404) 및/또는 제 2 시준기 (406) 사이의 홀들의 정렬을 미세 튜닝하기 위해 채용될 수도 있다. 예컨대, 제 2 시준기 (406) 는, 특정한 광학 경로에 대한 가장 낮은 수용 각도를 갖는 최적의 직접적인 가시선에 대한 특정 각도 θ (426) 로 회전될 수도 있다.

다중 컴포넌트 튜브 어셈블리의 정렬에서의 또 다른 관련 인자는 스큐 (skew) 일 수도 있다. 여기서 용어가 채용되는 바와 같이, 스큐는 의도된 직선으로부터 튜브 컴포넌트을 비스듬하게 하는 것이다. 스큐는, x 방향 (420) 및 y 방향 (424) 으로 공간에서의 임의의 포인트 (428) 근방에서 제 2 시준기 (406) 를 기울이기 위한 짐발링 모션을 채용함으로써 시준기 배열 (400) 에서 미세 튜닝될 수도 있다.

예컨대, 제 2 시준기 (406) 가 음의 x 방향 (420) 으로 5 밀리미터(㎜) 의 스큐를 갖는다고 결정된 상황을 고찰한다. 제 2 시준기 (406) 가 임의의 포인트 (428) 근방에서 기울여질 수도 있으므로, 시준기 (406) 가 스큐를 보상하기 위해 양의 x 방향 (420) 으로 5 ㎜ 기울여질 수도 있다. 짐발링 모션을 채용함으로써, 시준기 (406) 는, 예컨대 제 1 시준기 (404) 와 같은 다른 컴포넌트에 대한 가장 높은 직선 정렬을 달성하도록 미세 튜닝될 수도 있다.

전술된 방법들에서 예시된 바와 같이, 다중 컴포넌트 시준기 배열에 대한 가장 높은 광학 신호 강도 수집을 달성하기 위해 다양한 정렬 방법들이 채용될 수도 있다. 일반적으로, 복수의 시준기들을 갖는 시준기 배열에 대한 광학 강도 수집을 최적화하기 위한 다른 정렬 방법들이 또한, 채용될 수도 있다.

도 5a는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 시준기 내의 홀의 형상에 대한 병형들의 개략도를 도시한다. 예컨대, 시준기 (502) 는 전형적인 원형 홀 (504) 을 나타낸다. 원형 홀 (504) 은 재료를 통해 일직선으로 천공된 홀일 수도 있다. 그러나, 홀을 천공하는 이용가능한 방법 및 필요에 따라, 홀은 임의의 형상을 취할 수도 있다. 일 실시형태에서, 시준기 (505) 는 예컨대 삼각형과 같은 임의의 다각형 형상 (506) 을 갖는 홀을 나타낸다. 또 다른 실시형태에서, 시준기 (507) 는 임의의 난해한 형상 (508) 을 갖는 홀을 나타낸다. 따라서, 이용가능한 머시닝 기술 및 광 수집 필요에 따라, 시준기는 광 수집을 위해 최적화하기 위한 임의의 적합한 형상을 갖는 홀을 가질 수도 있다.

도 5b는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 시준기를 통해 테이퍼링하는 홀 직경에 대한 변형들의 개략도를 도시한다. 통상적으로, 시준기의 길이를 통해 및/또는 단부들 양자 모두를 통해 동일한 직경을 갖는 홀을 생성하기 위해 홀은 시준기를 통해 일직선으로 천공된다. 그러나, 특정한 광학 경로에 대한 수용 각도를 최소화하기 위해, 홀은 임의의 펑션, 즉 연속 및/또는 불연속 펑션을 갖도록 테이퍼링될 수도 있다.

도 5b에 도시된 바와 같이, 시준기 (510) 는, 일 단부에 제 1 직경의 제 1 홀 (512) 및 다른 단부에 제 2 직경의 제 2 홀 (514) 을 갖도록 구성된다. 일 실시형태에서, 제 1 홀 (512) 의 직경은 제 2 홀 (514) 의 직경보다 더 클 수도 있다. 일 실시형태에서, 제 1 홀 (512) 및 제 2 홀 (514) 은 선형 감소하는 연속 펑션, 즉 일직선 테이퍼링에 의해 접속된다.

또 다른 실시형태에서, 시준기 (520) 는, 임의의 깊이 (524) 까지 시준기 (520) 를 통해 일직선으로 천공된 제 1 직경의 제 1 홀 (522) 을 일 단부 상에 갖도록 구성된다. 시준기 (520) 의 다른 단부 상에는, 제 2 직경의 제 2 홀 (528) 이 동일한 임의의 깊이 (524) 까지 시준기 (520) 를 통해 일직선으로 천공될 수도 있다. 일 실시형태에서, 시준기 (520) 는, 예컨대 제 1 홀 (522) 및 제 2 홀 (528) 과 같은 상이한 직경을 갖는 홀들을 가질 수도 있다. 일 실시형태에서, 각각의 홀은, 예컨대 제 1 임의의 펑션 (526) 및/또는 제 2 임의의 펑션 (530) 과 같은 임의의 불연속 펑션을 가질 수도 있다.

시준기를 통하는 홀의 직경을 변화시킬 수 있는 유연성으로, 시준기는 최소 수용 각도를 갖는 가시선을 통한 광학 경로로부터 광을 수집하기 위해 최적화된 홀들을 갖도록 구성될 수도 있다. 높은 애스팩트 비 시준기 어셈블리는 애스팩트 비에 기초하여, 몇몇 임의의 각도, 세타 (theta) 로 가시선 광 수용을 감소시킨다. 그러나, 세타보다 더 작거나 또는 더 큰 입사 각도들에서, 내부 홀 표면으로부터의 반사로 인해 추가적인 광이 시준기를 통해 안내될 수도 있다. 비축상 광의 이 추가적인 소스는 노이즈 레벨들을 증가시키고 최소화를 요구한다. 낮은 알베도 (albedo) 재료들을 사용하거나 또는 테이퍼링된 직경의 시준기 홀들을 사용하는 방법들은 이러한 기능성을 수행하는 다수의 방법들 중 2개의 방법이다. 여기서 용어가 채용되는 바와 같이, 낮은 알베도 재료들은 표면으로부터 반사되는 광의 낮은 비율을 가질 수도 있다.

도 6a는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 시준기 상의 홀 배치에 대한 변형들의 개략도를 도시한다. 일 실시형태에서, 시준기 단부 (602) 는, 예컨대 로우들이 다른 로우의 상부 상에 있는 단순한 직선 로우들로 배열된 홀들 (604) 의 어레이를 갖도록 구성될 수도 있다. 또 다른 실시형태에서, 시준기 단부 (612) 는, 동심원들로 배열된 홀들 (614) 의 어레이를 갖도록 구성될 수도 있다. 일반적으로, 시준기 상의 홀들의 배치를 위한 다른 배열들이 또한 채용될 수도 있다.

도 6b는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 시준기 상의 홀 밀도에 대한 변형들의 개략도를 도시한다. 일 실시형태에서, 시준기 단부 (622) 는 높은 홀 밀도를 갖도록 구성된 홀들 (624) 의 어레이를 갖도록 구성될 수도 있다. 일 예에서, 높은 홀 밀도에 대한 시준기 단부 (622) 의 영역에 대해 홀들의 밀도는 약 65 % 내지 약 70 %까지일 수도 있다. 또 다른 실시형태에서, 시준기 단부 (632) 는 희박한 홀 밀도를 갖도록 구성된 홀들 (634) 의 어레이를 갖도록 구성될 수도 있다. 일 예에서, 시준기 단부 (632) 의 영역에 대한 홀들의 밀도는 약 10 % 내지 약 15 %일 수도 있다. 일반적으로, 시준기 단부의 영역에 대한 홀들의 밀도는 약 5 % 내지 약 95 %일 수도 있다.

도 6c는, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 시준기 상의 홀 직경들의 분포에 대한 변형들의 개략도를 도시한다. 일 실시형태에서, 시준기 단부 (642) 는, 바이모달 (bimodal) 분포, 즉 2개의 상이한 직경들의 홀들의 분포를 갖도록 구성된 홀들 (624) 의 어레이를 갖도록 구성될 수도 있다. 또 다른 실시형태에서, 시준기 단부 (652) 는, 트리모달 (trimodal) 분포, 즉 3개의 상이한 직경들의 홀들의 분포를 갖도록 구성된 홀들 (654) 의 어레이를 갖도록 구성될 수도 있다. 일반적으로, 홀 직경 분포는, 홀 영역 커버리지의 퍼센트 또는 임의의 다른 원하는 인자에 대해 최적화하기 위한 임의의 분포일 수도 있다.

따라서, 시준기 배열에서, 각각의 시준기는 홀 직경, 홀 길이, 홀 형상, 홀 테이퍼링 펑션, 홀 배치, 홀 밀도, 및/또는 홀 직경 분포에 대해 독립적으로 최적화될 수도 있다. 각각의 피쳐에 대한 다양한 변경들은, 동일한 광 수집 효율을 달성하기 위해, 시준기 배열을 최적화하기 위한 복수의 방법들을 허용할 수도 있다.

전술한 바로부터 인식될 수도 있는 바와 같이, 본 발명의 실시형태들은, 종래의 머시닝 능력으로 제조가능한 적당하게 사이징된 시준기 배열을 위한 방법들 및 배열들을 제공한다. 종래 머시닝 기술에서 달성가능한 가장 높은 애스팩트 비로 각각의 시준기를 머시닝함으로써, 가시선에 대한 낮은 수용 각도의 제어를 유지시키면서 비용 절감이 실현될 수도 있다. 또한, 높은 유효 애스팩트 비를 갖는 시준기 배열은, 플라즈마 종들로부터의 뷰포트의 효과적인 분리를 제공함으로써, 스펙트럼 신호 편차를 양호하게 방지할 수도 있다. 따라서, 제안된 시준기 어셈블리는, 직접적인 플라즈마 노출을 갖는 광학 컴포넌트들에 대한 MTBF (mean time between failures) 를 상당히 증가시키며, 전체 시스템 비용 및 다운타임을 감소시킨다.

본 발명이 수개의 바람직한 실시형태들에 의해 설명되었지만, 본 발명의 범위 내에 속하는 변형물, 치환물, 및 균등물이 존재한다. 또한, 여기서, 발명의 명칭, 개요, 및 요약은 편의를 위해 제공되며 본원의 청구의 범위를 해석하는데 사용되서는 안된다. 또한, 본 발명의 방법들 및 장치들을 구현하는 다수의 변형 방법들이 존재한다는 것을 유념해야 한다. 여기서 다양한 예들이 제공되지만, 이들 예들은 예시적이고 본 발명에 대해 한정하지 않도록 의도된 것이다. 또한, 본원에서, "n" 아이템들의 세트는 0 이상의 아이템들을 세트로 지칭한다. 따라서, 다음의 첨부된 청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상 및 범위 내에 속하는 모든 그러한 변형물, 치환물, 및 균등물을 포함하는 것으로서 해석되도록 의도된다.

Claims

플라즈마 프로세싱 챔버에서, 플라즈마 프로세싱 동안에 플라즈마의 광학 인터로게이션 (interrogation) 을 위한 방법으로서,
광학 뷰포트를 제공하는 단계;
상기 광학 뷰포트에 커플링된 시준기 배열을 제공하는 단계로서, 상기 시준기 배열은 복수의 시준기들을 갖도록 구성되며, 상기 복수의 시준기들 중 제 1 시준기는 접속 구역에 의해 상기 복수의 시준기들 내의 제 2 시준기로부터 분리되는, 상기 시준기 배열을 제공하는 단계; 및
기판이 프로세싱되는 동안, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 상기 플라즈마로부터 상기 시준기 배열을 통해 광학 신호들을 수집하여, 고 시준된 광학 신호들을 생성하는 단계를 포함하는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 광학 뷰포트는 소정의 파장 범위에 대해 광학적으로 투명한, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 2 항에 있어서,
상기 소정의 파장 범위는 적외선 (IR) 파장들로부터 자외선 (UV) 파장들까지인, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 시준기 배열은 모놀리식 (monolithic) 유닛으로부터 제조되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 시준기 배열은 다중 컴포넌트들로부터 제조되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 시준기의 각각의 시준기는 독립적으로 머시닝 (machine) 되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 접속 구역은 보이드 (void) 영역을 포함하는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 시준기 배열은 외부 하우징 내에 피팅 (fit) 되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 8 항에 있어서,
상기 외부 하우징은, 상기 복수의 시준기들의 각각의 시준기를 정렬시키기 위한 복수의 키잉 피쳐들 중 적어도 하나를 갖도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 8 항에 있어서,
상기 외부 하우징은, 상기 복수의 시준기들의 각각의 시준기를 분리시키기 위한 복수의 키잉 피쳐들 중 적어도 하나를 갖도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 8 항에 있어서,
상기 시준기 배열 내의 상기 복수의 시준기들 중 상기 제 1 시준기는 상기 외부 하우징으로의 깊이 삽입 (depth insertion) 을 위한 키잉 피쳐를 갖도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 8 항에 있어서,
상기 시준기 배열 내의 상기 복수의 시준기들 중 상기 제 1 시준기는 상기 외부 하우징에서 상기 제 2 시준기와의 회전 정렬을 위한 키잉 피쳐를 갖도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 5 항에 있어서,
상기 복수의 시준기들 중 상기 제 2 시준기는, 상기 다중 컴포넌트들로부터 제조된 상기 시준기 배열에서의 정렬을 위한 무브먼트 스테이지를 이용하여 탑재되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 13 항에 있어서,
상기 무브먼트 스테이지는 상기 제 2 시준기가 병진 모션을 갖는 것을 허용하도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 13 항에 있어서,
상기 무브먼트 스테이지는 상기 제 2 시준기가 회전 모션을 갖는 것을 허용하도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 13 항에 있어서,
상기 무브먼트 스테이지는 상기 제 2 시준기가 짐발링 (gimballing) 모션을 갖는 것을 허용하도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 시준기들의 각각의 시준기는 복수의 홀들을 갖도록 구성되며,
상기 복수의 홀들은 광 수집을 최적화하기 위한 소정의 형상으로 머시닝되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 17 항에 있어서,
상기 소정의 형상은 원형 홀인, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 17 항에 있어서,
상기 소정의 형상은 적합한 다각형 홀인, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 17 항에 있어서,
상기 복수의 홀들의 각각의 홀은 광 수용 각도를 최소화하기 위한 소정의 테이퍼링 펑션 (tapering function) 을 갖는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 20 항에 있어서,
상기 소정의 테이퍼링 펑션은 연속 펑션인, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 21 항에 있어서,
상기 소정의 테이퍼링 펑션은 불연속 펑션인, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 17 항에 있어서,
상기 복수의 홀들은 소정의 배열로 배열되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 23 항에 있어서,
상기 소정의 배열은 직선 로우들의 어레이인, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 23 항에 있어서,
상기 소정의 배열은 동심원들의 어레이인, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 17 항에 있어서,
상기 복수의 홀들은 상기 각각의 시준기의 영역에 대해 높은 홀 밀도를 갖도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 26 항에 있어서,
상기 높은 홀 밀도는 상기 각각의 시준기의 영역에 대해 65 % 내지 70 %의 홀 영역인, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 17 항에 있어서,
상기 복수의 홀들은 상기 각각의 시준기의 영역에 대해 낮은 홀 밀도를 갖도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 28 항에 있어서,
상기 낮은 홀 밀도는 상기 각각의 시준기의 영역에 대해 10 % 내지 15 %의 홀 영역인, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 17 항에 있어서,
상기 복수의 홀들은 상기 각각의 시준기의 영역에 대해 5 % 내지 95 %의 홀 영역의 홀 밀도를 갖도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
제 17 항에 있어서,
상기 복수의 홀들은 복수의 소정의 직경들의 분포를 갖도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
플라즈마 프로세싱 동안에 플라즈마의 광학 인터로게이션을 수행하기 위한 진단 툴로서,
광학 뷰포트; 및
상기 광학 뷰포트에 커플링되며, 복수의 시준기들을 갖도록 구성되는 시준기 배열을 포함하며,
상기 복수의 시준기들 중 제 1 시준기는 접속 구역에 의해 상기 복수의 시준기들 중 제 2 시준기로부터 분리되고, 상기 시준기 배열은, 기판이 프로세싱되는 동안, 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 상기 플라즈마로부터 광학 신호들을 수집하여 고 시준된 광학 신호들을 생성하도록 구성되는, 광학 인터로게이션을 수행하기 위한 진단 툴.
플라즈마 프로세싱 챔버에서, 플라즈마 프로세싱 동안의 플라즈마의 광학 인터로게이션을 위한 방법으로서,
광학 뷰포트를 제공하는 단계;
상기 광학 뷰포트에 커플링된 시준기 배열을 제공하는 단계로서, 상기 시준기 배열은 제 1 단부 상에 제 1 시준기를 갖고 제 2 단부 상에 제 2 시준기를 갖도록 구성되며, 상기 제 1 시준기 및 상기 제 2 시준기는 보이드 영역에 의해 분리되는, 상기 시준기 배열을 제공하는 단계; 및
기판이 프로세싱되는 동안, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 상기 플라즈마로부터 광학 신호를 수집하는 단계를 포함하는, 광학 인터로게이션을 위한 방법.
플라즈마 프로세싱 챔버에서, 플라즈마 프로세싱 동안의 광학 뷰포트 상의 증착을 감소시키기 위한 방법으로서,
상기 광학 뷰포트에 커플링된 시준기 배열을 제공하는 단계로서, 상기 시준기 배열은 복수의 시준기들을 갖도록 구성되며, 상기 복수의 시준기들 중 제 1 시준기는 접속 구역에 의해 상기 복수의 시준기들 내의 제 2 시준기로부터 분리되는, 상기 시준기 배열을 제공하는 단계; 및
기판이 프로세싱되는 동안, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 상기 플라즈마로부터 상기 시준기 배열을 통해 광학 신호들을 수집하여, 고 시준된 광학 신호들을 생성하는 단계를 포함하는, 광학 뷰포트 상의 증착을 감소시키기 위한 방법.
플라즈마 프로세싱 챔버에서, 플라즈마 프로세싱 동안의 광학 뷰포트의 에칭을 감소시키기 위한 방법으로서,
상기 광학 뷰포트에 커플링된 시준기 배열을 제공하는 단계로서, 상기 시준기 배열은 복수의 시준기들을 갖도록 구성되며, 상기 복수의 시준기들 중 제 1 시준기는 접속 구역에 의해 상기 복수의 시준기들 내의 제 2 시준기로부터 분리되는, 상기 시준기 배열을 제공하는 단계; 및
기판이 프로세싱되는 동안, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 상기 플라즈마로부터 상기 시준기 배열을 통해 광학 신호들을 수집하여, 고 시준된 광학 신호들을 생성하는 단계를 포함하는, 광학 뷰포트의 에칭을 감소시키기 위한 방법.