JPH05126768A - 蛍光ｘ線の分析方法 - Google Patents
蛍光ｘ線の分析方法Info
- Publication number
- JPH05126768A JPH05126768A JP31852791A JP31852791A JPH05126768A JP H05126768 A JPH05126768 A JP H05126768A JP 31852791 A JP31852791 A JP 31852791A JP 31852791 A JP31852791 A JP 31852791A JP H05126768 A JPH05126768 A JP H05126768A
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- rays
- fluorescent
- ray
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料に含まれた元素の回折Ｘ線によるノイズ
をなくして、低含有量の元素についても、Ｓ／Ｎ比を改
善して蛍光Ｘ線の分析精度を高める。 【構成】 試料１を試料上の所定点まわりに１８０°以
上回転させながら、この試料１に１次Ｘ線を照射するこ
とで、試料１から発生する蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を含
んだ２次Ｘ線を検出する。この検出により得られた２次
Ｘ線強度が最小値を示す回転方向位置に試料１を位置決
めする。このような位置決め後において、試料を、その
主面に平行な面内で互いに直交するＸＹ方向に移動させ
て試料の主面全域の蛍光Ｘ線分析を行なう。
をなくして、低含有量の元素についても、Ｓ／Ｎ比を改
善して蛍光Ｘ線の分析精度を高める。 【構成】 試料１を試料上の所定点まわりに１８０°以
上回転させながら、この試料１に１次Ｘ線を照射するこ
とで、試料１から発生する蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を含
んだ２次Ｘ線を検出する。この検出により得られた２次
Ｘ線強度が最小値を示す回転方向位置に試料１を位置決
めする。このような位置決め後において、試料を、その
主面に平行な面内で互いに直交するＸＹ方向に移動させ
て試料の主面全域の蛍光Ｘ線分析を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、局部的に電
極膜が形成される半導体基板と同一の工程を経て、単結
晶であるシリコンウェハの主面全域に電極膜等を付着し
てなるモニタウェハ（以下、試料と称す）について、そ
の電極膜等の蛍光Ｘ線分析を行う方法に関するものであ
る。
極膜が形成される半導体基板と同一の工程を経て、単結
晶であるシリコンウェハの主面全域に電極膜等を付着し
てなるモニタウェハ（以下、試料と称す）について、そ
の電極膜等の蛍光Ｘ線分析を行う方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】単結
晶シリコンウェハの主面に、アルミ（Ａｌ）、けい素
（Ｓｉ）および銅（Ｃｕ）からなる配線膜を局部的に形
成してなる半導体基板について、その配線膜の膜厚およ
び成分濃度などを知って品質のチェックを行う場合、一
般に、その半導体基板と同一の工程を経て、単結晶シリ
コンウェハの主面全域に配線膜を付着してなるモニタウ
ェハ（以下、試料と称す）を用い、その試料に１次Ｘ線
を照射し、該試料から発生する蛍光Ｘ線を含んだ２次Ｘ
線を検出して分析していた。また、最近はタングステン
（Ｗ）からなる配線膜も使用されており、蛍光Ｘ線で膜
厚の測定が行われている。
晶シリコンウェハの主面に、アルミ（Ａｌ）、けい素
（Ｓｉ）および銅（Ｃｕ）からなる配線膜を局部的に形
成してなる半導体基板について、その配線膜の膜厚およ
び成分濃度などを知って品質のチェックを行う場合、一
般に、その半導体基板と同一の工程を経て、単結晶シリ
コンウェハの主面全域に配線膜を付着してなるモニタウ
ェハ（以下、試料と称す）を用い、その試料に１次Ｘ線
を照射し、該試料から発生する蛍光Ｘ線を含んだ２次Ｘ
線を検出して分析していた。また、最近はタングステン
（Ｗ）からなる配線膜も使用されており、蛍光Ｘ線で膜
厚の測定が行われている。
【０００３】上記試料の主面全域の蛍光Ｘ線分析を行な
うにあたっては、従来、いわゆるｒ−θ駆動装置を用い
て、試料を半径方向および周方向に移動させ、１次Ｘ線
を試料の主面全域に照射して、その蛍光Ｘ線を測定して
いた。ところが、測定対象であるＷおよびＣｕの蛍光Ｘ
線は、ＬｉＦの分光結晶で、それぞれ４３°および４５
°付近に測定角度をもつ。そのために、試料の回転方向
位置によっては、Ｘ線源から照射される１次Ｘ線が基板
（Ｓｉ）に入射して回折を起こし、上記測定角度４３
°，４５°付近において回折Ｘ線が発生し、その回折Ｘ
線が妨害として現れることがある。これが蛍光Ｘ線に対
して大きなノイズとなり、そのために、Ｓ／Ｎ比が悪く
なり、分析精度が低下する。
うにあたっては、従来、いわゆるｒ−θ駆動装置を用い
て、試料を半径方向および周方向に移動させ、１次Ｘ線
を試料の主面全域に照射して、その蛍光Ｘ線を測定して
いた。ところが、測定対象であるＷおよびＣｕの蛍光Ｘ
線は、ＬｉＦの分光結晶で、それぞれ４３°および４５
°付近に測定角度をもつ。そのために、試料の回転方向
位置によっては、Ｘ線源から照射される１次Ｘ線が基板
（Ｓｉ）に入射して回折を起こし、上記測定角度４３
°，４５°付近において回折Ｘ線が発生し、その回折Ｘ
線が妨害として現れることがある。これが蛍光Ｘ線に対
して大きなノイズとなり、そのために、Ｓ／Ｎ比が悪く
なり、分析精度が低下する。
【０００４】そこで、従来、試料の主面上の複数の測定
点において、その測定個所の周りに試料を３６０°回転
させながら蛍光Ｘ線の強度を測定し、回折Ｘ線によるノ
イズ成分の影響を平均化することが提案されている。し
かし、元素の含有量と２次Ｘ線のうちの蛍光Ｘ線の強度
とは比例関係にある一方で、２次Ｘ線に含まれる回折Ｘ
線の強度は、元素の含有量にさほど影響されないから、
測定すべき元素の含有量が少ない場合、ノイズである回
折Ｘ線の強度が、蛍光Ｘ線に対して相対的に大きくなる
ために、Ｓ／Ｎ比が十分に改善されず、分析精度の向上
にはつながらない。
点において、その測定個所の周りに試料を３６０°回転
させながら蛍光Ｘ線の強度を測定し、回折Ｘ線によるノ
イズ成分の影響を平均化することが提案されている。し
かし、元素の含有量と２次Ｘ線のうちの蛍光Ｘ線の強度
とは比例関係にある一方で、２次Ｘ線に含まれる回折Ｘ
線の強度は、元素の含有量にさほど影響されないから、
測定すべき元素の含有量が少ない場合、ノイズである回
折Ｘ線の強度が、蛍光Ｘ線に対して相対的に大きくなる
ために、Ｓ／Ｎ比が十分に改善されず、分析精度の向上
にはつながらない。
【０００５】この発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、試料に含まれた元素の回折Ｘ線によるノイズの影響
をなくして、低含有量の元素であっても、Ｓ／Ｎ比を改
善して分析精度を著しく高めることができる蛍光Ｘ線の
分析方法を提供することを目的としている。
で、試料に含まれた元素の回折Ｘ線によるノイズの影響
をなくして、低含有量の元素であっても、Ｓ／Ｎ比を改
善して分析精度を著しく高めることができる蛍光Ｘ線の
分析方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る蛍光Ｘ線の分析方法は、試料の蛍光
Ｘ線分析に先立って、上記試料を試料上の所定点まわり
に１８０°以上回転させながら、この試料に１次Ｘ線を
照射して、試料から発生する蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を
含んだ２次Ｘ線を検出し、得られた２次Ｘ線強度が最小
値を示す回転方向位置に試料を位置決めし、この状態
で、試料を、その主面に平行な面内で互いに直交するＸ
Ｙ方向に移動させて、試料の主面全域の蛍光Ｘ線分析を
行なうものである。
め、この発明に係る蛍光Ｘ線の分析方法は、試料の蛍光
Ｘ線分析に先立って、上記試料を試料上の所定点まわり
に１８０°以上回転させながら、この試料に１次Ｘ線を
照射して、試料から発生する蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を
含んだ２次Ｘ線を検出し、得られた２次Ｘ線強度が最小
値を示す回転方向位置に試料を位置決めし、この状態
で、試料を、その主面に平行な面内で互いに直交するＸ
Ｙ方向に移動させて、試料の主面全域の蛍光Ｘ線分析を
行なうものである。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、試料の主面全域の蛍光Ｘ線
を分析する前に、該試料を所定点まわりに１８０°以上
回転させながら、１次Ｘ線を照射して、試料から発生す
る蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を含んだ２次Ｘ線を検出す
る。この検出により得られた２次Ｘ線強度が最小値を示
す回転方向位置に試料を位置決めすることにより、試料
に含まれた元素の回折Ｘ線によるノイズの影響をなくす
ることができる。この状態で、試料をＸＹ方向に移動さ
せて所定の蛍光Ｘ線分析を実行することにより、回折Ｘ
線によるノイズの影響をなくして、Ｓ／Ｎ比を改善し、
精度の高い分析を行なうことができる。
を分析する前に、該試料を所定点まわりに１８０°以上
回転させながら、１次Ｘ線を照射して、試料から発生す
る蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を含んだ２次Ｘ線を検出す
る。この検出により得られた２次Ｘ線強度が最小値を示
す回転方向位置に試料を位置決めすることにより、試料
に含まれた元素の回折Ｘ線によるノイズの影響をなくす
ることができる。この状態で、試料をＸＹ方向に移動さ
せて所定の蛍光Ｘ線分析を実行することにより、回折Ｘ
線によるノイズの影響をなくして、Ｓ／Ｎ比を改善し、
精度の高い分析を行なうことができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面にもとづいて
説明する。図１は、この発明の蛍光Ｘ線の分析方法を実
施するために使用する分析装置の概略構成図であり、こ
の分析装置は、試料１に向けて１次Ｘ線を照射するＸ線
管２と、上記１次Ｘ線の照射によって試料１から発生す
る蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を含んだ２次Ｘ線を、たとえ
ばＬｉＦ分光結晶によって分光したのち検出し、その２
次Ｘ線強度を検出する分光・検出装置３と、上記試料１
を載置する試料台４と、この試料台４を試料１上の所定
点周り、この実施例では試料１の中心点Ｏ周りに回転さ
せる旋回ベース５と、この旋回ベース５を回転可能に支
持した状態で、試料１の主面１ａに平行な面内で互いに
直交するＸＹ方向（二次元）に移動させるＸＹ移動ベー
ス６と、上記旋回ベース５を上記の中心点Ｏ周りに回転
駆動するモータ７と、上記ＸＹ移動ベース６をＸＹ方向
に駆動するＸＹ駆動機構８とを備えている。
説明する。図１は、この発明の蛍光Ｘ線の分析方法を実
施するために使用する分析装置の概略構成図であり、こ
の分析装置は、試料１に向けて１次Ｘ線を照射するＸ線
管２と、上記１次Ｘ線の照射によって試料１から発生す
る蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を含んだ２次Ｘ線を、たとえ
ばＬｉＦ分光結晶によって分光したのち検出し、その２
次Ｘ線強度を検出する分光・検出装置３と、上記試料１
を載置する試料台４と、この試料台４を試料１上の所定
点周り、この実施例では試料１の中心点Ｏ周りに回転さ
せる旋回ベース５と、この旋回ベース５を回転可能に支
持した状態で、試料１の主面１ａに平行な面内で互いに
直交するＸＹ方向（二次元）に移動させるＸＹ移動ベー
ス６と、上記旋回ベース５を上記の中心点Ｏ周りに回転
駆動するモータ７と、上記ＸＹ移動ベース６をＸＹ方向
に駆動するＸＹ駆動機構８とを備えている。
【０００９】上記試料１は、例えば図２に示すように、
シリコンウェハ１Ａの主面全域に、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕか
らなる配線膜１Ｂを付着してなるもので、図３のよう
に、その周面の一部をカッティングしてオリフラ１Ｃを
形成している。
シリコンウェハ１Ａの主面全域に、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕか
らなる配線膜１Ｂを付着してなるもので、図３のよう
に、その周面の一部をカッティングしてオリフラ１Ｃを
形成している。
【００１０】つぎに、上記構成の分析装置を使用しての
蛍光Ｘ線の分析方法について説明する。上記試料１を図
３に示すように、上記オリフラ１Ｃが旋回ベース５（図
１）の回転方向位置の基準点に設定されるように、試料
台４上に載置する。この状態で、試料１の蛍光Ｘ線分析
を行なうのであるが、それに先立って、つぎのような試
料の回転方向位置決めを実行する。
蛍光Ｘ線の分析方法について説明する。上記試料１を図
３に示すように、上記オリフラ１Ｃが旋回ベース５（図
１）の回転方向位置の基準点に設定されるように、試料
台４上に載置する。この状態で、試料１の蛍光Ｘ線分析
を行なうのであるが、それに先立って、つぎのような試
料の回転方向位置決めを実行する。
【００１１】すなわち、図１のモータ７によって旋回ベ
ース５を回転駆動して、試料台４および試料１を、該試
料１の中心点Ｏの周りに３６０°回転させながら、この
試料１にＸ線管２から１次Ｘ線を照射し、試料１から発
生する蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を含んだ２次Ｘ線を分光
・検出装置３により検出する。これによって、図４に示
すように、Ｗ，Ｃｕなどの元素の測定位置（測定角度）
において、基板のシリコンウエハからの回折Ｘ線Ｋｘが
蛍光Ｘ線Ｓｘに対しピーク状に突出して重なった鋸歯状
の２次Ｘ線が得られる。
ース５を回転駆動して、試料台４および試料１を、該試
料１の中心点Ｏの周りに３６０°回転させながら、この
試料１にＸ線管２から１次Ｘ線を照射し、試料１から発
生する蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を含んだ２次Ｘ線を分光
・検出装置３により検出する。これによって、図４に示
すように、Ｗ，Ｃｕなどの元素の測定位置（測定角度）
において、基板のシリコンウエハからの回折Ｘ線Ｋｘが
蛍光Ｘ線Ｓｘに対しピーク状に突出して重なった鋸歯状
の２次Ｘ線が得られる。
【００１２】ついで、上記のようにして得られた２次Ｘ
線強度が最小値を示す回転方向位置θmin に試料１を位
置決めする。これにより、試料１は、Ｘ線管２からの１
次Ｘ線に対して、回折Ｘ線が発生しない回転方向位置に
設定される。この位置決めは、基準点に設定されている
図３のオリフラ１Ｃを基準にして、図１の旋回ベース５
をモータ７によって最適回転位置に回転させることによ
ってなされる。上記モータ７の操作は、手動または後述
する自動的な制御によってなされる。
線強度が最小値を示す回転方向位置θmin に試料１を位
置決めする。これにより、試料１は、Ｘ線管２からの１
次Ｘ線に対して、回折Ｘ線が発生しない回転方向位置に
設定される。この位置決めは、基準点に設定されている
図３のオリフラ１Ｃを基準にして、図１の旋回ベース５
をモータ７によって最適回転位置に回転させることによ
ってなされる。上記モータ７の操作は、手動または後述
する自動的な制御によってなされる。
【００１３】以上のような試料１の回転方向の位置決め
を行ったのち、ＸＹ駆動機構８を介してＸＹ移動ベース
６を駆動して、試料１をその主面に平行な面内で互いに
直交するＸＹ方向に移動させながら、その試料１にＸ線
管２から１次Ｘ線を照射し、試料１から発生する２次Ｘ
線を分光・検出装置３により検出する。このようにＸＹ
方向に移動させれば、試料１の回転方向位置は変化しな
いで、最適回転方向位置に保たれるから、回折Ｘ線によ
るノイズの影響が排除され、Ｓ／Ｎ比が改善される。し
たがって、低含有量の元素であっても、精度のよい分析
を行なうことができる。
を行ったのち、ＸＹ駆動機構８を介してＸＹ移動ベース
６を駆動して、試料１をその主面に平行な面内で互いに
直交するＸＹ方向に移動させながら、その試料１にＸ線
管２から１次Ｘ線を照射し、試料１から発生する２次Ｘ
線を分光・検出装置３により検出する。このようにＸＹ
方向に移動させれば、試料１の回転方向位置は変化しな
いで、最適回転方向位置に保たれるから、回折Ｘ線によ
るノイズの影響が排除され、Ｓ／Ｎ比が改善される。し
たがって、低含有量の元素であっても、精度のよい分析
を行なうことができる。
【００１４】また、試料１をＸＹ方向に移動させてその
主面全域を１次Ｘ線で照射する場合、ＸＹ駆動機構８の
ストロークは、つぎに説明するように、Ｘ方向またはＹ
方向の一方については、試料１の直径分ではなく、半径
分で済むので、ストロークを小さくして、ＸＹ駆動機構
８を小型化できる。
主面全域を１次Ｘ線で照射する場合、ＸＹ駆動機構８の
ストロークは、つぎに説明するように、Ｘ方向またはＹ
方向の一方については、試料１の直径分ではなく、半径
分で済むので、ストロークを小さくして、ＸＹ駆動機構
８を小型化できる。
【００１５】つまり、試料１の回転方向の位置決めが終
了したとき、１次Ｘ線の照射点は、図５（ａ）に示した
試料１の中心点Ｏにある。ここから、１次Ｘ線の照射に
よる２次Ｘ線強度の測定を開始するのであるが、その
際、まず、ＸＹ駆動機構８によって試料１を＋Ｘ方向お
よび±Ｙ方向に移動させることにより、試料１のハッチ
ングした第１の領域１１を測定する。ついで、図１の旋
回ベース５を１８０°回転させたのち、ＸＹ駆動機構８
を介して、図５（ｂ）に示す試料１を同じく＋Ｘ方向お
よび±Ｙ方向に移動させることにより、第２の領域１２
を測定する。こうして、Ｘ方向については＋Ｘ方向に試
料１の半径分だけ移動することにより、試料１の主面の
全域を測定できる。
了したとき、１次Ｘ線の照射点は、図５（ａ）に示した
試料１の中心点Ｏにある。ここから、１次Ｘ線の照射に
よる２次Ｘ線強度の測定を開始するのであるが、その
際、まず、ＸＹ駆動機構８によって試料１を＋Ｘ方向お
よび±Ｙ方向に移動させることにより、試料１のハッチ
ングした第１の領域１１を測定する。ついで、図１の旋
回ベース５を１８０°回転させたのち、ＸＹ駆動機構８
を介して、図５（ｂ）に示す試料１を同じく＋Ｘ方向お
よび±Ｙ方向に移動させることにより、第２の領域１２
を測定する。こうして、Ｘ方向については＋Ｘ方向に試
料１の半径分だけ移動することにより、試料１の主面の
全域を測定できる。
【００１６】試料１は、結晶構造からして、一旦設定し
た最適回転方向位置から１８０°回転した位置でも、回
折角と入射角との相対関係は変化しないので、回折Ｘ線
強度はやはり最低となるから、問題はない。
た最適回転方向位置から１８０°回転した位置でも、回
折角と入射角との相対関係は変化しないので、回折Ｘ線
強度はやはり最低となるから、問題はない。
【００１７】ところで、上記実施例では、蛍光Ｘ線分析
に先立つ試料１の回転方向の位置決め動作において、上
記旋回ベース５の駆動用モータ７を手動操作すること
で、試料１を最適回転方向位置に設定したが、この位置
決めは自動化することもできる。図６は、その自動位置
決め手段を採用した場合の分析装置の概略構成図を示
す。同図において、１〜８は上記実施例と同一であるた
め、該当部分に同一の符号を付して、それらの説明を省
略する。
に先立つ試料１の回転方向の位置決め動作において、上
記旋回ベース５の駆動用モータ７を手動操作すること
で、試料１を最適回転方向位置に設定したが、この位置
決めは自動化することもできる。図６は、その自動位置
決め手段を採用した場合の分析装置の概略構成図を示
す。同図において、１〜８は上記実施例と同一であるた
め、該当部分に同一の符号を付して、それらの説明を省
略する。
【００１８】図６において、分光・検出装置３からの検
出信号は、２次Ｘ線強度測定手段（例えば波高分析器）
１５に入力されて２次Ｘ線の強度が測定され、この測定
された２次Ｘ線強度の最小値が最小値判定手段１６によ
って判定される。判定された最小値を基に試料１の最適
回転方向位置が最適回転方向位置判定手段１７によって
判定され、この判定された最適回転方向位置に試料１が
位置決めされるように、回転駆動信号発生手段１８が旋
回ベース６の駆動モータ７にフィードバックすべき回転
駆動信号を発生する。
出信号は、２次Ｘ線強度測定手段（例えば波高分析器）
１５に入力されて２次Ｘ線の強度が測定され、この測定
された２次Ｘ線強度の最小値が最小値判定手段１６によ
って判定される。判定された最小値を基に試料１の最適
回転方向位置が最適回転方向位置判定手段１７によって
判定され、この判定された最適回転方向位置に試料１が
位置決めされるように、回転駆動信号発生手段１８が旋
回ベース６の駆動モータ７にフィードバックすべき回転
駆動信号を発生する。
【００１９】このような構成からなる自動位置決め手段
を備えた分析装置によれば、蛍光Ｘ線分析に先立つ試料
の回転方向位置決め動作から、その位置決め後のＸＹ移
動による所定の蛍光Ｘ線の分析動作までの全ての動作を
自動化して、分析作業の省力化、効率化を図ることがで
きる。
を備えた分析装置によれば、蛍光Ｘ線分析に先立つ試料
の回転方向位置決め動作から、その位置決め後のＸＹ移
動による所定の蛍光Ｘ線の分析動作までの全ての動作を
自動化して、分析作業の省力化、効率化を図ることがで
きる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、試料
の主面全域の蛍光Ｘ線を分析する前に、２次Ｘ線強度が
最小値を示す回転方向位置を検出して、その位置に試料
を位置決めした状態で、ＸＹ移動による所定の蛍光Ｘ線
の分析を実行することにより、試料に含まれた元素の回
折Ｘ線によるノイズの影響のない位置で蛍光Ｘ線の分析
を行なうことが可能となる。したがって、低含有量の元
素であっても、ノイズの影響を少なくして、Ｓ／Ｎ比を
改善し、極めて精度の高い蛍光Ｘ線分析を行なうことが
できる。
の主面全域の蛍光Ｘ線を分析する前に、２次Ｘ線強度が
最小値を示す回転方向位置を検出して、その位置に試料
を位置決めした状態で、ＸＹ移動による所定の蛍光Ｘ線
の分析を実行することにより、試料に含まれた元素の回
折Ｘ線によるノイズの影響のない位置で蛍光Ｘ線の分析
を行なうことが可能となる。したがって、低含有量の元
素であっても、ノイズの影響を少なくして、Ｓ／Ｎ比を
改善し、極めて精度の高い蛍光Ｘ線分析を行なうことが
できる。
【図１】この発明に係る蛍光Ｘ線の分析方法の実施に使
用する分析装置の概略構成図である。
用する分析装置の概略構成図である。
【図２】分析試料の斜視図である。
【図３】試料の基準点設定の説明図である。
【図４】２次Ｘ線強度の回転方向の分布図である。
【図５】蛍光Ｘ線の分析方法の手順を説明する図であ
る。
る。
【図６】この発明の他の実施例による蛍光Ｘ線の分析方
法を実施するために使用する分析装置の概略構成図であ
る。
法を実施するために使用する分析装置の概略構成図であ
る。
１…試料、２…Ｘ線管、３…検出器、５…旋回ベース、
６…ＸＹ移動ベース、Ｋｘ…回折Ｘ線、Ｓｘ…蛍光Ｘ
線。
６…ＸＹ移動ベース、Ｋｘ…回折Ｘ線、Ｓｘ…蛍光Ｘ
線。
Claims (1)
- 【請求項１】 試料の蛍光Ｘ線分析に先立って、上記試
料を試料上の所定点まわりに１８０°以上回転させなが
ら、この試料に１次Ｘ線を照射して、試料から発生する
蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を含んだ２次Ｘ線を検出し、得
られた２次Ｘ線強度が最小値を示す回転方向位置に試料
を位置決めし、この状態で試料を、その主面に平行な面
内で互いに直交するＸＹ方向に移動させて試料の主面全
域の蛍光Ｘ線分析を行なう蛍光Ｘ線の分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318527A JP2613513B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 蛍光ｘ線の分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318527A JP2613513B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 蛍光ｘ線の分析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05126768A true JPH05126768A (ja) | 1993-05-21 |
| JP2613513B2 JP2613513B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=18100114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3318527A Expired - Fee Related JP2613513B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | 蛍光ｘ線の分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613513B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5425066A (en) * | 1993-03-19 | 1995-06-13 | Seiko Instruments Inc. | Method of finding the center of a band-shaped region |
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| JP2613513B2 (ja) | 1997-05-28 |
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