JPH03246452A - 全反射蛍光ｘ線分析装置 - Google Patents
全反射蛍光ｘ線分析装置Info
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- JPH03246452A JPH03246452A JP2044088A JP4408890A JPH03246452A JP H03246452 A JPH03246452 A JP H03246452A JP 2044088 A JP2044088 A JP 2044088A JP 4408890 A JP4408890 A JP 4408890A JP H03246452 A JPH03246452 A JP H03246452A
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、試料表面に一次Ｘ線を微小な入射角度で照
射して、試料の表面層からの蛍光Ｘ線を分析する全反射
蛍光Ｘ線分析装置に関するものである。
射して、試料の表面層からの蛍光Ｘ線を分析する全反射
蛍光Ｘ線分析装置に関するものである。
従来より、全反射蛍光Ｘ線分析装置は、たとえば、半導
体のウェハに注入されたひ素や、表面層に付着したステ
ンレス粒子などの不純物を検出する装置として用いられ
ている（たとえば、特開昭６３−７８０５６号公報参照
）。この種の装置の一例を第５図に示す。
体のウェハに注入されたひ素や、表面層に付着したステ
ンレス粒子などの不純物を検出する装置として用いられ
ている（たとえば、特開昭６３−７８０５６号公報参照
）。この種の装置の一例を第５図に示す。
第５図において、Ｘ線源５１から出た一次Ｘ線Ｂ１は、
平行光学系５２により平行光線にされた後、ウェハから
なる試料Ｗの表面Ｗｓに微小な入射角度α（たとえば、
０．０５°）で照射される。入射した一次Ｘ線Ｂｌは、
その一部が全反射されて反射Ｘ線Ｂ２となり、他の一部
が試料Ｗを励起して、試料Ｗを構成する元素固有の蛍光
Ｘ線Ｂ３を発生させる。蛍光Ｘ線Ｂ３は、試料表面Ｗｓ
に対向して配置した蛍光Ｘ線検出器６０に入射する。こ
の入射した蛍光Ｘ線Ｂ３は、蛍光Ｘ線検出器６０におい
て、そのＸ線強度が検出された後、多重波高分析器６１
によって目的とするＸ線スペクトルが得られる。
平行光学系５２により平行光線にされた後、ウェハから
なる試料Ｗの表面Ｗｓに微小な入射角度α（たとえば、
０．０５°）で照射される。入射した一次Ｘ線Ｂｌは、
その一部が全反射されて反射Ｘ線Ｂ２となり、他の一部
が試料Ｗを励起して、試料Ｗを構成する元素固有の蛍光
Ｘ線Ｂ３を発生させる。蛍光Ｘ線Ｂ３は、試料表面Ｗｓ
に対向して配置した蛍光Ｘ線検出器６０に入射する。こ
の入射した蛍光Ｘ線Ｂ３は、蛍光Ｘ線検出器６０におい
て、そのＸ線強度が検出された後、多重波高分析器６１
によって目的とするＸ線スペクトルが得られる。
この種の全反射蛍光Ｘ線分析装置は、一次Ｘ線Ｂ１の入
射角度αが微小であることから、反射Ｘ線Ｂ２および散
乱Ｘ線が蛍光Ｘ線検出器６０に入射しにくく、蛍光Ｘ線
検出器６０により検出される蛍光Ｘ線Ｂ３の出力レベル
に比べてノイズが小さいという利点がある。つまり、大
きなＳ／Ｎ比が得られ、そのため、分析精度が良く、た
とえば、微量の不純物でも検出できるという利点がある
。
射角度αが微小であることから、反射Ｘ線Ｂ２および散
乱Ｘ線が蛍光Ｘ線検出器６０に入射しにくく、蛍光Ｘ線
検出器６０により検出される蛍光Ｘ線Ｂ３の出力レベル
に比べてノイズが小さいという利点がある。つまり、大
きなＳ／Ｎ比が得られ、そのため、分析精度が良く、た
とえば、微量の不純物でも検出できるという利点がある
。
また、一次Ｘ線旧の入射角度αが微小であることから、
一次Ｘ線Ｂ１の大部分が試料Ｗの表面Ｗｓ層に達するの
みで、試料Ｗの内部へは進入しにくい。
一次Ｘ線Ｂ１の大部分が試料Ｗの表面Ｗｓ層に達するの
みで、試料Ｗの内部へは進入しにくい。
したがって、試料Ｗの内部からは蛍光Ｘ線Ｂ３が発生し
にくいので、試料表面Ｗｓの分析精度が良いという利点
を有する。
にくいので、試料表面Ｗｓの分析精度が良いという利点
を有する。
ところが、ウェハなどの試料表面Ｗｓには、かなり平滑
なものでも、第６図のように、ミクロ的には波うちゃ粗
さがある。そのため、一次Ｘ線Ｂ１の実際の入射角度α
には、予め設定した入射角度（所定値）に対し誤差が生
じる。したがって、二点鎖線のように、実際の入射角度
αが大きい場合は、一次Ｘ線Ｂｌが試料Ｗの内部に進入
して、測定対象でない内部の元素からの蛍光Ｘ線や散乱
Ｘ線を発生させる結果、試料表面Ｗｓの正確な分析が不
可能になる。
なものでも、第６図のように、ミクロ的には波うちゃ粗
さがある。そのため、一次Ｘ線Ｂ１の実際の入射角度α
には、予め設定した入射角度（所定値）に対し誤差が生
じる。したがって、二点鎖線のように、実際の入射角度
αが大きい場合は、一次Ｘ線Ｂｌが試料Ｗの内部に進入
して、測定対象でない内部の元素からの蛍光Ｘ線や散乱
Ｘ線を発生させる結果、試料表面Ｗｓの正確な分析が不
可能になる。
他方、実際の入射角度αが小さい場合は、試料表面Ｗｓ
の粗度に過敏となって、やはり、分析が困難になる。
の粗度に過敏となって、やはり、分析が困難になる。
この発明は上記従来の問題に鑑みてなされたもので、試
料表面の分析精度を向上させることができる全反射蛍光
Ｘ線分析装置を提供することを目的とする。
料表面の分析精度を向上させることができる全反射蛍光
Ｘ線分析装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、この出願の請求項（１）の
発明は、反射Ｘ線検出器と入射角度調節手段とを備えて
いることを特徴とする。上記反射Ｘ線検出器は一次Ｘ線
が試料で全反射された反射Ｘ線を検出する。上記入射角
度調節手段は反射Ｘ線検出器からの出力に基づいて入射
角度を所定値に調節する。
発明は、反射Ｘ線検出器と入射角度調節手段とを備えて
いることを特徴とする。上記反射Ｘ線検出器は一次Ｘ線
が試料で全反射された反射Ｘ線を検出する。上記入射角
度調節手段は反射Ｘ線検出器からの出力に基づいて入射
角度を所定値に調節する。
請求項（２）の発明は、分光結晶および反射Ｘ線検出器
を有するゴニオメータと、入射角度検知手段と、演算手
段と、回動装置とを備えていることを特徴とする。上記
分光結晶は、一次Ｘ線が試料で全反射された反射Ｘ線を
受けて回折させる。上記反射Ｘ線検出器は、分光結晶に
よって回折された反射Ｘ線を検出する。上記ゴニオメー
タは、上記反射Ｘ線の分光結晶への入射角度が変わるよ
うに上記分光結晶および反射Ｘ線検出器を回動させる。
を有するゴニオメータと、入射角度検知手段と、演算手
段と、回動装置とを備えていることを特徴とする。上記
分光結晶は、一次Ｘ線が試料で全反射された反射Ｘ線を
受けて回折させる。上記反射Ｘ線検出器は、分光結晶に
よって回折された反射Ｘ線を検出する。上記ゴニオメー
タは、上記反射Ｘ線の分光結晶への入射角度が変わるよ
うに上記分光結晶および反射Ｘ線検出器を回動させる。
上記入射角度検知手段は、上記回動により生じる反射Ｘ
線検出器の出力の変化に基づいて、試料への実際の入射
角度を検知する。上記演算手段は、検知された入射角度
と所定値との角度差を演算して出力する。上記回動装置
は、演算手段からの出力に基づいて、試料が載置された
試料台または上記照射装置の少なくとも一方を回動させ
ることにより、実際の入射角度を上記所定値に設定する
。
線検出器の出力の変化に基づいて、試料への実際の入射
角度を検知する。上記演算手段は、検知された入射角度
と所定値との角度差を演算して出力する。上記回動装置
は、演算手段からの出力に基づいて、試料が載置された
試料台または上記照射装置の少なくとも一方を回動させ
ることにより、実際の入射角度を上記所定値に設定する
。
この発明によれば、反射Ｘ線を検出した反射Ｘ線検出器
からの出力に基づいて、入射角度調節手段または回動装
置が、実際の入射角度を所定値に調節するので、試料表
面の波うちゃ粗さに拘わらず、一次Ｘ線の入射角度を微
小な所定の角度に保つことができる。
からの出力に基づいて、入射角度調節手段または回動装
置が、実際の入射角度を所定値に調節するので、試料表
面の波うちゃ粗さに拘わらず、一次Ｘ線の入射角度を微
小な所定の角度に保つことができる。
以下、この発明の実施例を図面にしたがって説明する。
第１図ないし第３図はこの発明の第１の実施例を示す。
第１図において、照射装置５０はＸ線源５１と、ソーラ
スリットからなる平行光学系５２とを備えている。Ｘ線
源５１から出射された一次Ｘ線Ｂｌは、平行光学系５２
により平行光線にされて、試料Ｗに微小な第１の入射角
度αで照射される。
スリットからなる平行光学系５２とを備えている。Ｘ線
源５１から出射された一次Ｘ線Ｂｌは、平行光学系５２
により平行光線にされて、試料Ｗに微小な第１の入射角
度αで照射される。
上記試料Ｗは、たとえばシリコン基板にひ素なとの不純
物を注入したウェハからなり、第２図のように、その表
面Ｗｓに微小な波うちを有している。
物を注入したウェハからなり、第２図のように、その表
面Ｗｓに微小な波うちを有している。
この試料Ｗは、第１図の試料台４０に載置されている。
試料台４０は回動装置３２に回動可能に取り付けられて
おり、試料表面Ｗｓの波うちゃ粗さにより変化する第１
の入射角度αか、上記回動装置３２によって、後述する
ように所定値（たとえば０．０５°）に設定される。
おり、試料表面Ｗｓの波うちゃ粗さにより変化する第１
の入射角度αか、上記回動装置３２によって、後述する
ように所定値（たとえば０．０５°）に設定される。
上記一次Ｘ線Ｂ１の一部は、反射Ｘ線Ｂ２となって、上
記第１の入射角度αと同一の角度αて反射され、分光結
晶ＩＯに第２の入射角度θで入射する。
記第１の入射角度αと同一の角度αて反射され、分光結
晶ＩＯに第２の入射角度θで入射する。
分光結晶１０は、たとえば水晶の単結晶からなり、上記
反射Ｘ線Ｂ２を受けて、これを第２の入射角度θと同一
の回折角θて回折させ、反射Ｘ線（回折Ｘ線）Ｂ４を出
射する。この反射Ｘ線Ｂ４は、上記第２の入射角度θが
Ｂｒａｇｇの式を満足する角度であるときにのみ出射さ
れる。上記反射Ｘ線Ｂ４は反射Ｘ線検出器１１に入射し
て、Ｘ線強度が検出される。
反射Ｘ線Ｂ２を受けて、これを第２の入射角度θと同一
の回折角θて回折させ、反射Ｘ線（回折Ｘ線）Ｂ４を出
射する。この反射Ｘ線Ｂ４は、上記第２の入射角度θが
Ｂｒａｇｇの式を満足する角度であるときにのみ出射さ
れる。上記反射Ｘ線Ｂ４は反射Ｘ線検出器１１に入射し
て、Ｘ線強度が検出される。
上記分光結晶１０および反射Ｘ線検出器１１は、ゴニオ
メータ１２に取り付けられて回動され、これによって反
射Ｘ線Ｂ２の分光結晶１０への入射角度θか連続的に変
化する。ここで、反射Ｘ線Ｂ２と反射Ｘ線Ｂ４とのなす
分光角度は２θなので、コニオメタ１２は、分光結晶１
０の回転角の２倍の角度で反射Ｘ線検出器１１を回動さ
せる。
メータ１２に取り付けられて回動され、これによって反
射Ｘ線Ｂ２の分光結晶１０への入射角度θか連続的に変
化する。ここで、反射Ｘ線Ｂ２と反射Ｘ線Ｂ４とのなす
分光角度は２θなので、コニオメタ１２は、分光結晶１
０の回転角の２倍の角度で反射Ｘ線検出器１１を回動さ
せる。
上記ゴニオメータ１２には、分光角度２θを、つまり分
光結晶１０の回転角の２倍の角度を検出する分光角検出
手段１３が接続されている。この分光角検出手段１３は
、たとえばエンコータからなり、分光結晶１０か微小角
度変化するごとに、回転餉信号ａを出力する。
光結晶１０の回転角の２倍の角度を検出する分光角検出
手段１３が接続されている。この分光角検出手段１３は
、たとえばエンコータからなり、分光結晶１０か微小角
度変化するごとに、回転餉信号ａを出力する。
一方、上記反射Ｘ線検出器１１の検出出力、つまり、反
射Ｘ線Ｂ４の強度は、強度信号すとしてパルスに変換さ
れて計数手段１４に出力される。この計数手段１４は、
上記回転角信号ａを受けたとき、微小角度ごとに対応す
るメモリ（図示せず）に上記強度信号すの計数値を記憶
する。この記憶された計数値は、つまり反射Ｘ線Ｂ４の
強度は、第２の入射角度θが前述のＢｒａｇｇの式を満
足したときに、反射Ｘ線Ｂ４が発生するので、第３図の
ように、回転角に対してピーク値を有している。
射Ｘ線Ｂ４の強度は、強度信号すとしてパルスに変換さ
れて計数手段１４に出力される。この計数手段１４は、
上記回転角信号ａを受けたとき、微小角度ごとに対応す
るメモリ（図示せず）に上記強度信号すの計数値を記憶
する。この記憶された計数値は、つまり反射Ｘ線Ｂ４の
強度は、第２の入射角度θが前述のＢｒａｇｇの式を満
足したときに、反射Ｘ線Ｂ４が発生するので、第３図の
ように、回転角に対してピーク値を有している。
第１図の上記計数手段１４は、強度信号すを入射角度検
知手段２１に出力する。この入射角度検知手段２１は、
上記強度信号すを回転角で微分演算して、微分値が０と
なったところをピーク値と判断し、第３図のピーク値を
示すピーク回転角θ１を求める。第１図の入射角度検知
手段２１は、上記ピーク回転角θ１をピーク角度信号Ｏ
ｎとして、演算手段２２に出力する。上記入射角度検知
手段２１および演算手段２２は、たとえばマイクロコン
ピュータ２０に内蔵されている。
知手段２１に出力する。この入射角度検知手段２１は、
上記強度信号すを回転角で微分演算して、微分値が０と
なったところをピーク値と判断し、第３図のピーク値を
示すピーク回転角θ１を求める。第１図の入射角度検知
手段２１は、上記ピーク回転角θ１をピーク角度信号Ｏ
ｎとして、演算手段２２に出力する。上記入射角度検知
手段２１および演算手段２２は、たとえばマイクロコン
ピュータ２０に内蔵されている。
上記演算手段２２には、基準角度設定器１５からの基準
角度信号θＯが入力される。この基準角度θＯは、実際
の第１の入射角度αか所定値のときに、第２の入射角度
θがＢｒａｇｇの式を満足する角度となる分光結晶１０
の回転角であり、基準角度設定器１５に記憶されている
。上記演算手段２２は、基準角度信号θ０とピーク角度
信号Ｏｎとを比較し、つまり、第３図の基準角度θ０と
上記ピーク回転角θ１を比較し、その角度差へ〇を求め
、この角度差Δθに対応する入射角度差Δαを、第１図
の入射角度差信号ｄとして試料台制御器３１に出力する
。ここで、第２図のように、試料表面Ｗｓの波うちによ
って第１の入射角度αがΔαだけ変化すると、反射Ｘ線
Ｂ２の反射方向が２Δαたけ変化し、分光結晶１０への
第２の入射角度θも２Δαだけ変化する。したかって、
上記角度差Δθと、第１の入射角度αの変化△αとは、
比例関係にある。
角度信号θＯが入力される。この基準角度θＯは、実際
の第１の入射角度αか所定値のときに、第２の入射角度
θがＢｒａｇｇの式を満足する角度となる分光結晶１０
の回転角であり、基準角度設定器１５に記憶されている
。上記演算手段２２は、基準角度信号θ０とピーク角度
信号Ｏｎとを比較し、つまり、第３図の基準角度θ０と
上記ピーク回転角θ１を比較し、その角度差へ〇を求め
、この角度差Δθに対応する入射角度差Δαを、第１図
の入射角度差信号ｄとして試料台制御器３１に出力する
。ここで、第２図のように、試料表面Ｗｓの波うちによ
って第１の入射角度αがΔαだけ変化すると、反射Ｘ線
Ｂ２の反射方向が２Δαたけ変化し、分光結晶１０への
第２の入射角度θも２Δαだけ変化する。したかって、
上記角度差Δθと、第１の入射角度αの変化△αとは、
比例関係にある。
第１図の上記試料台制御器３１と上記回動装置３２とで
、この発明の入射角度調節手段３０が構成されている。
、この発明の入射角度調節手段３０が構成されている。
試料台制御器３１は、上記入射角度差信号ｄに基づき回
動装置３２をサーホ駆動し、入射角度差Δαだけ試料台
４０を回動させて、実際の第１の入射角度αを所定値に
設定する。
動装置３２をサーホ駆動し、入射角度差Δαだけ試料台
４０を回動させて、実際の第１の入射角度αを所定値に
設定する。
多重波高分析器６１は、上記入射角度αの所定値への設
定完了を、たとえば回動装置３２の停止を確認するよう
な方法で検知したのちに、試料台制御器３１からのスタ
ート信号で作動を開始し、蛍光Ｘ線検出器６０からの分
析信号Ｘをエネルギごとに計数する。この計数値により
、試料表面Ｗｓ層の元素が分析される。
定完了を、たとえば回動装置３２の停止を確認するよう
な方法で検知したのちに、試料台制御器３１からのスタ
ート信号で作動を開始し、蛍光Ｘ線検出器６０からの分
析信号Ｘをエネルギごとに計数する。この計数値により
、試料表面Ｗｓ層の元素が分析される。
つぎに、上記構成の動作を説明する。
ます、試料Ｗを試料台４０上に載置して、Ｘ線源５１か
らの一次Ｘ線Ｂ１を試料Ｗに照射する。試料Ｗに照射さ
れた一次Ｘ線Ｂ１の一部は、試料Ｗに全反射されて反射
Ｘ線Ｂ２として、分光結晶ｌＯに入射する。一方、ゴニ
オメータ１２を駆動して、分光結晶１０および反射Ｘ線
検出器１１を回転させなから、分光角検出手段１３から
の回転角信号ａと、反射Ｘ線Ｂ４の強度信号すに基づい
て、入射角度検知手段２１が、第３図の反射Ｘ線Ｂ４の
強度が最大となるピーク回転角θ１を検知する。
らの一次Ｘ線Ｂ１を試料Ｗに照射する。試料Ｗに照射さ
れた一次Ｘ線Ｂ１の一部は、試料Ｗに全反射されて反射
Ｘ線Ｂ２として、分光結晶ｌＯに入射する。一方、ゴニ
オメータ１２を駆動して、分光結晶１０および反射Ｘ線
検出器１１を回転させなから、分光角検出手段１３から
の回転角信号ａと、反射Ｘ線Ｂ４の強度信号すに基づい
て、入射角度検知手段２１が、第３図の反射Ｘ線Ｂ４の
強度が最大となるピーク回転角θ１を検知する。
ここで、この実施例では、第１図の第２の入射角度θで
はなく、分光角度２θの変化に対する反射Ｘ線Ｂ４の強
度変化を求めて微分演算することにより、ピーク回転角
θ１を求めている。そのため、第２の入射角度θの変化
を２倍に拡大して、つまり、第１の入射角度αの微小な
変化を４倍に拡大して検出することができるから、検出
精度が向上する。
はなく、分光角度２θの変化に対する反射Ｘ線Ｂ４の強
度変化を求めて微分演算することにより、ピーク回転角
θ１を求めている。そのため、第２の入射角度θの変化
を２倍に拡大して、つまり、第１の入射角度αの微小な
変化を４倍に拡大して検出することができるから、検出
精度が向上する。
ついで、演算手段２２がピーク角度信号θｎと基準角度
設定器１５からの基準角度信号θ０とを比較して、その
角度差Δθに対応した入射角度差信号ｄを試料台制御器
３１に出力する。試料台制御器３１は、この入射角度差
信号ｄに対応する角度Δαだけ回動装置３２を作動させ
、試料台４０および試料Ｗを回転させて、実際の第１の
入射角度αを所定値に設定する。
設定器１５からの基準角度信号θ０とを比較して、その
角度差Δθに対応した入射角度差信号ｄを試料台制御器
３１に出力する。試料台制御器３１は、この入射角度差
信号ｄに対応する角度Δαだけ回動装置３２を作動させ
、試料台４０および試料Ｗを回転させて、実際の第１の
入射角度αを所定値に設定する。
こうして入射角度αの設定が完了すると、この完了を試
料台制御器３１が検知し、試料台制御器３１からのスタ
ート信号で、蛍光Ｘ線検出器６０および多動波高分析器
６１が、測定・分析を開始する。
料台制御器３１が検知し、試料台制御器３１からのスタ
ート信号で、蛍光Ｘ線検出器６０および多動波高分析器
６１が、測定・分析を開始する。
上記構成によれば、第２図のように試料Ｗに波うちかあ
っても、実際の第１の入射角度αを所定値にすることが
できる。したがって、一次Ｘ線Ｂ１の入射角度αを所定
の微小角度に保つことができる。
っても、実際の第１の入射角度αを所定値にすることが
できる。したがって、一次Ｘ線Ｂ１の入射角度αを所定
の微小角度に保つことができる。
ところで、上記実施例では、第１図の分光結晶ｌＯおよ
び反射Ｘ線検出器１１を備えたゴニオメータ１２を用い
たが、この発明では必ずしもゴニオメータを用いる必要
はな□い。この−例を第４図の第２の実施例に示す。
び反射Ｘ線検出器１１を備えたゴニオメータ１２を用い
たが、この発明では必ずしもゴニオメータを用いる必要
はな□い。この−例を第４図の第２の実施例に示す。
第４図において、反射Ｘ線検出器１１は、反射Ｘ線Ｂ２
の出射方向に対向して配置されている。この反射Ｘ線検
出器１１の前方には、２枚のスリット４１４２を離間さ
せて対向配置してなる平行光学系４３が固定されている
。反射Ｘ線検出器１１は、検出器回動装置４４によって
、一次Ｘ線Ｂ１の入射位置Ｐを中心に回動自在に支持さ
れている。回転角検出手段１３Ａは、上記検出器回動装
置４４による反射Ｘ線検出器１１の回転角を検出するも
ので、第１図の分光角検出手段１３に相当するものであ
る。その他の構成は上記第１の実施例と同様であり、同
一部分または相当部分に同一符号を付して、その詳しい
説明を省略する。
の出射方向に対向して配置されている。この反射Ｘ線検
出器１１の前方には、２枚のスリット４１４２を離間さ
せて対向配置してなる平行光学系４３が固定されている
。反射Ｘ線検出器１１は、検出器回動装置４４によって
、一次Ｘ線Ｂ１の入射位置Ｐを中心に回動自在に支持さ
れている。回転角検出手段１３Ａは、上記検出器回動装
置４４による反射Ｘ線検出器１１の回転角を検出するも
ので、第１図の分光角検出手段１３に相当するものであ
る。その他の構成は上記第１の実施例と同様であり、同
一部分または相当部分に同一符号を付して、その詳しい
説明を省略する。
第４図の実施例では、２枚のスリット４１．４２からな
る平行光学系４３が、反射Ｘ線検出器１１の前方に設け
られているので、反射Ｘ線検出器１１が一次Ｘ線Ｂ１の
入射位置Ｐに真正面から対向しているときに、反射Ｘ線
Ｂ２が反射Ｘ線検出器１１に入射する。
る平行光学系４３が、反射Ｘ線検出器１１の前方に設け
られているので、反射Ｘ線検出器１１が一次Ｘ線Ｂ１の
入射位置Ｐに真正面から対向しているときに、反射Ｘ線
Ｂ２が反射Ｘ線検出器１１に入射する。
したがって、この反射Ｘ線検出器１１からの強度信号す
と回転角信号ａに基づいて、前述と同様に入射角度差Δ
αを検知することができ、第１の実施例と同様に一次Ｘ
線Ｂ１の実際の入射角度αを所定値に保つことかできる
。
と回転角信号ａに基づいて、前述と同様に入射角度差Δ
αを検知することができ、第１の実施例と同様に一次Ｘ
線Ｂ１の実際の入射角度αを所定値に保つことかできる
。
なお、上記実施例では、反射Ｘ線検出器１１を検出器回
動装置４４によって回動させたが、必すしも、そうする
必要はない。つまり、入射角度αが所定値になった場合
に対応する位置に予め反射Ｘ線検出器１１および平行光
学系４３を固定しておき、試料台４０の回動装置３２を
回転させて、回動装置３２の回転角を回転角検出手段１
３によって検出し、これを計数手段１４に出力して、最
大のＸ線強度が得られる回転角を検出し、この回転角の
位置に回動装置３２を設定するようにしてもよい。
動装置４４によって回動させたが、必すしも、そうする
必要はない。つまり、入射角度αが所定値になった場合
に対応する位置に予め反射Ｘ線検出器１１および平行光
学系４３を固定しておき、試料台４０の回動装置３２を
回転させて、回動装置３２の回転角を回転角検出手段１
３によって検出し、これを計数手段１４に出力して、最
大のＸ線強度が得られる回転角を検出し、この回転角の
位置に回動装置３２を設定するようにしてもよい。
また、上記各実施例では、回動装置３２によって試料台
４０および試料Ｗを回動させたが、この発明では照射装
置５０の平行光学系５２を回動装置によって回動させて
、実際の第１の入射角度Ｕを所定値に設定してもよい。
４０および試料Ｗを回動させたが、この発明では照射装
置５０の平行光学系５２を回動装置によって回動させて
、実際の第１の入射角度Ｕを所定値に設定してもよい。
以上説明したように、この発明によれば、試料表面の波
うちゃ粗さに拘わらず、一次Ｘ線の入射角度を微小な所
定の角度に保つことかできるから、入射角度か過大とな
って、試料の表面層ではなく内部から蛍光Ｘ線や散乱Ｘ
線が発生するのを防止できるとともに、入射角度か過少
となって試料の表面の粗度に過敏となるのも防止できる
ので、試料表面の分析精度が向上する。
うちゃ粗さに拘わらず、一次Ｘ線の入射角度を微小な所
定の角度に保つことかできるから、入射角度か過大とな
って、試料の表面層ではなく内部から蛍光Ｘ線や散乱Ｘ
線が発生するのを防止できるとともに、入射角度か過少
となって試料の表面の粗度に過敏となるのも防止できる
ので、試料表面の分析精度が向上する。
特に、請求項（２）の発明では、分光結晶からの反射Ｘ
線を検出する反射Ｘ線検出器を、分光結晶の回転角の２
倍の角度だけ回動させて、一次Ｘ線の入射角度の変化を
検出しているので、入射角度の微小な変化を拡大して検
出することかでき、したかって、分析精度が一層向上す
る。
線を検出する反射Ｘ線検出器を、分光結晶の回転角の２
倍の角度だけ回動させて、一次Ｘ線の入射角度の変化を
検出しているので、入射角度の微小な変化を拡大して検
出することかでき、したかって、分析精度が一層向上す
る。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す全反射蛍光Ｘ線
分析装置の概略構成図、第２図は一次Ｘ線の入射角度の
変化を示す拡大図、第３図は分光結晶の回転角度と反射
Ｘ線の強度との関係を示す特性図、第４図は第２の実施
例を示す全反射蛍光Ｘ線分析装置の概略構成図、第５図
は従来例を示す概略構成図、第６図は試料表面の拡大図
である。 １０・・・分光結晶、１１・・・反射Ｘ線検出器、１２
ゴニオメータ、２１・・・入射角度検知手段、２２
・・演算手段、３０・入射角度調節手段、３２・・回動
装置、４０・・・試料台、５０・・・照射装置、６０・
蛍光Ｘ線検出器、Ｂｌ・・一次Ｘ線、Ｂ２． Ｂ４・・
・反射Ｘ線、Ｂ３・・蛍光Ｘ線、△ａ・入射角度差、α
・・・一次Ｘ線（第１）の入射角度、Ｗ・試料、Ｗｓ・
試料表面。
分析装置の概略構成図、第２図は一次Ｘ線の入射角度の
変化を示す拡大図、第３図は分光結晶の回転角度と反射
Ｘ線の強度との関係を示す特性図、第４図は第２の実施
例を示す全反射蛍光Ｘ線分析装置の概略構成図、第５図
は従来例を示す概略構成図、第６図は試料表面の拡大図
である。 １０・・・分光結晶、１１・・・反射Ｘ線検出器、１２
ゴニオメータ、２１・・・入射角度検知手段、２２
・・演算手段、３０・入射角度調節手段、３２・・回動
装置、４０・・・試料台、５０・・・照射装置、６０・
蛍光Ｘ線検出器、Ｂｌ・・一次Ｘ線、Ｂ２． Ｂ４・・
・反射Ｘ線、Ｂ３・・蛍光Ｘ線、△ａ・入射角度差、α
・・・一次Ｘ線（第１）の入射角度、Ｗ・試料、Ｗｓ・
試料表面。
Claims (2)
- （１）試料表面に一次Ｘ線を微小な入射角度で照射する
照射装置と、上記一次Ｘ線を受けた試料からの蛍光Ｘ線
を検出する蛍光Ｘ線検出器とを備え、この蛍光Ｘ線検出
器での検出結果に基づいて上記蛍光Ｘ線を分析する全反
射蛍光Ｘ線分析装置において、 上記一次Ｘ線が上記試料で全反射された反射Ｘ線を検出
する反射Ｘ線検出器と、この反射Ｘ線検出器からの出力
に基づいて上記入射角度を所定値に調節する入射角度調
節手段とを備えたことを特徴とする全反射蛍光Ｘ線分析
装置。 - （２）試料表面に一次Ｘ線を微小な入射角度で照射する
照射装置と、上記一次Ｘ線を受けた試料からの蛍光Ｘ線
を検出する蛍光Ｘ線検出器とを備え、この蛍光Ｘ線検出
器での検出結果に基づいて上記蛍光Ｘ線を分析する全反
射蛍光Ｘ線分析装置において、 上記一次Ｘ線が上記試料で全反射された反射Ｘ線を受け
て回折させる分光結晶およびこの分光結晶によって回折
された反射Ｘ線を検出する反射Ｘ線検出器を備え、上記
反射Ｘ線の分光結晶への入射角度が変わるように上記分
光結晶および反射Ｘ線検出器を回動させるゴニオメータ
と、上記回動することにより生じる上記反射Ｘ線検出器
の出力の変化に基づいて、試料への実際の入射角度を検
知する入射角度検知手段と、この検知された入射角度と
所定値との角度差を演算して出力する演算手段と、この
演算手段からの出力に基づいて、上記試料が載置された
試料台または上記照射装置の少なくとも一方を回動させ
ることにより、実際の入射角度を上記所定値に設定する
回動装置とを備えたことを特徴とする全反射蛍光Ｘ線分
析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044088A JPH0833359B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044088A JPH0833359B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03246452A true JPH03246452A (ja) | 1991-11-01 |
| JPH0833359B2 JPH0833359B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=12681867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2044088A Expired - Lifetime JPH0833359B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833359B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6804324B2 (en) | 2001-03-01 | 2004-10-12 | Osmo, Inc. | X-ray phase contrast imaging using a fabry-perot interferometer concept |
| US7436516B2 (en) * | 2006-02-22 | 2008-10-14 | Konica Minolta Sensing, Inc. | Reflection characteristic measuring apparatus |
| JP2009222463A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Rigaku Corp | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
| WO2010010751A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 全反射蛍光観察装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4557140B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2010-10-06 | ソニー株式会社 | 元素含有判定方法、プログラム、装置およびシステム |
| JP4656009B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2011-03-23 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線分析装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121737A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-25 | ゲー・カー・エス・エス・フオルシユングスツエントルム・ゲーシユタハト・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 全反射範囲内の表面に近い層内の分析深度を測定する方法及び装置 |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2044088A patent/JPH0833359B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121737A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-25 | ゲー・カー・エス・エス・フオルシユングスツエントルム・ゲーシユタハト・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 全反射範囲内の表面に近い層内の分析深度を測定する方法及び装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6804324B2 (en) | 2001-03-01 | 2004-10-12 | Osmo, Inc. | X-ray phase contrast imaging using a fabry-perot interferometer concept |
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| JP2009222463A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Rigaku Corp | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
| WO2010010751A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 全反射蛍光観察装置 |
| US8324596B2 (en) | 2008-07-25 | 2012-12-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Total internal reflection fluorescence (TIRF) observation device |
| JP5111608B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2013-01-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 全反射蛍光観察装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0833359B2 (ja) | 1996-03-29 |
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