KR20210028608A - 형광 x선 분석 장치 - Google Patents

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KR20210028608A
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키요시 오가타
세이 요시하라
슈이치 카토
카즈히코 오모테
히로시 모토노
나오키 마쯔시마
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가부시키가이샤 리가쿠
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Abstract

본 발명의 형광 X선 분석 장치는, 측정 대상 원소로 선정한 Ag의 에너지 흡수단보다도 값이 크고, 또한 해당 Ag보다도 에너지 흡수단의 값이 큰 인접 원소이기도 한 Sn의 에너지 흡수단 이하의 값을 나타내는 에너지를 갖는 X선과, 측정 대상 원소로 선정한 Sn의 에너지 흡수단보다도 큰 값의 에너지의 X선을, 시료(S)에 조사하도록, X선 조사 유닛(20)을 구성하고 있다.

Description

형광 X선 분석 장치
본 발명은, 시료에 포함되는 복수의 원소 중, 미리 측정 대상으로 선정한 원소(측정 대상 원소)로부터 방출되는 형광 X선을 검출하는 것에 의해, 해당(當該) 측정 대상 원소를 분석하는 형광 X선 분석 장치에 관한 것이다.
근래, 반도체 디바이스의 고집적화에 수반하여, 복수매(여러개)의 반도체 기판(반도체 웨이퍼)을 높이 방향으로 적층하는 삼차원 실장 기술의 개발이 진행되고 있다. 이러한 반도체 디바이스의 삼차원 실장에 있어서는, 반도체 기판의 최상층에 형성한 전극 상에 땜납 범프라고 칭하는 돌기물이 마련되고, 이 땜납 범프를 거쳐서 각 반도체 기판의 전극을 전기적으로 접속하고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 종래부터 반도체 기판 상에 성막된 박막을 측정 대상으로 해서, 제조 공정 내에서의 그 곳(場)에서의 분석 요구가 높다. 본 출원인은, 이 요구에 부응하기 위하여, X선을 이용한 박막 검사 장치를 제안해 왔다.
그런데, 상술한 삼차원 실장되는 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 반도체 기판 상의 박막 측정 뿐만 아니라, 땜납 범프를 측정 대상에 더하고 싶다고 하는 새로운 요구가 생겨나고 있다.
땜납 범프는, 예를 들면, Sn(0.97), Ag(0.03)의 조성을 갖는 무납(無鉛) 땜납에 의해 형성된다. 이들 땜납 범프를 구성하는 Sn(주석)이나 Ag(은)를 형광 X선 분석에 의해 측정하는 경우, 함유량이 적은 Ag로부터의 형광 X선의 방출량이 적기 때문에, 특히 Ag에 대한 형광 X선 분석을 고정밀도로 실시할 수가 없었다.
또, 시료에 X선을 조사한 경우, 시료로부터는 형광 X선에 더하여, 회절 X선이 반사되어 와서 X선 검출기로 동시에 입사(入射)하는 일이 있다. 이 경우, X선 검출기에 입사한 회절 X선은, 형광 X선 분석에 있어서는 노이즈로 되어, 측정 정밀도를 저하시킬 우려가 있다.
그래서, 특허문헌 2나 특허문헌 3의 종래 기술에는, 시료를 회전시켜서 X선 검출기에 회절 X선이 입사하지 않도록 조정하는 기술이 개시되어 있다.
일본공개특허공보 특개2006－140364호 일본공개특허공보 특개평5－126768호 일본특허공보 특허 제4884553호
본 발명은, 상술한 사정을 감안해서 이루어진 것으로, 시료중의 함유량이 적은 것이 원인으로 종래 기술에서는 고정밀도의 측정이 곤란한 원소에 대해서도, 고정밀도로 측정할 수 있는 형광 X선 분석 장치의 제공을 목적으로 한다.
또 본 발명은, 특허문헌 1 또는 2에 개시된 종래 기술에 입각해서, 더욱더 고정밀도로, 게다가 측정 시간의 단축을 도모할 수 있는 고스루풋인 형광 X선 분석 장치의 제공을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 복수의 원소를 포함하는 시료에 대해서 X선을 조사하는 X선 조사 유닛과, 해당 시료로부터 여기한 형광 X선을 검출하는 X선 검출 유닛을 구비한 형광 X선 분석 장치에 있어서,
X선 조사 유닛은, 시료에 포함되는 복수의 원소 중 측정 대상으로 선정한 측정 대상 원소와, 해당 원소보다도 에너지 흡수단(吸收端)의 값이 큰 인접 원소에 주목하고, 측정 대상 원소의 에너지 흡수단보다도 크고, 또한 인접 원소의 에너지 흡수단 이하의 값을 나타내는 에너지를 갖는 X선을, 시료에 조사하는 구성인 것을 특징으로 한다.
이와 같이 측정 대상 원소의 에너지 흡수단보다도 크고, 또한 인접 원소의 에너지 흡수단 이하의 값을 나타내는 에너지를 갖는 X선을 시료에 조사하면, 측정 대상 원소에 대한 X선의 여기 효율이 올라가서, 측정 대상 원소로부터 많은 형광 X선이 방출된다.
그 때문에, 시료중의 함유량이 적은 것이 원인으로 종래 기술에서는 고정밀도의 측정이 곤란한 원소에 대해서도, 고정밀도로 측정하는 것이 가능해진다.
또한, 시료에 포함되는 복수의 원소로부터 측정 대상으로 선정한 복수의 측정 대상 원소 중, 에너지 흡수단의 값이 큰 인접 원소가 존재하지 않을 때도 있다. 그 경우, X선 조사 유닛은, 측정 대상 원소의 에너지 흡수단보다도 큰 값의 에너지의 X선을, 시료에 조사하는 구성으로 하면 좋다.
이와 같은 X선을 시료에 조사함으로써, 측정 대상 원소에 대한 X선의 여기 효율이 올라가서, 측정 대상 원소로부터 많은 형광 X선이 방출된다.
예를 들면, Ag와 Sn의 원소를 포함하는 땜납을 시료로 하고, 이들 Ag 및 Sn의 각 원소를 각각 측정 대상 원소로 선정해서 측정하려면, X선 조사 유닛을 다음과 같이 구성하면 좋다.
즉, X선 조사 유닛은, 측정 대상 원소로 선정한 Ag의 에너지 흡수단보다도 값이 크고, 또한 해당 Ag보다도 에너지 흡수단의 값이 큰 인접 원소이기도 한 Sn의 에너지 흡수단 이하의 값을 나타내는 에너지를 갖는 X선과, 측정 대상 원소로 선정한 Sn의 에너지 흡수단보다도 큰 값의 에너지의 X선을, 시료에 조사하도록 구성한다.
이것에 의해, 땜납 범프와 같이, Ag의 함유량이 적은 물질을 시료로 해도, Ag에서의 X선의 여기 효율이 올라가서, Ag로부터 많은 형광 X선이 방출된다. 그 때문에, 예를 들면, 땜납 범프에 함유된 Ag의 원소에 대해서도, 고정밀도로 측정하는 것이 가능해진다.
상술한 X선 조사 유닛은, 예를 들면, 연속 X선을 방출하는 X선원과, X선원으로부터 방출된 연속 X선을 입사해서, 에너지의 크기가 다른 복수 종류의 X선을 취출(取出)하는 다파장 미러를 포함하는 구성에 의해서 실현할 수가 있다.
여기서, 다파장 미러는, 복수 종류의 박막을 적층해서 이루어지는 다층막을 포함하는 구성으로 한다. 그리고, 다층막은, 박막의 막두께(膜厚), 막질(膜質) 및 적층수(積層數)를 조정함으로써 원하는 에너지를 가지는 X선만을 회절하도록 구성한다. 또, 다파장 미러는, 깊이 방향으로 박막의 막두께, 막질 및 해당 박막의 적층수가 다른 복수 종류의 다층막을 적층함으로써, 에너지의 크기가 다른 복수 종류의 X선을 회절하는 구성으로 한다.
이러한 다파장 미러에 의해, X선원으로부터 방출되는 연속 X선으로부터, 측정 대상 원소의 에너지 흡수단보다도 크고, 또한 인접 원소의 에너지 흡수단 이하의 값을 나타내는 에너지를 갖는 X선을 취출해서(끄집어 내어) 시료에 조사하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명에 있어서, X선 검출 유닛은, 복수의 X선 검출기를 포함하는 구성으로 하는 것이 바람직하다.
그리고, X선 조사 유닛으로부터의 X선이 조사되는 시료의 X선 조사 부위에 대해, 그 주위에, 해당 시료로부터 방출되는 형광 X선을 취입(取入)하는 자세로, 복수의 X선 검출기를 배치한다. 그들 각 X선 검출기는 개별적으로 이동 자유롭게 한다.
또, 복수의 X선 검출기 중, 시료로부터 회절되어 온 회절 X선을 검출한 X선 검출기를, 해당 회절 X선이 입사하지 않는 위치로 이동시키는 제어부를 구비한 구성으로 한다.
X선 검출 유닛을 이와 같이 구성함으로써, 시료로부터 회절되어 온 회절 X선이 노이즈로서 X선 검출기에 입사하는 것을 회피해서 S/N의 향상을 도모할 수가 있다. 게다가, 시료로부터 방출되는 형광 X선을 시료의 주위에 배치한 복수의 X선 검출기에 입사시켜서, 형광 X선의 검출 강도를 올릴 수가 있다.
또, 복수의 X선 검출기를 포함하는 X선 검출 유닛은, 다음과 같이 구성할 수도 있다.
즉, X선 조사 유닛으로부터의 X선이 조사되는 시료의 X선 조사 부위에 대해, 그 주위에, 해당 시료로부터 방출되는 형광 X선을 취입하는(거둬들이는) 자세로, 복수의 X선 검출기를 배치한다. 시료와 각 X선 검출기 사이에는, X선을 차폐하는 X선 차폐문(遮蔽扉)을 각각 개폐 자유롭게 마련한다.
그리고, 복수의 X선 검출기 중, 시료로부터 회절되어 온 회절 X선을 검출한 X선 검출기에 대해, X선 차폐문을 폐색(閉塞)하는 제어부를 구비한 구성으로 한다.
또, 복수의 X선 검출기를 포함하는 X선 검출 유닛은, 다음과 같이 구성할 수도 있다.
즉, X선 조사 유닛으로부터의 X선이 조사되는 시료의 X선 조사 부위에 대해, 그 주위에, 해당 시료로부터 방출되는 형광 X선을 취입하는 자세로, 복수의 X선 검출기를 배치한다. 또, 복수의 X선 검출기 중, 시료로부터 회절되어 온 회절 X선을 검출한 X선 검출기로부터의 검출 신호를 제외하고, 그 이외의 X선 검출기로부터의 검출 신호에 기초하여 형광 X선 분석을 행하는 분석부를 구비한 구성으로 한다.
X선 검출 유닛을 상술한 바와 같이 구성해도, 회절 X선에 의한 S/N의 저하를 회피해서, 고정밀도의 형광 X선 분석을 실현할 수가 있다. 게다가, 시료로부터 방출되는 형광 X선을 시료의 주위에 배치한 복수의 X선 검출기에 입사시켜서, 형광 X선의 검출 강도를 올릴 수가 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 측정 대상 원소의 에너지 흡수단보다도 크고, 또한 인접 원소의 에너지 흡수단 이하의 값을 나타내는 에너지를 갖는 X선을 시료에 조사하면, 측정 대상 원소에 대한 X선의 여기 효율이 올라가서, 측정 대상 원소로부터 많은 형광 X선이 방출된다. 그 때문에, 시료중의 함유량이 적은 것이 원인으로 종래 기술에서는 고정밀도의 측정이 곤란한 원소에 대해서도, 고정밀도로 측정하는 것이 가능해진다.
또, 복수의 X선 검출기를 포함하는 X선 검출 유닛로 상술한 바와 같이 본 발명을 구성함으로써, 시료로부터 회절되어 온 회절 X선의 영향을 제거해서 S/N의 향상을 도모할 수가 있다. 게다가, 시료로부터 방출되는 형광 X선을 시료의 주위에 배치한 복수의 X선 검출기에 입사시켜서, 형광 X선의 검출 강도를 올릴 수가 있다. 그 결과, 고정밀도이고, 또한 측정 시간의 단축을 도모할 수 있는 고스루풋인 형광 X선 분석을 실현할 수가 있다.
도 1a는, 본 발명의 제1 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치의 주요부를 모식적으로 도시하는 일부 단면 정면도이다. 도 1b는, 같은(同) 저면도이다.
도 2는, 본 발명의 제1 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치의 제어·분석 처리 계통을 도시하는 블록도이다
도 3은, X선 조사 유닛에 포함되는 다파장 미러의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는, 삼차원 실장되는 반도체 기판의 땜납 범프에 함유된 Ag와 Sn의 X선 흡수단을 도시하는 그래프이다.
도 5는, 측정 대상의 미소부에 X선을 수렴(收束)해서 조사하기 위한 다파장 미러의 구성예를 모식적으로 도시하는 사시도이다.
도 6은, 본 발명의 제1 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치에 의한 형광 X선 분석의 실시 동작을 도시하는 흐름도(flow chart)이다.
도 7a는, 본 발명의 제2 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치의 주요부를 모식적으로 도시하는 일부 단면 정면도이다. 도 7b는, 같은 저면도이다.
도 8은, 본 발명의 제2 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치의 제어·분석 처리 계통을 도시하는 블록도이다.
도 9는, 본 발명의 제2 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치에 의한 형광 X선 분석의 실시 동작을 도시하는 흐름도이다.
도 10은, 본 발명의 제3 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치의 제어·분석 처리 계통을 도시하는 블록도이다.
도 11은, 본 발명의 제3 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치에 의한 형광 X선 분석의 실시 동작을 도시하는 흐름도이다.
도 12a는, 본 발명의 제4 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치의 주요부를 모식적으로 도시하는 일부 단면 정면도이다. 도 12b는, 같은 저면도이다.
도 13은, 본 발명의 제4 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치의 제어·분석 처리 계통을 도시하는 블록도이다.
도 14는, 본 발명의 제4 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치에 의한 형광 X선 분석의 실시 동작을 도시하는 흐름도이다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대해서 도면을 참조해서 상세하게 설명한다.
이하의 실시형태에서는, 삼차원 실장되는 반도체 기판(반도체 웨이퍼)에 마련된 땜납 범프의 검사에 호적한 형광 X선 분석 장치의 구성을 설명하겠지만, 본 발명의 용도는 이것에 한정되지 않는 것은 물론이다.
[제1 실시형태]
우선, 도 1a∼도 5를 참조해서, 본 발명의 제1 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치를 설명한다.
도 1a, 도 1b 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치는, 시료대(10), 시료 위치결정 기구(11), X선 조사 유닛(20), X선 검출 유닛(30)의 각 구성요소를 구비하고 있다.
시료대(10)의 표면에는, 시료(반도체 기판)(S)가 배치된다.
시료 위치결정 기구(11)는, 시료대(10)를 구동해서, 시료대(10)에 배치된 시료(S)에 있어서의 피측정 개소(즉, X선 조사 부위)를, X선 조사 유닛(20)으로부터 조사되는 X선의 수렴점에 위치결정하는 구성이다.
X선 조사 유닛(20)은, 에너지의 크기가 다른 복수 종류의 X선을 조사하는 기능을 구비하고 있고, 그 구조의 상세는 후술한다.
X선 검출 유닛(30)은, 복수의 X선 검출기(31)를 구비하고 있다. 각 X선 검출기(31)는, 시료(S)의 피측정 개소에 대해서, 그 주위에 배치되고, 시료(S)로부터 방사된 형광 X선을 취입해서(거둬들여서) 검출하는 구성으로 되어 있다.
또, X선 검출 유닛(30)은, 각 X선 검출기(31)를 각각 구동하는 X선 검출기 구동 기구(32)를 구비하고 있다. 각 X선 검출기(31)는, 각각 X선 검출기 구동 기구(32)에 의해서 개별적으로 구동되고, 배치 위치를 변경할 수 있는 구성으로 되어 있다.
도 1a, 도 1b에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 프레임체(frame body)(33)에 X선 조사 유닛(20), X선 검출기(31), X선 검출기 구동 기구(도시하지 않음)를 내포한 일체 구조로 하고 있다. X선 조사 유닛(20)은, 프레임체(33)의 중앙부에 탑재되어 있고, 그 주위를 둘러싸도록 복수(도 1에서는 8개)의 X선 검출기(31)가 프레임체(33)에 탑재되어 있다. 프레임체(33)에는 내부에 진공실(33a)이 형성되고, 이 진공실(33a) 내에 복수의 X선 검출기(31)가 배치되어 있다. 진공실(33a) 내는, 도시하지 않는 진공 펌프에 의해 진공 흡인되어 진공 상태로 된다.
X선 검출기 구동 기구(32)는, 예를 들면, 소형 모터에 의해 구동되는 이동 테이블(34)에 의해서 구성할 수가 있다. 구체적으로는, 프레임체(33)의 진공실(33a) 내에 복수의 이동 테이블(34)을 이동 자유롭게 설치하고, 그들 이동 테이블(34)에 각각 X선 검출기(31)를 탑재한다. 또, X선 검출 유닛(30)은, X선 검출기(31)의 저면(底面)에 펠티에 쿨러(Peltier cooler) 등의 냉각 부재(35)를 배치하고, X선 검출기(31)를 냉각하는 구성으로 해도 좋다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치는, 컴퓨터에 의해 구성된 중앙 처리 장치(40)를 구비하고 있다. 중앙 처리 장치(40)는, 미리 짜넣어진 제어 프로그램에 따라서, 각종 컨트롤러에 지령 신호를 보내고, 각 구성요소의 동작을 제어한다. 또, 중앙 처리 장치(40)는, 미리 짜넣어진 분석 프로그램에 따라서, X선 검출기(31)로부터의 X선의 검출 신호를 처리해서, 시료(S)의 형광 X선 분석을 실행한다.
즉, 중앙 처리 장치(40)는, 위치결정 컨트롤러(41)에 지령 신호를 출력하고, 이 지령 신호에 따라서, 위치결정 컨트롤러(41)가 시료 위치결정 기구(11)를 구동해서, 시료(S)의 피측정 개소를, X선 조사 유닛(20)으로부터 조사되는 X선의 수렴점에 위치결정한다.
또한, 본 실시형태에서는, 도시하지 않는 이간(離間)한 위치에 광학 현미경(50)에 의한 관찰 위치가 마련되어 있고, 그 관찰 위치에서 광학 현미경(50)에 의해 미리 시료(S)의 피측정 개소를 인식하고, 그 인식한 피측정 개소를, 시료 위치결정 기구(11)에 의해 광학 현미경(50)의 관찰 위치로부터 X선의 수렴점까지 이동하는 구성으로 되어 있다.
또, 중앙 처리 장치(40)는, X선 조사 컨트롤러(42)에 지령 신호를 출력하고, 이 지령 신호에 따라서, X선 조사 유닛(20)이 X선을 조사한다. X선 조사 유닛(20)은, 예를 들면, 100마이크로미터 이하(바람직하게는 50마이크로미터 이하)의 미소부에 X선을 수렴시키는 기능을 구비하고 있고, 그 X선의 수렴점은 미리 위치결정되어 있다. 이 X선의 수렴점에, 시료(S)의 피측정 개소가 위치결정된다.
복수의 X선 검출기 구동 기구(32)는, 각각 구동 컨트롤러(43)에 의해서 구동 제어되고 있다. 중앙 처리 장치(40)는, 각 구동 컨트롤러(43)에 지령 신호를 출력하고, 이 지령 신호에 따라서, 구동 컨트롤러(43)가 X선 검출기 구동 기구(32)를 구동해서, X선 검출기(31)를 이동시킨다.
이러한 기능을 구비한 중앙 처리 장치(40)는, 복수의 X선 검출기(31) 중, 시료(S)로부터 회절되어 온 회절 X선을 검출한 X선 검출기(31)를, 해당 회절 X선이 입사하지 않는 위치로 이동시키는 「제어부」를 구성한다.
여기서, X선 조사 유닛(20)의 구성을 더욱더 상세하게 설명한다.
X선 조사 유닛(20)은, 연속 X선을 방출하는 X선원과, 다파장 미러(21)를 포함하는 구성으로 되어 있다. 다파장 미러(21)는, X선원으로부터 방출된 연속 X선을 입사해서, 에너지의 크기가 다른 복수 종류의 X선을 취출하는(끄집어내는) 기능을 가지고 있다.
도 3은 다파장 미러(21)의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도이다. 또한, 절단면을 나타내는 해칭(사선)은 생략되어 있다.
다파장 미러(21)는, 복수 종류의 다층막(22)을 적층해서 형성되어 있다. 다층막(22)은, 복수 종류의 박막을 적층한 구성으로 되어 있다. 각 다층막(22)은, 깊이 방향으로 박막의 막두께, 막질 및 박막의 적층수를 조정함으로써, 에너지의 크기가 다른 복수 종류의 X선을 회절할 수 있도록 제작된다.
이러한 다파장 미러(21)에 의해서, X선원으로부터 방출되는 연속 X선으로부터 원하는 크기의 에너지를 가지는 복수 종류의 X선(a, b, c, d)을 취출하는 것이 가능해진다.
본 실시형태에서는, 다파장 미러(21)를, 시료(S)에 포함되는 복수의 원소 중 측정 대상으로 선정한 측정 대상 원소와, 해당 원소보다도 에너지 흡수단의 값이 큰 인접 원소에 주목해서 다층막(22)을 제작하고 있다. 즉, 다파장 미러(21)는, 측정 대상 원소의 에너지 흡수단보다도 크고, 또한 인접 원소의 에너지 흡수단 이하의 값을 나타내는 에너지를 갖는 X선을 취출하도록 다층막(22)이 조정되어 있다.
또, 시료(S)에 포함되는 복수의 원소로부터 측정 대상으로 선정한 복수의 측정 대상 원소 중, 에너지 흡수단의 값이 큰 인접 원소가 존재하지 않을 때도 있다. 그 때는, 측정 대상 원소의 에너지 흡수단보다도 큰 값의 에너지의 X선을 취출하도록, 다층막(22)을 조정한다.
여기서, 반도체 기판에 형성된 땜납 범프를 측정 대상으로 하여, 땜납 범프에 포함되는 Sn과 Ag를 측정 대상 원소로 선정해서, 형광 X선 분석을 행하는 경우에 있어서의 다파장 미러(21)의 구체예에 대해서 설명한다.
이미 기술한 바와 같이, 땜납 범프는, 예를 들면, Sn(0.97), Ag(0.03)의 조성을 갖는 무납 땜납에 의해 형성된다. 이들 땜납 범프를 구성하는 원소 중, 특히 Ag는 함유량이 적기 때문에, 형광 X선 분석 시에는, 이 Ag로부터의 형광 X선의 방출량을 많게 하도록, 땜납 범프에 조사하는 X선의 에너지 특성을 조정하는 것이 바람직하다.
그래서, 다파장 미러(21)는, 측정 대상 원소로 선정한 Ag의 에너지 흡수단보다도 값이 크고, 또한 해당 Ag보다도 에너지 흡수단의 값이 큰 인접 원소이기도 한 Sn의 에너지 흡수단 이하의 값을 나타내는 에너지를 갖는 X선이, 회절해서 취출되도록, 다층막(22)의 하나를 조정한다.
이와 같이 다층막(22)의 하나를 조정함으로써, 땜납 범프를 형성하는 원소 중, 함유량이 적은 Ag에 대해서도 X선의 여기 효율이 올라가서, Ag로부터 많은 형광 X선이 방출된다.
또, 다파장 미러(21)는, 측정 대상 원소로 선정한 Sn의 에너지 흡수단보다도 큰 값의 에너지의 X선이, 회절해서 취출되도록, 다른(別) 다층막(22)의 하나를 조정한다.
도 4는, 땜납 범프에 함유된 Ag와 Sn의 X선 흡수단을 도시하는 그래프이다.
도 4로부터, 땜납 범프(무납 땜납)를 구성하는 Sn(0.97) 및 Ag(0.03)의 X선(K)의 흡수단은, Sn이 29.2keV이고, Ag가 25.5keV인 것을 알 수 있다.
그래서, 다파장 미러(21)는, Ag의 에너지 흡수단인 25.5keV보다도 값이 크고, 또한 해당 Ag보다도 에너지 흡수단의 값이 큰 인접 원소이기도 한 Sn의 에너지 흡수단 29.2keV 이하의 에너지(도 4에 E로 나타내는 범위 내의 에너지)의 X선이, 회절해서 취출되도록, 다층막(22)의 하나를 조정한다.
또, 다파장 미러(21)는, Sn의 에너지 흡수단인 29.2keV보다도 큰 값의 에너지의 X선이, 회절해서 취출되도록, 다른 다층막(22)의 하나를 조정한다.
여기서, 취출하는 X선의 에너지는, 측정 대상 원소의 에너지 흡수단에 가능한 한 가까운 값의 에너지인 것이 바람직하다. 에너지의 크기가 선택 대상 원소의 에너지 흡수단 근방인 X선을 조사함으로써, 해당 측정 대상 원소의 여기 효율이 한층 높아져, 더욱더 많은 형광 X선이 방출된다.
이와 같이 다층막(22)을 조정해서 다파장 미러(21)를 제작함으로써, 땜납 범프에 포함되는 Sn과 Ag에 대한 X선의 여기 효율이 올라가서, 이들 측정 대상 원소로부터 많은 형광 X선이 방출된다. 따라서, 이들 측정 대상 원소에 대해, 고정밀도의 형광 X선 분석을 행하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시형태에서는, 상술한 2종류의 다층막(22)에 더하여 반도체 기판에 형성된 박막을 측정 대상으로 해서 형광 X선 분석을 행하기 위해서, 해당 박막으로부터의 여기 효율이 양호한 8∼10keV의 에너지의 X선이 회절해서 취출되도록 조정한 다른 다층막(22)도 적층 형성되어 있다.
또, 본 실시형태에 있어서는, 측정 대상이 직경 20∼200㎛ 정도인 땜납 범프라고 하는 미소부에 X선을 수렴해서 조사할 필요가 있다. 그래서, 예를 들면, 도 5에 도시하는 바와 같이, X선의 반사면(표면)(21a)을 오목면으로 만곡시킨 2매(2개)의 다파장 미러(21, 21)를 준비하고, 그들 각 다파장 미러(21, 21)의 표면(21a)이 서로 직교하도록 배치함으로써, 미소부에의 X선의 수렴을 실현하고 있다. 즉, 한쪽의 다파장 미러(21)에서 X선을 폭방향으로 수렴시키고, 다른쪽의 다파장 미러(21)에서 X선을 길이 방향으로 수렴시킬 수가 있다.
또한, 도 5에서는, 다파장 미러(21, 21)를, 커크패트릭 바에즈(Kirkpatrick-Baez, KB)라 불리는 직렬 방식으로 배치했지만, 서로 1변이 접하는 사이드바이사이드(Side-by-side) 방식으로 배치할 수도 있다.
다음에, 땜납 범프를 가지는 반도체 기판을 시료(S)로 해서, 상술한 구성의 형광 X선 분석 장치에 의해 형광 X선 분석을 행할 때의 동작을 설명한다.
도 6은 본 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치에 의한 형광 X선 분석의 실시 동작을 도시하는 흐름도이다.
중앙 처리 장치(40)는, 키보드 등의 조작부로부터 오퍼레이터가 지정한, 입사 X선에 대한 반도체 기판의 면방위와 배치 방향을 입력하면(스텝 S1), 중앙 처리 장치(40)가 위치결정 컨트롤러(41)에 지령 신호를 출력하고, 위치결정 컨트롤러(41)가 시료 위치결정 기구(11)를 구동해서, 시료대(10)에 배치한 반도체 기판의 피측정 개소(땜납 범프)를, X선 조사 유닛(20)으로부터 조사되는 X선의 수렴점에 위치결정한다(스텝 S2).
이 때, 반도체 기판은, 같은(同) 기판을 형성하는 결정의 면방위(결정 방위)가, 오리엔테이션 플랫(orientation flat) 등을 기준으로 해서 미리 설정한 방향으로 되도록 시료대(10)에 배치되어 있다. 중앙 처리 장치(40)는, 시료대(10) 위에서, 결정의 면방위가 미리 설정한 방향에 배치된 반도체 기판을, 오퍼레이터에 의해 지정된 면방위와 그 배치 방향에 맞춘 상태에서, 반도체 기판의 피측정 개소를 조사 X선의 수렴점에 위치결정한다.
이와 같이 결정의 면방위를 지정된 방향에 맞추어서 위치결정된 반도체 기판은, X선의 조사 방향에 대해서 어느 방향에 회절 X선이 나타나는지, 그 대강의 방향을 알 수 있다. 그래서, 회절 X선이 나타나는 방향에 배치되어 있는 X선 검출기(31)를, 그 회절 X선이 입사하지 않는 위치로 이동시킨다(스텝 S3). 이것에 의해, 반도체 기판으로부터 나타난 회절 X선의, X선 검출기(31)로의 입사를 미리 저감할 수가 있다.
구체적으로는, 중앙 처리 장치(40)는, 해당 X선 검출기(31)를 이동시키는 X선 검출기 구동 기구(32)의 구동 컨트롤러(43)에 지령 신호를 출력한다. 이 지령 신호에 따라서, 그 구동 컨트롤러(43)가 X선 검출기 구동 기구(32)를 구동해서, 해당 X선 검출기(31)를 회절 X선이 입사하지 않는 위치로 이동시킨다.
여기서, 중앙 처리 장치(40)는, 각 X선 검출기(31)로부터 입력한 X선의 검출 신호(X선의 스펙트럼)를 비교해서, 회절 X선의 입사에 의해 이상값을 나타내는 검출 신호를 출력하고 있는 X선 검출기(31)의 유무를 체크한다(스텝 S4).
그리고, 회절 X선의 입사에 의해 이상값을 나타내는 검출 신호를 출력하는 X선 검출기(31)의 존재를 확인한 경우에는, 중앙 처리 장치(40)가 스텝 S3으로 되돌아가고, 해당 X선 검출기(31)를 이동시키는 X선 검출기 구동 기구(32)의 구동 컨트롤러(43)에 지령 신호를 출력하고, 해당 X선 검출기(31)의 위치를 이동시켜서, 회절 X선이 입사하지 않도록 조정한다.
스텝 S4에 있어서, 회절 X선의 입사에 의해 이상값을 나타내는 검출 신호를 출력하는 X선 검출기(31)의 존재가 확인되지 않았을 때는, 반도체 기판의 피측정 개소에 마련된 땜납 범프에 대해서 X선을 조사하고, 형광 X선 분석을 행한다(스텝 S5).
즉, 중앙 처리 장치(40)는, X선 조사 컨트롤러(42)에 지령 신호를 출력하고, 이 지령 신호에 따라서, X선 조사 유닛(20)이 반도체 기판의 피측정 개소에 X선을 조사한다. 그리고, 각 X선 검출기(31)가 반도체 기판의 피측정 개소(땜납 범프)로부터 방출된 형광 X선을 검출하고, 그 검출 신호를 중앙 처리 장치(40)가 입력해서, 형광 X선 분석이 실행된다.
그 후, 형광 X선 분석의 분석 결과를 출력해서(스텝 S6), 측정 동작이 종료한다.
이와 같이, 반도체 기판(시료)(S)으로부터 회절되어 온 회절 X선이 노이즈로서 X선 검출기(31)에 입사하는 것을 회피하는 상황을 형성한 다음, 형광 X선 분석을 행할 수 있으므로, S/N이 향상하여 고정밀도의 분석 결과를 얻을 수가 있다.
[제2 실시형태]
다음에, 도 7a∼도 9를 참조해서, 본 발명의 제2 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치를 설명한다.
또한, 앞서 설명한 제1 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치와 동일한 구성요소 또는 상당하는 구성 부분 요소에는, 동일 부호를 붙여서, 그 구성요소의 상세한 설명을 생략하는 일이 있다.
본 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치는, 도 1a, 도 1b에 도시한 제1 실시형태에 관계된 장치 구조에 있어서, 각 X선 검출기(31)를 이동시키는 X선 검출기 구동 기구(32) 대신에, 각 X선 검출기(31)의 전방에 X선을 차폐하기 위한 X선 차폐문(36)을 개폐 자유롭게 마련한 구성으로 하고 있다(도 7a, 도 7b 참조). X선 차폐문(36)은, 예를 들면, 납이나 텅스텐 등 X선을 투과시키기 어려운 재료로 제작하는 것이 바람직하다. 이 X선 차폐문(36)을 폐색하는 것에 의해서, 각 X선 검출기(31)에 입사하려고 하는 X선을 차단할 수가 있다.
X선 차폐문(36)은, 예를 들면, 소형 모터 등의 구동 기구를 갖고서 개폐하는 구성으로 할 수가 있다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 복수의 X선 차폐문(36)의 구동 기구는, 각각 구동 컨트롤러(44)에 의해서 구동 제어되고 있다. 중앙 처리 장치(40)는, 각 구동 컨트롤러(44)에 지령 신호를 출력하고, 이 지령 신호에 따라서, 구동 컨트롤러(44)가 X선 차폐문(36)의 구동 기구를 구동해서, X선 차폐문(36)을 개폐시킨다.
이러한 기능을 구비한 중앙 처리 장치(40)는, 복수의 X선 검출기(31) 중, 시료로부터 회절되어 온 회절 X선을 검출한 X선 검출기(31)에 대해, X선 차폐문(36)을 폐색하는 「제어부」를 구성한다.
도 9는 본 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치에 의한 형광 X선 분석의 실시 동작을 도시하는 흐름도이다.
중앙 처리 장치(40)는, 키보드 등의 조작부로부터 오퍼레이터가 지정한, 입사 X선에 대한 반도체 기판의 면방위와 배치 방향을 입력하면(스텝 S11), 중앙 처리 장치(40)가 위치결정 컨트롤러(41)에 지령 신호를 출력하고, 위치결정 컨트롤러(41)가 시료 위치결정 기구(11)를 구동해서, 시료대(10)에 배치한 반도체 기판의 피측정 개소(땜납 범프)를, X선 조사 유닛(20)으로부터 조사되는 X선의 수렴점에 위치결정한다(스텝 S12).
이 때, 반도체 기판은, 같은 기판을 형성하는 결정의 면방위(결정 방위)가, 오리엔테이션 플랫 등을 기준으로 해서 미리 설정한 방향으로 되도록 시료대(10)에 배치되어 있다. 중앙 처리 장치(40)는, 시료대(10) 위에서, 결정의 면방위가 미리 설정한 방향에 배치된 반도체 기판을, 오퍼레이터에 의해 지정된 면방위와 그 배치 방향에 맞춘 상태에서, 반도체 기판의 피측정 개소를 조사 X선의 수렴점에 위치결정한다.
이와 같이 결정의 면방위를 지정된 방향에 맞추어서 위치결정된 반도체 기판은, X선의 조사 방향에 대해서 어느 방향에 회절 X선이 나타나는지, 그 대강의 방향을 알 수 있다. 그래서, 회절 X선이 나타나는 방향에 배치되어 있는 X선 검출기(31)에 대해, X선 차폐문(36)을 폐색한다(스텝 S13). 이것에 의해, 반도체 기판으로부터 나타난 회절 X선의, X선 검출기(31)로의 입사를 미리 저감할 수가 있다.
구체적으로는, 중앙 처리 장치(40)는, 해당 X선 차폐문(36)을 폐색시키는 구동 기구의 구동 컨트롤러(44)에 지령 신호를 출력한다. 이 지령 신호에 따라서, 그 구동 컨트롤러(44)가 구동 기구를 구동해서, 해당 X선 차폐문(36)을 폐색한다.
여기서, 중앙 처리 장치(40)는, 각 X선 검출기(31)로부터 입력한 X선의 검출 신호(X선의 스펙트럼)를 비교해서, 회절 X선의 입사에 의해 이상값을 나타내는 검출 신호를 출력하고 있는 X선 검출기(31)의 유무를 체크한다(스텝 S14).
그리고, 회절 X선의 입사에 의해 이상값을 나타내는 검출 신호를 출력하는 X선 검출기(31)의 존재를 확인한 경우에는, 중앙 처리 장치(40)가 스텝 S13으로 되돌아가고, 해당 X선 검출기(31)에 대한 X선 차폐문(36)을 폐색하는 구동 기구의 구동 컨트롤러(44)에 지령 신호를 출력하고, 해당 X선 차폐문(36)을 폐색시켜서, 해당 X선 검출기(31)에 회절 X선이 입사하지 않도록 조정한다.
스텝 S14에 있어서, 회절 X선의 입사에 의해 이상값을 나타내는 검출 신호를 출력하는 X선 검출기(31)의 존재가 확인되지 않았을 때는, 반도체 기판의 피측정 개소에 마련된 땜납 범프에 대해서 X선을 조사하고, 형광 X선 분석을 행한다(스텝 S15). 그 후, 형광 X선 분석의 분석 결과를 출력해서(스텝 S16), 측정 동작이 종료한다.
이와 같이, 반도체 기판(시료)(S)으로부터 회절되어 온 회절 X선이 노이즈로서 X선 검출기(31)에 입사하는 것을 회피하는 상황을 형성한 다음, 형광 X선 분석을 행할 수 있으므로, S/N이 향상하여 고정밀도의 분석 결과를 얻을 수가 있다.
[제3 실시형태]
다음에, 도 10 및 도 11을 참조해서, 본 발명의 제3 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치를 설명한다.
또한, 앞서 설명한 제1 및 제2 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치와 동일한 구성요소 또는 상당하는 구성 부분 요소에는, 동일 부호를 붙여서, 그 구성요소의 상세한 설명을 생략하는 일이 있다.
본 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치는, 도 1에 도시한 제1 실시형태에 관계된 장치 구조에 있어서, 각 X선 검출기(31)를 이동시키는 X선 검출기 구동 기구(32)와 구동 컨트롤러(43)를 없앤 구성으로 하고 있다(도 10 참조).
중앙 처리 장치(40)는, 각 X선 검출기(31)로부터 입력한 X선의 검출 신호(X선의 스펙트럼)를 비교해서, 회절 X선의 입사에 의해 이상값을 나타내는 검출 신호를 출력하고 있는 X선 검출기(31)의 유무를 체크한다. 그리고, 중앙 처리 장치(40)는, 복수의 X선 검출기(31) 중, 회절 X선을 검출한 X선 검출기(31)로부터의 검출 신호를 제외한다.
즉, 본 실시형태에서는, 중앙 처리 장치(40)가, 회절 X선을 검출한 X선 검출기(31)로부터의 검출 신호를 제외하고, 그 이외의 X선 검출기(31)로부터 입력한 검출 신호에 기초하여 형광 X선 분석을 행하는 「분석부」를 구성한다.
도 11은 본 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치에 의한 형광 X선 분석의 실시 동작을 도시하는 흐름도이다.
중앙 처리 장치(40)는, 키보드 등의 조작부로부터 오퍼레이터가 지정한, 입사 X선에 대한 반도체 기판의 면방위와 배치 방향을 입력하면(스텝 S21), 중앙 처리 장치(40)가 위치결정 컨트롤러(41)에 지령 신호를 출력하고, 위치결정 컨트롤러(41)가 시료 위치결정 기구(11)를 구동해서, 시료대(10)에 배치한 반도체 기판의 피측정 개소(땜납 범프)를, X선 조사 유닛(20)으로부터 조사되는 X선의 수렴점에 위치결정한다(스텝 S22).
계속해서, 중앙 처리 장치(40)는, X선 조사 컨트롤러(42)에 지령 신호를 출력하고, 이 지령 신호에 따라서, X선 조사 유닛(20)이 반도체 기판의 피측정 개소에 X선을 조사함과 동시에, 각 X선 검출기(31)로부터의 검출 신호를 입력한다. 그리고, 입력한 X선의 검출 신호(X선의 스펙트럼)를 비교해서, 회절 X선의 입사에 의해 이상값을 나타내는 X선 검출기(31)로부터의 검출 신호를 제외한다(스텝 S23).
중앙 처리 장치(40)는, 이러한 제외 처리에 의해서, 회절 X선의 입사에 의해 이상값을 나타내는 검출 신호를 출력하는 X선 검출기(31)의 존재가 확인되지 않게 된 후(스텝 S24), 형광 X선 분석을 실시한다(스텝 S25).
즉, 중앙 처리 장치(40)는, X선 조사 컨트롤러(42)에 지령 신호를 출력하고, 이 지령 신호에 따라서, X선 조사 유닛(20)이 반도체 기판의 피측정 개소에 X선을 조사한다. 그리고, 각 X선 검출기(31)가 반도체 기판의 피측정 개소(땜납 범프)로부터 방출된 형광 X선을 검출하고, 그 검출 신호를 중앙 처리 장치(40)가 입력해서, 형광 X선 분석이 실행된다.
그 후, 형광 X선 분석의 분석 결과를 출력해서(스텝 S26), 측정 동작이 종료한다.
이와 같이, 반도체 기판(시료)(S)으로부터 회절되어 온 회절 X선이 노이즈로서 X선 검출기(31)에 입사하는 것을 회피하는 상황을 형성한 다음, 형광 X선 분석을 행할 수 있으므로, S/N이 향상하여 고정밀도의 분석 결과를 얻을 수가 있다.
[제4 실시형태]
다음에, 도 12a∼도 14를 참조해서, 본 발명의 제4 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치를 설명한다.
또한, 앞서 설명한 제1 내지 제3 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치와 동일한 구성요소 또는 상당하는 구성 부분 요소에는, 동일 부호를 붙여서, 그 구성요소의 상세한 설명을 생략하는 일이 있다.
본 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치는, 도 12a, 도 12b에 도시하는 바와 같이, 프레임체(33)의 중앙부에 광학 현미경(50)을 탑재함과 동시에, 프레임체(33)에 있어서의 광학 현미경(50)의 측방 위치에, X선 조사 유닛(20)을 탑재한 구성으로 되어 있다. 복수의 X선 검출기(31)(도 12b에서는 7개)는, 광학 현미경(50)을 둘러싸도록 그 주위에 배치해서 프레임체(33)에 탑재되어 있다.
X선 조사 유닛(20)은, 광학 현미경(50)의 아래쪽 위치, 즉 광학 현미경(50)을 관찰할 수 있는 위치에, 조사 X선의 수렴점을 위치결정하고 있다.
도 13에 도시하는 바와 같이, 중앙 처리 장치(40)는, 포커스 컨트롤러(51)에 지령 신호를 출력하고, 이 지령 신호에 따라서, 포커스 컨트롤러(51)가 광학 현미경(50)의 초점을 아래쪽에 마련한 조사 X선의 수렴점에 맞춘다. 그리고, 광학 현미경(50)으로부터 보내져 오는 화상 신호로부터 조사 X선의 수렴점을 화상 인식하고, 그 수렴점을 실시간으로 관찰한다.
실제로는, 후술하는 바와 같이, 조사 X선의 수렴점에 거칠게(개략적으로) 위치결정된 시료(반도체 기판)(S)의 피측정 개소(땜납 범프)에 초점을 맞추고, 이 피측정 개소를 관찰하고 있다.
중앙 처리 장치(40)는, 광학 현미경(50)에 의해 조사 X선의 수렴점을 관찰하면서, 위치결정 컨트롤러(41)에 지령 신호를 출력하고, 시료 위치결정 기구(11)를 구동해서, 시료(S)의 피측정 개소를 조사 X선의 수렴점에 고정밀도로 위치결정한다.
도 14는 본 실시형태에 관계된 형광 X선 분석 장치에 의한 형광 X선 분석의 실시 동작을 도시하는 흐름도이다.
중앙 처리 장치(40)는, 키보드 등의 조작부로부터 오퍼레이터가 지정한, 입사 X선에 대한 반도체 기판의 면방위와 배치 방향을 입력하면(스텝 S31), 중앙 처리 장치(40)가 위치결정 컨트롤러(41)에 지령 신호를 출력하고, 위치결정 컨트롤러(41)가 시료 위치결정 기구(11)를 구동해서, 시료대(10)에 배치한 반도체 기판의 피측정 개소(땜납 범프)를, X선 조사 유닛(20)으로부터 조사되는 X선의 수렴점에 거칠게(개략적으로) 위치결정한다(스텝 S32).
계속해서, 중앙 처리 장치(40)가 포커스 컨트롤러(51)에 지령 신호를 출력하고, 광학 현미경(50)의 초점을 반도체 기판의 피측정 개소에 맞춤과 동시에, 광학 현미경(50)으로부터의 화상 신호를 중앙 처리부가 입력해서, 해당 피측정 개소를 관찰한다(스텝 S33).
그리고, 중앙 처리부는, 광학 현미경(50)으로부터의 화상 신호에 기초하여 피측정 개소를 관찰하면서, 위치결정 컨트롤러(41)에 지령 신호를 출력한다. 이 지령 신호에 의해 위치결정 컨트롤러(41)가 시료 위치결정 기구(11)를 구동해서, 시료대(10)에 배치한 반도체 기판의 피측정 개소(땜납 범프)를, X선 조사 유닛(20)으로부터 조사되는 X선의 수렴점에 고정밀도로 위치결정한다(스텝 S34).
계속해서, 중앙 처리 장치(40)는, X선 조사 컨트롤러(42)에 지령 신호를 출력하고, 이 지령 신호에 따라서, X선 조사 유닛(20)이 반도체 기판의 피측정 개소에 X선을 조사함과 동시에, 각 X선 검출기(31)로부터의 검출 신호를 입력한다. 그리고, 입력한 X선의 검출 신호(X선의 스펙트럼)를 비교해서, 회절 X선의 입사에 의해 이상값을 나타내는 X선 검출기(31)로부터의 검출 신호를 제외한다(스텝 S35).
중앙 처리 장치(40)는, 이러한 제외 처리에 의해서, 회절 X선의 입사에 의해 이상값을 나타내는 검출 신호를 출력하는 X선 검출기(31)의 존재가 확인되지 않게 된 후(스텝 S36), 형광 X선 분석을 행한다(스텝 S37).
즉, 중앙 처리 장치(40)는, X선 조사 컨트롤러(42)에 지령 신호를 출력하고, 이 지령 신호에 따라서, X선 조사 유닛(20)이 반도체 기판의 피측정 개소에 X선을 조사한다. 그리고, 각 X선 검출기(31)가 반도체 기판의 피측정 개소(땜납 범프)로부터 방출된 형광 X선을 검출하고, 그 검출 신호를 중앙 처리 장치(40)가 입력해서, 형광 X선 분석이 실행된다.
그 후, 형광 X선 분석의 분석 결과를 출력해서(스텝 S38), 측정 동작이 종료한다.
이와 같이, 반도체 기판(시료)(S)으로부터 회절되어 온 회절 X선이 노이즈로서 X선 검출기(31)에 입사하는 것을 회피하는 상황을 형성한 다음, 형광 X선 분석을 행할 수 있으므로, S/N이 향상해서 고정밀도의 분석 결과를 얻을 수가 있다.
게다가 본 실시형태의 구성에 의하면, 광학 현미경(50)을 이용해서 실시간으로 반도체 기판의 피측정 개소를 관찰하면서, 조사 X선의 수렴점에 대해서 고정밀도로 반도체 기판의 피측정 개소를 위치결정할 수가 있다.
또한, 본 발명은 상술한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 갖가지의 변형 실시나 응용 실시가 가능한 것은 물론이다.
예를 들면, X선 조사 유닛(20)은, 다파장 미러 이외의 광학 기기를 이용해서, 에너지의 크기가 다른 복수 종류의 X선을 시료에 조사할 수 있도록 구성해도 좋다.

Claims (8)

  1. 복수의 원소를 포함하는 시료에 대해서 X선을 조사하는 X선 조사 유닛과, 해당(當該) 시료로부터 여기한 형광 X선을 검출하는 X선 검출 유닛을 구비한 형광 X선 분석 장치에 있어서,
    상기 X선 조사 유닛은, 상기 시료에 포함되는 복수의 원소 중 측정 대상으로 선정한 측정 대상 원소와, 해당 원소보다도 에너지 흡수단(吸收端)의 값이 큰 인접 원소에 주목하고, 상기 측정 대상 원소의 에너지 흡수단보다도 크고, 또한 상기 인접 원소의 에너지 흡수단 이하의 값을 나타내는 에너지를 갖는 X선을, 상기 시료에 조사하는 구성인 것을 특징으로 하는 형광 X선 분석 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 X선 조사 유닛은, 상기 시료에 포함되는 복수의 원소로부터 측정 대상으로 선정한 복수의 측정 대상 원소 중, 에너지 흡수단의 값이 큰 인접 원소가 존재하지 않는 측정 대상 원소에 대해, 해당 측정 대상 원소의 에너지 흡수단보다도 큰 값의 에너지의 X선을, 상기 시료에 조사하는 구성인 것을 특징으로 하는 형광 X선 분석 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    Ag와 Sn의 원소를 포함하는 땜납을 시료로 하고, 이들 Ag 및 Sn의 각 원소를 각각 측정 대상 원소로 선정해서 측정하기 위한 형광 X선 분석 장치에 있어서,
    상기 X선 조사 유닛은,
    상기 측정 대상 원소로 선정한 Ag의 에너지 흡수단보다도 값이 크고, 또한 해당 Ag보다도 에너지 흡수단의 값이 큰 인접 원소이기도 한 Sn의 에너지 흡수단 이하의 값을 나타내는 에너지를 갖는 X선과,
    상기 측정 대상 원소로 선정한 Sn의 에너지 흡수단보다도 큰 값을 나타내는 에너지를 갖는 X선을,
    상기 시료에 조사하는 구성인 것을 특징으로 하는 형광 X선 분석 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 X선 조사 유닛은, 연속 X선을 방출하는 X선원과, 상기 X선원으로부터 방출된 연속 X선을 입사해서, 에너지의 크기가 다른 복수 종류의 X선을 취출(取出)하는 다파장 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광 X선 분석 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 다파장 미러는, 복수 종류의 박막을 적층해서 이루어지는 다층막을 포함하고,
    상기 다층막은, 상기 박막의 막두께, 막질 및 적층수를 조정함으로써 원하는 에너지를 가지는 X선만을 회절하는 구성이고,
    상기 다파장 미러는, 깊이 방향으로 상기 박막의 막두께, 막질 및 해당 박막의 적층수가 다른 복수 종류의 상기 다층막을 적층함으로써, 에너지의 크기가 다른 복수 종류의 X선을 회절하는 구성으로 하고 있는 것을 특징으로 하는 형광 X선 분석 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 X선 검출 유닛은, 복수의 X선 검출기를 포함하고,
    상기 X선 조사 유닛으로부터의 X선이 조사되는 상기 시료의 X선 조사 부위에 대해, 그 주위에, 해당 시료로부터 방출되는 형광 X선을 취입(取入)하는 자세로, 상기 복수의 X선 검출기를 배치함과 동시에, 그들 각 X선 검출기는 개별적으로 이동 자유롭게 하고 있고,
    상기 복수의 X선 검출기 중, 상기 시료로부터 회절되어 온 회절 X선을 검출한 X선 검출기를, 해당 회절 X선이 입사하지 않는 위치로 이동시키는 제어부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 형광 X선 분석 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 X선 검출 유닛은, 복수의 X선 검출기를 포함하고,
    상기 X선 조사 유닛으로부터의 X선이 조사되는 상기 시료의 X선 조사 부위에 대해, 그 주위에, 해당 시료로부터 방출되는 형광 X선을 취입하는 자세로, 상기 복수의 X선 검출기를 배치함과 동시에,
    상기 시료와 상기 각 X선 검출기 사이에, X선을 차폐하는 X선 차폐문(遮蔽扉)을 각각 개폐 자유롭게 마련하고,
    상기 복수의 X선 검출기 중, 상기 시료로부터 회절되어 온 회절 X선을 검출한 X선 검출기에 대해, 상기 X선 차폐문을 폐색(閉塞)하는 제어부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 형광 X선 분석 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 X선 검출 유닛은, 복수의 X선 검출기를 포함하고,
    상기 X선 조사 유닛으로부터의 X선이 조사되는 상기 시료의 X선 조사 부위에 대해, 그 주위에, 해당 시료로부터 방출되는 형광 X선을 취입하는 자세로, 상기 복수의 X선 검출기를 배치하고 있고,
    상기 복수의 X선 검출기 중, 상기 시료로부터 회절되어 온 회절 X선을 검출한 X선 검출기로부터의 검출 신호를 제외하고, 그 이외의 X선 검출기로부터의 검출 신호에 기초하여 형광 X선 분석을 행하는 분석부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 형광 X선 분석 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114746744A (zh) 2019-12-02 2022-07-12 株式会社堀场先进技术 荧光x射线分析装置
CN116858737A (zh) * 2023-07-03 2023-10-10 中国矿业大学 一种粉尘中元素成分及质量浓度在线实时检测装置及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4884553A (en) 1986-11-24 1989-12-05 Convotherm Elektrogerate Gmbh Device for heat-treating food items
JPH05126768A (ja) 1991-11-05 1993-05-21 Rigaku Denki Kogyo Kk 蛍光ｘ線の分析方法
JP2006140364A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Hitachi Ulsi Systems Co Ltd 印刷用マスクおよび半導体製造方法

Family Cites Families (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3925660A (en) * 1972-05-08 1975-12-09 Richard D Albert Selectable wavelength X-ray source, spectrometer and assay method
US5125016B1 (en) * 1983-09-22 1998-02-24 Outokumpu Oy Procedure and measuring apparatus based on x-ray diffraction for measuring stresses
US4686631A (en) * 1985-02-08 1987-08-11 Ruud Clayton O Method for determining internal stresses in polycrystalline solids
GB2208925A (en) * 1987-08-25 1989-04-19 Le N Proizv Ob Burevestnik Multichannel x-ray spectrometer
GB2214769A (en) * 1988-03-04 1989-09-06 Le N Proizv Ob Burevestnik Multichannel x-ray spectrometer
US5249216B1 (en) * 1989-10-19 1996-11-05 Sumitomo Electric Industries Total reflection x-ray fluorescence apparatus
US5148458A (en) * 1990-01-18 1992-09-15 Clayton Ruud Method and apparatus for simultaneous phase composition and residual stress measurement by x-ray diffraction
JPH0769477B2 (ja) * 1990-09-05 1995-07-31 理学電機工業株式会社 Ｘ線分光装置
JP2670394B2 (ja) * 1991-08-14 1997-10-29 財団法人国際超電導産業技術研究センター 表面分析方法および表面分析装置
DE69232214T2 (de) 1991-07-11 2002-05-08 Int Superconductivity Tech Einrichtung zur Oberflächenanalyse mittels Röntgenspektroskopie
JPH0552775A (ja) * 1991-08-27 1993-03-02 Toshiba Corp 蛍光ｘ線分析装置
GB2266040B (en) * 1992-04-09 1996-03-13 Rigaku Ind Corp X-ray analysis apparatus
US5414747A (en) * 1993-02-22 1995-05-09 The Penn State Research Foundation Method and apparatus for in-process analysis of polycrystalline films and coatings by x-ray diffraction
JP2954819B2 (ja) * 1993-10-07 1999-09-27 株式会社東芝 全反射蛍光ｘ線分析装置の校正方法
US5325416A (en) * 1993-10-25 1994-06-28 Nisshin Steel Co., Ltd. Method for measuring Fe coating weight of Fe-coated stainless steel sheet
JP3160135B2 (ja) * 1993-11-02 2001-04-23 理学電機工業株式会社 Ｘ線分析装置
JP2843529B2 (ja) * 1994-07-06 1999-01-06 理学電機工業株式会社 蛍光ｘ線分析装置
US5778039A (en) * 1996-02-21 1998-07-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for the detection of light elements on the surface of a semiconductor substrate using x-ray fluorescence (XRF)
JPH09329557A (ja) * 1996-06-11 1997-12-22 Seiko Instr Inc マイクロ蛍光ｘ線分析装置
US5754620A (en) * 1996-09-13 1998-05-19 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for characterizing particles embedded within a thin film configured upon a semiconductor wafer
JP2978450B2 (ja) * 1997-04-08 1999-11-15 理学電機工業株式会社 蛍光ｘ線分析方法および装置
JP3476333B2 (ja) * 1997-04-25 2003-12-10 セイコーインスツルメンツ株式会社 Ｘ線分析方法
US6023496A (en) * 1997-04-30 2000-02-08 Shimadzu Corporation X-ray fluorescence analyzing apparatus
US6173036B1 (en) * 1997-08-01 2001-01-09 Advanced Micro Devices, Inc. Depth profile metrology using grazing incidence X-ray fluorescence
US6108398A (en) * 1998-07-13 2000-08-22 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. X-ray microfluorescence analyzer
US6353656B1 (en) * 1998-07-24 2002-03-05 Technology For Energy Corporation Radioisotope based x-ray residual stress analysis apparatus
US6130931A (en) * 1998-09-17 2000-10-10 Process Control, Inc. X-ray fluorescence elemental analyzer
US6285506B1 (en) * 1999-01-21 2001-09-04 X-Ray Optical Systems, Inc. Curved optical device and method of fabrication
US6381303B1 (en) * 1999-09-29 2002-04-30 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. X-ray microanalyzer for thin films
DE10050116A1 (de) * 1999-10-21 2001-04-26 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und Vorrichtung zum Untersuchen einer Probe mit Hilfe von Röntgenfluoreszenzanalyse
US6317483B1 (en) * 1999-11-29 2001-11-13 X-Ray Optical Systems, Inc. Doubly curved optical device with graded atomic planes
US6453002B1 (en) * 2000-04-18 2002-09-17 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Differential measurement of X-ray microfluorescence
JP2002031522A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Seiko Instruments Inc 蛍光ｘ線膜厚計
JP2002107134A (ja) * 2000-07-27 2002-04-10 Seiko Instruments Inc 蛍光ｘ線膜厚計
JP4574815B2 (ja) * 2000-08-25 2010-11-04 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 エネルギー分散型ｘ線検出システム
JP2002243671A (ja) * 2001-02-22 2002-08-28 Kansai Tlo Kk Ｘ線フィルタ、及び蛍光ｘ線分析装置
EP1402541B1 (en) * 2001-06-19 2006-08-16 X-Ray Optical Systems, Inc. Wavelength dispersive xrf system using focusing optic for excitation and a focusing monochromator for collection
ATE488011T1 (de) * 2002-08-02 2010-11-15 X Ray Optical Sys Inc Optische vorrichtung aus einer vielzahl von gekrümmten optischen kristallen zum fokussieren von röntgenstrahlen
JP2004184314A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Mitsubishi Electric Corp 蛍光ｘ線分析装置
US7023954B2 (en) * 2003-09-29 2006-04-04 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. Optical alignment of X-ray microanalyzers
US7991116B2 (en) * 2005-08-04 2011-08-02 X-Ray Optical Systems, Inc. Monochromatic x-ray micro beam for trace element mapping
JP4262734B2 (ja) * 2005-09-14 2009-05-13 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析装置および方法
US7412030B1 (en) * 2006-03-03 2008-08-12 O'hara David Apparatus employing conically parallel beam of X-rays
US7286633B1 (en) * 2006-10-24 2007-10-23 Innov-X Systems, Inc. Fuel analysis system
US7634052B2 (en) * 2006-10-24 2009-12-15 Thermo Niton Analyzers Llc Two-stage x-ray concentrator
WO2008061221A2 (en) * 2006-11-16 2008-05-22 X-Ray Optical Systems, Inc. X-ray focusing optic having multiple layers with respective crystal orientations
US7440541B2 (en) * 2006-12-27 2008-10-21 Innov-X-Systems, Inc. Dual source XRF system
IL180482A0 (en) * 2007-01-01 2007-06-03 Jordan Valley Semiconductors Inspection of small features using x - ray fluorescence
GB2447252B (en) * 2007-03-06 2012-03-14 Thermo Fisher Scientific Inc X-ray analysis instrument
US7680243B2 (en) * 2007-09-06 2010-03-16 Jordan Valley Semiconductors Ltd. X-ray measurement of properties of nano-particles
DE102009006984B4 (de) * 2009-01-31 2010-09-30 Bruker Axs Gmbh Röntgen-Mehrkanal-Spektrometer
JP5553300B2 (ja) * 2009-11-19 2014-07-16 株式会社日立ハイテクサイエンス 蛍光ｘ線検査装置及び蛍光ｘ線検査方法
GB2476255B (en) * 2009-12-17 2012-03-07 Thermo Fisher Scient Ecublens Sarl Method and apparatus for performing x-ray analysis of a sample
JP4884553B1 (ja) 2010-08-31 2012-02-29 株式会社リガク Ｘ線分析装置および方法
JP6139543B2 (ja) * 2011-10-26 2017-05-31 エックス−レイ オプティカル システムズ インコーポレーテッド Ｘ線分析エンジンおよび分析器のために高度に位置合わせされた単色化ｘ線光学素子および支持構造体
CN104272424A (zh) * 2012-02-28 2015-01-07 X射线光学系统公司 具有使用多材料x 射线管阳极和单色光学装置产生的多激励能带的x射线分析器
US9952165B2 (en) * 2012-04-19 2018-04-24 University Of Leicester Methods and apparatus for X-ray diffraction
GB201213789D0 (en) * 2012-08-02 2012-09-12 Commw Scient Ind Res Org An X-ray fluorescence analyser
US9389192B2 (en) * 2013-03-24 2016-07-12 Bruker Jv Israel Ltd. Estimation of XRF intensity from an array of micro-bumps
JP6191051B2 (ja) * 2013-05-14 2017-09-06 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析装置
US9551677B2 (en) * 2014-01-21 2017-01-24 Bruker Jv Israel Ltd. Angle calibration for grazing-incidence X-ray fluorescence (GIXRF)
JP6355934B2 (ja) * 2014-02-18 2018-07-11 株式会社堀場製作所 放射線透過窓、放射線検出器及び放射線検出装置
US9632043B2 (en) * 2014-05-13 2017-04-25 Bruker Jv Israel Ltd. Method for accurately determining the thickness and/or elemental composition of small features on thin-substrates using micro-XRF
US10514345B2 (en) * 2014-10-14 2019-12-24 Rigaku Corporation X-ray thin film inspection device
KR102144281B1 (ko) * 2014-10-14 2020-08-13 가부시키가이샤 리가쿠 X선 박막 검사 장치
US9829448B2 (en) * 2014-10-30 2017-11-28 Bruker Jv Israel Ltd. Measurement of small features using XRF
CN107110798B (zh) * 2014-12-25 2019-08-16 株式会社理学 掠入射荧光x射线分析装置和方法
JP6475557B2 (ja) * 2015-04-23 2019-02-27 株式会社堀場製作所 放射線検出装置及び放射線検出器
JP6475556B2 (ja) * 2015-04-23 2019-02-27 株式会社堀場製作所 放射線検出器及び放射線検出装置
JP6709377B2 (ja) * 2016-03-30 2020-06-17 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析装置および蛍光ｘ線分析方法
JP6998034B2 (ja) * 2017-07-25 2022-01-18 株式会社日立ハイテクサイエンス 放射線分析装置
US10895541B2 (en) * 2018-01-06 2021-01-19 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for combined x-ray reflectometry and photoelectron spectroscopy

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4884553A (en) 1986-11-24 1989-12-05 Convotherm Elektrogerate Gmbh Device for heat-treating food items
JPH05126768A (ja) 1991-11-05 1993-05-21 Rigaku Denki Kogyo Kk 蛍光ｘ線の分析方法
JP2006140364A (ja) 2004-11-15 2006-06-01 Hitachi Ulsi Systems Co Ltd 印刷用マスクおよび半導体製造方法

Also Published As

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US11733185B2 (en) 2023-08-22
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