JPS597251A - 結晶性評価装置 - Google Patents
結晶性評価装置Info
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- JPS597251A JPS597251A JP57116537A JP11653782A JPS597251A JP S597251 A JPS597251 A JP S597251A JP 57116537 A JP57116537 A JP 57116537A JP 11653782 A JP11653782 A JP 11653782A JP S597251 A JPS597251 A JP S597251A
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- rays
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線回折を用（・てサファイア基板上に成長さ
せたシリコン膜などの評価を行う結晶性評価装置に関す
るものである。
せたシリコン膜などの評価を行う結晶性評価装置に関す
るものである。
一般に、サファイア基板上に成長させたシリコン膜（５
ＯＳ）は、不純物制御によってデバイス素子間を分離し
ており、超ＬＳＩ等の半導体装置を構成しているバルク
シリコンに比べてシリコン膜を島状に分離してデバイス
を形成することが可能で高密度化に適しており、また寄
生容量が少いためにデバイスの高速動作を達成させしめ
ることが出来るという利点を有している。
ＯＳ）は、不純物制御によってデバイス素子間を分離し
ており、超ＬＳＩ等の半導体装置を構成しているバルク
シリコンに比べてシリコン膜を島状に分離してデバイス
を形成することが可能で高密度化に適しており、また寄
生容量が少いためにデバイスの高速動作を達成させしめ
ることが出来るという利点を有している。
このようなシリコン膜は一般に化学気相成長法で得られ
ているものが用いられているが、その結晶性は完全結晶
の代表とされるバルクシリコンに比べひどく劣っている
。そのためサファイア基板上のシリコン膜を用（・よう
とする場合には、デバイス作製に供することが可能な良
好な結晶性を有するものを選別する必要がある。
ているものが用いられているが、その結晶性は完全結晶
の代表とされるバルクシリコンに比べひどく劣っている
。そのためサファイア基板上のシリコン膜を用（・よう
とする場合には、デバイス作製に供することが可能な良
好な結晶性を有するものを選別する必要がある。
このサファイア基板上のシリコン膜の結晶性の優劣を沿
価する手段の−・つとしてＸ線回折法か知られて（・る
。このシリコン膜の結晶性は、Ｘ線回折におけるＸ線ロ
ッキングカーブ（ＸＲＣ）の半値幅の大小により結晶性
を評価出来るが、従来の大ロモミザファイア基板上に成
長さぜたシリコン膜の結晶性評価は、単に大面積のシリ
コン膜の局部を評価していたに過ぎなかった。このシリ
コン膜により製品をつくる品質管理の立場から力えると
その大面積の全面のシリコン膜の結晶性を同時に評価す
ることが必要でおり、そのため大面積基板上をＸ線走査
して局部評価を繰り返す必要があったが、この方法では
多大な評価時間が必要となってし７まう欠点があった。
価する手段の−・つとしてＸ線回折法か知られて（・る
。このシリコン膜の結晶性は、Ｘ線回折におけるＸ線ロ
ッキングカーブ（ＸＲＣ）の半値幅の大小により結晶性
を評価出来るが、従来の大ロモミザファイア基板上に成
長さぜたシリコン膜の結晶性評価は、単に大面積のシリ
コン膜の局部を評価していたに過ぎなかった。このシリ
コン膜により製品をつくる品質管理の立場から力えると
その大面積の全面のシリコン膜の結晶性を同時に評価す
ることが必要でおり、そのため大面積基板上をＸ線走査
して局部評価を繰り返す必要があったが、この方法では
多大な評価時間が必要となってし７まう欠点があった。
本発明の目的は、Ｘ線回折により大面積の学結晶を同時
に、短時間にかつ高精度に評価が出来る結晶性評価装置
を提供することにある。
に、短時間にかつ高精度に評価が出来る結晶性評価装置
を提供することにある。
本発明の結晶性評価装置は、Ｘ線源と、このＸ線源から
放射されたＸ線を表面に対して小さな角度で受けその表
面からそのＸ線ビーム幅を拡大した第１の回折Ｘ線とし
てとり出す禎１結晶部を保持したモノクロメータと、こ
のモノクロメータからの第１の回折Ｘ線を表面に対して
小さな角度で受けその表面からそのＸ線ビーム幅を拡大
した第２の回折Ｘ線としてとり出す第２の結晶部として
の被測定試料を載置する試別載置手段と、前記被測定試
料を真空吸引により保持する真空チャック機構と、前記
被測定試料からの第２の回折Ｘ線を検出位置に対応して
高分解能で検出するＸ線検出手段と、このＸ線検出手段
の出力から前記被測定試料の回折Ｘ線強度の位置分布を
出力する表示手段とを含み構成される。
放射されたＸ線を表面に対して小さな角度で受けその表
面からそのＸ線ビーム幅を拡大した第１の回折Ｘ線とし
てとり出す禎１結晶部を保持したモノクロメータと、こ
のモノクロメータからの第１の回折Ｘ線を表面に対して
小さな角度で受けその表面からそのＸ線ビーム幅を拡大
した第２の回折Ｘ線としてとり出す第２の結晶部として
の被測定試料を載置する試別載置手段と、前記被測定試
料を真空吸引により保持する真空チャック機構と、前記
被測定試料からの第２の回折Ｘ線を検出位置に対応して
高分解能で検出するＸ線検出手段と、このＸ線検出手段
の出力から前記被測定試料の回折Ｘ線強度の位置分布を
出力する表示手段とを含み構成される。
本発明の特徴は、Ｘ線回折を用いた二結晶法配置におい
て、Ｘ線源として、Ｃｕｋａ、線を用いて非対称度の大
きなシリコンの（３１１）反射のＸ線強度を位置敏感型
Ｘ線検出器で検出し、かつ真空チャックを用いて被評価
試料を保持し、高精度に走査出来る機構を有するところ
にある。
て、Ｘ線源として、Ｃｕｋａ、線を用いて非対称度の大
きなシリコンの（３１１）反射のＸ線強度を位置敏感型
Ｘ線検出器で検出し、かつ真空チャックを用いて被評価
試料を保持し、高精度に走査出来る機構を有するところ
にある。
以下、図面により本発明の詳細な説明する。
本実施例においては、被評価試料が（１１０２）面サフ
ァイア基板上の（ｉｏｏ）面シリコン膜である。このシ
リコン膜は多くの結晶欠陥を有し、運動学理論で取り扱
うことが出来るモザイク結晶となっており、その結晶学
的方位分布が評価対象となる。この結晶学的方位分布の
測定にはＸ線回折による二結晶法が最適である。
ァイア基板上の（ｉｏｏ）面シリコン膜である。このシ
リコン膜は多くの結晶欠陥を有し、運動学理論で取り扱
うことが出来るモザイク結晶となっており、その結晶学
的方位分布が評価対象となる。この結晶学的方位分布の
測定にはＸ線回折による二結晶法が最適である。
第１図は従来のＸ線回折装置における二結晶法配置の平
面図を模式的に示した図面である。すなわち、Ｘ線源１
から発されスリット３によりそのビーム形状が絞られた
Ｘ線２は、Ｘ線回折計上のモノクロメータ結晶４へ入射
する。このモノクロメータ４からのＸ線２は再びスリッ
ト５により絞られて被評価試料６へ入射される。このＸ
線２は被評価試料６上の限定された領域により回折され
Ｘ線検出器７によりその回折強度が測定される。
面図を模式的に示した図面である。すなわち、Ｘ線源１
から発されスリット３によりそのビーム形状が絞られた
Ｘ線２は、Ｘ線回折計上のモノクロメータ結晶４へ入射
する。このモノクロメータ４からのＸ線２は再びスリッ
ト５により絞られて被評価試料６へ入射される。このＸ
線２は被評価試料６上の限定された領域により回折され
Ｘ線検出器７によりその回折強度が測定される。
この時被評価試料６により回折されるＸ線強度は回折を
起こす幾可学的条件を満足する角度付近でその強度が増
減する。例えば、Ｘ線回折計上の第２結晶部に保持され
た被評価試料６を角度Ｗ方向に回転すると、その回折さ
れたＸｉ＃Ｊ強度Ｉは、第２図に示すように、角度ｌに
対してピーク的関数８として得られる。このピーク関数
８がいわゆるＸ線ロッキングカーブ（ＸＲＣ）と呼ばれ
るもので、サファイア基板上のシリコン膜の結晶方位分
布を表わしている。このＸＲＣの半値幅σカの大小によ
り試料の結晶性の優劣を評価することが可能である。し
かし、前述のとおりこの測定は局部評価となり時間のか
かる欠点があった。
起こす幾可学的条件を満足する角度付近でその強度が増
減する。例えば、Ｘ線回折計上の第２結晶部に保持され
た被評価試料６を角度Ｗ方向に回転すると、その回折さ
れたＸｉ＃Ｊ強度Ｉは、第２図に示すように、角度ｌに
対してピーク的関数８として得られる。このピーク関数
８がいわゆるＸ線ロッキングカーブ（ＸＲＣ）と呼ばれ
るもので、サファイア基板上のシリコン膜の結晶方位分
布を表わしている。このＸＲＣの半値幅σカの大小によ
り試料の結晶性の優劣を評価することが可能である。し
かし、前述のとおりこの測定は局部評価となり時間のか
かる欠点があった。
第３図は本発明の一実施例を模式的に示した構成図であ
る。すなわち、Ｘ線源１より発生したＸ線１０は、スリ
ット１１によりそのビーム形状が絞られて、第１結晶部
である面方位が（１００）面のシリコン単結晶からなる
モノクロメータ結晶１２へ入射する。また、Ｘ線源１の
Ｃｕターゲットより発生した入射Ｘ線１０は、（３１１
）面によりＣｕｋ＋ａ、線（波長１．５４０５Ａ ）の
みが回折されるようにセツティングされ、これが第２結
晶部の被評価試料１５へ入射される。この時の回折条件
は入射角θ、が２°５０′１反射角θ２は５３°１８′
である。これらの角度θ１．θ、の値は理想的な結晶に
対する値であって、実際に用（・るモノクロメータ結晶
では通常若干の誤差がある。このような回折条件でＸ線
】０が回折されるとき、そのビーム幅ｄ１は幅ｄ、に拡
大される。この条件下ではｄ２ ＝ １６．２ ｄｌの
関係にあり、Ｘ線１０はそのビーム幅が拡大されて被評
価試料１５へ入射する。
る。すなわち、Ｘ線源１より発生したＸ線１０は、スリ
ット１１によりそのビーム形状が絞られて、第１結晶部
である面方位が（１００）面のシリコン単結晶からなる
モノクロメータ結晶１２へ入射する。また、Ｘ線源１の
Ｃｕターゲットより発生した入射Ｘ線１０は、（３１１
）面によりＣｕｋ＋ａ、線（波長１．５４０５Ａ ）の
みが回折されるようにセツティングされ、これが第２結
晶部の被評価試料１５へ入射される。この時の回折条件
は入射角θ、が２°５０′１反射角θ２は５３°１８′
である。これらの角度θ１．θ、の値は理想的な結晶に
対する値であって、実際に用（・るモノクロメータ結晶
では通常若干の誤差がある。このような回折条件でＸ線
】０が回折されるとき、そのビーム幅ｄ１は幅ｄ、に拡
大される。この条件下ではｄ２ ＝ １６．２ ｄｌの
関係にあり、Ｘ線１０はそのビーム幅が拡大されて被評
価試料１５へ入射する。
線をその試料に照射しても局部的に回折されるだけで、
大面積を同時にかつ高精度に評価することができない。
大面積を同時にかつ高精度に評価することができない。
そのため本発明においては、出来るだけ試料の反りを小
さくするために、第２結晶部に真空チャックと吸引ポン
プとからなる真空チャック機構１４を設けて、口径７（
５ｍｍの試料が保持出来るようにしている。なお、スリ
ット１３は散乱防止用のスリットである。
さくするために、第２結晶部に真空チャックと吸引ポン
プとからなる真空チャック機構１４を設けて、口径７（
５ｍｍの試料が保持出来るようにしている。なお、スリ
ット１３は散乱防止用のスリットである。
ここで、試料１５の（３１１）反射を測定する場合本回
折条件下では入射角θ、の値としては、２°５０′、５
３°１８′の二通り存在するが、大面積を同時に評価す
るために、入射Ｘ線１０と試料表面となす角θ３が小さ
な値すなわち２°５０′の場合の回折条件を選択する必
要がある。この場合、Ｘ線１０のビーム径ｄ、が０．２
５ｍ＋ｎになるようにスリット１１を選択すると、モノ
クロメータ結晶からの回折ビーノ・径ｄ、は４．１ｗと
なり、したがって第２結晶部に保持された試料表面の６
５ｍに渡ってＸＨを照射することが可能となる。
折条件下では入射角θ、の値としては、２°５０′、５
３°１８′の二通り存在するが、大面積を同時に評価す
るために、入射Ｘ線１０と試料表面となす角θ３が小さ
な値すなわち２°５０′の場合の回折条件を選択する必
要がある。この場合、Ｘ線１０のビーム径ｄ、が０．２
５ｍ＋ｎになるようにスリット１１を選択すると、モノ
クロメータ結晶からの回折ビーノ・径ｄ、は４．１ｗと
なり、したがって第２結晶部に保持された試料表面の６
５ｍに渡ってＸＨを照射することが可能となる。
この試料１５より回折したＸ線はＸ線検出器で検出され
るが、通常の検出器は口径１０ Ｘ １５ｍｍ”程度の
検出口に入射、するＸ＃１強度の積分値だけを計数して
いるためその検出口内の位置的分解が出来ないので、本
実施例では有効長ｐが１ｏｃｒｎの位置敏感型Ｘ線プロ
ーブ１７を用いている。すなわち、試料１５の大面積に
渡って同一角度条件で入射したＸ線が試料の異なる部位
Ｐ、、Ｐ２で回折し、その回折Ｘ線がそれぞれ異なる部
位Ｑ、、Ｑ２に入射する。この回折Ｘ線はＸ線プローブ
１７によりその位置Ｑ、、Ｑ２を分離して検出される。
るが、通常の検出器は口径１０ Ｘ １５ｍｍ”程度の
検出口に入射、するＸ＃１強度の積分値だけを計数して
いるためその検出口内の位置的分解が出来ないので、本
実施例では有効長ｐが１ｏｃｒｎの位置敏感型Ｘ線プロ
ーブ１７を用いている。すなわち、試料１５の大面積に
渡って同一角度条件で入射したＸ線が試料の異なる部位
Ｐ、、Ｐ２で回折し、その回折Ｘ線がそれぞれ異なる部
位Ｑ、、Ｑ２に入射する。この回折Ｘ線はＸ線プローブ
１７によりその位置Ｑ、、Ｑ２を分離して検出される。
この構成によれば、位置的分解能があると共に大面積に
渡って結晶の評価が回部となる。
渡って結晶の評価が回部となる。
ン、（お、ＸＭ美プローブ１７に回折Ｘ＠が入射すると
き、異なった方位に散乱される弱い散乱Ｘ線が入射する
のを防ぐために、検出プローブ１７の前にソーラースリ
ット１６を位置させてシグナル・ノイズ比を高めて（・
る。
き、異なった方位に散乱される弱い散乱Ｘ線が入射する
のを防ぐために、検出プローブ１７の前にソーラースリ
ット１６を位置させてシグナル・ノイズ比を高めて（・
る。
さらに、Ｘ線プローブ１７の出力は位置分析回路Ｘ１８
に供給され、測定データを出力するマルチチャンネルア
ナライザーλ１９．データ処理用のマイクロコンピュー
タ２１を介してプロッター２０に測定試料を角度スキャ
ンして得られたＸＲＣ（ＸＩロッキングカーブ）を出力
する。
に供給され、測定データを出力するマルチチャンネルア
ナライザーλ１９．データ処理用のマイクロコンピュー
タ２１を介してプロッター２０に測定試料を角度スキャ
ンして得られたＸＲＣ（ＸＩロッキングカーブ）を出力
する。
この実施例では、検出プロー７１７の位置分解能が０．
２５ｍであり、これら測定チャンネル毎のＸ線強度が位
置分析回路１８を通じてマルチチャンネルアナライザー
１９に蓄えられる。この場合試料１５を回転軸Ｃを中心
に回転させながら各チャンネル上でのＸｌｌ’ＬＣを測
定する。また、角度スキャンは１ステツプ１０′′の間
隔でステップスキャンを行（・Ｘ線カウント積算時間は
５秒とし、各チャンネル上に積算されたカウント数は各
角度に対してマルチチャンネルアナライザー１９を通じ
てマイクロコンピータ２１にデータとして蓄えられ、こ
のチャンネルの選択により各チャンネルのＸＲＣがプロ
ッター２０上に出力される。
２５ｍであり、これら測定チャンネル毎のＸ線強度が位
置分析回路１８を通じてマルチチャンネルアナライザー
１９に蓄えられる。この場合試料１５を回転軸Ｃを中心
に回転させながら各チャンネル上でのＸｌｌ’ＬＣを測
定する。また、角度スキャンは１ステツプ１０′′の間
隔でステップスキャンを行（・Ｘ線カウント積算時間は
５秒とし、各チャンネル上に積算されたカウント数は各
角度に対してマルチチャンネルアナライザー１９を通じ
てマイクロコンピータ２１にデータとして蓄えられ、こ
のチャンネルの選択により各チャンネルのＸＲＣがプロ
ッター２０上に出力される。
本実施例で得られた結果の一例を示す。Ｓｒ膜厚が０．
６μｍの試料に対し、同一角度条件下での各々チャンネ
ルのカウントのバラツキは±５９６程度であった。１１
．ｃお、Ｘ線が照射されている試料の周辺部のチャンネ
ルからのカウント数がやや減少する傾向が見られた。次
に、各チャンネルで得られたＸ Ｒ，Ｃの半値幅な求め
ると、本実施例の試料では試料上のＳ１膜厚のゆるやか
な膜厚分布に対応して半値幅が増減している結果が得ら
れた。
６μｍの試料に対し、同一角度条件下での各々チャンネ
ルのカウントのバラツキは±５９６程度であった。１１
．ｃお、Ｘ線が照射されている試料の周辺部のチャンネ
ルからのカウント数がやや減少する傾向が見られた。次
に、各チャンネルで得られたＸ Ｒ，Ｃの半値幅な求め
ると、本実施例の試料では試料上のＳ１膜厚のゆるやか
な膜厚分布に対応して半値幅が増減している結果が得ら
れた。
ＳＯ８については、５１Ｍ１が増加するにつれてＸＲＣ
の半値幅が減少することが知られて（・るがこの測定例
では平均値１０００”に対して±７チ程度あることが示
された。また、検出プローブ１７上で０．２５ｍの位置
分Ｍ前、すなわち試料表面上で約０．３卸の分解能で、
ＸＲＣを測定出来ることがわかった。従来の単一の局部
的測定け８ｉ）ＩＪ厚が０．６μｍ１２の試別が０．５
ｆｆ＋１毎に測定できたが、−回の測定で１０分程度
の時間を必要とした。これに対して本実施例の測定では
、Ｘ線強度測定を積算型で行っているため３５分程度の
測定時間が必要であったが、検出プローブ上のチャンネ
ル数は約２にで対時間比を計算すると従来のものの１１
５７０と大幅に改善される。
の半値幅が減少することが知られて（・るがこの測定例
では平均値１０００”に対して±７チ程度あることが示
された。また、検出プローブ１７上で０．２５ｍの位置
分Ｍ前、すなわち試料表面上で約０．３卸の分解能で、
ＸＲＣを測定出来ることがわかった。従来の単一の局部
的測定け８ｉ）ＩＪ厚が０．６μｍ１２の試別が０．５
ｆｆ＋１毎に測定できたが、−回の測定で１０分程度
の時間を必要とした。これに対して本実施例の測定では
、Ｘ線強度測定を積算型で行っているため３５分程度の
測定時間が必要であったが、検出プローブ上のチャンネ
ル数は約２にで対時間比を計算すると従来のものの１１
５７０と大幅に改善される。
以上、本発明の結晶性評価装置によれば、８ｉ（３１１
）反射を利用してＳＯ８の結晶性を大面積に渡って、同
時に測定でき、測定時間を大幅に短縮し、ＳＯ８の品質
管理の強力な手段となるとともに、集積化された回路製
品の品質向上をもたらすものである。
）反射を利用してＳＯ８の結晶性を大面積に渡って、同
時に測定でき、測定時間を大幅に短縮し、ＳＯ８の品質
管理の強力な手段となるとともに、集積化された回路製
品の品質向上をもたらすものである。
第１図は従来のＸ線回折装置の構成図、第２図は第１図
による測定データを示す特性図、第３図は本発明の一実
施例を示す構成図である。図において １・・・・・・Ｘ線焦点、２，１０・・・・・・Ｘ線、
３，５゜１１．１３・・・・・・スリット、４．１２・
・・・・・モノクロメータ、６，１５・・・・・・試料
、７・・・・・・Ｘ線カウンター、８・・・・・・Ｘ線
ロッキングカーブ、１４・・・・・・真空チャック機構
、１６・・・・・・ソーラースリット、１７・・・・・
・住僧、敏感型検出グローブ、１８・・・・・・位置分
析回路、１９・・・・・・マルチチャンネルアナライザ
ー、２０・・・・・・出力プロッタ−１２１・・・・・
・マイクロコンピュータ である。 −１ ７ｔＪＪ−５Ｃ０−ｎ。 第ｌ 閉 牟２ 閉 羊３図
による測定データを示す特性図、第３図は本発明の一実
施例を示す構成図である。図において １・・・・・・Ｘ線焦点、２，１０・・・・・・Ｘ線、
３，５゜１１．１３・・・・・・スリット、４．１２・
・・・・・モノクロメータ、６，１５・・・・・・試料
、７・・・・・・Ｘ線カウンター、８・・・・・・Ｘ線
ロッキングカーブ、１４・・・・・・真空チャック機構
、１６・・・・・・ソーラースリット、１７・・・・・
・住僧、敏感型検出グローブ、１８・・・・・・位置分
析回路、１９・・・・・・マルチチャンネルアナライザ
ー、２０・・・・・・出力プロッタ−１２１・・・・・
・マイクロコンピュータ である。 −１ ７ｔＪＪ−５Ｃ０−ｎ。 第ｌ 閉 牟２ 閉 羊３図
Claims (1)
- Ｘ線源と、このＸ線源から放射されたＸ線を表面に対し
て小さな角度で受けその表面からそのＸ線ビーム幅を拡
大した第１の回折Ｘ線としてとり出す第１結晶部を保持
したモノクロメータと、このモノクロメータからの第１
の回折Ｘ線を表面に対して小さな角度で受けその表面か
らそのＸ線ビーム幅を拡大した第２の回折Ｘ線としてと
り出す第２の結晶部としての被測定試料を載置する試料
載置手段と、前記被測定試料を真空吸引により保持する
真空チャック機構と、前記被測定試料からの第２の回折
Ｘ線を検出位置に対応して高分解能で検出するＸ線検出
手段と、このＸ線検出手段の出力から前記被測定試料の
回折Ｘ線強度の位置分布を出力する表示手段とを含む結
晶性評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116537A JPS597251A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 結晶性評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116537A JPS597251A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 結晶性評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS597251A true JPS597251A (ja) | 1984-01-14 |
Family
ID=14689573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57116537A Pending JPS597251A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 結晶性評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597251A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05264479A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-10-12 | Philips Gloeilampenfab:Nv | Ｘ線分析装置 |
| CN107655910A (zh) * | 2017-08-07 | 2018-02-02 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种多通道晶体单色器及其制备方法、工作方法 |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP57116537A patent/JPS597251A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05264479A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-10-12 | Philips Gloeilampenfab:Nv | Ｘ線分析装置 |
| US5446777A (en) * | 1992-01-27 | 1995-08-29 | U.S. Philips Corporation | Position-sensitive X-ray analysis |
| CN107655910A (zh) * | 2017-08-07 | 2018-02-02 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种多通道晶体单色器及其制备方法、工作方法 |
| CN107655910B (zh) * | 2017-08-07 | 2019-07-09 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种多通道晶体单色器及其制备方法、工作方法 |
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