JPH0567665A - リーク検出方法 - Google Patents
リーク検出方法Info
- Publication number
- JPH0567665A JPH0567665A JP22758091A JP22758091A JPH0567665A JP H0567665 A JPH0567665 A JP H0567665A JP 22758091 A JP22758091 A JP 22758091A JP 22758091 A JP22758091 A JP 22758091A JP H0567665 A JPH0567665 A JP H0567665A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理室のリーク検出方法に関し，即
時に反応容器のリークを検出できる方法を提供し，たと
えリークが発生してもウエハの処理不良を最小限にとど
めることを目的とする。 【構成】 反応容器内に発生した反応ガスのプラズマの
発光スペクトルを観測し，大気の成分である酸素もしく
は窒素の発光強度と，反応ガスの成分元素の発光強度と
の比を用いて該反応容器のリークの基準を設定するよう
に構成する。
時に反応容器のリークを検出できる方法を提供し，たと
えリークが発生してもウエハの処理不良を最小限にとど
めることを目的とする。 【構成】 反応容器内に発生した反応ガスのプラズマの
発光スペクトルを観測し，大気の成分である酸素もしく
は窒素の発光強度と，反応ガスの成分元素の発光強度と
の比を用いて該反応容器のリークの基準を設定するよう
に構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理室のリーク
検出方法に関する。半導体装置の製造等にドライエッチ
ングやプラズマ気相成長(CVD) 等のプラズマ処理装置が
用いられている。
検出方法に関する。半導体装置の製造等にドライエッチ
ングやプラズマ気相成長(CVD) 等のプラズマ処理装置が
用いられている。
【０００２】この場合，処理は処理室が減圧された状態
で行われ，処理室の気付かないリーク（処理室内のガス
圧を示す真空計やガスの流量変動で捕捉できないリー
ク）による処理不良発生が問題になっていた。
で行われ，処理室の気付かないリーク（処理室内のガス
圧を示す真空計やガスの流量変動で捕捉できないリー
ク）による処理不良発生が問題になっていた。
【０００３】本発明はこの問題に対応した方法として利
用できる。
用できる。
【０００４】
【従来の技術】図２は代表的なドライエッチング装置の
断面図である。図において，１は反応容器，２は反応ガ
ス導入口，３は排気口，４，５は電極，６はRF電源, ７
は被処理ウエハである。
断面図である。図において，１は反応容器，２は反応ガ
ス導入口，３は排気口，４，５は電極，６はRF電源, ７
は被処理ウエハである。
【０００５】反応容器内を排気して真空にした後，反応
ガスを導入して10-3〜１ Torr の圧力に保持しながら排
気を続け, 電極間に高周波電力を印加してプラズマを発
生させる。
ガスを導入して10-3〜１ Torr の圧力に保持しながら排
気を続け, 電極間に高周波電力を印加してプラズマを発
生させる。
【０００６】このプラズマ内にウエハをおいてその表面
をエッチングする。従来は，ガスの流量と排気速度で反
応容器内のガス圧を調節するだけであったので，真空計
の指示とガス流量の異常を検知して大きなリークは捕捉
できるが，僅かのリークは捕捉できなかった。
をエッチングする。従来は，ガスの流量と排気速度で反
応容器内のガス圧を調節するだけであったので，真空計
の指示とガス流量の異常を検知して大きなリークは捕捉
できるが，僅かのリークは捕捉できなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし，反応容器にリ
ークがあるとウエハ表面のエッチング量は変化する。従
来技術では，この異常は処理する全ウエハのエッチング
終了後にしか分からず,処理歩留を落とし大きな損失と
なっていた。
ークがあるとウエハ表面のエッチング量は変化する。従
来技術では，この異常は処理する全ウエハのエッチング
終了後にしか分からず,処理歩留を落とし大きな損失と
なっていた。
【０００８】本発明は即時に反応容器のリークを検出で
きる方法を提供し，たとえリークが発生してもウエハの
処理不良を最小限にとどめることを目的とする。
きる方法を提供し，たとえリークが発生してもウエハの
処理不良を最小限にとどめることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，反応
容器内に発生した反応ガスのプラズマの発光スペクトル
を観測し，大気の成分である酸素もしくは窒素の発光強
度と，反応ガスの成分元素の発光強度との比を用いて該
反応容器のリークの基準を設定するリーク検出方法によ
り達成される。
容器内に発生した反応ガスのプラズマの発光スペクトル
を観測し，大気の成分である酸素もしくは窒素の発光強
度と，反応ガスの成分元素の発光強度との比を用いて該
反応容器のリークの基準を設定するリーク検出方法によ
り達成される。
【００１０】
【作用】本発明はプラズマの発光スペクトルを観測し，
大気の成分である酸素(O2)と窒素(N2)の発光強度により
反応容器のリークを検出する際に，受光部のくもり等に
よる発光強度の絶対値のずれを補正するため，これらの
発光強度を反応ガスの成分の発光強度により規準化し
て，良否判定の基準となるようにしたものである。
大気の成分である酸素(O2)と窒素(N2)の発光強度により
反応容器のリークを検出する際に，受光部のくもり等に
よる発光強度の絶対値のずれを補正するため，これらの
発光強度を反応ガスの成分の発光強度により規準化し
て，良否判定の基準となるようにしたものである。
【００１１】これにより，反応容器のリークが処理中即
時に検出可能となり，処理不良の発生を抑制できるよう
にした。
時に検出可能となり，処理不良の発生を抑制できるよう
にした。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の実施例を説明するブロック図
である。図において，８はパーソナルコンピュータ，９
は光ファイバ，10は分光分析器である。
である。図において，８はパーソナルコンピュータ，９
は光ファイバ，10は分光分析器である。
【００１３】いま，反応ガスとしてフッ素(F) 系ガスを
反応容器内に流量一定に流し, エッチングマスクとなる
レジストはＣ，Ｈ, Ｏ,Ｎを成分とする通常のものを使
用する。
反応容器内に流量一定に流し, エッチングマスクとなる
レジストはＣ，Ｈ, Ｏ,Ｎを成分とする通常のものを使
用する。
【００１４】発光スペクトルのサンプリング回数をｎと
し，各サンプリングごとの発光強度をフッ素をＦn ，酸
素をＯn ，窒素をＮn とする。リークがあると O2, N2
が反応容器内に流れ込むため, Ｏn ，Ｎn の発光強度が
増加する。
し，各サンプリングごとの発光強度をフッ素をＦn ，酸
素をＯn ，窒素をＮn とする。リークがあると O2, N2
が反応容器内に流れ込むため, Ｏn ，Ｎn の発光強度が
増加する。
【００１５】しかし，これら酸素および窒素の発光強度
の絶対値は, 光ファイバの受光面のくもり等によるずれ
があるため，次式のようにこれらの値をフッ素の発光強
度で割った値を用いてリークを判定する。
の絶対値は, 光ファイバの受光面のくもり等によるずれ
があるため，次式のようにこれらの値をフッ素の発光強
度で割った値を用いてリークを判定する。
【００１６】Ｏn ／Ｆn ＝αn ・・・・(1) Ｎn ／Ｆn ＝βn ・・・・(2) この場合，フッ素のスペクトルは反応ガスだけより検出
されるため，フッ素の発光強度を基準にした酸素または
窒素発光強度の相対値を用いて規準化し，スペクトル観
測の際の外部条件に左右されないようにしている。
されるため，フッ素の発光強度を基準にした酸素または
窒素発光強度の相対値を用いて規準化し，スペクトル観
測の際の外部条件に左右されないようにしている。
【００１７】ここで，αn ，βn の良否判定基準をいく
らに設定するかは，レジスト等の成分が違うため対象と
するウエハにより差はあるが，エッチング量の変化等実
用上の観点から適宜設定する。
らに設定するかは，レジスト等の成分が違うため対象と
するウエハにより差はあるが，エッチング量の変化等実
用上の観点から適宜設定する。
【００１８】実施例で使用した分光分析器は回折格子型
モノクロメータである。また，パソコン８は FMR-50L
(富士通製) を用い，発光スペクトルのサンプリングご
とに，上記の(1) ，(2) 式を計算し，設定基準と比較す
る。
モノクロメータである。また，パソコン８は FMR-50L
(富士通製) を用い，発光スペクトルのサンプリングご
とに，上記の(1) ，(2) 式を計算し，設定基準と比較す
る。
【００１９】いま，装置を意図点にリークさせた時のＯ
n ／Ｆn ＝ａn ，Ｎn ／Ｆn ＝ｂn を求め，この値を基
準値とすると，αn ＜ａn ，βn ＜ｂn となれば良，α
n ≧ａn ，βn ≧ｂn となれば不良となる。
n ／Ｆn ＝ａn ，Ｎn ／Ｆn ＝ｂn を求め，この値を基
準値とすると，αn ＜ａn ，βn ＜ｂn となれば良，α
n ≧ａn ，βn ≧ｂn となれば不良となる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば，処理中即時に反応容器
のリークを検出することができる。この結果，従来全ウ
エハの処理完了後に発見していたリークによるウエハの
処理不良を最小限にとどめることができるようになっ
た。
のリークを検出することができる。この結果，従来全ウ
エハの処理完了後に発見していたリークによるウエハの
処理不良を最小限にとどめることができるようになっ
た。
【図１】 本発明の実施例を説明するブロック図
【図２】 代表的なドライエッチング装置の断面図
１ 反応容器 ２ 反応ガス導入口 ３ 排気口 ４，５ 電極 ６ RF電源 ７ 被処理ウエハで ８ パーソナルコンピュータ ９ 光ファイバ 10 分光分析器
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器内に発生した反応ガスのプラズ
マの発光スペクトルを観測し，大気の成分である酸素も
しくは窒素の発光強度と，反応ガスの成分元素の発光強
度との比を用いて該反応容器のリークの基準を設定する
ことを特徴とするリーク検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22758091A JPH0567665A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | リーク検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22758091A JPH0567665A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | リーク検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567665A true JPH0567665A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16863147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22758091A Withdrawn JPH0567665A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | リーク検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567665A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06302556A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Nec Yamagata Ltd | 反応性イオンエッチングの終点検出器 |
| JP2006140237A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の復帰方法、該装置の復帰プログラム、及び基板処理装置 |
| KR20150133608A (ko) * | 2014-05-20 | 2015-11-30 | 명지대학교 산학협력단 | 플라즈마 식각 공정에서 리크 원인을 검출하는 방법, 장치 및 그를 이용한 플라즈마 식각 장치 |
| US10014197B2 (en) | 2016-09-21 | 2018-07-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device manufacturing method |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP22758091A patent/JPH0567665A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06302556A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Nec Yamagata Ltd | 反応性イオンエッチングの終点検出器 |
| JP2006140237A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の復帰方法、該装置の復帰プログラム、及び基板処理装置 |
| KR20150133608A (ko) * | 2014-05-20 | 2015-11-30 | 명지대학교 산학협력단 | 플라즈마 식각 공정에서 리크 원인을 검출하는 방법, 장치 및 그를 이용한 플라즈마 식각 장치 |
| US10014197B2 (en) | 2016-09-21 | 2018-07-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device manufacturing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |