JPH10282022A - 蛍光ｘ線分析方法および装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析方法および装置Info
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- JPH10282022A JPH10282022A JP8904797A JP8904797A JPH10282022A JP H10282022 A JPH10282022 A JP H10282022A JP 8904797 A JP8904797 A JP 8904797A JP 8904797 A JP8904797 A JP 8904797A JP H10282022 A JPH10282022 A JP H10282022A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶構造を有する試料の蛍光Ｘ線分析におい
て、検出器に入射する特定波長の回折Ｘ線の強度を容易
に最小限に抑えて、正確な分析のできる方法およびそれ
に用いる装置を提供する。 【解決手段】 単色化された１次Ｘ線Ｂ２を用いるエネ
ルギー分散型蛍光Ｘ線分析方法において、理論計算によ
り、結晶構造を有する試料２の回転角度と、その回転角
度において試料２で回折されて検出器に入射する回折Ｘ
線Ｂ６の強度の総和との関係、およびその強度の総和が
所定値以下となるような最適の回転角度範囲を求め、そ
の最適の回転角度範囲内に試料２を設定して分析を行
う。
て、検出器に入射する特定波長の回折Ｘ線の強度を容易
に最小限に抑えて、正確な分析のできる方法およびそれ
に用いる装置を提供する。 【解決手段】 単色化された１次Ｘ線Ｂ２を用いるエネ
ルギー分散型蛍光Ｘ線分析方法において、理論計算によ
り、結晶構造を有する試料２の回転角度と、その回転角
度において試料２で回折されて検出器に入射する回折Ｘ
線Ｂ６の強度の総和との関係、およびその強度の総和が
所定値以下となるような最適の回転角度範囲を求め、そ
の最適の回転角度範囲内に試料２を設定して分析を行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体電子回路素
子に用いられる単結晶ウエハ（シリコンウエハ、ガリウ
ム砒素ウエハ等）のような結晶構造を有する試料の蛍光
Ｘ線分析において、検出器に入射する特定波長の回折Ｘ
線の強度を容易に最小限に抑えて、正確な分析のできる
方法およびそれに用いる装置に関するものである。
子に用いられる単結晶ウエハ（シリコンウエハ、ガリウ
ム砒素ウエハ等）のような結晶構造を有する試料の蛍光
Ｘ線分析において、検出器に入射する特定波長の回折Ｘ
線の強度を容易に最小限に抑えて、正確な分析のできる
方法およびそれに用いる装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば、シリコンウエハの表
面層の分析には、試料表面に１次Ｘ線を微小な入射角で
照射して、試料の表面層からの蛍光Ｘ線を分析する全反
射蛍光Ｘ線分析装置が用いられている（例えば、特開昭
63-78056号公報参照）。この種の装置の一例を図５に示
す。
面層の分析には、試料表面に１次Ｘ線を微小な入射角で
照射して、試料の表面層からの蛍光Ｘ線を分析する全反
射蛍光Ｘ線分析装置が用いられている（例えば、特開昭
63-78056号公報参照）。この種の装置の一例を図５に示
す。
【０００３】図５において、Ｘ線管５のターゲット材５
１から出たＸ線Ｂ１は、湾曲型または平板型の分光結晶
等の分光器１に向う。Ｘ線Ｂ１のうちの所定の波長の特
性Ｘ線は、分光器１で回折され、単色化された１次Ｘ線
Ｂ２が、試料（シリコンウエハ）２の表面２ａに微小な
入射角γ (例えば、0.05°〜0.20°程度) で照射され
る。試料２に入射した１次Ｘ線Ｂ２は、全反射されて反
射Ｘ線Ｂ４となるとともに、励起Ｘ線として試料２を励
起して、試料２を構成する元素固有の蛍光Ｘ線Ｂ５を発
生させる。蛍光Ｘ線Ｂ５は、試料表面２ａに対向して配
置したＳＳＤ等のエネルギー分解能の高い検出器３に入
射する。この入射した蛍光Ｘ線Ｂ５は、検出器３におい
て、エネルギーごとにその強度が検出された後、検出器
３からの信号に基づき、図示しない多重波高分析器によ
って目的とするＸ線スペクトルが得られる。すなわち、
いわゆるエネルギー分散型の蛍光Ｘ線分析を行う。
１から出たＸ線Ｂ１は、湾曲型または平板型の分光結晶
等の分光器１に向う。Ｘ線Ｂ１のうちの所定の波長の特
性Ｘ線は、分光器１で回折され、単色化された１次Ｘ線
Ｂ２が、試料（シリコンウエハ）２の表面２ａに微小な
入射角γ (例えば、0.05°〜0.20°程度) で照射され
る。試料２に入射した１次Ｘ線Ｂ２は、全反射されて反
射Ｘ線Ｂ４となるとともに、励起Ｘ線として試料２を励
起して、試料２を構成する元素固有の蛍光Ｘ線Ｂ５を発
生させる。蛍光Ｘ線Ｂ５は、試料表面２ａに対向して配
置したＳＳＤ等のエネルギー分解能の高い検出器３に入
射する。この入射した蛍光Ｘ線Ｂ５は、検出器３におい
て、エネルギーごとにその強度が検出された後、検出器
３からの信号に基づき、図示しない多重波高分析器によ
って目的とするＸ線スペクトルが得られる。すなわち、
いわゆるエネルギー分散型の蛍光Ｘ線分析を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、試料２が単
結晶のシリコンウエハのように結晶構造を有する場合に
は、試料２中の格子面で回折された強い回折Ｘ線Ｂ６
が、検出器３へ入射するおそれがあり、この場合、不感
時間が大きくなり、測定時間が長くなる。また、検出器
３の特性から、バックグラウンドが大きくなって分析精
度が悪くなる。
結晶のシリコンウエハのように結晶構造を有する場合に
は、試料２中の格子面で回折された強い回折Ｘ線Ｂ６
が、検出器３へ入射するおそれがあり、この場合、不感
時間が大きくなり、測定時間が長くなる。また、検出器
３の特性から、バックグラウンドが大きくなって分析精
度が悪くなる。
【０００５】この回折Ｘ線Ｂ６による分析精度の低下を
防止しようとする技術として、特開平５−６６２０４号
公報に開示された全反射蛍光Ｘ線分析装置がある。この
分析装置は、１次Ｘ線Ｂ２を単色化するとともに、予
め、回折Ｘ線Ｂ６の発生しない試料２の特定の回転角度
を求め、この特定の回転角度の位置において、上記単色
化した１次Ｘ線Ｂ２を試料２に照射するというものであ
る。しかし、１次Ｘ線Ｂ２が単色化されても、試料２中
には多種の格子面があるので、回折Ｘ線Ｂ６の発生しな
い、すなわち回折現象が全く起こらないような試料２の
回転角度は現実に存在するか否かは不明であり、しか
も、同号公報に記載された特定の回転角度の理論的な求
め方は、結晶学的に明らかに誤っている。また、そのよ
うな特定の回転角度を実験的に求めることができるとし
ても、１次Ｘ線Ｂ２の波長や試料２の種類（結晶構造）
が変わるたびに、実験をしなければならず、時間と労力
を要する。したがって、この装置では、回折Ｘ線Ｂ６に
よる分析精度の低下を容易に防止することはできない。
防止しようとする技術として、特開平５−６６２０４号
公報に開示された全反射蛍光Ｘ線分析装置がある。この
分析装置は、１次Ｘ線Ｂ２を単色化するとともに、予
め、回折Ｘ線Ｂ６の発生しない試料２の特定の回転角度
を求め、この特定の回転角度の位置において、上記単色
化した１次Ｘ線Ｂ２を試料２に照射するというものであ
る。しかし、１次Ｘ線Ｂ２が単色化されても、試料２中
には多種の格子面があるので、回折Ｘ線Ｂ６の発生しな
い、すなわち回折現象が全く起こらないような試料２の
回転角度は現実に存在するか否かは不明であり、しか
も、同号公報に記載された特定の回転角度の理論的な求
め方は、結晶学的に明らかに誤っている。また、そのよ
うな特定の回転角度を実験的に求めることができるとし
ても、１次Ｘ線Ｂ２の波長や試料２の種類（結晶構造）
が変わるたびに、実験をしなければならず、時間と労力
を要する。したがって、この装置では、回折Ｘ線Ｂ６に
よる分析精度の低下を容易に防止することはできない。
【０００６】類似した問題が、いわゆる波長分散型の蛍
光Ｘ線分析でも起こる。波長分散型蛍光Ｘ線分析におい
ては、結晶構造を有する試料に連続Ｘ線である１次Ｘ線
を照射し、１次Ｘ線に含まれる分光分析すべき蛍光Ｘ線
と同一波長のＸ線が、試料で回折されさらに分光器でも
回折されて検出器に入射する場合に、その回折Ｘ線は同
じ波長（エネルギー）の蛍光Ｘ線と区別がつかない（ノ
イズとなる）ので、正確な分析ができなくなる。
光Ｘ線分析でも起こる。波長分散型蛍光Ｘ線分析におい
ては、結晶構造を有する試料に連続Ｘ線である１次Ｘ線
を照射し、１次Ｘ線に含まれる分光分析すべき蛍光Ｘ線
と同一波長のＸ線が、試料で回折されさらに分光器でも
回折されて検出器に入射する場合に、その回折Ｘ線は同
じ波長（エネルギー）の蛍光Ｘ線と区別がつかない（ノ
イズとなる）ので、正確な分析ができなくなる。
【０００７】この発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、結晶構造を有する試料の蛍光Ｘ線分析において、検
出器に入射する特定波長の回折Ｘ線の強度を容易に最小
限に抑えて、正確な分析のできる方法およびそれに用い
る装置を提供することを目的とする。
で、結晶構造を有する試料の蛍光Ｘ線分析において、検
出器に入射する特定波長の回折Ｘ線の強度を容易に最小
限に抑えて、正確な分析のできる方法およびそれに用い
る装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の方法では、単色化された１次Ｘ線を用い
るエネルギー分散型蛍光Ｘ線分析方法において、理論計
算により、結晶構造を有する試料の回転角度と、その回
転角度において試料で回折されて検出器に入射する回折
Ｘ線の強度の総和との関係、およびその強度の総和が所
定値以下となるような最適の回転角度範囲を求め、その
最適の回転角度範囲内に試料を設定して分析を行う。
に、請求項１の方法では、単色化された１次Ｘ線を用い
るエネルギー分散型蛍光Ｘ線分析方法において、理論計
算により、結晶構造を有する試料の回転角度と、その回
転角度において試料で回折されて検出器に入射する回折
Ｘ線の強度の総和との関係、およびその強度の総和が所
定値以下となるような最適の回転角度範囲を求め、その
最適の回転角度範囲内に試料を設定して分析を行う。
【０００９】請求項１の方法によれば、理論計算によ
り、検出器に入射する回折Ｘ線の強度の総和が所定値以
下となるような最適の回転角度範囲を求め、その最適の
回転角度範囲内に試料を設定して分析を行うので、単色
化された１次Ｘ線が結晶構造を有する試料で回折され検
出器に入射するおそれがある場合に、その入射する強度
を容易に最小限に抑えて正確な分析ができる。
り、検出器に入射する回折Ｘ線の強度の総和が所定値以
下となるような最適の回転角度範囲を求め、その最適の
回転角度範囲内に試料を設定して分析を行うので、単色
化された１次Ｘ線が結晶構造を有する試料で回折され検
出器に入射するおそれがある場合に、その入射する強度
を容易に最小限に抑えて正確な分析ができる。
【００１０】請求項２の装置は、単色化された１次Ｘ線
を照射するＸ線源を備えたエネルギー分散型蛍光Ｘ線分
析装置において、結晶構造を有する試料表面の任意の位
置に１次Ｘ線を照射させるように試料台を移動させる平
行移動手段と、試料表面に垂直な軸を中心に試料台を回
転させる回転手段と、試料で回折されて検出器に入射す
る回折Ｘ線の強度の総和が所定値以下となるような、理
論計算により求められた最適の試料の回転角度範囲内
に、試料が設定されるように回転手段を制御する制御手
段とを備えている。
を照射するＸ線源を備えたエネルギー分散型蛍光Ｘ線分
析装置において、結晶構造を有する試料表面の任意の位
置に１次Ｘ線を照射させるように試料台を移動させる平
行移動手段と、試料表面に垂直な軸を中心に試料台を回
転させる回転手段と、試料で回折されて検出器に入射す
る回折Ｘ線の強度の総和が所定値以下となるような、理
論計算により求められた最適の試料の回転角度範囲内
に、試料が設定されるように回転手段を制御する制御手
段とを備えている。
【００１１】請求項２の装置によれば、上記制御手段に
加え、上記平行移動手段および回転手段を備えているの
で、請求項１の方法と同様の作用効果を、結晶構造を有
する試料表面の任意の位置で得ることができる。
加え、上記平行移動手段および回転手段を備えているの
で、請求項１の方法と同様の作用効果を、結晶構造を有
する試料表面の任意の位置で得ることができる。
【００１２】請求項３の装置では、連続Ｘ線である１次
Ｘ線を照射するＸ線源を備えた波長分散型蛍光Ｘ線分析
装置において、試料表面の任意の位置に１次Ｘ線を照射
させるように試料台を移動させる平行移動手段を備え、
測定すべき特定波長の蛍光Ｘ線を分光する分光器が、試
料で回折された上記特定波長の回折Ｘ線が入射しないよ
うな、理論計算により求められた最適の位置に固定され
ている。
Ｘ線を照射するＸ線源を備えた波長分散型蛍光Ｘ線分析
装置において、試料表面の任意の位置に１次Ｘ線を照射
させるように試料台を移動させる平行移動手段を備え、
測定すべき特定波長の蛍光Ｘ線を分光する分光器が、試
料で回折された上記特定波長の回折Ｘ線が入射しないよ
うな、理論計算により求められた最適の位置に固定され
ている。
【００１３】請求項３の装置によれば、理論計算により
容易に求められた、試料で回折された上記特定波長の回
折Ｘ線が入射しないような最適の位置に分光器が固定さ
れているので、上記特定波長の回折Ｘ線が分光器で回折
されて検出器に入射することがなく、正確な分析ができ
る。また、上記平行移動手段を備えているので、その作
用効果を、結晶構造を有する試料表面の任意の位置で得
ることができる。
容易に求められた、試料で回折された上記特定波長の回
折Ｘ線が入射しないような最適の位置に分光器が固定さ
れているので、上記特定波長の回折Ｘ線が分光器で回折
されて検出器に入射することがなく、正確な分析ができ
る。また、上記平行移動手段を備えているので、その作
用効果を、結晶構造を有する試料表面の任意の位置で得
ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態の方
法を図面にしたがって説明する。まず、この方法に用い
る装置について説明する。図１に示すように、この装置
は、シリコンウエハ等の結晶構造を有する試料２が固定
される試料台６と、試料２に単色化された１次Ｘ線Ｂ２
を照射するＸ線源７と、試料２から発生する蛍光Ｘ線Ｂ
５が入射されるＳＳＤ等の高エネルギー分解能の検出器
３とを備えており、いわゆるエネルギー分散型蛍光Ｘ線
分析装置である。Ｘ線源７においては、Ｘ線管５のター
ゲット材５１から出たＸ線Ｂ１が湾曲型の分光結晶等の
分光器１に向い、Ｘ線Ｂ１のうちの所定の波長の特性Ｘ
線が分光器１で回折され、単色化された１次Ｘ線Ｂ２が
試料２に照射される。なお、いわゆる全反射蛍光Ｘ線分
析の場合を例にとって説明するので、この装置において
は、１次Ｘ線Ｂ２の試料表面２ａへの入射角γは、例え
ば、0.05°〜0.20°程度の微小な角度である。
法を図面にしたがって説明する。まず、この方法に用い
る装置について説明する。図１に示すように、この装置
は、シリコンウエハ等の結晶構造を有する試料２が固定
される試料台６と、試料２に単色化された１次Ｘ線Ｂ２
を照射するＸ線源７と、試料２から発生する蛍光Ｘ線Ｂ
５が入射されるＳＳＤ等の高エネルギー分解能の検出器
３とを備えており、いわゆるエネルギー分散型蛍光Ｘ線
分析装置である。Ｘ線源７においては、Ｘ線管５のター
ゲット材５１から出たＸ線Ｂ１が湾曲型の分光結晶等の
分光器１に向い、Ｘ線Ｂ１のうちの所定の波長の特性Ｘ
線が分光器１で回折され、単色化された１次Ｘ線Ｂ２が
試料２に照射される。なお、いわゆる全反射蛍光Ｘ線分
析の場合を例にとって説明するので、この装置において
は、１次Ｘ線Ｂ２の試料表面２ａへの入射角γは、例え
ば、0.05°〜0.20°程度の微小な角度である。
【００１５】試料台６は、その下の回転ステージ（回転
手段）８の上部８ａに固定されている。回転ステージの
上部８ａは、下部８ｂに対して図示しないモータの回転
により試料表面２ａに垂直な軸を中心に回転させること
ができる。回転ステージの下部８ｂは、ＸＹステージ
（平行移動手段）９の上部９ａに固定されている。すな
わち、回転ステージ８の調整により、試料表面２ａに垂
直な軸を中心に試料台６を回転させることができる。Ｘ
Ｙステージ上部９ａは、中部９ｂに対して紙面垂直方向
Ｙに移動自在に設置され、ＸＹステージ中部９ｂは、そ
の下のＸＹステージ下部９ｃに対し、紙面左右方向Ｘ
（入射角γ≒０より、１次Ｘ線Ｂ２が入射してくる方向
である）に移動自在に設置されている。ＸＹステージ下
部９ｃは、その下の図示しない高さ調整手段や入射角調
整手段を介して、床等に設置されている。すなわち、Ｘ
Ｙステージ９の調整により、試料表面２ａの任意の位置
に１次Ｘ線Ｂ２を照射させるよう試料台６を移動させる
ことができる。なお、このＸＹ座標は空間に固定されて
いるものとする。
手段）８の上部８ａに固定されている。回転ステージの
上部８ａは、下部８ｂに対して図示しないモータの回転
により試料表面２ａに垂直な軸を中心に回転させること
ができる。回転ステージの下部８ｂは、ＸＹステージ
（平行移動手段）９の上部９ａに固定されている。すな
わち、回転ステージ８の調整により、試料表面２ａに垂
直な軸を中心に試料台６を回転させることができる。Ｘ
Ｙステージ上部９ａは、中部９ｂに対して紙面垂直方向
Ｙに移動自在に設置され、ＸＹステージ中部９ｂは、そ
の下のＸＹステージ下部９ｃに対し、紙面左右方向Ｘ
（入射角γ≒０より、１次Ｘ線Ｂ２が入射してくる方向
である）に移動自在に設置されている。ＸＹステージ下
部９ｃは、その下の図示しない高さ調整手段や入射角調
整手段を介して、床等に設置されている。すなわち、Ｘ
Ｙステージ９の調整により、試料表面２ａの任意の位置
に１次Ｘ線Ｂ２を照射させるよう試料台６を移動させる
ことができる。なお、このＸＹ座標は空間に固定されて
いるものとする。
【００１６】さらに、この装置は、試料２で回折されて
検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和が最小と
なるような、理論計算により求められた最適の試料２の
回転角度に、試料２が設定されるように回転ステージ８
を制御する制御手段１０を備えている。この最適の回転
角度、およびそれを導出するための試料２の回転角度と
検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和との関係
は、時間と労力を要する実験によらずとも、以下の原理
に基づいて理論計算により短時間に容易に求められる。
検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和が最小と
なるような、理論計算により求められた最適の試料２の
回転角度に、試料２が設定されるように回転ステージ８
を制御する制御手段１０を備えている。この最適の回転
角度、およびそれを導出するための試料２の回転角度と
検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和との関係
は、時間と労力を要する実験によらずとも、以下の原理
に基づいて理論計算により短時間に容易に求められる。
【００１７】一般に、回折Ｘ線が発生する波長およびエ
ネルギーは、下記のブラッグの式から分かるように、結
晶の格子面間隔ｄと回折角θにより定まる。 ２ｄsin θ＝ｎλ …（１） 但し、ｎ：反射の次数（１，２，３…） λ：Ｘ線の波長（Å）（λ＝12.4／Ｅ） Ｅ：エネルギー（ＫｅＶ）
ネルギーは、下記のブラッグの式から分かるように、結
晶の格子面間隔ｄと回折角θにより定まる。 ２ｄsin θ＝ｎλ …（１） 但し、ｎ：反射の次数（１，２，３…） λ：Ｘ線の波長（Å）（λ＝12.4／Ｅ） Ｅ：エネルギー（ＫｅＶ）
【００１８】本発明においては、検出器３に特定波長λ
の回折Ｘ線Ｂ６が入射するおそれがある場合を想定して
おり、Ｘ線の波長λは既知である。格子面間隔ｄは、１
つの結晶構造の中に種々存在するが、格子面の方向を設
定することにより、格子面間隔ｄが定まり、また、試料
２の基準面からの回転角度を設定することで、回折角θ
が定まる。さらに、２次以上（ｎ＝２以上）の回折Ｘ線
は、その強度が小さいので、無視しても、分析精度に差
程大きな影響を与えない。したがって、結晶構造を有す
る試料２の回転角度と、その回転角度において回折Ｘ線
Ｂ６を発生させる格子面の方向ひいては回折Ｘ線Ｂ６の
方向との関係を求めることができる。
の回折Ｘ線Ｂ６が入射するおそれがある場合を想定して
おり、Ｘ線の波長λは既知である。格子面間隔ｄは、１
つの結晶構造の中に種々存在するが、格子面の方向を設
定することにより、格子面間隔ｄが定まり、また、試料
２の基準面からの回転角度を設定することで、回折角θ
が定まる。さらに、２次以上（ｎ＝２以上）の回折Ｘ線
は、その強度が小さいので、無視しても、分析精度に差
程大きな影響を与えない。したがって、結晶構造を有す
る試料２の回転角度と、その回転角度において回折Ｘ線
Ｂ６を発生させる格子面の方向ひいては回折Ｘ線Ｂ６の
方向との関係を求めることができる。
【００１９】一方、回折Ｘ線Ｂ６の強度は、周知のよう
に、結晶の構造因子から求めることができるので、上記
回転角度において生じる回折Ｘ線Ｂ６の強度も求めるこ
とができる。さらに、回折Ｘ線Ｂ６の方向と検出器３と
の位置関係から、その回折Ｘ線Ｂ６のうち強度において
どの程度が検出器３に入射するかも求めることができ
る。ここで、ある回転角度において、検出器３に入射す
る回折Ｘ線Ｂ６は複数である可能性もあるが、その場合
には、それらの入射する強度の総和が求められる。した
がって、理論計算により、試料２の回転角度と、その回
転角度において試料２で回折されて検出器３に入射する
回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和との関係、およびその強度の
総和が最小となるような最適の回転角度を求めることが
できる。
に、結晶の構造因子から求めることができるので、上記
回転角度において生じる回折Ｘ線Ｂ６の強度も求めるこ
とができる。さらに、回折Ｘ線Ｂ６の方向と検出器３と
の位置関係から、その回折Ｘ線Ｂ６のうち強度において
どの程度が検出器３に入射するかも求めることができ
る。ここで、ある回転角度において、検出器３に入射す
る回折Ｘ線Ｂ６は複数である可能性もあるが、その場合
には、それらの入射する強度の総和が求められる。した
がって、理論計算により、試料２の回転角度と、その回
転角度において試料２で回折されて検出器３に入射する
回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和との関係、およびその強度の
総和が最小となるような最適の回転角度を求めることが
できる。
【００２０】例えば、試料２が（００１）面を表面とす
るシリコンウエハであり、試料２に照射される１次Ｘ線
Ｂ２がＷL β1 線である場合は、試料２の回転角度と、
その回転角度において試料２で回折されて検出器３に入
射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和との関係は、図２に示
すように求められ、その関係から、上記強度の総和が最
小（この場合はゼロ）となるような最適の回転角度は、
結晶の対称性を考慮して、９０°×ｍ±３５°（ｍは整
数）と求められる。ここで、シリコンウエハに形成され
ているオリフラと呼ばれる１１０方向に垂直な（１１
０）面を基準面とし、この面に沿った１１０方向とＸ軸
（この装置においては、１次Ｘ線Ｂ２が入射してくる方
向）とのなす角を回転角度としている。同様に、同試料
２に照射される１次Ｘ線Ｂ２がＷL α1 線である場合
は、試料２の回転角度と検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ
６の強度の総和との関係は、図３に示すように求めら
れ、その関係から、上記強度の総和が最小（この場合も
ゼロ）となるような最適の回転角度は、結晶の対称性を
考慮して、９０°×ｍ±４５°（ｍは整数）と求められ
る。
るシリコンウエハであり、試料２に照射される１次Ｘ線
Ｂ２がＷL β1 線である場合は、試料２の回転角度と、
その回転角度において試料２で回折されて検出器３に入
射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和との関係は、図２に示
すように求められ、その関係から、上記強度の総和が最
小（この場合はゼロ）となるような最適の回転角度は、
結晶の対称性を考慮して、９０°×ｍ±３５°（ｍは整
数）と求められる。ここで、シリコンウエハに形成され
ているオリフラと呼ばれる１１０方向に垂直な（１１
０）面を基準面とし、この面に沿った１１０方向とＸ軸
（この装置においては、１次Ｘ線Ｂ２が入射してくる方
向）とのなす角を回転角度としている。同様に、同試料
２に照射される１次Ｘ線Ｂ２がＷL α1 線である場合
は、試料２の回転角度と検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ
６の強度の総和との関係は、図３に示すように求めら
れ、その関係から、上記強度の総和が最小（この場合も
ゼロ）となるような最適の回転角度は、結晶の対称性を
考慮して、９０°×ｍ±４５°（ｍは整数）と求められ
る。
【００２１】なお、図２や図３から読み取れるように、
検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和が最小と
なるような最適の回転角度は、厳密には数度程度の範囲
を有し得る。さらに、本発明では、検出器３に入射する
回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和が、最小ではなくても、正確
な分析に支障のない所定値以下であればよい。この場合
には、検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和が
そのような所定値以下となるような最適の回転角度範囲
を求め、その最適の回転角度範囲内に試料２を設定して
分析を行う。
検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和が最小と
なるような最適の回転角度は、厳密には数度程度の範囲
を有し得る。さらに、本発明では、検出器３に入射する
回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和が、最小ではなくても、正確
な分析に支障のない所定値以下であればよい。この場合
には、検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和が
そのような所定値以下となるような最適の回転角度範囲
を求め、その最適の回転角度範囲内に試料２を設定して
分析を行う。
【００２２】試料２の回転角度と、その回転角度におい
て試料２で回折されて検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６
の強度の総和との関係、およびその強度の総和が最小と
なるような最適の回転角度を求めるにあたって用いられ
る具体的な式等は、特願平５−１９９２８３号等に示さ
れている。なお、この第１実施形態の方法に用いる装置
においては、この装置が適用される数種類の結晶構造を
もつ試料２および１次Ｘ線Ｂ２の波長について、あらか
じめ、それぞれの最適の回転角度を求めておき、制御手
段１０に記憶させておく。試料２を回転角度０°に初期
設定するのであれば、実際に記憶させておくのは、０°
に最も近い角度、９０°×ｍ±３５°の場合であれば、
３５°または−３５°のいずれかのみでよい。ただし、
本発明においては、最適の回転角度をあらかじめ記憶さ
せず、適用する試料２および１次Ｘ線Ｂ２の波長ごと
に、それぞれの結晶構造と波長から、制御手段１０に逐
一求めさせてもよい。
て試料２で回折されて検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６
の強度の総和との関係、およびその強度の総和が最小と
なるような最適の回転角度を求めるにあたって用いられ
る具体的な式等は、特願平５−１９９２８３号等に示さ
れている。なお、この第１実施形態の方法に用いる装置
においては、この装置が適用される数種類の結晶構造を
もつ試料２および１次Ｘ線Ｂ２の波長について、あらか
じめ、それぞれの最適の回転角度を求めておき、制御手
段１０に記憶させておく。試料２を回転角度０°に初期
設定するのであれば、実際に記憶させておくのは、０°
に最も近い角度、９０°×ｍ±３５°の場合であれば、
３５°または−３５°のいずれかのみでよい。ただし、
本発明においては、最適の回転角度をあらかじめ記憶さ
せず、適用する試料２および１次Ｘ線Ｂ２の波長ごと
に、それぞれの結晶構造と波長から、制御手段１０に逐
一求めさせてもよい。
【００２３】この装置を用いて、第１実施形態の方法で
は、まず、例えば（００１）面を表面とするシリコンウ
エハである試料２を、その表面２ａの中心に１次Ｘ線Ｂ
２が照射されるように、また回転角度が０°になるよう
に、試料台６に固定する。そして、試料２が（００１）
面を表面とするシリコンウエハである旨と、試料２に照
射される１次Ｘ線Ｂ２が例えばＷL β1 線である旨を、
制御手段１０に入力する。すると、制御手段１０は、あ
らかじめ記憶した最適の回転角度３５°に試料２が設定
されるように、回転ステージ８を制御する。そして、そ
のように設定された試料２に単色化された１次Ｘ線Ｂ２
を照射し、試料２から発生する蛍光Ｘ線Ｂ５を検出器３
に入射させ、その出力に基づいて試料２についてエネル
ギー分散型蛍光Ｘ線分析を行う。
は、まず、例えば（００１）面を表面とするシリコンウ
エハである試料２を、その表面２ａの中心に１次Ｘ線Ｂ
２が照射されるように、また回転角度が０°になるよう
に、試料台６に固定する。そして、試料２が（００１）
面を表面とするシリコンウエハである旨と、試料２に照
射される１次Ｘ線Ｂ２が例えばＷL β1 線である旨を、
制御手段１０に入力する。すると、制御手段１０は、あ
らかじめ記憶した最適の回転角度３５°に試料２が設定
されるように、回転ステージ８を制御する。そして、そ
のように設定された試料２に単色化された１次Ｘ線Ｂ２
を照射し、試料２から発生する蛍光Ｘ線Ｂ５を検出器３
に入射させ、その出力に基づいて試料２についてエネル
ギー分散型蛍光Ｘ線分析を行う。
【００２４】第１実施形態の方法によれば、理論計算に
より、検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和が
最小となるような最適の回転角度を求め、その最適の回
転角度に試料２を設定して分析を行うので、単色化され
た１次Ｘ線Ｂ２が結晶構造を有する試料２で回折され検
出器３に入射するおそれがある場合に、その入射する強
度を短時間に容易に最小限に抑えて正確な分析ができ
る。なお、以上においては実験は不要であるが、同種類
の試料２で１次Ｘ線Ｂ２が同一波長であっても、試料２
におけるオリフラの形成誤差等を考慮する場合には、理
論計算で求めた最適の回転角度の近傍のみについて、実
験により現実の最適の回転角度を求めることもできる。
この場合にも、最初から実験で求めるよりも時間が短縮
される。
より、検出器３に入射する回折Ｘ線Ｂ６の強度の総和が
最小となるような最適の回転角度を求め、その最適の回
転角度に試料２を設定して分析を行うので、単色化され
た１次Ｘ線Ｂ２が結晶構造を有する試料２で回折され検
出器３に入射するおそれがある場合に、その入射する強
度を短時間に容易に最小限に抑えて正確な分析ができ
る。なお、以上においては実験は不要であるが、同種類
の試料２で１次Ｘ線Ｂ２が同一波長であっても、試料２
におけるオリフラの形成誤差等を考慮する場合には、理
論計算で求めた最適の回転角度の近傍のみについて、実
験により現実の最適の回転角度を求めることもできる。
この場合にも、最初から実験で求めるよりも時間が短縮
される。
【００２５】また、試料表面２ａの中心以外の任意の位
置について分析したい場合には、試料２を最適の回転角
度に設定した後、ＸＹステージ９を調整して、その任意
の位置に１次Ｘ線Ｂ２を照射させるよう試料台６を移動
させる。このように試料台６を移動させる場合には、１
次Ｘ線Ｂ２、試料２の結晶構造、および検出器３の方
位、位置関係が変わらないので、上記試料表面２ａの中
心についての分析での作用効果を、任意の位置で得るこ
とができる。
置について分析したい場合には、試料２を最適の回転角
度に設定した後、ＸＹステージ９を調整して、その任意
の位置に１次Ｘ線Ｂ２を照射させるよう試料台６を移動
させる。このように試料台６を移動させる場合には、１
次Ｘ線Ｂ２、試料２の結晶構造、および検出器３の方
位、位置関係が変わらないので、上記試料表面２ａの中
心についての分析での作用効果を、任意の位置で得るこ
とができる。
【００２６】次に、本発明の第２実施形態の装置を図面
にしたがって説明する。図４に示すように、この装置
は、結晶構造を有する試料２が固定される試料台６と、
試料２に連続Ｘ線である１次Ｘ線Ｂ１を照射するＸ線源
１１と、試料２から発生する蛍光Ｘ線Ｂ５が入射され、
測定すべき特定波長の蛍光Ｘ線Ｂ７を分光する固定され
た分光器１２と、その分光された特定波長の蛍光Ｘ線Ｂ
７が入射されるように固定された検出器１３とを備えて
おり、いわゆる波長分散型蛍光Ｘ線分析装置である。試
料台６は、第１実施形態で説明したのと同様のＸＹステ
ージ（平行移動手段）９の上部９ａに固定されており、
ＸＹステージ９の調整により、試料表面２ａの任意の位
置に１次Ｘ線Ｂ１を照射させるよう試料台６を移動させ
ることができる。また、上記分光器１２は、試料２で回
折された上記特定波長の回折Ｘ線Ｂ８が入射しないよう
な、理論計算により求められた最適の位置に固定されて
いる。
にしたがって説明する。図４に示すように、この装置
は、結晶構造を有する試料２が固定される試料台６と、
試料２に連続Ｘ線である１次Ｘ線Ｂ１を照射するＸ線源
１１と、試料２から発生する蛍光Ｘ線Ｂ５が入射され、
測定すべき特定波長の蛍光Ｘ線Ｂ７を分光する固定され
た分光器１２と、その分光された特定波長の蛍光Ｘ線Ｂ
７が入射されるように固定された検出器１３とを備えて
おり、いわゆる波長分散型蛍光Ｘ線分析装置である。試
料台６は、第１実施形態で説明したのと同様のＸＹステ
ージ（平行移動手段）９の上部９ａに固定されており、
ＸＹステージ９の調整により、試料表面２ａの任意の位
置に１次Ｘ線Ｂ１を照射させるよう試料台６を移動させ
ることができる。また、上記分光器１２は、試料２で回
折された上記特定波長の回折Ｘ線Ｂ８が入射しないよう
な、理論計算により求められた最適の位置に固定されて
いる。
【００２７】さて、前述したように、分光器１２と比較
的エネルギー分解能の低い検出器１３を用いて測定すべ
きＸ線Ｂ７を分光するいわゆる波長分散型の蛍光Ｘ線分
析においては、結晶構造を有する試料２に連続Ｘ線であ
る１次Ｘ線Ｂ１を照射し、１次Ｘ線Ｂ１に含まれる分光
分析すべき蛍光Ｘ線と同一波長のＸ線Ｂ８が、試料２で
回折されさらに分光器１２でも回折されて検出器１３に
入射すると、その回折Ｘ線Ｂ８は同じ波長（エネルギ
ー）の蛍光Ｘ線Ｂ７と区別がつかない（ノイズとなる）
ので、正確な分析ができなくなってしまう。
的エネルギー分解能の低い検出器１３を用いて測定すべ
きＸ線Ｂ７を分光するいわゆる波長分散型の蛍光Ｘ線分
析においては、結晶構造を有する試料２に連続Ｘ線であ
る１次Ｘ線Ｂ１を照射し、１次Ｘ線Ｂ１に含まれる分光
分析すべき蛍光Ｘ線と同一波長のＸ線Ｂ８が、試料２で
回折されさらに分光器１２でも回折されて検出器１３に
入射すると、その回折Ｘ線Ｂ８は同じ波長（エネルギ
ー）の蛍光Ｘ線Ｂ７と区別がつかない（ノイズとなる）
ので、正確な分析ができなくなってしまう。
【００２８】これに対し、この第２実施形態の装置で
は、試料２で回折された上記特定波長の回折Ｘ線Ｂ８が
入射しないような最適の位置に分光器１２が固定されて
いる。この分光器１２の最適の位置は、以下のように、
時間と労力を要する実験によらずとも、第１実施形態で
説明したのと同様の原理に基づいて理論計算により短時
間に容易に求められる。
は、試料２で回折された上記特定波長の回折Ｘ線Ｂ８が
入射しないような最適の位置に分光器１２が固定されて
いる。この分光器１２の最適の位置は、以下のように、
時間と労力を要する実験によらずとも、第１実施形態で
説明したのと同様の原理に基づいて理論計算により短時
間に容易に求められる。
【００２９】まず、この装置が適用される試料２の結晶
構造が、数種類に限定されていることが前提である。例
えば、試料２は、（００１）面または（１１１）面を表
面とするシリコンウエハ、すなわち２種類とする。さら
に、試料２は、上記オリフラを基準面として回転角度０
°になるように、試料台６に固定されるものとする。か
かる限定により、試料２へ照射される１次Ｘ線Ｂ１が連
続Ｘ線であっても、回折Ｘ線の発生状況（空間分布）も
２種類に限定される。
構造が、数種類に限定されていることが前提である。例
えば、試料２は、（００１）面または（１１１）面を表
面とするシリコンウエハ、すなわち２種類とする。さら
に、試料２は、上記オリフラを基準面として回転角度０
°になるように、試料台６に固定されるものとする。か
かる限定により、試料２へ照射される１次Ｘ線Ｂ１が連
続Ｘ線であっても、回折Ｘ線の発生状況（空間分布）も
２種類に限定される。
【００３０】ここで、１次Ｘ線Ｂ１が連続Ｘ線であるの
で、試料２で回折されて発生する回折Ｘ線も種々の波長
（エネルギー）であり得るが、当該検出器１３で測定す
べき波長以外のものは、分光器１２で回折されず吸収さ
れるので、考慮する必要がなく、測定すべき特定波長の
ものＢ８だけを考慮すればよい。したがって、第１実施
形態で説明した原理において、入射角γを微小なものに
限らず、試料２が回転角度０°に固定されているものと
し、逆に検出器３を分光器１２に置き換えて移動させて
考えれば、試料２で回折された特定波長の回折Ｘ線Ｂ８
が入射しないような最適の位置を、理論計算により求め
ることができる。
で、試料２で回折されて発生する回折Ｘ線も種々の波長
（エネルギー）であり得るが、当該検出器１３で測定す
べき波長以外のものは、分光器１２で回折されず吸収さ
れるので、考慮する必要がなく、測定すべき特定波長の
ものＢ８だけを考慮すればよい。したがって、第１実施
形態で説明した原理において、入射角γを微小なものに
限らず、試料２が回転角度０°に固定されているものと
し、逆に検出器３を分光器１２に置き換えて移動させて
考えれば、試料２で回折された特定波長の回折Ｘ線Ｂ８
が入射しないような最適の位置を、理論計算により求め
ることができる。
【００３１】第２実施形態の装置によれば、短時間に容
易に理論計算により求められた、試料２で回折された特
定波長の回折Ｘ線Ｂ８が入射しないような最適の位置に
分光器１２が固定されているので、上記特定波長の回折
Ｘ線Ｂ８が分光器１２で回折されて検出器１３に入射す
ることがなく、正確な分析ができる。また、第１実施形
態の方法に用いる装置と同様にＸＹステージ（平行移動
手段）９を備えているので、その作用効果を、試料表面
２ａの任意の位置で得ることができる。
易に理論計算により求められた、試料２で回折された特
定波長の回折Ｘ線Ｂ８が入射しないような最適の位置に
分光器１２が固定されているので、上記特定波長の回折
Ｘ線Ｂ８が分光器１２で回折されて検出器１３に入射す
ることがなく、正確な分析ができる。また、第１実施形
態の方法に用いる装置と同様にＸＹステージ（平行移動
手段）９を備えているので、その作用効果を、試料表面
２ａの任意の位置で得ることができる。
【００３２】これに対し、従来は、試料の位置分布分析
のためにいわゆるｒθステージを備えることが多く、１
次Ｘ線の入射方向に対して試料の結晶構造の方位が定ま
らないので、分光器について、試料で回折された特定波
長の回折Ｘ線が入射しないような位置、あるいは入射し
てもその強度が許容範囲内となるような位置を求めるこ
とは、事実上不可能であった。
のためにいわゆるｒθステージを備えることが多く、１
次Ｘ線の入射方向に対して試料の結晶構造の方位が定ま
らないので、分光器について、試料で回折された特定波
長の回折Ｘ線が入射しないような位置、あるいは入射し
てもその強度が許容範囲内となるような位置を求めるこ
とは、事実上不可能であった。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
結晶構造を有する試料の蛍光Ｘ線分析において、検出器
に入射する特定波長の回折Ｘ線の強度を容易に最小限に
抑えて、正確な分析ができる。
結晶構造を有する試料の蛍光Ｘ線分析において、検出器
に入射する特定波長の回折Ｘ線の強度を容易に最小限に
抑えて、正確な分析ができる。
【図１】本発明の第１実施形態の蛍光Ｘ線分析方法に用
いる装置を示す概略構成図である。
いる装置を示す概略構成図である。
【図２】試料の回転角度と検出器に入射する回折Ｘ線の
強度の総和との関係の一例を示す図である。
強度の総和との関係の一例を示す図である。
【図３】同関係の別の例を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態の蛍光Ｘ線分析装置を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図５】従来の全反射蛍光Ｘ線分析装置の一例を示す概
略構成図である。
略構成図である。
２…結晶構造を有する試料、２ａ…試料表面、３，１３
…検出器、６…試料台、７，１１…Ｘ線源、８…回転手
段（回転ステージ）、９…平行移動手段（ＸＹステー
ジ）、１０…制御手段、１２…分光器、Ｂ１…連続Ｘ線
である１次Ｘ線、Ｂ２…単色化された１次Ｘ線、Ｂ５…
試料から発生する蛍光Ｘ線、Ｂ６，Ｂ８…回折Ｘ線。
…検出器、６…試料台、７，１１…Ｘ線源、８…回転手
段（回転ステージ）、９…平行移動手段（ＸＹステー
ジ）、１０…制御手段、１２…分光器、Ｂ１…連続Ｘ線
である１次Ｘ線、Ｂ２…単色化された１次Ｘ線、Ｂ５…
試料から発生する蛍光Ｘ線、Ｂ６，Ｂ８…回折Ｘ線。
Claims (3)
- 【請求項１】 結晶構造を有する試料に単色化された１
次Ｘ線を照射し、 試料から発生する蛍光Ｘ線を高エネルギー分解能の検出
器に入射させ、 その出力に基づいて試料の分析を行うエネルギー分散型
蛍光Ｘ線分析方法において、 理論計算により、試料の回転角度と、その回転角度にお
いて試料で回折されて検出器に入射する回折Ｘ線の強度
の総和との関係、およびその強度の総和が所定値以下と
なるような最適の回転角度範囲を求め、 その最適の回転角度範囲内に試料を設定して分析を行う
ことを特徴とする蛍光Ｘ線分析方法。 - 【請求項２】 結晶構造を有する試料が固定される試料
台と、 試料に単色化された１次Ｘ線を照射するＸ線源と、 試料から発生する蛍光Ｘ線が入射される高エネルギー分
解能の検出器とを備えたエネルギー分散型蛍光Ｘ線分析
装置において、 試料表面の任意の位置に１次Ｘ線を照射させるように試
料台を移動させる平行移動手段と、 試料表面に垂直な軸を中心に試料台を回転させる回転手
段と、 試料で回折されて検出器に入射する回折Ｘ線の強度の総
和が所定値以下となるような、理論計算により求められ
た最適の試料の回転角度範囲内に、試料が設定されるよ
うに回転手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴
とする蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項３】 結晶構造を有する試料が固定される試料
台と、 試料に連続Ｘ線である１次Ｘ線を照射するＸ線源と、 試料から発生する蛍光Ｘ線が入射され、測定すべき特定
波長の蛍光Ｘ線を分光する固定された分光器と、 その分光された特定波長の蛍光Ｘ線が入射される検出器
とを備えた波長分散型蛍光Ｘ線分析装置において、 試料表面の任意の位置に１次Ｘ線を照射させるように試
料台を移動させる平行移動手段を備え、 上記分光器が、試料で回折された上記特定波長の回折Ｘ
線が入射しないような、理論計算により求められた最適
の位置に固定されていることを特徴とする蛍光Ｘ線分析
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9089047A JP2978450B2 (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9089047A JP2978450B2 (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10282022A true JPH10282022A (ja) | 1998-10-23 |
| JP2978450B2 JP2978450B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=13959983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9089047A Expired - Fee Related JP2978450B2 (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978450B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012002030A1 (ja) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置および方法 |
| WO2012029358A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 株式会社リガク | Ｘ線分析装置および方法 |
| US8243880B2 (en) | 2009-12-07 | 2012-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate measuring method and apparatus |
| WO2013073238A1 (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 株式会社リガク | Ｘ線分析装置および方法 |
| WO2020008727A1 (ja) * | 2018-07-04 | 2020-01-09 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置 |
-
1997
- 1997-04-08 JP JP9089047A patent/JP2978450B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8243880B2 (en) | 2009-12-07 | 2012-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate measuring method and apparatus |
| KR101277379B1 (ko) * | 2010-07-02 | 2013-06-20 | 가부시키가이샤 리가쿠 | 형광 x선 분석 장치 및 방법 |
| JP2012013606A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Rigaku Corp | 蛍光ｘ線分析装置および方法 |
| CN102959387A (zh) * | 2010-07-02 | 2013-03-06 | 株式会社理学 | 荧光x射线分析装置及方法 |
| EP2589956A1 (en) * | 2010-07-02 | 2013-05-08 | Rigaku Corporation | Fluorescent x-ray analysis device and method |
| WO2012002030A1 (ja) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置および方法 |
| US8644450B2 (en) | 2010-07-02 | 2014-02-04 | Rigaku Corporation | X-ray fluorescence spectrometer and X-ray fluorescence analyzing method |
| EP2589956A4 (en) * | 2010-07-02 | 2014-04-02 | Rigaku Denki Co Ltd | DEVICE AND METHOD FOR FLUORESCENT X-RAY EXAMINATION |
| WO2012029358A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 株式会社リガク | Ｘ線分析装置および方法 |
| JP2012052840A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Rigaku Corp | Ｘ線分析装置および方法 |
| WO2013073238A1 (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 株式会社リガク | Ｘ線分析装置および方法 |
| JP2013104762A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Rigaku Corp | Ｘ線分析装置および方法 |
| US9146204B2 (en) | 2011-11-14 | 2015-09-29 | Rigaku Corporation | X-ray analyzing apparatus and method |
| WO2020008727A1 (ja) * | 2018-07-04 | 2020-01-09 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2978450B2 (ja) | 1999-11-15 |
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