JP3394263B2 - 真空処理方法及び装置 - Google Patents
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Description
素ラジカルによって被処理物を処理する真空処理方法及
び装置に関する。
(以下、「被処理物」と総称する。)に対してエッチン
グ処理やアッシング処理等を実施するための方法及び装
置として真空処理方法及び装置が使用されている。この
真空処理方法及び装置は、真空容器の内部に形成された
処理室の内部に被処理物を搬入し、この被処理物を真空
下において処理する方法及び装置である。
から分離されたプラズマ発生室においてプロセスガスを
活性化してラジカルを生成し、ラジカルを処理室の内部
に導入して被処理物の表面に供給し、ラジカルによって
被処理物表面の薄膜のエッチング処理を行うケミカルド
ライエッチング(CDE)方法及び装置がある。
は、処理室の内部に供給されたプロセスガスを、高周波
電圧を利用してプラズマ化し、処理室内部に形成された
プラズマを利用してエッチング処理を行う反応性イオン
エッチング(RIE)方法及び装置がある。さらに、処理
室の内部に供給されたプロセスガスにマイクロ波を印加
してマイクロ波励起プラズマを生成し、このプラズマを
利用してエッチングを行うマイクロ波プラズマエッチン
グ方法及び装置がある。
酸素ラジカルによって被処理物を処理する場合、真空処
理装置の処理室の内部に有機系の物質、すなわち有機系
の構造材料や有機系の接着剤等が露出していると、この
有機系の物質が酸素ラジカルによってエッチングされて
しまう。
た被処理物の載置台3の載置面3aには、被処理物を載置
台3に固定するために静電チャック装置28が設けられて
おり、この静電チャック装置28は、シート状の電極29
と、この電極29を両面から挟み込んで覆っている電極用
シート30とを備えている。
耐熱性高分子材料、例えばポリイミドで形成されてい
る。また、静電チャック装置28の下側の電極用シート30
は有機系の接着剤32によって載置台3の載置面3aに接着
されている。
の物質よりなるので、被処理物を処理するために使用さ
れる酸素ラジカルによって、処理室の内部に露出してい
る部分の電極用シート30及び有機系の接着剤32がエッチ
ングされてしまう。
被処理物を処理する際に使用される酸素ラジカルによっ
てエッチングされてしまうので、真空処置装置を構成す
る部品、例えば静電チャック装置の寿命が短くなると同
時に、パーティクルの発生原因となって製品の歩留まり
の低下をもたらすという問題があった。本来的には、酸
素ラジカルを使用する真空処理装置においては有機系の
物質の利用を避けるべきであるが、部品加工上の要求、
或いは部品共通化の要求等があるために有機系の物質の
利用を避けられないのが現状である。
理物を処理する場合でも、処理室の内部に露出している
有機系の物質のエッチングを防止することができる真空
処理方法及び装置を提供することにある。
器内に形成された処理室の内部で酸素ラジカルによって
被処理物を処理する真空処理方法において、前記被処理
物を前記処理室に搬入する前に、前記真空処理装置を用
いてフッ素原子を少なくとも含むフッ化処理用ガスを活
性化してフッ素ラジカルを生成し、前記処理室の内部に
露出している有機系の物質の表面を前記フッ素ラジカル
によってフッ化処理する工程と、前記フッ化処理する工
程の後に前記被処理物を前記処理室に搬入する工程と、
酸素原子を少なくとも含むプロセスガスを活性化して酸
素ラジカルを生成し、前記酸素ラジカルによって前記被
処理物を処理する工程と、を備えたことを特徴とする。
に活性度の高い励起状態にある原子或いは分子のことで
ある。この「ラジカル」は「活性種」と呼ばれることも
ある。
物を載置するために前記処理室の内部に設けられた載置
台と、前記被処理物を前記載置台に固定するために前記
載置台の表面に設けられた静電チャック装置と、を備
え、前記静電チャック装置は、電極と、前記電極を覆っ
ている電極用シートと、を有し、前記有機系の物質は、
前記電極用シートを構成する有機系の材料、及び前記静
電チャック装置を前記載置台の表面に接着するために使
用された有機系の接着剤である。
物を載置するために前記処理室の内部に設けられた載置
台と、前記被処理物を前記載置台に固定するために前記
載置台の表面に設けられた静電チャック装置と、前記静
電チャック装置を保護するために前記静電チャック装置
を覆うようにして設けられたフッ素樹脂製の保護シート
と、を備え、前記有機系の物質は、前記保護シートを接
着するために使用された有機系の接着剤である。
原子を少なくとも含むガスとO2ガスとの混合ガスであ
る。
ガスは、CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6のうちのいずれか
1種又は複数種を少なくとも含むガスである。
ガスの流量比は40%以下である。
なくとも含むガスである。
処理用ガスは、それぞれ、前記処理室から分離されたプ
ラズマ発生室において活性化され、しかる後に前記フッ
素ラジカル又は前記酸素ラジカルが前記処理室の内部に
導入される。
複数の前記被処理物を連続的に処理する工程であり、前
記被処理物を処理する工程の後に再び前記フッ化処理す
る工程を繰り返して実施する。
の内部に露出している有機系の物質の表面をフッ素ラジ
カルによってフッ化処理し、しかる後に酸素ラジカルに
よって被処理物を処理するようにしたので、有機系の物
質のフッ化した表面が保護膜として機能し、酸素ラジカ
ルによる有機系の物質のエッチングを防止することがで
きる。
真空容器と、前記真空容器の内部に形成された処理室
と、フッ素原子を少なくとも含むフッ化処理用ガスを活
性化してフッ素ラジカルを生成する機能及び酸素原子を
少なくとも含むプロセスガスを活性化して酸素ラジカル
を生成する機能を有するラジカル生成手段と、前記フッ
化処理用ガス又は前記プロセスガスを前記ラジカル生成
手段に供給するためのガス供給手段と、前記被処理物を
載置するために前記処理室の内部に設けられた載置台
と、を備え、前記処理室の内部に露出している有機系の
物質の表面を前記フッ素ラジカルによってフッ化処理し
た後に、前記被処理物を前記処理室内の前記載置台に載
置して、前記酸素ラジカルによって前記被処理物を処理
することを特徴とする。
真空容器と、前記真空容器の内部に形成された処理室
と、酸素原子を少なくとも含むプロセスガスを活性化し
て酸素ラジカルを生成するラジカル生成手段と、前記プ
ロセスガスを前記ラジカル生成手段に供給するためのガ
ス供給手段と、前記被処理物を載置するために前記処理
室の内部に設けられた載置台と、前記被処理物を前記載
置台に固定するために前記載置台の表面に設けられた静
電チャック装置と、前記静電チャック装置を保護するた
めに前記静電チャック装置を覆うようにして設けられた
フッ素樹脂製の保護シートと、を備えたことを特徴とす
る。
前記有機系の物質の表面は、フッ素原子を少なくとも含
むフッ化処理用ガスを前記ラジカル生成手段を用いて活
性化して生成したフッ素ラジカルによってフッ化処理さ
れている。
原子を少なくとも含むガスとO2ガスとの混合ガスであ
る。
ガスは、CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6のうちのいずれか
1種又は複数種を少なくとも含むガスである。
ガスの流量比は40%以下である。
なくとも含むガスである。
理室から分離されたプラズマ発生室を備えており、前記
プラズマ発生室にて生成された前記ラジカルが前記処理
室の内部に導入される。
有機系の物質を前記フッ素ラジカルによってフッ化処理
した後に、複数の前記被処理物を連続的に処理すること
を繰り返して実施する。
の内部に露出している有機系の物質の表面をフッ素ラジ
カルによってフッ化処理し、しかる後に酸素ラジカルに
よって被処理物を処理するようにしたので、有機系の物
質のフッ化した表面が保護膜として機能し、酸素ラジカ
ルによる有機系の物質のエッチングを防止することがで
きる。
ック装置を保護するために静電チャック装置を覆うよう
にしてフッ素樹脂製の保護シートを設けたので、この保
護シートによって酸素ラジカルによる静電チャック装置
のエッチングを防止することができる。
るケミカルドライエッチング装置(CDE装置)の概略構
成を示した縦断面図である。
拡大して示した縦断面図である。
示した比較実験結果を示した表である。
をエッチングした場合のエッチングレートと、そのとき
のラジカルの生成比率を発光分析によって解析した結果
を示したグラフである。
混合ガスによって有機系の物質よりなる膜をフッ化処理
した場合の、O2の流量比に対する有機系の物質のフッ化
レートを示したグラフである。
て示した縦断面図である。
置について図面を参照して説明する。
めの真空処理装置の一例として、いわゆるダウンフロー
型に属する放電分離型のケミカルドライエッチング装置
(以下、「CDE装置」と言う。)を示している。
1の内部に処理室2が形成されている。処理室2の内部
には載置台3が設けられており、この載置台3の上には
被処理物Sが載置されている。なお、載置台3には図示
しない温度調節機構が設けられており、この温度調節機
構によって被処理物Sの温度を制御できるようになって
いる。
この排気口5には、一端が真空ポンプ(図示を省略)に
接続された排気管6が取り付けられている。真空容器1
の天板7にはガス導入口8が形成されており、このガス
導入口8にはフッ素樹脂で形成されたガス導入管9が取
り付けられている。
り、この石英管10の他端には封止部材11が取り付けら
れ、この封止部材11の内部にはガス流路19が形成されて
いる。封止部材11にはガス輸送管18の一端が接続されて
おり、ガス輸送管18の他端は配管20及び配管21に分岐し
ている。
第1のガスボンベ23及び第2の流量調整弁24を有する第
2のガスボンベ25がそれぞれ接続されている。第1のガ
スボンベ23及び第2のガスボンベ25はガス供給手段26を
構成する。
なくともフッ素原子を含むガスであって、好ましくは、
少なくともCF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6のうちのいずれ
か1種又は複数種を含むガスである。また、第2のガス
ボンベ25に充填されるガスは、少なくとも酸素原子を含
むガスであって、好ましくは、少なくともO2ガスを含む
ガスである。
カル生成手段、すなわちプラズマ発生装置13が石英管10
を取り囲むようにして設けられており、このプラズマ発
生装置13によって取り囲まれた石英管10の内部にプラズ
マ発生室14が形成されている。マイクロ波導波管12には
マイクロ波発生器27が接続されている。
8を介して処理室2の内部に導入されたラジカルを、被
処理物Sの表面全体にわたって均一に供給するために、
処理室2の上部にガス貯留室15を形成するようにしてシ
ャワーノズル16が設けられている。そして、シャワーノ
ズル16には多数のガス噴出口17が形成されている。
部を拡大して示した縦断面図である。図2に示したよう
に載置台3の載置面3aには、被処理物Sを静電吸着力に
より固定するための静電チャック装置28が設けられてい
る。この静電チャック装置28は、銅などの導電性部材よ
りなるシート状の電極29と、この電極29を両面から挟み
込んで覆っている電極用シート30と、を備えている。こ
こで、電極用シート30は、有機系の物質である耐熱性高
分子材料、例えばポリイミドで形成されている。また、
下側の電極用シート30は有機系の接着剤32によって載置
台3の載置面3aに接着されている。
覆われており、この保護シート31は、好ましくはフッ素
樹脂によって形成されている。このように有機系の物質
よりなる電極用シート30は保護シート31によって覆われ
ているので、被処理物Sのエッチングの際に使用される
酸素ラジカルによって電極用シート30の表面がエッチン
グされて損耗することを防止することができる。
32によって静電チャック装置28の上側の電極用シート30
の表面及び載置台3の載置面3aの周縁部に接着されてい
るが、この有機系の接着剤32はその端部33が処理室2
(図1参照)の内部に露出している。このため、何ら措
置を講じない場合には、酸素ラジカルを用いた被処理物
Sの処理中に有機系の接着剤32の露出した端部33がエッ
チングされてしまう。
空容器1の内壁面において有機系の物質が露出している
部分がある。
いては、まず、被処理物Sを処理室2に搬入する前に、
排気管6及び排気口5を介して真空容器1の内部を真空
ポンプによって排気して真空状態(減圧状態)にする。
路19を介して、第1のガスボンベ23から少なくともフッ
素原子を含むガスを石英管10の一端から導入する。この
とき、第2のガスボンベ25からも、少なくとも酸素原子
を含むガスを供給する。そして、第1の流量調整弁22及
び第2の流量調整弁24を調節して、少なくともフッ素原
子を含むガス及び少なくとも酸素原子を含むガスの流量
及び流量比を、有機系の物質のフッ化処理に適した値に
設定する。
介して、マイクロ波発生器27からプラズマ発生室14にマ
イクロ波を印加する。すると、プラズマ発生室14の内部
にグロー放電が生じてプラズマPが発生し、フッ化処理
用の混合ガス中のフッ素が励起されてフッ素ラジカルが
生成される。
英管10及びガス導入管9を介してガス導入口8からガス
貯留室15の内部に供給する。ガス貯留室15の内部に供給
されたフッ化処理用ガスは、ガス貯留室15と処理室2と
の圧力差によって、ガス噴出口17から処理室2の内部に
勢い良く均一に噴射される。
は、処理室2の内部に露出している有機系の物質、例え
ば有機系の接着剤32の端部33の表面に到達し、この端部
33の表面をフッ化処理する。有機系の接着剤32の端部33
と反応したフッ化処理用ガスは、排気口5及び排気管6
を介して真空ポンプによって排気される。
するために必要な時間にわたって実施され、しかる後、
第1のガスボンベ23及び第2のガスボンベ25からのガス
の供給を一旦停止し、被処理物Sを処理室2に搬入す
る。次に、第2のガスボンベ25から、少なくとも酸素原
子を含むガスを、配管21、ガス輸送管18及び封止部材11
のガス流路19を介して石英管10の一端から導入する。こ
のとき、第1のガスボンベ23からも、少なくともフッ素
原子を含むガスを供給する。そして、第1の流量調整弁
22及び第2の流量調整弁24を調節して、少なくともフッ
素原子を含むガス及び少なくとも酸素原子を含むガスの
流量及び流量比を、被処理物Sのエッチング処理に適し
た値に設定する。
介して、マイクロ波発生器27からプラズマ発生室14にマ
イクロ波を印加する。すると、プラズマ発生室14の内部
にグロー放電が生じてプラズマPが発生し、少なくとも
酸素原子を含むガス及び少なくともフッ素原子を含むガ
スからなるプロセスガスの中の酸素が励起されて酸素ラ
ジカルが生成される。
導入管9を介してガス導入口8からガス貯留室15の内部
に供給する。ガス貯留室15の内部に供給された酸素ラジ
カルを含むプロセスガスは、ガス貯留室15と処理室2と
の圧力差によって、ガス噴出口17から処理室2の内部に
勢い良く均一に噴射される。すると、処理室2の内部に
供給された酸素ラジカルは被処理物Sの表面に到達し、
被処理物Sの表面の薄膜と反応してこの薄膜をエッチン
グする。被処理物Sの表面の薄膜と反応したプロセスガ
スは、排気口5及び排気管6を介して真空ポンプによっ
て排気される。
処理室2の内部に露出している有機系の物質、例えば有
機系の接着剤32の端部33の表面にも到達する。しかしな
がら、この有機系の接着剤32の端部33等の表面は既にフ
ッ化処理されているので、酸素ラジカルによる有機系の
接着剤32等のエッチングは著しく抑制され、そのエッチ
ング量は極めて小さい。
に順次エッチング処理を実施した後、被処理物Sのエッ
チング処理を一旦中止して、載置台3に被処理物Sがな
い状態で上述したフッ化処理工程を再び実施する。この
ようにして有機系の物質の表面を再びフッ化した後、被
処理物Sのエッチング処理を再開して数枚又は数十枚を
処理し、以後、上述した有機系の物質のフッ化処理工程
と被処理物Sのエッチング工程とを交互に繰り返して実
施する。
て説明したが、本実施形態は被処理物のアッシング処理
にも適用できる。
2F6、C3F8、NF3、SF6のうちのいずれか1種又は複数種
を少なくとも含むガスである。
スを含むガスである。
表面が保護シート31で覆われている場合について説明し
たが、図6に示したように静電チャック28の表面に保護
シート31を設けない場合にも、本実施形態による真空処
理方法及び装置を適用することができる。
を載置台3に載置する前に、ポリイミド製の電極用シー
ト30の表面及び有機系の接着剤32の露出部分を、上述し
たフッ化処理方法と同様の方法にてフッ化処理する。
てエッチング処理する際に、電極用シート30及び有機系
の接着剤32の酸素ラジカルによるエッチングを防止する
ことができる。
ッ化処理による有機系の物質の保護効果を検証した比較
実験結果を示す。試料としては、有機系の物質としてカ
ーボン膜が表面に形成されたウエハを使用した。なお、
この実験においてはウエハ表面上の有機系の物質を対象
としているが、真空容器1の内壁面や載置台3等におけ
る露出した有機系の物質、例えば有機系の接着剤やポリ
イミドに対しても当てはまるものである。
く、いきなり酸素ラジカルによって60分間のエッチング
処理を試料に対して実施した場合の結果である。エッチ
ングガスとしてCF4ガスとO2ガスとを1:3の比率で混合し
た混合ガスを使用し、マイクロ波パワー=450W、圧力=
40Pa、載置台温度=5℃としてエッチング処理を実施し
た。このように、試料に対して予めフッ化処理を実施し
ない場合のカーボン膜のエッチング量は3.9μmであっ
た。
化処理を試料に対して実施し、その後に上記と同一の条
件でエッチング処理を行った場合の結果である。具体的
には、フッ化処理のためのフッ素ラジカルを発生させる
ガスとしてCF4ガスとO2ガスとを3:1の比率で混合した混
合ガスを使用し、マイクロ波パワー=700W、圧力=40P
a、載置台温度=5℃として試料に対してフッ化処理を
実施した。その後に、図3上欄と同一条件で試料に対し
てエッチング処理を行った。
膜のエッチング量は0.5μmであり、フッ化処理を実施
しない場合に比べて酸素ラジカルによるエッチングが大
幅に抑制されていることが分かった。
混合ガスによって有機系の物質よりなる膜をエッチング
した場合のエッチングレートと、そのときのラジカルの
生成比率を発光分析によって解析した結果を示したグラ
フであり、横軸は混合ガスの全流量に対するO2の流量比
を示している。
素ラジカルの生成比が増大し、これと同時に有機系の物
質よりなる膜のエッチングレートが増大している。ま
た、O2の流量比を25%(つまり、CF4ガス:O2ガス=3:
1)程度にすれば有機系の物質よりなる膜のエッチング
レートは無視し得るほどに小さくなり、このような条件
の下でフッ化処理を実施すれば、フッ化処理の際の有機
系の物質のエッチングは問題とはならない。
混合ガスによって有機系の物質よりなる膜をフッ化処理
した場合の、O2の流量比に対する有機系の物質のフッ化
レートを示したグラフである。図5から分かるように、
O2の流量比の増加と共にフッ化レートが減少しており、
O2の流量比が40%を超えると有機系の物質のフッ化はほ
とんど行われない。
合ガスを使用した場合、フッ化処理用ガス中のO2ガスの
流量比は、好ましくは、40%以下である。
装置によれば、処理室2の内部に露出している有機系の
物質の表面をフッ素ラジカルによってフッ化処理し、し
かる後に酸素ラジカルによって被処理物Sをエッチング
処理するようにしたので、酸素ラジカルによる有機系の
物質のエッチングを防止することができる。
ャック装置28を覆うようにしてフッ素樹脂製の保護シー
ト31を設けたので、この保護シート31によって酸素ラジ
カルによる静電チャック装置28の電極用シート30のエッ
チングを防止することができる。
身によって実施することができるので、有機系の物質の
フッ化処理のための別の装置は不要であり、また、フッ
化処理の対象となる部材を真空処理装置から取り外すよ
うな作業は不要である。
上述したCDE方法及び装置に限られるものではなく、真
空下において被処理物を処理する各種の真空処理方法及
び装置に適用することができる。具合的には、反応性イ
オンエッチング(RIE)方法及び装置、マイクロ波プラ
ズマエッチング方法及び装置等の各種のドライエッチン
グ方法及び装置、或いはアッシング方法及び装置等に本
発明を適用することができる。
板等のエッチング処理やアッシング処理に用いることが
できる。
Claims (15)
- 【請求項1】真空処理装置の真空容器内に形成された処
理室の内部で酸素ラジカルによって被処理物を処理する
真空処理方法において、 前記被処理物を前記処理室に搬入する前に、前記真空処
理装置を用いてフッ素原子を少なくとも含むガスとO2ガ
スとの混合ガスであるフッ化処理用ガスを活性化してフ
ッ素ラジカルを生成し、前記処理室の内部に露出してい
る有機系の物質の表面を前記フッ素ラジカルによってフ
ッ化処理する工程と、 前記フッ化処理する工程の後に前記被処理物を前記処理
室に搬入する工程と、 酸素原子を少なくとも含むプロセスガスを活性化して酸
素ラジカルを生成し、前記酸素ラジカルによって前記被
処理物を処理する工程と、を備えたことを特徴とする真
空処理方法。 - 【請求項2】前記真空処理装置は、前記被処理物を載置
するために前記処理室の内部に設けられた載置台と、前
記被処理物を前記載置台に固定するために前記に載置台
の表面に設けられた静電チャック装置と、を備え、 前記静電チャック装置は、電極と、前記電極を覆ってい
る電極用シートと、を有し、 前記有機系の物質は、前記電極用シートを構成する有機
系の材料、及び前記静電チャック装置を前記載置台の表
面に接着するために使用された有機系の接着剤であるこ
とを特徴とする請求項1記載の真空処理方法。 - 【請求項3】前記真空処理装置は、前記被処理物を載置
するために前記処理室の内部に設けられた載置台と、前
記被処理物を前記載置台に固定するために前記載置台の
表面に設けられた静電チャック装置と、前記静電チャッ
ク装置を保護するために前記静電チャック装置を覆うよ
うにして設けられたフッ素樹脂製の保護シートと、を備
え、 前記有機系の物質は、前記保護シートを接着するために
使用された有機系の接着剤であることを特徴とする請求
項1記載の真空処理方法。 - 【請求項4】前記フッ素原子を少なくとも含むガスは、
CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6のうちのいずれか1種又は
複数種を少なくとも含むガスであることを特徴とする請
求項1乃至3のいずれか一項に記載の真空処理方法。 - 【請求項5】前記フッ化処理用ガス中の前記O2ガスの流
量比は40%以下であることを特徴とする請求項1乃至4
のいずれか一項に記載の真空処理方法。 - 【請求項6】前記プロセスガスは、O2ガスを少なくとも
含むガスであることを特徴とする請求項1乃至5のいず
れか一項に記載の真空処理方法。 - 【請求項7】前記プロセスガス及び前記フッ化処理用ガ
スは、それぞれ、前記処理室から分離されたプラズマ発
生室において活性化され、しかる後に前記フッ素ラジカ
ル又は前記酸素ラジカルが前記処理室の内部に導入され
ることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記
載の真空処理方法。 - 【請求項8】前記被処理物を処理する工程は、複数の前
記被処理物を連続的に処理する工程であり、 前記被処理物を処理する工程の後に再び前記フッ化処理
する工程を繰り返して実施することを特徴とする請求項
1乃至7のいずれか一項に記載の真空処理方法。 - 【請求項9】内部を真空排気可能な真空容器と、前記真
空容器の内部に形成された処理室と、フッ素原子を少な
くとも含むフッ化処理用ガスを活性化してフッ素ラジカ
ルを生成する機能及び酸素原子を少なくとも含むプロセ
スガスを活性化して酸素ラジカルを生成する機能を有す
るラジカル生成手段と、前記フッ化処理用ガス又は前記
プロセスガスを前記ラジカル生成手段に供給するための
ガス供給手段と、前記被処理物を載置するために前記処
理室の内部に設けられた載置台と、を備え、 前記処理室の内部に露出している有機系の物質の表面
は、フッ素原子を少なくとも含むガスとO2ガスとの混合
ガスである前記フッ化処理用ガスを前記ラジカル生成手
段を用いて活性化して生成したフッ素ラジカルによって
フッ化処理されており、このようにしてフッ化処理した
後に、前記被処理物を前記処理室内の前記載置台に載置
して、前記酸素ラジカルによって前記被処理物を処理す
ることを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項10】内部を真空排気可能な真空容器と、前記
真空容器の内部に形成された処理室と、酸素原子を少な
くとも含むプロセスガスを活性化して酸素ラジカルを生
成するラジカル生成手段と、前記プロセスガスを前記ラ
ジカル生成手段に供給するためのガス供給手段と、前記
被処理物を載置するために前記処理室の内部に設けられ
た載置台と、前記被処理物を前記載置台に固定するため
に前記載置台の表面に設けられた静電チャック装置と、
前記静電チャック装置を保護するために前記静電チャッ
ク装置を覆うようにして設けられたフッ素樹脂製の保護
シートと、を備え、前記処理室の内部に露出している有
機系の物質の表面は、フッ素原子を少なくとも含むガス
とO2ガスとの混合ガスであるフッ化処理用ガスを前記ラ
ジカル生成手段を用いて活性化して生成したフッ素ラジ
カルによってフッ化処理されており、前記有機系の物質
は前記保護シートを接着するために使用された有機系の
接着剤であることを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項11】前記フッ素原子を少なくとも含むガス
は、CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6のうちのいずれか1種
又は複数種を少なくとも含むガスであることを特徴とす
る請求項9又は10記載の真空処理装置。 - 【請求項12】前記フッ化処理用ガス中の前記O2ガスの
流量比は40%以下であることを特徴とする請求項9乃至
11のいずれか一項に記載の真空処理装置。 - 【請求項13】前記プロセスガスは、O2ガスを少なくと
も含むガスであることを特徴とする請求項9乃至12のい
ずれか一項に記載の真空処理装置。 - 【請求項14】前記ラジカル生成手段は、前記処理室か
ら分離されたプラズマ発生室を備えており、前記プラズ
マ発生室にて生成された前記ラジカルが前記処理室の内
部に導入されることを特徴とする請求項9乃至13のいず
れか一項に記載の真空処理装置。 - 【請求項15】前記処理室の内部に露出している有機系
の物質を前記フッ素ラジカルによってフッ化処理した後
に、複数の前記被処理物を連続的に処理することを繰り
返して実施することを特徴とする請求項9乃至14のいず
れか一項に記載の真空処理装置。
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