JPH11304728A - Ｘ線計測装置 - Google Patents
Ｘ線計測装置Info
- Publication number
- JPH11304728A JPH11304728A JP10113027A JP11302798A JPH11304728A JP H11304728 A JPH11304728 A JP H11304728A JP 10113027 A JP10113027 A JP 10113027A JP 11302798 A JP11302798 A JP 11302798A JP H11304728 A JPH11304728 A JP H11304728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis
- drive
- sample
- ray
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】２波長以上のＸ線を用いた反射率測定と対称，
非対称，面内の回折線測定から、積層体構造評価の高度
な計測が可能なＸ線計測装置を提供する。 【解決手段】２種以上の元素からなるＸ線ターゲットを
用いたＸ線源、特定の特性Ｘ線のみを２回の反射で取り
出す分光素子を各特性Ｘ線毎に具備したＸ線計測装置。
非対称，面内の回折線測定から、積層体構造評価の高度
な計測が可能なＸ線計測装置を提供する。 【解決手段】２種以上の元素からなるＸ線ターゲットを
用いたＸ線源、特定の特性Ｘ線のみを２回の反射で取り
出す分光素子を各特性Ｘ線毎に具備したＸ線計測装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に２層以上
形成された薄膜積層体において、そのＸ線反射率及び回
折線を測定し、その解析結果から、積層体の膜厚や密度
及び結晶構造等が非破壊的にかつ高精度で解析できる計
測装置に関する。半導体集積回路・デバイス，磁気ファ
イル分野では、半導体層，絶縁層や金属層を積層しパタ
ーン形成により素子を作成している。素子の高機能・高
性能化を目指して形成される膜は極薄膜化と共に積層さ
れる膜数も増加している。このような積層体の膜厚，密
度及び結晶構造は素子の特性に大きく影響するため、成
膜制御性の高度化と共に精度の高い積層体の構造評価が
必要となっている。
形成された薄膜積層体において、そのＸ線反射率及び回
折線を測定し、その解析結果から、積層体の膜厚や密度
及び結晶構造等が非破壊的にかつ高精度で解析できる計
測装置に関する。半導体集積回路・デバイス，磁気ファ
イル分野では、半導体層，絶縁層や金属層を積層しパタ
ーン形成により素子を作成している。素子の高機能・高
性能化を目指して形成される膜は極薄膜化と共に積層さ
れる膜数も増加している。このような積層体の膜厚，密
度及び結晶構造は素子の特性に大きく影響するため、成
膜制御性の高度化と共に精度の高い積層体の構造評価が
必要となっている。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線反射率法は非破壊で積層体の層構造
解析ができる有効な手法である。従来の反射率測定装置
を図８に各々示す。Ｘ線源１からのＸ線を分光器３によ
り分光した後、試料６に斜入射角θで入射させ、試料か
らの反射Ｘ線を検出器１０で検出する。制御部１１によ
り試料及び検出器を回転させるθ／２θ走査から反射率
を測定する。スリット２，４は入射Ｘ線をスリット７，
９は反射Ｘ線を各々制限するものである。また、ソーラ
スリット８は反射Ｘ線の平行性を高めるのに使用する。
測定した反射率と積層モデルから計算される反射率との
最小二乗法により、各層の複素屈折率（密度に比例），
膜厚，界面幅が得られる。また、従来のＸ線回折装置も
図８と同様である。反射率測定のθの操作範囲は〜数
度、回折線測定のそれは〜数十度である。
解析ができる有効な手法である。従来の反射率測定装置
を図８に各々示す。Ｘ線源１からのＸ線を分光器３によ
り分光した後、試料６に斜入射角θで入射させ、試料か
らの反射Ｘ線を検出器１０で検出する。制御部１１によ
り試料及び検出器を回転させるθ／２θ走査から反射率
を測定する。スリット２，４は入射Ｘ線をスリット７，
９は反射Ｘ線を各々制限するものである。また、ソーラ
スリット８は反射Ｘ線の平行性を高めるのに使用する。
測定した反射率と積層モデルから計算される反射率との
最小二乗法により、各層の複素屈折率（密度に比例），
膜厚，界面幅が得られる。また、従来のＸ線回折装置も
図８と同様である。反射率測定のθの操作範囲は〜数
度、回折線測定のそれは〜数十度である。
【０００３】基板面に平行な格子面による対称反射の回
折線を制御部１１により試料及び検出器を回転させるθ
／２θ走査から測定する。得られた回折線のプロファイ
ルから着目する格子面の面間隔が算出できる。また、Ｘ
線に対し試料を傾けた状態での非対称反射の回折線及び
基板面にほぼ平行に出射される面内回折線の測定から、
各々基板面に対し傾いた格子面及び垂直な格子面の面間
隔が算出できる。
折線を制御部１１により試料及び検出器を回転させるθ
／２θ走査から測定する。得られた回折線のプロファイ
ルから着目する格子面の面間隔が算出できる。また、Ｘ
線に対し試料を傾けた状態での非対称反射の回折線及び
基板面にほぼ平行に出射される面内回折線の測定から、
各々基板面に対し傾いた格子面及び垂直な格子面の面間
隔が算出できる。
【０００４】従来の反射率及び回折装置では、１種類の
特性Ｘ線の波長が測定に用いられていた。また、従来装
置では、試料駆動に６軸、検出器駆動に１軸の駆動台が
用いられていた。
特性Ｘ線の波長が測定に用いられていた。また、従来装
置では、試料駆動に６軸、検出器駆動に１軸の駆動台が
用いられていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線反射率法は、積層
体表面及び各界面で反射したＸ線の干渉により生じる反
射率プロファイル中の振動構造を解析する手法である。
隣接した膜間の屈折率差（密度差）が小さい場合には界
面での反射Ｘ線強度が小さくなり、各膜毎の解析精度の
低下や、薄膜の物質構成によっては解析が不可能になる
という問題があった。この問題克服のため積層体構成物
質によるＸ線の屈折率異常分散効果を利用して、特定波
長のＸ線を用いた反射率法が、宇佐美他（日本応用磁気
学会誌，Vol２１，４４１−４４４頁，１９９７年)によ
り報告されているが、積層される膜数の増大（５層以
上）や極薄膜化（数ｎｍ以下）に伴い解析精度が低下す
るという問題は避けられない。
体表面及び各界面で反射したＸ線の干渉により生じる反
射率プロファイル中の振動構造を解析する手法である。
隣接した膜間の屈折率差（密度差）が小さい場合には界
面での反射Ｘ線強度が小さくなり、各膜毎の解析精度の
低下や、薄膜の物質構成によっては解析が不可能になる
という問題があった。この問題克服のため積層体構成物
質によるＸ線の屈折率異常分散効果を利用して、特定波
長のＸ線を用いた反射率法が、宇佐美他（日本応用磁気
学会誌，Vol２１，４４１−４４４頁，１９９７年)によ
り報告されているが、積層される膜数の増大（５層以
上）や極薄膜化（数ｎｍ以下）に伴い解析精度が低下す
るという問題は避けられない。
【０００６】そこで、本発明の目的は、２波長以上のＸ
線を用いることにより、従来法に比べより精度の高い積
層構造評価が可能な計測装置を提供することに有る。ま
た、積層体の評価には、反射率から得られる密度，膜厚
の他に回折線測定から得られる結晶構造も重要である。
このため、対称，非対称，面内の回折線が１つの装置で
測定できる計測装置が望まれていた。
線を用いることにより、従来法に比べより精度の高い積
層構造評価が可能な計測装置を提供することに有る。ま
た、積層体の評価には、反射率から得られる密度，膜厚
の他に回折線測定から得られる結晶構造も重要である。
このため、対称，非対称，面内の回折線が１つの装置で
測定できる計測装置が望まれていた。
【０００７】そこで、本発明の他の目的は、２波長以上
のＸ線を用いた反射率測定及び対称，非対称，面内の回
折線が測定できるＸ線計測装置を提供することに有る。
のＸ線を用いた反射率測定及び対称，非対称，面内の回
折線が測定できるＸ線計測装置を提供することに有る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明によるＸ線計測装置の特徴は、Ｘ線源に少なくとも２
種以上の元素からなるＸ線ターゲットを用いることにあ
り、またターゲットから発生する２種以上の特性Ｘ線の
強度分布が重なるように若しくは重ならないように、２
種以上の元素をターゲット上に異なる位置に分離して形
成することにある。
明によるＸ線計測装置の特徴は、Ｘ線源に少なくとも２
種以上の元素からなるＸ線ターゲットを用いることにあ
り、またターゲットから発生する２種以上の特性Ｘ線の
強度分布が重なるように若しくは重ならないように、２
種以上の元素をターゲット上に異なる位置に分離して形
成することにある。
【０００９】また、本発明によるＸ線計測装置の特徴
は、測定に使用する２種以上の特性Ｘ線を発生させるＸ
線源，分光器，試料及び検出器の駆動台，検出器及び制
御部からなり、試料駆動台に設置した試料にＸ線を照射
し、試料からの反射Ｘ線及び回折線を測定する装置にお
いて、特定の特性Ｘ線のみを２回の反射で取り出す分光
素子を各特性Ｘ線毎に備え、各分光素子毎に回転及び並
進させる駆動部を備えた点にある。
は、測定に使用する２種以上の特性Ｘ線を発生させるＸ
線源，分光器，試料及び検出器の駆動台，検出器及び制
御部からなり、試料駆動台に設置した試料にＸ線を照射
し、試料からの反射Ｘ線及び回折線を測定する装置にお
いて、特定の特性Ｘ線のみを２回の反射で取り出す分光
素子を各特性Ｘ線毎に備え、各分光素子毎に回転及び並
進させる駆動部を備えた点にある。
【００１０】更に、本発明によるＸ線計測装置の特徴
は、特性Ｘ線を分光するときの多層膜分光素子へのＸ線
の入射角をブラッグ角とし、特性Ｘ線でのブラッグ角が
同じとなるような膜構成の多層膜を各特性Ｘ線毎に備
え、これら多層膜を異なる場所に形成した１つの多層膜
分光素子を備えた点にある。
は、特性Ｘ線を分光するときの多層膜分光素子へのＸ線
の入射角をブラッグ角とし、特性Ｘ線でのブラッグ角が
同じとなるような膜構成の多層膜を各特性Ｘ線毎に備
え、これら多層膜を異なる場所に形成した１つの多層膜
分光素子を備えた点にある。
【００１１】一方、本発明によるＸ線計測装置の特徴
は、Ｘ線の出射方向をｘ軸、鉛直方向をｚ軸，ｘ軸，ｚ
軸に垂直な軸をｙ軸、出射Ｘ線をｙ軸に広がった線上の
Ｘ線とし、試料駆動台がｚ軸に平行なω軸の回転駆動、
ω駆動上にω軸に垂直なθｙ軸のあおり駆動、θｙ駆動
上にω軸とθｙ軸に垂直なθｘ軸のあおり駆動、θｘ駆
動上にθｘ軸とθｙ軸に垂直なＺ軸の並進駆動、並進Ｚ
駆動上に並進Ｚ軸と平行なφ軸の回転駆動、φ駆動上に
φ軸と垂直なＹ軸の並進駆動、並進Ｙ駆動上にφ軸と並
進Ｙ軸に垂直なＸ軸の並進駆動からなる構成で、また検
出器駆動台がｚ軸に平行な２θ軸の回転駆動の構成から
なることにある。
は、Ｘ線の出射方向をｘ軸、鉛直方向をｚ軸，ｘ軸，ｚ
軸に垂直な軸をｙ軸、出射Ｘ線をｙ軸に広がった線上の
Ｘ線とし、試料駆動台がｚ軸に平行なω軸の回転駆動、
ω駆動上にω軸に垂直なθｙ軸のあおり駆動、θｙ駆動
上にω軸とθｙ軸に垂直なθｘ軸のあおり駆動、θｘ駆
動上にθｘ軸とθｙ軸に垂直なＺ軸の並進駆動、並進Ｚ
駆動上に並進Ｚ軸と平行なφ軸の回転駆動、φ駆動上に
φ軸と垂直なＹ軸の並進駆動、並進Ｙ駆動上にφ軸と並
進Ｙ軸に垂直なＸ軸の並進駆動からなる構成で、また検
出器駆動台がｚ軸に平行な２θ軸の回転駆動の構成から
なることにある。
【００１２】また、本発明によるＸ線計測装置の特徴
は、Ｘ線の出射方向をｘ軸、鉛直方向をｚ軸，ｘ軸，ｚ
軸に垂直な軸をｙ軸、出射Ｘ線をｚ軸に広がった線上の
Ｘ線とし、試料駆動台がｚ軸に平行なω軸の回転駆動、
ω駆動上にω軸に垂直なχ軸の回転駆動、χ駆動上にχ
軸に垂直なＺ軸の並進駆動、並進Ｚ駆動上に並進Ｚ軸と
平行なφ軸の回転駆動、φ駆動上にφ軸と垂直なＹ軸の
並進駆動、並進Ｙ駆動上にφ軸と並進Ｙ軸に垂直なＸ軸
の並進駆動からなる構成で、また検出器駆動台がＺ軸に
平行な２θ軸の回転駆動の構成からなることにある。
は、Ｘ線の出射方向をｘ軸、鉛直方向をｚ軸，ｘ軸，ｚ
軸に垂直な軸をｙ軸、出射Ｘ線をｚ軸に広がった線上の
Ｘ線とし、試料駆動台がｚ軸に平行なω軸の回転駆動、
ω駆動上にω軸に垂直なχ軸の回転駆動、χ駆動上にχ
軸に垂直なＺ軸の並進駆動、並進Ｚ駆動上に並進Ｚ軸と
平行なφ軸の回転駆動、φ駆動上にφ軸と垂直なＹ軸の
並進駆動、並進Ｙ駆動上にφ軸と並進Ｙ軸に垂直なＸ軸
の並進駆動からなる構成で、また検出器駆動台がＺ軸に
平行な２θ軸の回転駆動の構成からなることにある。
【００１３】更に、本発明によるＸ線計測装置の特徴
は、前述の装置において、検出器駆動台がｚ軸に平行な
２θ軸の回転駆動、２θ駆動上に２θ軸に垂直な２φ軸
の回転駆動を備えたことにある。
は、前述の装置において、検出器駆動台がｚ軸に平行な
２θ軸の回転駆動、２θ駆動上に２θ軸に垂直な２φ軸
の回転駆動を備えたことにある。
【００１４】最後に、本発明によるＸ線計測装置の特徴
は、Ｘ線源，分光器，試料及び検出器の駆動台，検出器
及び制御部からなり、試料駆動台に設置した試料にＸ線
を照射し、試料からの反射Ｘ線及び回折線を測定する装
置において、検出器に入射するＸ線の方向をｘ′軸と
し、試料と検出器の間に２つのソーラスリットを設け、
いずれかのソーラスリットの駆動部にｘ′軸に垂直な回
転駆動及びｘ′軸に垂直な並進駆動を備えた点にある。
は、Ｘ線源，分光器，試料及び検出器の駆動台，検出器
及び制御部からなり、試料駆動台に設置した試料にＸ線
を照射し、試料からの反射Ｘ線及び回折線を測定する装
置において、検出器に入射するＸ線の方向をｘ′軸と
し、試料と検出器の間に２つのソーラスリットを設け、
いずれかのソーラスリットの駆動部にｘ′軸に垂直な回
転駆動及びｘ′軸に垂直な並進駆動を備えた点にある。
【００１５】
【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明の実
施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１
は本発明による一実施例のＸ線計測装置を示す図であ
る。Ｘ線源１からの２種以上の波長を有するＸ線をスリ
ット２及び４で成型すると共に分光素子３で分光した
後、試料６に入射させる。試料からの反射Ｘ線をスリッ
ト７，９及びソーラスリット８で成型及び平行化した
後、検出器１０で計測する。Ｘ線源，分光器，試料駆動
部，検出器駆動部，検出器からの出力などは、測定／解
析部１２から制御部１１を経てコントロールできる。ま
た、計測及び解析結果は出力部１３に出力する構成とな
っている。
施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１
は本発明による一実施例のＸ線計測装置を示す図であ
る。Ｘ線源１からの２種以上の波長を有するＸ線をスリ
ット２及び４で成型すると共に分光素子３で分光した
後、試料６に入射させる。試料からの反射Ｘ線をスリッ
ト７，９及びソーラスリット８で成型及び平行化した
後、検出器１０で計測する。Ｘ線源，分光器，試料駆動
部，検出器駆動部，検出器からの出力などは、測定／解
析部１２から制御部１１を経てコントロールできる。ま
た、計測及び解析結果は出力部１３に出力する構成とな
っている。
【００１６】次に、個々の機能について説明する。Ｘ線
ターゲット１ａには、フィラメント１ｂからの電子線が
照射される回転部にＣｏとＣｕの純金属を用いた回転対
陰極を用いた。回転部は、円周方向にＣｏとＣｕをベル
ト上に交互に蒸着した構造からなっている（図２参
照）。Ｘ線源の動作条件は管電圧４５ｋＶ，管電流２０
０ｍＡとした。このＸ線源からは、Ｃｏ−Ｋα，ｋβ及
びＣｕ−Ｋα，ｋβの特性Ｘ線がｚ方向に線上に広がっ
て出射され、各波長のＸ線強度分布はｚ軸に対して重な
っている。分光器３は、Ｇｅ（１１１）のチャンネルカ
ット型の２つの分光素子３ａ，３ｂからなる。素子３ａ
をＣｏ−ｋβ線を分光する角度に、素子３ｂをＣｕ−ｋ
β線を分光する角度に各々設定した。またチャンネルカ
ット型分光素子に入射及び出射するＸ線は平行であるた
め、スリット２を通過したＸ線が、分光後スリット４を
通過するように各分光素子の並進ｙ軸の位置を設定し
た。即ち、分光素子３ａをｙ軸設定値とした場合、分光
素子３ｂを光路上から退避させる。
ターゲット１ａには、フィラメント１ｂからの電子線が
照射される回転部にＣｏとＣｕの純金属を用いた回転対
陰極を用いた。回転部は、円周方向にＣｏとＣｕをベル
ト上に交互に蒸着した構造からなっている（図２参
照）。Ｘ線源の動作条件は管電圧４５ｋＶ，管電流２０
０ｍＡとした。このＸ線源からは、Ｃｏ−Ｋα，ｋβ及
びＣｕ−Ｋα，ｋβの特性Ｘ線がｚ方向に線上に広がっ
て出射され、各波長のＸ線強度分布はｚ軸に対して重な
っている。分光器３は、Ｇｅ（１１１）のチャンネルカ
ット型の２つの分光素子３ａ，３ｂからなる。素子３ａ
をＣｏ−ｋβ線を分光する角度に、素子３ｂをＣｕ−ｋ
β線を分光する角度に各々設定した。またチャンネルカ
ット型分光素子に入射及び出射するＸ線は平行であるた
め、スリット２を通過したＸ線が、分光後スリット４を
通過するように各分光素子の並進ｙ軸の位置を設定し
た。即ち、分光素子３ａをｙ軸設定値とした場合、分光
素子３ｂを光路上から退避させる。
【００１７】一方、分光素子３ｂをｙ軸設定値とした場
合は、逆に分光素子３ａを光路上から退避させる。この
操作により、分光Ｘ線の試料への入射角度及び入射位置
は、各波長で一致させることができる。試料駆動台５及
び検出器駆動台は各々６軸及び２軸からなり、図４に示
す構成からなっている。即ち、試料駆動台は、ｚ軸に平
行なω軸の回転駆動、ω駆動上にω軸に垂直なχ軸の回
転駆動、χ駆動上にχ軸に垂直なＺ軸の並進駆動、並進
Ｚ駆動上に並進Ｚ軸と平行なφ軸の回転駆動、φ駆動上
にφ軸と垂直なＹ軸の並進駆動、並進Ｙ駆動上にφ軸と
並進Ｙ軸に垂直なＸ軸の並進駆動から構成されている。
また、検出器駆動台は、ｚ軸に平行な２θ軸の回転駆
動、２θ駆動上に２θ軸に垂直な２φ軸の回転駆動から
構成されている。
合は、逆に分光素子３ａを光路上から退避させる。この
操作により、分光Ｘ線の試料への入射角度及び入射位置
は、各波長で一致させることができる。試料駆動台５及
び検出器駆動台は各々６軸及び２軸からなり、図４に示
す構成からなっている。即ち、試料駆動台は、ｚ軸に平
行なω軸の回転駆動、ω駆動上にω軸に垂直なχ軸の回
転駆動、χ駆動上にχ軸に垂直なＺ軸の並進駆動、並進
Ｚ駆動上に並進Ｚ軸と平行なφ軸の回転駆動、φ駆動上
にφ軸と垂直なＹ軸の並進駆動、並進Ｙ駆動上にφ軸と
並進Ｙ軸に垂直なＸ軸の並進駆動から構成されている。
また、検出器駆動台は、ｚ軸に平行な２θ軸の回転駆
動、２θ駆動上に２θ軸に垂直な２φ軸の回転駆動から
構成されている。
【００１８】ソーラースリット８は２つのソーラースリ
ット８ａ，８ｂからなっている。図６にソーラースリッ
ト及びその駆動部を示す。ソーラースリットに組み込ま
れているブレードはｘ′−ｙ′面内にあり、試料からの
反射Ｘ線の角度広がりを制限している。各ソーラースリ
ットのブレードが平行になるようにｙ′軸に平行なあお
り駆動８ｃでソーラースリット８ａを調整した。更に、
ソーラースリット８ａ及び８ｂを通過するＸ線の強度が
最大となるようにｚ′軸に平行な並進駆動８ｄでソーラ
ースリット８ｂを調整した。検出器１０には、Ｘ線測定
領域が径２インチのシンチレーションカウンタを使用し
た。各駆動部は制御部１１によりコントロールすること
ができる。
ット８ａ，８ｂからなっている。図６にソーラースリッ
ト及びその駆動部を示す。ソーラースリットに組み込ま
れているブレードはｘ′−ｙ′面内にあり、試料からの
反射Ｘ線の角度広がりを制限している。各ソーラースリ
ットのブレードが平行になるようにｙ′軸に平行なあお
り駆動８ｃでソーラースリット８ａを調整した。更に、
ソーラースリット８ａ及び８ｂを通過するＸ線の強度が
最大となるようにｚ′軸に平行な並進駆動８ｄでソーラ
ースリット８ｂを調整した。検出器１０には、Ｘ線測定
領域が径２インチのシンチレーションカウンタを使用し
た。各駆動部は制御部１１によりコントロールすること
ができる。
【００１９】次に２波長（Ｃｏ−ｋβ線，Ｃｕ−ｋβ
線）の反射率測定手順を説明する。スリット２，４には
幅（ｙ軸）０.０５mm ，高さ（ｚ軸）１０mmを用いた。
また、スリット７，９には幅（ｙ′軸）０.１mm ，高さ
（ｚ′軸）１０mmを用いた。最初に試料を光軸から退避
させ、各波長のＸ線が取り出せるように各分光素子を調
整すると共に、各ソーラースリットを調整する。次に、
試料を光軸上に戻しＸ線と平行になるように試料をアラ
イメントした後、試料を設定角度（θ）に回転させると
共に、検出器を所定の角度（２θ）に回転させる。測定
は、試料のステップ角度０.０１゜ でω−２θ走査によ
り反射Ｘ線強度を計測する。その際、各ステップ角度
で、各分光素子を交互に並進駆動してＣｏ−ｋβ及びＣ
ｕ−ｋβ波長での反射強度を検出する。試料の走査角度
範囲は０.１５゜〜３.０゜とした。
線）の反射率測定手順を説明する。スリット２，４には
幅（ｙ軸）０.０５mm ，高さ（ｚ軸）１０mmを用いた。
また、スリット７，９には幅（ｙ′軸）０.１mm ，高さ
（ｚ′軸）１０mmを用いた。最初に試料を光軸から退避
させ、各波長のＸ線が取り出せるように各分光素子を調
整すると共に、各ソーラースリットを調整する。次に、
試料を光軸上に戻しＸ線と平行になるように試料をアラ
イメントした後、試料を設定角度（θ）に回転させると
共に、検出器を所定の角度（２θ）に回転させる。測定
は、試料のステップ角度０.０１゜ でω−２θ走査によ
り反射Ｘ線強度を計測する。その際、各ステップ角度
で、各分光素子を交互に並進駆動してＣｏ−ｋβ及びＣ
ｕ−ｋβ波長での反射強度を検出する。試料の走査角度
範囲は０.１５゜〜３.０゜とした。
【００２０】試料駆動部と検出器駆動部の駆動は制御部
によりコントロールし、検出器からの信号は制御部を経
て計測／解析部１２に順次記録した。試料は、ＣｒＭｎ
Ｐｔ（３０）／ＮｉＦｅ（５）／Ｃｏ（５）／Ｃｕ
（２）／ＮｉＦｅ（５）／Ｔａ（５）／Ｓｉ基板であ
る。（）内の数値は設計膜厚で、単位はｎｍである。試
料の反射率をＣｏ−ｋβ及びＣｕ−ｋβ波長で測定し
た。Ｃｏ−ｋβ線を用いると異常分散効果により、Ｃｏ
層の上下の界面で反射するＸ線強度が高くなる。また、
Ｃｕ−ｋβ線を用いるとＣｕ層の上下の界面で反射する
Ｘ線強度が高くなる。従って、本発明のＸ線計測装置に
より２波長で測定した反射率から、試料の各層の膜厚，
屈折率，界面幅等の層構造を高い精度で解析することが
できた。
によりコントロールし、検出器からの信号は制御部を経
て計測／解析部１２に順次記録した。試料は、ＣｒＭｎ
Ｐｔ（３０）／ＮｉＦｅ（５）／Ｃｏ（５）／Ｃｕ
（２）／ＮｉＦｅ（５）／Ｔａ（５）／Ｓｉ基板であ
る。（）内の数値は設計膜厚で、単位はｎｍである。試
料の反射率をＣｏ−ｋβ及びＣｕ−ｋβ波長で測定し
た。Ｃｏ−ｋβ線を用いると異常分散効果により、Ｃｏ
層の上下の界面で反射するＸ線強度が高くなる。また、
Ｃｕ−ｋβ線を用いるとＣｕ層の上下の界面で反射する
Ｘ線強度が高くなる。従って、本発明のＸ線計測装置に
より２波長で測定した反射率から、試料の各層の膜厚，
屈折率，界面幅等の層構造を高い精度で解析することが
できた。
【００２１】次に、前記試料のＣｒＭｎＰｔからの対称
（１１０），非対称（１０１），面内（００２，１−１
０）の回折線を測定した手順を説明する。対称及び非対
称の回折線の測定において、スリット２，４には幅（ｙ
軸）０.０５mm，高さ（ｚ軸)１０mmを用いた。また、ス
リット７，９には幅（ｙ′軸）０.１mm ，高さ（ｚ′
軸）１０mmを用いた。また、Ｃｕ−Ｋα線を取り出すよ
うに分光素子３ａを調整した。本回折測定では、１波長
のみを使用した。試料をＸ線と平行になるようにアライ
メントした後、θ〜４３゜の対称（１１０）の回折線を
ω−２θ走査により測定した。次に、試料をχ軸により
６０゜傾けた後、θ〜４３゜の非対称（１０１）の回折
線をω−２θ走査により測定した。次に、χ軸を０゜に
戻し、ω軸により、試料へのＸ線の斜入射角を０.３゜
に設定、検出器の２θ軸を２゜に設定した。更に、スリ
ット７，９は幅（ｙ′軸）０.１mm，高さ（ｚ′軸)３０
mmとした後、φ〜４３゜の面内(１−１０)の回折線をφ
−２φ走査により測定した。最後に、φ〜６２゜の面内
(００２)の回折線をφ−２φ走査により測定した。
（１１０），非対称（１０１），面内（００２，１−１
０）の回折線を測定した手順を説明する。対称及び非対
称の回折線の測定において、スリット２，４には幅（ｙ
軸）０.０５mm，高さ（ｚ軸)１０mmを用いた。また、ス
リット７，９には幅（ｙ′軸）０.１mm ，高さ（ｚ′
軸）１０mmを用いた。また、Ｃｕ−Ｋα線を取り出すよ
うに分光素子３ａを調整した。本回折測定では、１波長
のみを使用した。試料をＸ線と平行になるようにアライ
メントした後、θ〜４３゜の対称（１１０）の回折線を
ω−２θ走査により測定した。次に、試料をχ軸により
６０゜傾けた後、θ〜４３゜の非対称（１０１）の回折
線をω−２θ走査により測定した。次に、χ軸を０゜に
戻し、ω軸により、試料へのＸ線の斜入射角を０.３゜
に設定、検出器の２θ軸を２゜に設定した。更に、スリ
ット７，９は幅（ｙ′軸）０.１mm，高さ（ｚ′軸)３０
mmとした後、φ〜４３゜の面内(１−１０)の回折線をφ
−２φ走査により測定した。最後に、φ〜６２゜の面内
(００２)の回折線をφ−２φ走査により測定した。
【００２２】得られた回折線プロファイルの解析から、
(１１０),（１０１),（１−１０)，(００２)の回折角は
各々、４３.４９゜，４２.７１゜,４２.９０゜,６１.６
１゜であった。ＣｒＭｎＰｔの基本ベクトルを（１１
０),（１−１０),（００２）にとり、４本の回折角から
求めた各ベクトルの面間隔は各々２.０８１Å，2.108
Å，１.５１３Å となった。これと同体積の立方晶との
比を歪みと定義すると、（１１０),（１−１０),（００
２）の歪みは各々−１.１２％，−０.１１％，１.２５
％ となった。即ち、本試料のＣｒＭｎＰｔは、（１１
０）に縮み、（００２）に伸びていることがわかった。
(１１０),（１０１),（１−１０)，(００２)の回折角は
各々、４３.４９゜，４２.７１゜,４２.９０゜,６１.６
１゜であった。ＣｒＭｎＰｔの基本ベクトルを（１１
０),（１−１０),（００２）にとり、４本の回折角から
求めた各ベクトルの面間隔は各々２.０８１Å，2.108
Å，１.５１３Å となった。これと同体積の立方晶との
比を歪みと定義すると、（１１０),（１−１０),（００
２）の歪みは各々−１.１２％，−０.１１％，１.２５
％ となった。即ち、本試料のＣｒＭｎＰｔは、（１１
０）に縮み、（００２）に伸びていることがわかった。
【００２３】本実施例における試料駆動部の構成で、φ
軸と並進Ｚ軸を入れ換えた構成でも本実施例で示した測
定は可能である。本実施例における試料駆動部は、χ
軸，並進Ｚ，Ｙ軸，Ｘ軸を備えているため試料をＸ線に
対して平行にでき、測定精度が向上すると共に、試料の
異なる場所にＸ線を照射できるという効果がある。本実
施例では、２つのソーラースリットを並べた配置となっ
ているため、試料からのＸ線の角度広がりを従来に比べ
て小さくでき、回折角の決定精度が向上するという効果
がある。これは、面内の回折線の測定に特に有効とな
る。
軸と並進Ｚ軸を入れ換えた構成でも本実施例で示した測
定は可能である。本実施例における試料駆動部は、χ
軸，並進Ｚ，Ｙ軸，Ｘ軸を備えているため試料をＸ線に
対して平行にでき、測定精度が向上すると共に、試料の
異なる場所にＸ線を照射できるという効果がある。本実
施例では、２つのソーラースリットを並べた配置となっ
ているため、試料からのＸ線の角度広がりを従来に比べ
て小さくでき、回折角の決定精度が向上するという効果
がある。これは、面内の回折線の測定に特に有効とな
る。
【００２４】（実施形態２）次に、実施形態１の変形例
を以下に示す。Ｘ線源１，スリット２，４及び分光器３
をｘ軸を中心として９０゜回転させた光学系とする。更
に、スリット７，９及びソーラースリット８をｘ′軸を
中心として９０゜回転させた検出系とする。この時、試
料駆動台及び検出器駆動台は各々７軸及び２軸からな
り、図５に示す構成からなっている。即ち、試料駆動台
はｚ軸に平行なω軸の回転駆動、ω駆動上にω軸に垂直
なθｙ軸のあおり駆動、θｙ駆動上にω軸とθｙ軸に垂
直なθｘ軸のあおり駆動、θｘ駆動上にθｘ軸とθｙ軸
に垂直なＺ軸の並進駆動、並進Ｚ駆動上に並進Ｚ軸と平
行なφ軸の回転駆動、φ駆動上にφ軸と垂直なＹ軸の並
進駆動、並進Ｙ駆動上にφ軸と並進Ｙ軸に垂直なＸ軸の
並進駆動から構成されている。また、検出器駆動台はｚ
軸に平行な２θ軸の回転駆動、２θ駆動上に２θ軸に垂
直な２φ軸の回転駆動から構成されている。
を以下に示す。Ｘ線源１，スリット２，４及び分光器３
をｘ軸を中心として９０゜回転させた光学系とする。更
に、スリット７，９及びソーラースリット８をｘ′軸を
中心として９０゜回転させた検出系とする。この時、試
料駆動台及び検出器駆動台は各々７軸及び２軸からな
り、図５に示す構成からなっている。即ち、試料駆動台
はｚ軸に平行なω軸の回転駆動、ω駆動上にω軸に垂直
なθｙ軸のあおり駆動、θｙ駆動上にω軸とθｙ軸に垂
直なθｘ軸のあおり駆動、θｘ駆動上にθｘ軸とθｙ軸
に垂直なＺ軸の並進駆動、並進Ｚ駆動上に並進Ｚ軸と平
行なφ軸の回転駆動、φ駆動上にφ軸と垂直なＹ軸の並
進駆動、並進Ｙ駆動上にφ軸と並進Ｙ軸に垂直なＸ軸の
並進駆動から構成されている。また、検出器駆動台はｚ
軸に平行な２θ軸の回転駆動、２θ駆動上に２θ軸に垂
直な２φ軸の回転駆動から構成されている。
【００２５】本実施例によるＸ線計測装置により、実施
形態１と同様な測定が可能となる。本実施例における試
料駆動部の構成で、φ軸と並進Ｚ軸を入れ換えた構成で
も本実施例で示した測定は可能である。
形態１と同様な測定が可能となる。本実施例における試
料駆動部の構成で、φ軸と並進Ｚ軸を入れ換えた構成で
も本実施例で示した測定は可能である。
【００２６】（実施形態３）次に、第３の実施例につい
て説明する。装置の構成は図１で示した本発明の実施形
態１と同様であるが、若干異なる構成部について説明す
る。
て説明する。装置の構成は図１で示した本発明の実施形
態１と同様であるが、若干異なる構成部について説明す
る。
【００２７】Ｘ線ターゲットには、フィラメント１ｂか
らの電子線が照射される回転部１ａにＣｏとＣｕの純金
属を用いた回転対陰極を用いた。回転部は、回転軸方向
にＣｏとＣｕをベルト上に交互に蒸着した構造からなっ
ている（図３参照）。このＸ線源からは、Ｃｏ−Ｋα，
ｋβ及びＣｕ−Ｋα，ｋβの特性Ｘ線がｚ方向に線上に
広がって出射され、Ｃｏ−Ｋ線及びＣｕ−Ｋ線のＸ線強
度分布はｚ軸方向に分離している。分光器には、ＷとＣ
を交互に積層させた多層膜分光素子を用いた。
らの電子線が照射される回転部１ａにＣｏとＣｕの純金
属を用いた回転対陰極を用いた。回転部は、回転軸方向
にＣｏとＣｕをベルト上に交互に蒸着した構造からなっ
ている（図３参照）。このＸ線源からは、Ｃｏ−Ｋα，
ｋβ及びＣｕ−Ｋα，ｋβの特性Ｘ線がｚ方向に線上に
広がって出射され、Ｃｏ−Ｋ線及びＣｕ−Ｋ線のＸ線強
度分布はｚ軸方向に分離している。分光器には、ＷとＣ
を交互に積層させた多層膜分光素子を用いた。
【００２８】その詳細図を図７に示す。分光素子は、上
半分にＣｏ−ｋβ線を分光する多層膜、下半分にＣｕ−
ｋβ線を分光する多層膜から構成されており、各波長の
Ｘ線を分光するときのブラッグ角θＢが等しくなるよう
に、各多層膜のＷとＣの積層周期ｄを設定した。即ち、
Ｘ線の各波長をλ（Ｃｏ），λ（Ｃｕ）とし、各積層膜
の周期をｄ（Ｃｏ），ｄ（Ｃｕ）とし、λ（Ｃｏ）／ｄ
（Ｃｏ）＝λ（Ｃｕ）／ｄ（Ｃｕ）を満足するように周
期を決定した。この分光素子に入射及び反射する各波長
のＸ線の角度は等しいため、分光Ｘ線の試料への入射角
度及び入射位置は、各波長で一致する。
半分にＣｏ−ｋβ線を分光する多層膜、下半分にＣｕ−
ｋβ線を分光する多層膜から構成されており、各波長の
Ｘ線を分光するときのブラッグ角θＢが等しくなるよう
に、各多層膜のＷとＣの積層周期ｄを設定した。即ち、
Ｘ線の各波長をλ（Ｃｏ），λ（Ｃｕ）とし、各積層膜
の周期をｄ（Ｃｏ），ｄ（Ｃｕ）とし、λ（Ｃｏ）／ｄ
（Ｃｏ）＝λ（Ｃｕ）／ｄ（Ｃｕ）を満足するように周
期を決定した。この分光素子に入射及び反射する各波長
のＸ線の角度は等しいため、分光Ｘ線の試料への入射角
度及び入射位置は、各波長で一致する。
【００２９】本実施例における２波長の反射率測定は、
ω−２θ走査の各ステップ角度毎で、スリット４のｚ軸
の並進駆動もしくは、分光器と試料間に新たに設けたシ
ャッタにより特定の波長のＸ線のみを試料に照射し、こ
れを試料の走査角度範囲０.１５゜〜３.０゜，ステップ
角度０.０１゜ で繰り返すことで、Ｃｏ−ｋβ線とＣｕ
−ｋβ線の各波長における反射率を測定できた。本実施
例では、反射率測定において、分光素子を駆動する必要
がないので、素子の駆動に伴う分光Ｘ線強度の不安定性
が生じないという効果がある。
ω−２θ走査の各ステップ角度毎で、スリット４のｚ軸
の並進駆動もしくは、分光器と試料間に新たに設けたシ
ャッタにより特定の波長のＸ線のみを試料に照射し、こ
れを試料の走査角度範囲０.１５゜〜３.０゜，ステップ
角度０.０１゜ で繰り返すことで、Ｃｏ−ｋβ線とＣｕ
−ｋβ線の各波長における反射率を測定できた。本実施
例では、反射率測定において、分光素子を駆動する必要
がないので、素子の駆動に伴う分光Ｘ線強度の不安定性
が生じないという効果がある。
【００３０】
【発明の効果】本発明によるＸ線計測装置によれば、２
波長以上のＸ線を用いた反射率測定が可能となり、異常
分散効果がある特定波長のＸ線を選択することにより、
複数層の上下界面で反射するＸ線強度が向上し、従来に
比べ、より精度の高い積層構造評価が可能となる効果が
ある。更に、本発明による装置によれば、対称，非対
称，面内の回折線が測定できることから、積層体の結晶
構造評価も併せて可能となる。即ち、本装置により積層
体の構造評価のより高度な測定が可能になるという効果
がある。
波長以上のＸ線を用いた反射率測定が可能となり、異常
分散効果がある特定波長のＸ線を選択することにより、
複数層の上下界面で反射するＸ線強度が向上し、従来に
比べ、より精度の高い積層構造評価が可能となる効果が
ある。更に、本発明による装置によれば、対称，非対
称，面内の回折線が測定できることから、積層体の結晶
構造評価も併せて可能となる。即ち、本装置により積層
体の構造評価のより高度な測定が可能になるという効果
がある。
【図１】本発明の実施例によるＸ線計測装置を示す構成
図である。
図である。
【図２】本発明によるＸ線ターゲットを示す斜視図であ
る。
る。
【図３】本発明によるＸ線ターゲットを示す斜視図であ
る。
る。
【図４】本発明による試料駆動台及び検出器駆動台を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明による試料駆動台及び検出器駆動台を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明によるソーラースリットを示す側断面図
である。
である。
【図７】本発明による多層膜分光素子を示す側断面図で
ある。
ある。
【図８】従来技術の反射率測定及びＸ線回折測定装置を
説明する図である。
説明する図である。
１…Ｘ線源、１ａ…Ｘ線ターゲット、１ｂ…フィラメン
ト、２，４，７，９…スリット、３…分光器、３ａ，３
ｂ…分光素子、３ｃ…多層膜分光素子、５…試料駆動
台、６…試料、８，８ａ，８ｂ…ソーラースリット、８
ｃ，８ｄ…ソーラースリット駆動台、１０…検出器、１
１…制御部、１２…計測／解析部、１３…出力部。
ト、２，４，７，９…スリット、３…分光器、３ａ，３
ｂ…分光素子、３ｃ…多層膜分光素子、５…試料駆動
台、６…試料、８，８ａ，８ｂ…ソーラースリット、８
ｃ，８ｄ…ソーラースリット駆動台、１０…検出器、１
１…制御部、１２…計測／解析部、１３…出力部。
Claims (10)
- 【請求項１】Ｘ線源，分光器，試料及び検出器の駆動
台，検出器及び制御部からなり、試料駆動台に設置した
試料にＸ線を照射し、試料からの反射Ｘ線及び回折線を
測定するＸ線計測装置において、Ｘ線源に少なくとも２
種以上の元素からなるＸ線ターゲットを用いることを特
徴とするＸ線計測装置。 - 【請求項２】請求項１記載のＸ線計測装置において、タ
ーゲットから発生する２種以上の特性Ｘ線の強度分布が
重なるように、２種以上の元素をターゲット上に異なる
位置に分離して形成したことを特徴とするＸ線計測装
置。 - 【請求項３】請求項１に記載したＸ線計測装置におい
て、ターゲットから発生する２種以上の特性Ｘ線の強度
分布が重ならないように、２種以上の元素をターゲット
上に異なる位置に分離して形成したことを特徴とするＸ
線計測装置。 - 【請求項４】測定に使用する２種以上の特性Ｘ線を発生
させるＸ線源，分光器，試料及び検出器の駆動台，検出
器及び制御部からなり、試料駆動台に設置した試料にＸ
線を照射し、試料からの反射Ｘ線及び回折線を測定する
Ｘ線計測装置において、特定の特性Ｘ線のみを２回の反
射で取り出す分光素子を各特性Ｘ線毎に備え、各分光素
子毎に回転及び並進させる駆動部を備えたことを特徴と
するＸ線計測装置。 - 【請求項５】測定に使用する２種以上の特性Ｘ線を発生
させるＸ線源，軽元素と重元素を交互に積層した多層膜
分光素子からなる分光器，試料及び検出器の駆動台，検
出器及び制御部からなり、試料駆動台に設置した試料に
Ｘ線を照射し、試料からの反射Ｘ線及び回折線を測定す
るＸ線計測装置において、特性Ｘ線を分光するときの多
層膜分光素子へのＸ線の入射角をブラッグ角とし、特性
Ｘ線でのブラッグ角が同じとなるような膜構成の多層膜
を各特性Ｘ線毎に備え、これら多層膜を異なる場所に形
成した１つの多層膜分光素子を具備したことを特徴とす
るＸ線計測装置。 - 【請求項６】測定に使用する２種以上の特性Ｘ線を発生
させるＸ線源，分光器，試料及び検出器の駆動台，検出
器及び制御部からなり、試料駆動台に設置した試料にＸ
線を照射し、試料からの反射Ｘ線及び回折線を測定する
Ｘ線計測装置において、Ｘ線の出射方向をｘ軸、鉛直方
向をｚ軸，ｘ軸，ｚ軸に垂直な軸をｙ軸、出射Ｘ線をｙ
軸に広がった線上のＸ線とし、試料駆動台がｚ軸に平行
なω軸の回転駆動、ω駆動上にω軸に垂直なθｙ軸のあ
おり駆動、θｙ駆動上にω軸とθｙ軸に垂直なθｘ軸の
あおり駆動、θｘ駆動上にθｘ軸とθｙ軸に垂直なＺ軸
の並進駆動、並進Ｚ駆動上に並進Ｚ軸と平行なφ軸の回
転駆動、φ駆動上にφ軸と垂直なＹ軸の並進駆動、並進
Ｙ駆動上にφ軸と並進Ｙ軸に垂直なＸ軸の並進駆動から
なる構成或いは、並進Ｚ駆動とφ駆動とを入れ換えた構
成からなり、また検出器駆動台がｚ軸に平行な２θ軸の
回転駆動の構成からなることを特徴とするＸ線計測装
置。 - 【請求項７】測定に使用する２種以上の特性Ｘ線を発生
させるＸ線源，分光器，試料及び検出器の駆動台、検出
器及び制御部からなり、試料駆動台に設置した試料にＸ
線を照射し、試料からの反射Ｘ線及び回折線を測定する
Ｘ線計測装置において、Ｘ線の出射方向をｘ軸、鉛直方
向をｚ軸，ｘ軸，ｚ軸に垂直な軸をｙ軸、出射Ｘ線をｚ
軸に広がった線上のＸ線とし、試料駆動台がｚ軸に平行
なω軸の回転駆動、ω駆動上にω軸に垂直なχ軸の回転
駆動、χ駆動上にχ軸に垂直なＺ軸の並進駆動、並進Ｚ
駆動上に並進Ｚ軸と平行なφ軸の回転駆動、φ駆動上に
φ軸と垂直なＹ軸の並進駆動、並進Ｙ駆動上にφ軸と並
進Ｙ軸に垂直なＸ軸の並進駆動からなる構成或いは、並
進Ｚ駆動とφ駆動とを入れ換えた構成からなり、また検
出器駆動台がＺ軸に平行な２θ軸の回転駆動の構成から
なることを特徴とするＸ線計測装置。 - 【請求項８】請求項６又は７記載のＸ線計測装置におい
て、検出器駆動台がｚ軸に平行な２θ軸の回転駆動、２
θ駆動上に２θ軸に垂直な２φ軸の回転駆動の構成から
なることを特徴とするＸ線計測装置。 - 【請求項９】Ｘ線源，分光器，試料及び検出器の駆動
台，検出器及び制御部からなり、試料駆動台に設置した
試料にＸ線を照射し、試料からの反射Ｘ線及び回折線を
測定するＸ線計測装置において、検出器に入射するＸ線
の方向をｘ′軸とし、試料と検出器の間に２つのソーラ
スリットを設け、いずれかのソーラスリットの駆動部に
ｘ′軸に垂直な軸の回転駆動及びｘ′軸に垂直な並進駆
動を備えたことを特徴とするＸ線計測装置。 - 【請求項１０】Ｘ線源，分光器，試料及び検出器の駆動
台，検出器及び制御部からなり、試料駆動台に設置した
試料にＸ線を照射し、試料からの反射Ｘ線及び回折線を
測定するＸ線計測装置において、Ｘ線源から出射される
線上のＸ線の長さに対し、３倍の長さのＸ線を測定でき
る検出器を備えたことを特徴とするＸ線計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10113027A JPH11304728A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | Ｘ線計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10113027A JPH11304728A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | Ｘ線計測装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11304728A true JPH11304728A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14601621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10113027A Pending JPH11304728A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | Ｘ線計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11304728A (ja) |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002148219A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-22 | Mac Science Co Ltd | Ｘ線回折装置 |
| JP2003014894A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Rigaku Corp | Ｘ線分光方法及びｘ線分光装置 |
| JP2005227251A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Japan Synchrotron Radiation Research Inst | 構造因子テンソル要素決定法及びそのためのｘ線回折装置利用法 |
| JP2006091017A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd | 組み合わされたｘ線反射率計及び回折計 |
| JP2007285923A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Jordan Valley Semiconductors Ltd | 反射モードのｘ線回折を用いた限界寸法の測定 |
| US7535992B2 (en) | 2005-06-30 | 2009-05-19 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction apparatus |
| JP2010117369A (ja) * | 2010-02-21 | 2010-05-27 | Rigaku Corp | Ｘ線分光方法及びｘ線分光装置 |
| CN101968552A (zh) * | 2010-09-27 | 2011-02-09 | 上海交通大学 | 基于ｘ射线波长色散衍射危险品检测方法 |
| EP2447710A3 (de) * | 2010-10-27 | 2012-05-30 | Bruker AXS GmbH | Verfahren zur röntgendiffraktometrischen Analyse bei unterschiedlichen Wellenlängen ohne Wechsel der Röntgenquelle |
| US8243878B2 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-14 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
| US8437450B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-05-07 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers |
| US8693635B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-08 | Jordan Valley Semiconductor Ltd. | X-ray detector assembly with shield |
| JP2015132608A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | パナリティカル ビー ヴィ | Ｘ線装置 |
| US9726624B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-08-08 | Bruker Jv Israel Ltd. | Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement |
| JP2019012695A (ja) * | 2013-09-19 | 2019-01-24 | シグレイ、インコーポレイテッド | Ｘ線ソース |
| US10656105B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-05-19 | Sigray, Inc. | Talbot-lau x-ray source and interferometric system |
| US10845491B2 (en) | 2018-06-04 | 2020-11-24 | Sigray, Inc. | Energy-resolving x-ray detection system |
| US10962491B2 (en) | 2018-09-04 | 2021-03-30 | Sigray, Inc. | System and method for x-ray fluorescence with filtering |
| US10976273B2 (en) | 2013-09-19 | 2021-04-13 | Sigray, Inc. | X-ray spectrometer system |
| US10991538B2 (en) | 2018-07-26 | 2021-04-27 | Sigray, Inc. | High brightness x-ray reflection source |
| USRE48612E1 (en) | 2013-10-31 | 2021-06-29 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
| US11056308B2 (en) | 2018-09-07 | 2021-07-06 | Sigray, Inc. | System and method for depth-selectable x-ray analysis |
| US11143605B2 (en) | 2019-09-03 | 2021-10-12 | Sigray, Inc. | System and method for computed laminography x-ray fluorescence imaging |
| US11175243B1 (en) | 2020-02-06 | 2021-11-16 | Sigray, Inc. | X-ray dark-field in-line inspection for semiconductor samples |
| US11215572B2 (en) | 2020-05-18 | 2022-01-04 | Sigray, Inc. | System and method for x-ray absorption spectroscopy using a crystal analyzer and a plurality of detector elements |
| CN114914010A (zh) * | 2021-02-09 | 2022-08-16 | 布鲁克Axs有限公司 | 可调节的分段的准直仪 |
| US11549895B2 (en) | 2020-09-17 | 2023-01-10 | Sigray, Inc. | System and method using x-rays for depth-resolving metrology and analysis |
| US11686692B2 (en) | 2020-12-07 | 2023-06-27 | Sigray, Inc. | High throughput 3D x-ray imaging system using a transmission x-ray source |
| US11885755B2 (en) | 2022-05-02 | 2024-01-30 | Sigray, Inc. | X-ray sequential array wavelength dispersive spectrometer |
-
1998
- 1998-04-23 JP JP10113027A patent/JPH11304728A/ja active Pending
Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002148219A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-22 | Mac Science Co Ltd | Ｘ線回折装置 |
| JP2003014894A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Rigaku Corp | Ｘ線分光方法及びｘ線分光装置 |
| JP4657506B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2011-03-23 | 株式会社リガク | Ｘ線分光方法及びｘ線分光装置 |
| JP4578832B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2010-11-10 | 財団法人高輝度光科学研究センター | 構造因子テンソル要素決定法及びそのためのｘ線回折装置利用法 |
| JP2005227251A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Japan Synchrotron Radiation Research Inst | 構造因子テンソル要素決定法及びそのためのｘ線回折装置利用法 |
| JP2006091017A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd | 組み合わされたｘ線反射率計及び回折計 |
| US7535992B2 (en) | 2005-06-30 | 2009-05-19 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction apparatus |
| EP1739413A3 (en) * | 2005-06-30 | 2010-05-19 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction apparatus |
| JP2007285923A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Jordan Valley Semiconductors Ltd | 反射モードのｘ線回折を用いた限界寸法の測定 |
| US8243878B2 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-14 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
| JP2010117369A (ja) * | 2010-02-21 | 2010-05-27 | Rigaku Corp | Ｘ線分光方法及びｘ線分光装置 |
| US8693635B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-08 | Jordan Valley Semiconductor Ltd. | X-ray detector assembly with shield |
| CN101968552A (zh) * | 2010-09-27 | 2011-02-09 | 上海交通大学 | 基于ｘ射线波长色散衍射危险品检测方法 |
| EP2447710A3 (de) * | 2010-10-27 | 2012-05-30 | Bruker AXS GmbH | Verfahren zur röntgendiffraktometrischen Analyse bei unterschiedlichen Wellenlängen ohne Wechsel der Röntgenquelle |
| US8867704B2 (en) | 2010-10-27 | 2014-10-21 | Bruker Axs Gmbh | Method for X-ray diffractometry analysis at differing wavelengths without exchanging the X-ray source |
| US8437450B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-05-07 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers |
| JP2019012695A (ja) * | 2013-09-19 | 2019-01-24 | シグレイ、インコーポレイテッド | Ｘ線ソース |
| US10976273B2 (en) | 2013-09-19 | 2021-04-13 | Sigray, Inc. | X-ray spectrometer system |
| USRE48612E1 (en) | 2013-10-31 | 2021-06-29 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
| JP2015132608A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | パナリティカル ビー ヴィ | Ｘ線装置 |
| US9726624B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-08-08 | Bruker Jv Israel Ltd. | Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement |
| US10845491B2 (en) | 2018-06-04 | 2020-11-24 | Sigray, Inc. | Energy-resolving x-ray detection system |
| US10989822B2 (en) | 2018-06-04 | 2021-04-27 | Sigray, Inc. | Wavelength dispersive x-ray spectrometer |
| US10991538B2 (en) | 2018-07-26 | 2021-04-27 | Sigray, Inc. | High brightness x-ray reflection source |
| US10656105B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-05-19 | Sigray, Inc. | Talbot-lau x-ray source and interferometric system |
| US10962491B2 (en) | 2018-09-04 | 2021-03-30 | Sigray, Inc. | System and method for x-ray fluorescence with filtering |
| US11056308B2 (en) | 2018-09-07 | 2021-07-06 | Sigray, Inc. | System and method for depth-selectable x-ray analysis |
| US11143605B2 (en) | 2019-09-03 | 2021-10-12 | Sigray, Inc. | System and method for computed laminography x-ray fluorescence imaging |
| US11175243B1 (en) | 2020-02-06 | 2021-11-16 | Sigray, Inc. | X-ray dark-field in-line inspection for semiconductor samples |
| US11215572B2 (en) | 2020-05-18 | 2022-01-04 | Sigray, Inc. | System and method for x-ray absorption spectroscopy using a crystal analyzer and a plurality of detector elements |
| US11428651B2 (en) | 2020-05-18 | 2022-08-30 | Sigray, Inc. | System and method for x-ray absorption spectroscopy using a crystal analyzer and a plurality of detector elements |
| US11549895B2 (en) | 2020-09-17 | 2023-01-10 | Sigray, Inc. | System and method using x-rays for depth-resolving metrology and analysis |
| US11686692B2 (en) | 2020-12-07 | 2023-06-27 | Sigray, Inc. | High throughput 3D x-ray imaging system using a transmission x-ray source |
| CN114914010A (zh) * | 2021-02-09 | 2022-08-16 | 布鲁克Axs有限公司 | 可调节的分段的准直仪 |
| JP2022122275A (ja) * | 2021-02-09 | 2022-08-22 | ブルーカー アーイクスエス ゲーエムベーハー | 調整可能なセグメント化されたコリメータ |
| EP4040447A3 (de) * | 2021-02-09 | 2022-11-02 | Bruker AXS GmbH | Verstellbarer segmentierter kollimator |
| US11742104B2 (en) | 2021-02-09 | 2023-08-29 | Bruker Axs Gmbh | Adjusted segmented collimator comprising a Soller slit |
| US11885755B2 (en) | 2022-05-02 | 2024-01-30 | Sigray, Inc. | X-ray sequential array wavelength dispersive spectrometer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11304728A (ja) | Ｘ線計測装置 | |
| US20050036583A1 (en) | X-ray fluorescence system with apertured mask for analyzing patterned surfaces | |
| WO2016103834A1 (ja) | 斜入射蛍光ｘ線分析装置および方法 | |
| JPH05188019A (ja) | Ｘ線複合分析装置 | |
| WO2013108876A1 (ja) | Ｘ線回折装置 | |
| Nowak et al. | Grazing angle X-ray fluorescence from periodic structures on silicon and silica surfaces | |
| JP2007285923A (ja) | 反射モードのｘ線回折を用いた限界寸法の測定 | |
| JPH0374360B2 (ja) | ||
| JP3968350B2 (ja) | Ｘ線回折装置及び方法 | |
| Boher et al. | Silicon/silicon oxide and silicon/silicon nitride multilayers for extreme ultraviolet | |
| JPH0792112A (ja) | Ｘ線評価装置 | |
| JP3389115B2 (ja) | 積層構造検査法とｘ線反射率装置 | |
| JP3619391B2 (ja) | 薄膜評価装置 | |
| JPH0798285A (ja) | Ｘ線評価装置 | |
| JPH06160312A (ja) | Ｘ線評価装置 | |
| US6650728B2 (en) | Apparatus and method for the analysis of atomic and molecular elements by wavelength dispersive X-ray spectrometric devices | |
| JPH11295245A (ja) | Ｘ線分光素子およびそれを用いたｘ線分析装置 | |
| JPH0763897A (ja) | Ｘ線分光器 | |
| Parrish et al. | X-ray reflectometry of single-and multi-layer thin films | |
| Awaji | Wavelength dispersive grazing incidence X-ray fluorescence of multilayer thin films | |
| JP2006133000A (ja) | 微小部積層構造検査装置 | |
| JPH1151883A (ja) | 蛍光ｘ線分析装置および方法 | |
| JP2003107021A (ja) | 蛍光ｘ線分析装置 | |
| JPH10282022A (ja) | 蛍光ｘ線分析方法および装置 | |
| JP3188393B2 (ja) | 多層膜分光素子 |