JPH09304309A - 基板表面分析方法および基板表面分析装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板表面近傍の不純物濃度の測定とともに基
板表面近傍の結晶性を評価を可能にする。 【解決手段】 不純物を導入した基板１７の表面上に照
射されたＸ線ビーム１２によって発生する蛍光Ｘ線およ
び回折Ｘ線を検出するＸ線検出器２０および２１が設置
されている。分析位置２５を通り基板１７の表面に垂直
な軸を中心として基板１７を回転させ、Ｘ線ビーム１２
が基板１７の表面に入射する方位を変化させる。基板１
７の表面に照射されたＸ線ビーム１２は特定の入射方位
のときにだけ、特定の格子面で回折条件を満たして回折
されるので、Ｘ線ビーム１２の特定の入射方位に対応し
て回折強度曲線が得られる。基板１７へのＸ線ビーム１
２の特定の入射方位における回折Ｘ線強度は、基板１７
の結晶性を反映しているので、回折Ｘ線強度から分析位
置２５の表面近傍の結晶性が評価でき、蛍光Ｘ線のエネ
ルギー位置とその強度から不純物の種類と濃度がわか
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板表面
の不純物濃度等を測定する基板表面分析方法および基板
表面分析装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造分野では、微細加
工技術の進歩により、デバイス特性に悪影響を及ぼすウ
ェハ表面の不純物元素の低減が重要となってきている。
半導体デバイスはウェハの表面付近に形成されるので、
ウェハ表面の不純物濃度管理は特に重要である。近年、
全反射蛍光Ｘ線分析装置が開発され、ウェハ表面の遷移
金属の定量評価に不可欠な装置となっている。

【０００３】図３は従来の基板表面分析装置である全反
射蛍光Ｘ線分析装置を示す概念図である。図３におい
て、１はＸ線源である。２はＸ線源１から照射されたＸ
線ビーム、３はＸ線源１から照射されたＸ線を単色化す
るための分光結晶、４はＸ線源１から照射されたＸ線を
しぼるためのスリット、５はＸ線源１から照射されたＸ
線を再びしぼるためのスリット、６はスリット５を通過
したＸ線強度を測定するためのカウンタである。７はＸ
線ビーム２が照射されるべき基板、８は基板７を支持す
るステージ、９はステージ８の上に固定された基板７を
Ｘ線ビーム２に対して、十分な精度で任意の角度に設定
することができる駆動装置である。１０は基板上に照射
されたＸ線ビームによって発生する蛍光Ｘ線を検出する
Ｘ線検出器であり、一般的にはエネルギー分散型の検出
器が用いられる。

【０００４】この従来の基板表面分析装置を用いた従来
の基板表面分析方法について説明する。まず、Ｘ線源１
からＸ線ビーム２がカウンタ６に向かって照射される。
基板７を載せたステージ８は、駆動装置９によって、Ｘ
線ビーム２と基板７が平行になるように設定される。こ
のときカウンタ６では常にＸ線強度がモニタされ、駆動
装置９にフィードバックされる。つづいて、駆動装置９
は、基板７がＸ線ビーム２に対して全反射臨界角以下の
所望の角度になるように、ステージ８を設定する。この
とき、Ｘ線ビーム２と基板７とがなす角度を入射角と呼
ぶことにする。基板７としてシリコンを用い、Ｘ線ビー
ム２としてタングステン−Ｌβ線を用いたときの全反射
臨界角は約０．１８°である。通常の測定では、入射角
が０．０５〜０．１２°の角度となるように設定する。
基板７上に照射されたＸ線ビーム２は、基板７の表面近
傍に存在している不純物を励起し、不純物元素特有の蛍
光Ｘ線を発する。この蛍光Ｘ線は、基板７の上部に設置
されているＸ線検出器１０によって捕らえられ、蛍光Ｘ
線のエネルギー位置から不純物元素の種類が、また蛍光
Ｘ線の強度から不純物濃度が測定される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の方法では、基板７の表面の不純物濃度は得られる
が、基板７の表面に一方向からのみしかＸ線ビーム２が
入射しないため、半導体デバイスにとって不良の重要な
要因である基板７の表面近傍の結晶性を同時に評価でき
ないという問題点を有していた。

【０００６】この発明の目的は、上記問題点に鑑み、基
板表面近傍の不純物濃度の測定とともに基板表面近傍の
結晶性を評価できる基板表面分析方法および基板表面分
析装置を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の基板表面
分析方法は、Ｘ線ビームを不純物を導入した基板の表面
で全反射するように基板の表面の分析点へ照射し、分析
点を通り基板の表面に垂直な軸を中心として基板を回転
させてＸ線ビームの基板の表面への入射方位を変えなが
ら、不純物から基板の表面と略垂直方向へ発せられる蛍
光Ｘ線の強度と、基板の表面と略垂直方向に回折される
Ｘ線の強度とを測定することを特徴とする。

【０００８】この方法によれば、Ｘ線ビームを基板に照
射し、Ｘ線ビームが照射されている分析点を通り基板の
表面に垂直な軸を中心として基板を適当な時間間隔で回
転させることによって、基板へのＸ線ビームの入射方位
が異なり、特定の入射方位においてＸ線ビームは基板の
表面近傍の特定の格子面で基板の表面と略垂直方向に回
折され、この回折されたＸ線の強度は基板表面近傍の結
晶性を反映しているので、回折Ｘ線の強度を測定するこ
とにより結晶性を評価することができる。また、基板の
表面と略垂直方向へ発せられる蛍光Ｘ線強度を測定する
ことにより、基板表面近傍の不純物濃度を測定できる。

【０００９】請求項２記載の基板表面分析方法は、請求
項１記載の基板表面分析方法において、基板の表面と略
同一平面内に回折されるＸ線の強度も測定することを特
徴とする。すなわち、基板の表面と略垂直方向に回折さ
れるＸ線の強度とともに、基板の表面に略垂直な格子面
で回折され基板の表面と略同一平面内に回折されるＸ線
の強度も測定することにより、複数の格子面の結晶性を
評価することができ、精度の高い結晶性評価を行うこと
ができる。

【００１０】請求項３記載の基板表面分析方法は、請求
項１または２記載の基板表面分析方法において、Ｘ線ビ
ームを照射する基板の表面の分析点を順次変更すること
を特徴とする。これにより、基板表面の２次元（平面）
的な結晶性の評価と不純物濃度の測定を行うことができ
る。請求項４記載の基板表面分析方法は、請求項１，２
または３記載の基板表面分析方法において、Ｘ線ビーム
はＸ線源から分光結晶を介在させて基板へ照射し、Ｘ線
ビームの分光結晶への入射角を変化させることにより基
板へ照射されるＸ線ビームの波長を変化させることを特
徴とする。Ｘ線ビームは波長により基板への進入深さが
異なるため、Ｘ線ビームの波長を変化させることによ
り、基板の深さ方向の結晶性の情報が得られる。

【００１１】請求項５記載の基板表面分析方法は、請求
項１，２または３記載の基板表面分析方法において、Ｘ
線ビームの基板への入射角を変化させることを特徴とす
る。このようにＸ線ビームは入射角を変化させることに
より、基板への進入深さが異なるため、基板の深さ方向
の結晶性の情報が得られる。請求項６記載の基板表面分
析装置は、Ｘ線ビームを不純物を導入した基板の表面で
全反射するように基板の表面の分析点へ照射可能な基板
表面分析装置であって、分析点を通り基板の表面に垂直
な軸を中心として基板を回転させる機構と、基板の表面
の上方に配置され、不純物から基板の表面と略垂直方向
へ発せられる蛍光Ｘ線を検出するとともに基板の表面と
略垂直方向に回折されるＸ線を検出する第１のＸ線検出
器と、基板の表面と略同一平面内に配置され、基板の表
面と略同一平面内に回折されるＸ線を検出する第２のＸ
線検出器とを設けたことを特徴とする。

【００１２】この構成により、請求項１，２記載の基板
表面分析方法を実現でき、基板表面近傍の不純物濃度の
測定とともに精度の高い結晶性評価を行うことができ
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。図１はこの発明の
実施の形態における基板表面分析装置を示す概念図であ
り、図１（ａ）はその側面を示し、図１（ｂ）はその平
面を示すものである。図１において、１１はＸ線源であ
る。１２はＸ線源１１から照射されたＸ線ビーム、１３
はＸ線源１１から照射されたＸ線を単色化するための分
光結晶、１４はＸ線源１１から照射されたＸ線をしぼる
ためのスリット、１５はＸ線源１１から照射されたＸ線
を再びしぼるためのスリット、１６はスリット１５を通
過したＸ線強度を測定するためのカウンタである。１７
はＸ線ビーム１２が照射されるべき基板、１８は基板１
７を支持するステージ、１９はステージ１８の上に固定
された基板１７をＸ線ビーム１２に対して、十分な精度
で任意の角度に設定することができる駆動装置である。

【００１４】２０は基板１７の表面上に照射されたＸ線
ビーム１２によって発生する蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を
検出するＸ線検出器（第１のＸ線検出器）であり、一般
的なエネルギー分散型の検出器を用いている。２１は基
板１７の表面上に照射されたＸ線ビーム１２によって発
生する蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を検出するＸ線検出器
（第２のＸ線検出器）であり、基板１７の周囲に沿って
任意の角度で移動するとともに、基板１７の表面に対し
て垂直方向にも移動できる。

【００１５】また、２２（図１（ｂ）には図示せず）は
基板１７の表面上に照射されたＸ線ビーム１２によって
発生する蛍光Ｘ線および回折Ｘ線の強度を２次元的に検
出することが可能なＸ線検出器（第１のＸ線検出器）で
あり、写真乾板またはイメージングプレートを用いてい
る。このＸ線検出器２２は、Ｘ線検出器２０と切り替え
可能で、使用する際は基板１７の上部に基板１７の表面
と対向する位置に設定可能なものである。２３（図１
（ｂ）には図示せず）はＸ線検出器２２を基板１７の表
面に対して垂直方向に移動させる駆動装置である。ま
た、２４（図１（ａ）には図示せず）は基板１７の表面
上に照射されたＸ線ビーム１２によって発生する蛍光Ｘ
線および回折Ｘ線の強度を２次元的に検出することが可
能なＸ線検出器（第２のＸ線検出器）であり、写真乾板
またはイメージングプレートを用いている。このＸ線検
出器２４は、基板１７の周囲に沿って移動でき、基板１
７の中心方向を向いて設置され、Ｘ線検出器２１と切り
替え可能なものである。

【００１６】また、図２は基板１７の表面上のＸ線ビー
ム１２の照射位置、すなわち基板１７の表面の分析位置
を示す図である。図２において、２５が分析位置であ
り、この分析位置２５は基板１７の表面の任意の位置に
設定できるようにしてある。以下、図１に示す基板表面
分析装置を用いる基板表面分析方法について説明する。

【００１７】まず、Ｘ線源１１から照射されたＸ線ビー
ム１２は、分光結晶１３で特定の波長のＸ線が選択さ
れ、単色化される。単色化されたＸ線ビーム１２はスリ
ット１４によってしぼられ、基板１７の表面に照射され
る。基板１７の表面で反射したＸ線ビーム１２はスリッ
ト１５で再びしぼられ、カウンタ１６に入射し、カウン
タ１６でＸ線強度が計測される。カウンタ１６で計測さ
れたＸ線強度をモニタし、基板１７の表面でＸ線ビーム
１２が全反射条件を満たすように駆動装置１９によって
ステージ１８を調整する。このときのＸ線ビーム１２と
基板１７とがなす角度は０．０１°以下の精度で設定可
能である。

【００１８】Ｘ線ビーム１２が照射された位置が分析位
置２５であり、この分析位置２５は基板１７の表面の任
意の位置に設定することができる。いま、基板１７上の
１つの分析位置２５にＸ線ビーム１２が照射されると、
照射された分析位置２５の表面に存在する不純物は、Ｘ
線ビーム１２を受けて励起され、蛍光Ｘ線を発する。ま
た、同時に分析位置２５の表面近傍でＸ線ビーム１２が
Ｘ線回折の条件（ブラッグ条件）を満たすとき、Ｘ線ビ
ーム１２は特定の方向に回折される。このとき発生する
蛍光Ｘ線と回折Ｘ線をＸ線検出器２０で検出し、そのエ
ネルギー位置と強度を測定する。蛍光Ｘ線と回折Ｘ線と
は、それぞれエネルギー位置が異なるので、ひとつのＸ
線検出器２０でそれぞれを分離可能である。

【００１９】さらに、Ｘ線検出器２１で、Ｘ線ビーム１
２の回折Ｘ線と蛍光Ｘ線のエネルギー位置と強度を測定
することにより、Ｘ線検出器２０で測定される回折Ｘ線
とは別の格子面で回折された回折Ｘ線強度が得られる。
Ｘ線検出器２１は、Ｘ線検出器２０のみでは検出できな
い基板１７に垂直な格子面によって基板面内に回折され
たＸ線を検出でき、基板１７に垂直な格子面のずれを測
定する。したがって、ひとつの格子面で回折されるＸ線
から結晶性を判断する場合に比べて、いくつかの異なっ
た格子面で回折されるＸ線の強度から結晶性を評価で
き、評価精度が高まる。

【００２０】なお、Ｘ線検出器２１を、２次元的なＸ線
強度を検出可能なＸ線検出器２４に切り替えて測定する
ことも可能であり、この場合、回折Ｘ線の強度だけでな
く、基板１７の表面の２次元的な結晶性の評価が可能で
ある。これは、Ｘ線ビーム１２は幅を持っており、した
がって照射される基板１７の表面の分析位置２５もある
程度の広がり（通常約１ｃｍφ）を有し、Ｘ線検出器２
４で回折Ｘ線を受ければ、約１ｃｍφの領域の結晶性が
回折強度の強弱として得られる。

【００２１】次に、全反射条件を保ち、かつＸ線検出器
２０で蛍光Ｘ線と回折Ｘ線の強度を、Ｘ線検出器２１で
回折Ｘ線の強度を測定しながら、分析位置２５を中心と
して基板１７を回転させ、Ｘ線ビーム１２が基板１７の
表面に入射する方位を変化させる。このとき一つの入射
方位におけるＸ線カウント数は１０００ｃｐｓ以上でな
ければならない。この理由は、Ｘ線検出器２０およびＸ
線検出器２１で測定されるＸ線強度の統計的なばらつき
を低減するためである。基板１７の回転角の精度は０．
１°以下であることが望ましい。

【００２２】基板１７の表面に照射されたＸ線ビーム１
２は特定の入射方位のときにだけ、特定の格子面で回折
条件を満たして回折されるので、Ｘ線ビーム１２の特定
の入射方位に対応して回折強度曲線が得られる。基板１
７へのＸ線ビーム１２の特定の入射方位における回折Ｘ
線の強度は、基板１７の結晶性を反映しているので、回
折Ｘ線強度の値から分析位置２５の表面近傍の結晶性が
評価できる。また、蛍光Ｘ線のエネルギー位置とその強
度から分析位置２５の表面近傍に存在する不純物の種類
と濃度がわかり、結晶性と不純物濃度の相関関係を明確
にすることができる。

【００２３】以上を簡単にまとめると、不純物を導入し
た基板１７の表面上に照射されたＸ線ビーム１２によっ
て発生する蛍光Ｘ線および回折Ｘ線を検出するＸ線検出
器２０および２１が設置されている。分析位置２５を通
り基板１７の表面と垂直な軸を中心として基板１７を回
転させ、Ｘ線ビーム１２が基板１７の表面に入射する方
位を変化させる。基板１７の表面に照射されたＸ線ビー
ム１２は特定の入射方位のときにだけ、特定の格子面で
回折条件を満たして回折されるので、Ｘ線ビーム１２の
特定の入射方位に対応して回折強度曲線が得られる。基
板１７へのＸ線ビーム１２の特定の入射方位における回
折Ｘ線強度は、基板１７の結晶性を反映しているので、
回折Ｘ線強度から分析位置２５の表面近傍の結晶性が評
価でき、蛍光Ｘ線のエネルギー位置とその強度から不純
物の種類と濃度がわかる。このように基板１７の結晶性
および不純物の分析を同時に行えることにより、半導体
デバイスの製造工程の品質管理を容易に行うことができ
る。

【００２４】さらに、図２に示すように、Ｘ線ビームを
基板１７の表面で走査して分析位置２５を順次変更し、
各分析位置２５について上述した方法により同様の測定
を行うことにより、各分析位置２５について回折Ｘ線と
蛍光Ｘ線が測定されるので、基板１７の表面の２次元平
面の結晶性と不純物の分析が可能となり、それらの面内
分布を得ることができる。

【００２５】また、Ｘ線源１１からのＸ線には複数の波
長をもったＸ線が含まれている。例えばＫ線、Ｌ線、Ｍ
線、連続Ｘ線などであり、それぞれのＸ線はその波長が
異なる。これらのＸ線は、分光結晶１３への入射角を適
当に選択することにより、ひとつの波長のＸ線のみが選
択される。基板１７の表面に照射されたＸ線ビーム１２
は、その波長に対応して基板１７への進入深さが異なる
ため、Ｘ線ビーム１２の分光結晶１３への入射角を変更
して、上述した方法により測定を行うと、基板１７の深
さ方向の結晶性の情報を得ることができる。また、ひと
つの波長のＸ線を用いて、基板１７への入射角を全反射
条件を保ったままの状態で変化させても同様の効果を得
ることができる。

【００２６】この実施の形態において用いた基板表面分
析装置では、Ｘ線検出器２１は、基板１７の表面にほぼ
垂直な格子面で回折された回折Ｘ線を効率よく検出する
ために、基板１７の周囲に位置し、基板１７の表面の分
析位置２５の方向に検出部を向けて設けられている。Ｘ
線検出器２１は、基板１７の外周に沿って、回転するこ
とができ、その回転精度は０．１°以下である。また、
Ｘ線検出器２１は、基板１７の表面に対して垂直方向に
も移動でき、基板１７の上方に−２０〜＋６０°の範囲
で動かすことができる。このときの移動精度も０．１°
以下である。

【００２７】上記実施の形態における基板表面分析方法
では、基板１７の表面上に照射されたＸ線ビーム１２
は、特定の格子面によって回折され、蛍光Ｘ線と回折Ｘ
線はＸ線検出器２０で検出される。さらに、Ｘ線ビーム
１２は、別の格子面によって基板１７の表面すれすれ方
向にも回折される。この回折Ｘ線はＸ線検出器２０では
検出できない。Ｘ線検出器２１を備えることにより、基
板１７の表面すれすれ方向にも回折されたＸ線も検出で
きる。基板１７の材料によって、Ｘ線の回折方向も異な
るため、Ｘ線検出器２１を、基板１７の外周方向および
基板１７の表面に垂直な方向に動かし、回折Ｘ線強度の
最もよく検出できる位置に設定する。このように、Ｘ線
検出器２０とＸ線検出器２１とを設けたことによって、
複数の格子面の結晶性を評価することができるため、よ
り精度の高い測定が可能となる。

【００２８】また、Ｘ線検出器２０を、２次元的にＸ線
強度を検出可能なＸ線検出器２２に切り替えることによ
り、基板１７の表面上に照射されたＸ線ビーム１２によ
って発生する蛍光Ｘ線および回折Ｘ線の強度を２次元的
に測定でき、基板１７の表面の２次元的な不純物濃度お
よび２次元的な結晶性の評価が可能となる。また、Ｘ線
検出器２１を、２次元的にＸ線強度を検出可能なＸ線検
出器２４に切り替えることにより、回折Ｘ線の強度を２
次元的に測定でき、２次元的な結晶性の評価が可能とな
る。

【００２９】

【発明の効果】以上のようにこの発明の基板表面分析方
法は、Ｘ線ビームを不純物を導入した基板の表面で全反
射するように基板の表面の分析点へ照射し、分析点を通
り基板の表面に垂直な軸を中心として基板を回転させて
Ｘ線ビームの基板の表面への入射方位を変えながら、不
純物から基板の表面と略垂直方向へ発せられる蛍光Ｘ線
の強度と、基板の表面と略垂直方向に回折されるＸ線の
強度とを測定することにより、蛍光Ｘ線強度から基板表
面近傍の不純物濃度を測定でき、回折Ｘ線の強度から結
晶性を評価することができる。

【００３０】さらに、基板の表面と略同一平面内に回折
されるＸ線の強度も測定することにより、複数の格子面
の結晶性を評価することができ、精度の高い結晶性評価
を行うことができる。また、Ｘ線ビームを照射する基板
の表面の分析点を順次変更することにより、基板表面の
２次元（平面）的な結晶性の評価と不純物濃度の測定を
行うことができる。

【００３１】また、Ｘ線ビームはＸ線源から分光結晶を
介在させて基板へ照射し、Ｘ線ビームの分光結晶への入
射角を変化させることにより基板へ照射されるＸ線ビー
ムの波長を変化させることにより、Ｘ線ビームは波長に
より基板への進入深さが異なるため、基板の深さ方向の
結晶性の情報が得られる。また、Ｘ線ビームの基板への
入射角を変化させることにより、基板への進入深さが異
なるため、基板の深さ方向の結晶性の情報が得られる。

【００３２】この発明の基板表面分析装置は、Ｘ線ビー
ムを不純物を導入した基板の表面で全反射するように基
板の表面の分析点へ照射可能な基板表面分析装置であっ
て、分析点を通り基板の表面に垂直な軸を中心として基
板を回転させる機構と、基板の表面の上方に配置され、
不純物から基板の表面と略垂直方向へ発せられる蛍光Ｘ
線を検出するとともに基板の表面と略垂直方向に回折さ
れるＸ線を検出する第１のＸ線検出器と、基板の表面と
略同一平面内に配置され、基板の表面と略同一平面内に
回折されるＸ線を検出する第２のＸ線検出器とを設けた
ことにより、請求項１，２記載の基板表面分析方法を実
現でき、基板表面近傍の不純物濃度の測定とともに精度
の高い結晶性評価を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態における基板表面分析装
置を示す概念図。

【図２】この発明の実施の形態における基板の表面上の
Ｘ線ビームの照射位置（分析位置）を示す図である。

【図３】従来の基板表面分析装置を示す概念図。

【符号の説明】

１１ Ｘ線源 １２ Ｘ線ビーム １３ 分光結晶 １４ スリット １５ スリット １６ カウンタ １７ 基板 １８ ステージ １９ 駆動装置 ２０ （第１の）Ｘ線検出器 ２１ （第２の）Ｘ線検出器 ２２ （第１の）Ｘ線検出器 ２３ 駆動装置 ２４ （第２の）Ｘ線検出器 ２５ 分析位置

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｘ線ビームを不純物を導入した基板の表
   面で全反射するように前記基板の表面の分析点へ照射
   し、前記分析点を通り前記基板の表面に垂直な軸を中心
   として前記基板を回転させて前記Ｘ線ビームの前記基板
   の表面への入射方位を変えながら、前記不純物から前記
   基板の表面と略垂直方向へ発せられる蛍光Ｘ線の強度
   と、前記基板の表面と略垂直方向に回折されるＸ線の強
   度とを測定することを特徴とする基板表面分析方法。
2. 【請求項２】 基板の表面と略同一平面内に回折される
   Ｘ線の強度も測定することを特徴とする請求項１記載の
   基板表面分析方法。
3. 【請求項３】 Ｘ線ビームを照射する基板の表面の分析
   点を順次変更することを特徴とする請求項１または２記
   載の基板表面分析方法。
4. 【請求項４】 Ｘ線ビームはＸ線源から分光結晶を介在
   させて基板へ照射し、前記Ｘ線ビームの前記分光結晶へ
   の入射角を変化させることにより前記基板へ照射される
   前記Ｘ線ビームの波長を変化させることを特徴とする請
   求項１，２または３記載の基板表面分析方法。
5. 【請求項５】 Ｘ線ビームの基板への入射角を変化させ
   ることを特徴とする請求項１，２または３記載の基板表
   面分析方法。
6. 【請求項６】 Ｘ線ビームを不純物を導入した基板の表
   面で全反射するように前記基板の表面の分析点へ照射可
   能な基板表面分析装置であって、 前記分析点を通り前記基板の表面に垂直な軸を中心とし
   て前記基板を回転させる機構と、 前記基板の表面の上方に配置され、前記不純物から前記
   基板の表面と略垂直方向へ発せられる蛍光Ｘ線を検出す
   るとともに前記基板の表面と略垂直方向に回折されるＸ
   線を検出する第１のＸ線検出器と、 前記基板の表面と略同一平面内に配置され、前記基板の
   表面と略同一平面内に回折されるＸ線を検出する第２の
   Ｘ線検出器とを設けたことを特徴とする基板表面分析装
   置。