JP2954819B2 - 全反射蛍光ｘ線分析装置の校正方法 - Google Patents
全反射蛍光ｘ線分析装置の校正方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全反射蛍光Ｘ線分析装
置の校正方法に関する。
置の校正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線全反射を用いた蛍光Ｘ線分析装置
（全反射蛍光Ｘ線分析装置＝ Total Reflection X-ray
Fluorescence）は、光学研磨状態の平滑面上の微量不純
物の測定に有効であることが知られている。
（全反射蛍光Ｘ線分析装置＝ Total Reflection X-ray
Fluorescence）は、光学研磨状態の平滑面上の微量不純
物の測定に有効であることが知られている。
【０００３】また、この分析法を実施する装置として、
全反射蛍光Ｘ線分析装置が知られている。この分析装置
は、Ｘ線源から放出される一次Ｘ線を試料表面、例えば
半導体ウェ−ハの表面で全反射させ、このときウェ−ハ
表面から放出される蛍光Ｘ線、即ち二次Ｘ線を二次Ｘ線
検出器で検出することにより、試料表面に付着している
微量不純物の面内分布を測定するものである。
全反射蛍光Ｘ線分析装置が知られている。この分析装置
は、Ｘ線源から放出される一次Ｘ線を試料表面、例えば
半導体ウェ−ハの表面で全反射させ、このときウェ−ハ
表面から放出される蛍光Ｘ線、即ち二次Ｘ線を二次Ｘ線
検出器で検出することにより、試料表面に付着している
微量不純物の面内分布を測定するものである。
【０００４】即ち、Ｘ線を光学的に平滑な平面に低い入
射角で照射すると、Ｘ線は、それが照射された物質に吸
収されることなく、入射角度と等角に反射される。つま
り、Ｘ線は、全反射される。この時、Ｘ線が全反射され
る平面に試料を載せておけば、試料に当たったＸ線以外
は全反射されるので、散乱Ｘ線を見かけ上、無視し得る
状態で試料から出る蛍光Ｘ線を検出できる。従って、Ｓ
／Ｎ比（信号対雑音比）の良好な検出ができる。
射角で照射すると、Ｘ線は、それが照射された物質に吸
収されることなく、入射角度と等角に反射される。つま
り、Ｘ線は、全反射される。この時、Ｘ線が全反射され
る平面に試料を載せておけば、試料に当たったＸ線以外
は全反射されるので、散乱Ｘ線を見かけ上、無視し得る
状態で試料から出る蛍光Ｘ線を検出できる。従って、Ｓ
／Ｎ比（信号対雑音比）の良好な検出ができる。
【０００５】従来の全反射蛍光Ｘ線分析装置は、反射波
検出器を設けるか否かによって以下の二つの構造に分け
られる。 (a) 図５は、反射波検出器を設けない簡単な構造の全反
射蛍光Ｘ線分析装置である。図７は、入射Ｘ線と試料か
ら発生する蛍光Ｘ線を示す図である。
検出器を設けるか否かによって以下の二つの構造に分け
られる。 (a) 図５は、反射波検出器を設けない簡単な構造の全反
射蛍光Ｘ線分析装置である。図７は、入射Ｘ線と試料か
ら発生する蛍光Ｘ線を示す図である。
【０００６】対陰極１１で発生した一次Ｘ線１２´は、
分光器１３によって単色化及び高密度化され、試料（半
導体基板）１４に所定の入射角θで入射される。単色化
された入射Ｘ線１２の入射角θが十分に小さい（全反射
臨界角φより小さい（θ＜φ））場合、図７に示すよう
に、このＸ線１２は全反射するので、散乱Ｘ線は見かけ
上、無視でき、不純物１０１から出る蛍光Ｘ線１５が検
出器１６によって検出される。
分光器１３によって単色化及び高密度化され、試料（半
導体基板）１４に所定の入射角θで入射される。単色化
された入射Ｘ線１２の入射角θが十分に小さい（全反射
臨界角φより小さい（θ＜φ））場合、図７に示すよう
に、このＸ線１２は全反射するので、散乱Ｘ線は見かけ
上、無視でき、不純物１０１から出る蛍光Ｘ線１５が検
出器１６によって検出される。
【０００７】しかし、この全反射蛍光Ｘ線分析装置で
は、反射波１７の強度変化を確認できないため、Ｘ線入
射角θを正確に求めることができない。つまり、入射Ｘ
線の全反射臨界角φは、蛍光Ｘ線１５の強度を測定する
ことにより求めていた。従って、この分析装置では、正
確な全反射臨界角φがわからず、試料の分析を正確に行
うことができない。
は、反射波１７の強度変化を確認できないため、Ｘ線入
射角θを正確に求めることができない。つまり、入射Ｘ
線の全反射臨界角φは、蛍光Ｘ線１５の強度を測定する
ことにより求めていた。従って、この分析装置では、正
確な全反射臨界角φがわからず、試料の分析を正確に行
うことができない。
【０００８】なお、入射Ｘ線１２の入射角θが全反射臨
界角φより大きい（θ≧φ）場合、図８に示すように、
入射Ｘ線１２は不純物１０１中に入り込み、不純物１０
１の内部から多量の散乱Ｘ線１８が発生する。そのた
め、Ｓ／Ｎ比の非常に悪い検出となってしまう。
界角φより大きい（θ≧φ）場合、図８に示すように、
入射Ｘ線１２は不純物１０１中に入り込み、不純物１０
１の内部から多量の散乱Ｘ線１８が発生する。そのた
め、Ｓ／Ｎ比の非常に悪い検出となってしまう。
【０００９】(b) 図６は、反射波検出器を有する構造の
全反射蛍光Ｘ線分析装置である。対陰極１１で発生した
一次Ｘ線１２´は、分光器１３によって単色化され、試
料１４に入射角θ1 で入射される。この入射に対して反
射される反射波１７を反射波検出器１９で検出する。従
って、この全反射蛍光Ｘ線分析装置は、Ｘ線入射角θ1
を正確に求めることができる。
全反射蛍光Ｘ線分析装置である。対陰極１１で発生した
一次Ｘ線１２´は、分光器１３によって単色化され、試
料１４に入射角θ1 で入射される。この入射に対して反
射される反射波１７を反射波検出器１９で検出する。従
って、この全反射蛍光Ｘ線分析装置は、Ｘ線入射角θ1
を正確に求めることができる。
【００１０】しかし、入射Ｘ線１２の入射角θ1 を変え
る際、試料１４を傾けると共に、非常に高い精度で反射
波検出器１９の試料１４に対する反射角θ2 （又は、入
射Ｘ線に対する反射Ｘ線の角度θ3 ）を調節する機構が
必要となる。
る際、試料１４を傾けると共に、非常に高い精度で反射
波検出器１９の試料１４に対する反射角θ2 （又は、入
射Ｘ線に対する反射Ｘ線の角度θ3 ）を調節する機構が
必要となる。
【００１１】従って、当該調節機構を実現するために部
品点数が多くなり、構造も複雑となる。さらに、この分
析装置では、対陰極１１、分光器１３、試料１４及び反
射波検出器１９の幾何学的な位置関係の校正は可能であ
るが、蛍光Ｘ線検出器１６とＸ線照射位置２０の校正を
行うことができない。
品点数が多くなり、構造も複雑となる。さらに、この分
析装置では、対陰極１１、分光器１３、試料１４及び反
射波検出器１９の幾何学的な位置関係の校正は可能であ
るが、蛍光Ｘ線検出器１６とＸ線照射位置２０の校正を
行うことができない。
【００１２】図９及び図１０は、Ｘ線入射角と蛍光Ｘ線
強度との関係を示す図である。なお、図９は、当該位置
関係が正確である場合を示すもので、図１０は、当該位
置関係が不正確である場合を示すものである。
強度との関係を示す図である。なお、図９は、当該位置
関係が正確である場合を示すもので、図１０は、当該位
置関係が不正確である場合を示すものである。
【００１３】つまり、図９及び図１０に示すように、蛍
光Ｘ線検出器とＸ線照射位置の位置関係がずれても、入
射角に対する蛍光Ｘ線強度の分布は同様の曲線を形成す
るため、蛍光Ｘ線検出器とＸ線照射位置の位置関係のず
れを判断できない。
光Ｘ線検出器とＸ線照射位置の位置関係がずれても、入
射角に対する蛍光Ｘ線強度の分布は同様の曲線を形成す
るため、蛍光Ｘ線検出器とＸ線照射位置の位置関係のず
れを判断できない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
反射波検出器を設けるものと設けないものの二種類の全
反射蛍光Ｘ線分析装置が存在した。しかし、いずれの装
置も、簡単な機構で精度よくＸ線入射角を求め、かつ、
蛍光Ｘ線検出器とＸ線照射位置の関係のずれを校正し得
ることができない欠点がある。
反射波検出器を設けるものと設けないものの二種類の全
反射蛍光Ｘ線分析装置が存在した。しかし、いずれの装
置も、簡単な機構で精度よくＸ線入射角を求め、かつ、
蛍光Ｘ線検出器とＸ線照射位置の関係のずれを校正し得
ることができない欠点がある。
【００１５】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、簡単な機構で精度よくＸ線入射角
を求めることができ、かつ、蛍光Ｘ線検出器とＸ線照射
位置の関係のずれをも校正し得る全反射蛍光Ｘ線分析装
置の校正方法を提供することである。
もので、その目的は、簡単な機構で精度よくＸ線入射角
を求めることができ、かつ、蛍光Ｘ線検出器とＸ線照射
位置の関係のずれをも校正し得る全反射蛍光Ｘ線分析装
置の校正方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の全反射蛍光Ｘ線分析装置の校正方法は、ま
ず、入射Ｘ線の試料への入射角度を変化させ、各入射角
度における当該試料から発生する蛍光Ｘ線及び当該入射
Ｘ線の散乱Ｘ線を検出し、入射Ｘ線の試料への入射角度
と蛍光Ｘ線の強度を入射Ｘ線の散乱Ｘ線の強度で規格化
した値との関係を求める。そして、これを理想曲線と比
較することにより、入射Ｘ線の試料への入射角度のずれ
及び入射Ｘ線の試料への照射位置のずれを校正するとい
うものである。
め、本発明の全反射蛍光Ｘ線分析装置の校正方法は、ま
ず、入射Ｘ線の試料への入射角度を変化させ、各入射角
度における当該試料から発生する蛍光Ｘ線及び当該入射
Ｘ線の散乱Ｘ線を検出し、入射Ｘ線の試料への入射角度
と蛍光Ｘ線の強度を入射Ｘ線の散乱Ｘ線の強度で規格化
した値との関係を求める。そして、これを理想曲線と比
較することにより、入射Ｘ線の試料への入射角度のずれ
及び入射Ｘ線の試料への照射位置のずれを校正するとい
うものである。
【００１７】
【作用】上記構成によれば、反射波検出器を設けない簡
単な機構でも、精度よくＸ線入射角を求めることができ
る。また、蛍光Ｘ線検出器とＸ線照射位置の関係のずれ
をも校正することができる。
単な機構でも、精度よくＸ線入射角を求めることができ
る。また、蛍光Ｘ線検出器とＸ線照射位置の関係のずれ
をも校正することができる。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の一実施
例について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例
に係わる校正方法を実施するための全反射蛍光Ｘ線分析
装置を示している。
例について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例
に係わる校正方法を実施するための全反射蛍光Ｘ線分析
装置を示している。
【００１９】まず、本発明に使用する全反射蛍光Ｘ線分
析装置について簡単に説明する。図１において、２１
は、Ｘ線の供給源となる対陰極、２２は、分光器、２３
は、試料台、２４は、試料、２５は、検出器、２６は、
制御装置である。この全反射蛍光Ｘ線分析装置は、反射
波検出器を有しておらず、部品点数が少なく、簡単な構
造となっている。
析装置について簡単に説明する。図１において、２１
は、Ｘ線の供給源となる対陰極、２２は、分光器、２３
は、試料台、２４は、試料、２５は、検出器、２６は、
制御装置である。この全反射蛍光Ｘ線分析装置は、反射
波検出器を有しておらず、部品点数が少なく、簡単な構
造となっている。
【００２０】対陰極２１で発生した一次Ｘ線２７´は、
分光器２２によって単色化及び高密度化され、試料２４
に所定の入射角θで入射される。単色化された入射Ｘ線
２７の入射角θが十分に小さい（全反射臨界角φより小
さい（θ＜φ））場合、このＸ線２７は全反射する。Ｘ
線照射位置２８で発生する蛍光Ｘ線及び散乱Ｘ線は、検
出器２５によって検出される。なお、入射Ｘ線２７の試
料２４に対する入射角θは、試料台２３を傾けることに
より変えることができる。
分光器２２によって単色化及び高密度化され、試料２４
に所定の入射角θで入射される。単色化された入射Ｘ線
２７の入射角θが十分に小さい（全反射臨界角φより小
さい（θ＜φ））場合、このＸ線２７は全反射する。Ｘ
線照射位置２８で発生する蛍光Ｘ線及び散乱Ｘ線は、検
出器２５によって検出される。なお、入射Ｘ線２７の試
料２４に対する入射角θは、試料台２３を傾けることに
より変えることができる。
【００２１】次に、全反射蛍光Ｘ線分析装置の校正方法
について説明する。まず、入射Ｘ線２７を試料（平面基
板）２４に照射し、このとき試料２４から発生した蛍光
Ｘ線と、入射Ｘ線２７が試料によって散乱した散乱Ｘ線
とを、検出器２５によって検出する。
について説明する。まず、入射Ｘ線２７を試料（平面基
板）２４に照射し、このとき試料２４から発生した蛍光
Ｘ線と、入射Ｘ線２７が試料によって散乱した散乱Ｘ線
とを、検出器２５によって検出する。
【００２２】入射Ｘ線２７の入射角θを変えて、蛍光Ｘ
線及び散乱Ｘ線の測定を行う。各入射角で検出された試
料２４からの蛍光Ｘ線強度を散乱線の強度で規格化す
る。入射角θと規格値との関係を求め、理想曲線との比
較から正確な全反射臨界角及び入射Ｘ線の発散角を求め
ることができる。
線及び散乱Ｘ線の測定を行う。各入射角で検出された試
料２４からの蛍光Ｘ線強度を散乱線の強度で規格化す
る。入射角θと規格値との関係を求め、理想曲線との比
較から正確な全反射臨界角及び入射Ｘ線の発散角を求め
ることができる。
【００２３】また、制御装置２６は、検出器２５の水平
移動及び試料台２３の傾き、上下移動などを制御するこ
とが可能である。従って、対陰極２１、分光器２２、Ｘ
線照射位置及び検出器２５の位置関係の校正を行うこと
ができる。
移動及び試料台２３の傾き、上下移動などを制御するこ
とが可能である。従って、対陰極２１、分光器２２、Ｘ
線照射位置及び検出器２５の位置関係の校正を行うこと
ができる。
【００２４】図２は、試料にシリコン（Ｓｉ）基板を用
いた場合において、Ｘ線入射角θと蛍光Ｘ線強度を散乱
Ｘ線強度で規格化した値との関係を示すものである。ま
た、図３は、試料に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）基板を用
いた場合において、Ｘ線入射角θと蛍光Ｘ線強度を散乱
Ｘ線強度で規格化した値との関係を示すものである。
いた場合において、Ｘ線入射角θと蛍光Ｘ線強度を散乱
Ｘ線強度で規格化した値との関係を示すものである。ま
た、図３は、試料に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）基板を用
いた場合において、Ｘ線入射角θと蛍光Ｘ線強度を散乱
Ｘ線強度で規格化した値との関係を示すものである。
【００２５】図２及び図３において、全反射領域ａ及び
全反射外領域ｃでは、蛍光Ｘ線強度を散乱Ｘ線強度で規
格化した値は、Ｘ線入射角θに依存することなく、一定
である。一方、全反射と全反射外の混合領域ｂでは、蛍
光Ｘ線強度と散乱Ｘ線強度が変化し、その割合によって
規格値が変化する。従って、全反射臨界角φは、混合領
域ｂに存在し、その角度は、全反射領域ａの値と全反射
外領域ｃの値から決定することができる。
全反射外領域ｃでは、蛍光Ｘ線強度を散乱Ｘ線強度で規
格化した値は、Ｘ線入射角θに依存することなく、一定
である。一方、全反射と全反射外の混合領域ｂでは、蛍
光Ｘ線強度と散乱Ｘ線強度が変化し、その割合によって
規格値が変化する。従って、全反射臨界角φは、混合領
域ｂに存在し、その角度は、全反射領域ａの値と全反射
外領域ｃの値から決定することができる。
【００２６】混合領域ｂは、全反射条件を満たす成分と
全反射条件を満たさない成分とが含まれた領域である。
図１１に示すように、発散角が２Δφの場合、試料２０
２に照射されるＸ線の波長は、ブラッグの条件より、 ２ｄ・ｓｉｎ（φB ±Δφ）＝ｎ（λB ±Δλ） ｎ＝１，２，３… ［１］ で表される。但し、ｄは、分光器２０５の面間隔、λ
は、Ｘ線の波長である。
全反射条件を満たさない成分とが含まれた領域である。
図１１に示すように、発散角が２Δφの場合、試料２０
２に照射されるＸ線の波長は、ブラッグの条件より、 ２ｄ・ｓｉｎ（φB ±Δφ）＝ｎ（λB ±Δλ） ｎ＝１，２，３… ［１］ で表される。但し、ｄは、分光器２０５の面間隔、λ
は、Ｘ線の波長である。
【００２７】また、試料２０２に対する入射Ｘ線の全反
射臨界角φcriticalは、 φcritical ＝｛（５．４×１０10・Ｚ・ρ・λ2 ） ／ Ａ｝1/2 ［２］ で表される。但し、Ａは、試料２０２の質量数、Ｚは、
原子番号、ρは、密度、λは、入射Ｘ線の波長である。
なお、試料にシリコンウェ−ハを用いた場合、Ａ＝２
８．０９、Ｚ＝１４、ρ＝２．３３ｇ／ｃｍ3 となる。
射臨界角φcriticalは、 φcritical ＝｛（５．４×１０10・Ｚ・ρ・λ2 ） ／ Ａ｝1/2 ［２］ で表される。但し、Ａは、試料２０２の質量数、Ｚは、
原子番号、ρは、密度、λは、入射Ｘ線の波長である。
なお、試料にシリコンウェ−ハを用いた場合、Ａ＝２
８．０９、Ｚ＝１４、ρ＝２．３３ｇ／ｃｍ3 となる。
【００２８】従って、発散角が２Δφのとき、試料に対
する全反射臨界角のバラツキは、第１式においてｎ＝１
とすると、 （θ±Δθ）critical＝｛（5.4 ×1010・Ｚ・ρ・（λB ±Δλ））／Ａ｝1/2 ＝｛（5.4 ×1010・Ｚ・ρ・２ｄ・ｓｉｎ（φB ±Δφ））／Ａ｝1/2 ［３］ となる。
する全反射臨界角のバラツキは、第１式においてｎ＝１
とすると、 （θ±Δθ）critical＝｛（5.4 ×1010・Ｚ・ρ・（λB ±Δλ））／Ａ｝1/2 ＝｛（5.4 ×1010・Ｚ・ρ・２ｄ・ｓｉｎ（φB ±Δφ））／Ａ｝1/2 ［３］ となる。
【００２９】つまり、混合領域ｂは、全反射条件を満た
す成分と全反射条件を満たさない成分とが、±Δθの範
囲で存在することを意味する。従って、発散角（２Δ
φ）が大きくなれば、混合領域ｂ（±Δθ）は広くな
り、混合領域ｂの幅から試料に入射する入射Ｘ線の発散
角を求めることができる。
す成分と全反射条件を満たさない成分とが、±Δθの範
囲で存在することを意味する。従って、発散角（２Δ
φ）が大きくなれば、混合領域ｂ（±Δθ）は広くな
り、混合領域ｂの幅から試料に入射する入射Ｘ線の発散
角を求めることができる。
【００３０】発散角２Δφは、スリット２０１幅や、タ
−ゲット２０６、分光器２０５、スリット２０４、試料
２０２の位置関係や、分光器２０５のエネルギ−分解能
などによって変わる。試料に対する入射Ｘ線の照射範囲
が半導体検出器２０１の視野範囲より広い場合は、半導
体検出器の視野範囲内での発散角を求めることができ
る。
−ゲット２０６、分光器２０５、スリット２０４、試料
２０２の位置関係や、分光器２０５のエネルギ−分解能
などによって変わる。試料に対する入射Ｘ線の照射範囲
が半導体検出器２０１の視野範囲より広い場合は、半導
体検出器の視野範囲内での発散角を求めることができ
る。
【００３１】このように、本発明の全反射蛍光Ｘ線分析
装置の校正方法では、反射波検出器を設けない簡単な構
造においても、全反射領域ａ及び全反射外領域ｃを判断
することができ、正確な全反射臨界角φを求めることが
できる。
装置の校正方法では、反射波検出器を設けない簡単な構
造においても、全反射領域ａ及び全反射外領域ｃを判断
することができ、正確な全反射臨界角φを求めることが
できる。
【００３２】しかも、９，６７ｋｅＶのエネルギ−を用
いたシリコンの臨界角は、約０．１８４°であるので、
図２より判断すると、本発明の校正方法によりＸ線の入
射角を求める場合の入射角誤差ＥI は、±０．００５°
程度である。なお、従来技術の欄の(a) の装置によりＸ
線の入射角を求める場合の入射角誤差ＥP は、±０．０
２°程度となり、入射角誤差が大幅に低下する。
いたシリコンの臨界角は、約０．１８４°であるので、
図２より判断すると、本発明の校正方法によりＸ線の入
射角を求める場合の入射角誤差ＥI は、±０．００５°
程度である。なお、従来技術の欄の(a) の装置によりＸ
線の入射角を求める場合の入射角誤差ＥP は、±０．０
２°程度となり、入射角誤差が大幅に低下する。
【００３３】ところで、図６に示す反射波検出器を設け
た従来型の全反射蛍光Ｘ線装置では、対陰極、分光器、
Ｘ線照射位置及び反射波検出器の位置関係の校正は可能
であるが、Ｘ線照射位置と蛍光Ｘ線検出器との位置関係
の校正は不可能である。
た従来型の全反射蛍光Ｘ線装置では、対陰極、分光器、
Ｘ線照射位置及び反射波検出器の位置関係の校正は可能
であるが、Ｘ線照射位置と蛍光Ｘ線検出器との位置関係
の校正は不可能である。
【００３４】本発明の校正方法では、Ｘ線照射位置と蛍
光Ｘ線検出器との位置関係が乱れた場合、図４に示すよ
うに、全反射領域及び全反射外領域は、一定の値を示す
ことなく、理想曲線から大きくずれていることがわか
る。つまり、Ｘ線照射位置と蛍光Ｘ線検出器との位置関
係の校正は、全反射領域及び全反射外領域の値が理想曲
線からずれているか否かにより判断することができる。
光Ｘ線検出器との位置関係が乱れた場合、図４に示すよ
うに、全反射領域及び全反射外領域は、一定の値を示す
ことなく、理想曲線から大きくずれていることがわか
る。つまり、Ｘ線照射位置と蛍光Ｘ線検出器との位置関
係の校正は、全反射領域及び全反射外領域の値が理想曲
線からずれているか否かにより判断することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の全反射
蛍光Ｘ線分析装置の校正方法によれば、次のような効果
を奏する。反射波検出器を設けない簡単な機構でも、精
度よくＸ線入射角を求めることができる。また、蛍光Ｘ
線検出器とＸ線照射位置の関係のずれをも校正すること
が可能である。
蛍光Ｘ線分析装置の校正方法によれば、次のような効果
を奏する。反射波検出器を設けない簡単な機構でも、精
度よくＸ線入射角を求めることができる。また、蛍光Ｘ
線検出器とＸ線照射位置の関係のずれをも校正すること
が可能である。
【図１】本発明の校正方法に使用する全反射蛍光Ｘ線分
析装置の概略図。
析装置の概略図。
【図２】Ｘ線入射角と蛍光Ｘ線を散乱Ｘ線で規格化した
値との関係を示す図。
値との関係を示す図。
【図３】Ｘ線入射角と蛍光Ｘ線を散乱Ｘ線で規格化した
値との関係を示す図。
値との関係を示す図。
【図４】Ｘ線入射角と蛍光Ｘ線を散乱Ｘ線で規格化した
値との関係を示す図。
値との関係を示す図。
【図５】従来の校正方法に使用する全反射蛍光Ｘ線分析
装置の概略図。
装置の概略図。
【図６】従来の校正方法に使用する全反射蛍光Ｘ線分析
装置の概略図。
装置の概略図。
【図７】入射Ｘ線と試料から発生する蛍光Ｘ線を示す
図。
図。
【図８】入射Ｘ線と試料から発生する蛍光Ｘ線及び散乱
Ｘ線を示す図。
Ｘ線を示す図。
【図９】Ｘ線入射角と蛍光Ｘ線強度との関係を示す図。
【図１０】Ｘ線入射角と蛍光Ｘ線強度との関係を示す
図。
図。
【図１１】発散角２Δφと試料への入射角θ±Δθを示
す図。
す図。
２１，２０６ …対陰極（タ−ゲット）、 ２２，２０５ …分光器、 ２３，２０３ …試料台、 ２４，２０２ …試料、 ２５，２０１ …検出器、 ２６ …制御装置、 ２０４ …スリット。
Claims (1)
- 【請求項１】 入射Ｘ線の試料への入射角度を変化さ
せ、各入射角度における当該試料から発生する蛍光Ｘ線
及び当該入射Ｘ線の散乱Ｘ線を検出し、入射Ｘ線の試料
への入射角度と蛍光Ｘ線の強度を入射Ｘ線の散乱Ｘ線の
強度で規格化した値との関係を求め、これを理想曲線と
比較することにより、入射Ｘ線の試料への入射角度のず
れ及び入射Ｘ線の試料への照射位置のずれを校正するこ
とを特徴とする全反射蛍光Ｘ線分析装置の校正方法。
Priority Applications (2)
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP5251796A JP2954819B2 (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 全反射蛍光ｘ線分析装置の校正方法 |
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| JP5251796A Expired - Lifetime JP2954819B2 (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 全反射蛍光ｘ線分析装置の校正方法 |
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-
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- 1993-10-07 JP JP5251796A patent/JP2954819B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
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- 1994-10-06 US US08/321,825 patent/US5457726A/en not_active Expired - Lifetime
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