-
Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zum Fluorieren einer Oberfläche
eines Werkstückes, insbesondere einer mit einer Beschichtung
zu beschichtenden Oberfläche eines Werkstückes
zur Verbesserung der Anhaftung der Beschichtung auf der Oberfläche.
Als Fluorieren wird das Implantieren von Fluoratomen in die Oberfläche
bezeichnet. Bei einem derartigen Oberflächenbehandlungsverfahren
wird das Werkstück in einer zumindest teilevakuierten Reaktionskammer
einer Vakuumapparatur vorgehalten und in die Reaktionskammer wird
ein fluorhaltiges Gas eingeleitet.
-
Anlagen
zum Fluorieren von Oberflächen, die mit elementarem Fluor
arbeiten, sind zum Beispiel aus den Druckschriften
DE 102 006 013 681 A1 ,
DE 43 203 88 A1 ,
DE 43 047 92 A1 ,
EP 06 296 54 B1 und
EP 06 117 91 A1 bekannt.
Unter elementarem Fluor werden dabei vor allem Fluorradikale, aber auch
Difluormoleküle (F
2) verstanden.
Dabei werden Kunststoffteile zur Verbesserung der Haftung von Beschichtungen,
wie Lacken, Bedruckungen, Beflockungen, Verklebungen mit elementarem
Fluor behandelt. Die zu fluorierende Oberfläche wird dabei üblicherweise
einfach dem elementaren Fluor in einer Reaktionskammer ausgesetzt.
Da elementares Fluor extrem toxisch ist, müssen bei diesen
Anlagen besonders hohe Sicherheitsvorkehrungen zu deren Betrieb
vorgesehen werden.
-
Bei
der Halbleiterbauelementeherstellung ist es bekannt, zum Beispiel
zur Reinigung von Oberflächen die Oberflächen
mit Fluor zu behandeln. Dabei wird häufig ein Stickstofffluoridgas,
wie z. B. Stickstofftrifluorid (NF3), eingesetzt,
welches weniger toxische Eigenschaften aufweist als elementares
Fluor. Das Stickstofffluoridgas wird in einer Reaktionskammer einer
Plasmabehandlungsanlage durch Erzeugen eines Plasmas und/oder durch
Hitzeaufspaltung zumindest teilweise in elementares Fluor umgesetzt. Bei
der Hitzeaufspaltung wird nur ein geringer Teil des Stickstofffluoridgases
in elementares Fluor umgesetzt. Es werden daher nur eine geringe
Anzahl von Fluoratomen zur Oberflächenbehandlung zur Verfügung
gestellt.
-
Plasmaoberflächenbehandlungsverfahren mit
Fluor zur Halbleiterbauelementeherstellung sind zum Beispiel in
der
JP 2007 161 517
A und der
DE 698
26 120 T2 beschrieben.
-
Bei
einem Plasma handelt es sich um ein zumindest teilionisiertes Gas.
Als Niederdruckplasma wird das Plasma bezeichnet, das in einer Kammer
erzeugt wird, die unter Unterdruck steht, d. h. der Druck in der
Kammer ist kleiner als der Umgebungsdruck. Das Plasma wird dabei
durch Zünden einer Gasentladung in der sich in der Reaktionskammer
befindenden Gasatmosphäre, die das Stickstofftrifluorid
enthält, erzeugt. Dabei kommen üblicherweise Elektroden
zum Einsatz. Die Elektroden können mit Gleichstrom (DC),
Wechselstrom (AC) oder Hochfrequenz (HF) betrieben werden. Es können
auch gepulste Spannungen zum Einsatz kommen. Der Generator einer
Niederdruckplasmaanlage kann z. B. als Hochfrequenzgenerator ausgeführt
sein.
-
Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Fluorierung
einer Oberfläche eines Werkstückes, insbesondere
einer mit einer Beschichtung zu beschichtenden Oberfläche,
insbesondere aus einem polymeren Werkstoff, zur Verbesserung der
Anhaftung der Beschichtung auf der Oberfläche, bereitzustellen,
welches die Nachteile des Standes der Technik vermeidet, wobei insbesondere
eine möglichst starke Fluorierung der Oberfläche
unter Vermeidung des Einpflanzens von Fremdatomen, also Nichtfluoratomen,
ermöglicht werden soll.
-
Diese
Aufgabe wird durch die Gegenstände der Patentansprüche
gelöst. Die abhängigen Ansprüche stellen
bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung dar.
-
Bei
dem erfindungsgemäßen Verfahren (Plamaoberflächenbehandlungsverfahren)
zum Fluorieren einer Oberfläche eines Werkstückes,
insbesondere einer mit einer Beschichtung zu beschichtenden Oberfläche
eines Werkstückes zur Verbesserung der Anhaftung der Beschichtung
auf der Oberfläche, wird das Werkstück in einer
zumindest teilevakuierten Reaktionskammer einer Vakuumapparatur
vorgehalten. Danach wird ein fluorhaltiges Gas, das aus mindestens
einer Fluorverbindung, bevorzugt Stickstofffluorid, besteht, in
die Reaktionskammer eingeleitet und es wird ein Niederdruckplasma
in dem fluorhaltigen Gas erzeugt. Unter einer Fluorverbindung werden
dabei z. B. CF4, SF6,
BF3, HF, bevorzugt NF3,
also Fluorverbindungen mit Fremdatomen, d. h. keine rein aus Fluor
bestehenden Moleküle, verstanden. Das Erzeugen des Niederdruckplasmas
erfolgt in einem insbesondere der zu fluorierenden Oberfläche
des Werkstückes zugewandten Plasmabereich der Reaktionskammer
zur Umsetzung zumindest von Teilen des fluorhaltigen Gases in elementares
Fluor.
-
Der
Plasmabereich ist durch einen Zwischenraum von der zu fluorierenden
Oberfläche des Werkstückes getrennt. Dabei ist
die Oberfläche nicht unmittelbar, d. h. nur mittelbar,
dem Plasma ausgesetzt. Das Plasma wirkt dann nicht direkt auf die Oberfläche
der zu behandelten Werkstücke ein. Es können dadurch
keine den Behandlungserfolg der Fluorierung, im Sinne der Haftbeständigkeit
einer nachfolgenden Lackierung, Bedruckung, Beflockung oder Verklebung,
vermindernde oder gefährdende Oberflächenveränderungen
durch das Plasma auftreten. Insbesondere wird dann kein Stickstoff
implantiert, was für die genannten negativen Effekte ursächlich
wäre. Die Oberfläche des zu behandelnden Werkstückes
ist also keinem direkten Plasma, d. h. einem Gas im vierten Aggregatzustand,
z. B. einem ionisierten Gas, ausgesetzt. Dies wird dadurch erreicht,
dass ein Abstand zwischen der Oberfläche und der Elektrode
eingehalten wird. Während der Plasmabehandlung ist im Plasmabereich
ein Leuchten sichtbar, das jedoch nicht den angrenzenden Bereich
der Oberfläche des Werkstückes erfasst. Letzteres
wird im Zusammenhang mit der Erfindung als „kein Plasma",
d. h. das Plasma reicht nicht an die zu Fluorierende Oberfläche
des Werkstückes heran, bezeichnet. In dem Zwischenraum
ist also kein Leuchten des Gases durch das Menschliche Auge sichtbar. Die
Lichtemission des Gases im sichtbaren Bereich ist im Zwischenraum
mindestens 90%, bevorzugt mindestens 99% geringer als im Plasmabereich.
-
Wenn
insbesondere ein in Stickstofftrifluorid erzeugtes Niederdruckplasma
direkt, d. h. sichtbar, auf der Oberfläche brennt, wird
nur eine geringere Verbesserung der Anhaftung der Beschichtung erreicht,
weil dann auch N in die Oberfläche eingebaut wird und aus
dem zu behandelnden Werkstoff Fremdatome freigesetzt werden, die
die Gasatmosphäre, d. h. das Niederdruckplasma, kontaminieren
und dann wieder in eine zu fluorierende Oberfläche implantiert
werden können.
-
Es
wird das Stickstofffluoridgas, insbesondere NF3-Gas
einem Niederdruck-Plasma ausgesetzt und hierdurch elementares Fluor
abgespalten und freigesetzt, das z. B. durch Diffusionsprozesse
in die zu fluorierende Oberfläche des Werkstückes
eindringt, so dass es dort eingepflanzt wird. Dabei wird F2 aus relativ harmlosen Gasen wie CF4, SF6, BF3, HF,
bevorzugt NF3, hergestellt.
-
Bevorzugt
wird statt elementarem Fluor (F2), wie dies
im Stand der Technik bei gattungsgemäßen Verfahren
vorgesehen ist, Stickstofffluoridgas eingesetzt. Stickstofffluoridgas
ist deutlich weniger giftig als reines d. h. elementares Fluor.
Erst durch Umsetzung im Plasma wird das NF3 in das eigentliche Reaktivgas,
nämlich elementares Fluor, überführt.
-
Durch
die Verwendung eines Niederdruckplasmas in der Vakuumapparatur,
d. h. in der Reaktionskammer, ergibt sich im Gegensatz zu einer
Normaldruckapparatur kein Spülproblem, indem eine unerwünschte
Luftatmosphäre vor Beginn des Verfahrens durch Spülen
mit einem Inertgas entfernt werden muss. Dieser Vorgang ist üblicherweise
sehr ineffektiv, da die Restluft und das zum Spülen verwendete
Inertgas sich durchdringen und somit ein hoher Überschuss
an Inertgas verwendet werden muss, bis die notwendige Reinheit,
also die Freiheit von restlicher Luft, erreicht ist, die zum Betrieb
einer gattungsgemäßen Plasmaoberflächenbehandlungsanlage notwendig
ist.
-
Besonders
gut eignet sich das erfindungsgemäße Plamaoberflächenbehandlungsverfahren
zum Fluorieren einer Oberfläche eines Werkstückes
aus einem polymeren Werkstoff, d. h. einem Kunststoffteil, das bevorzugt
aus einem Thermoplast, insbesondere einem Polyolefin, einem Duroplast,
und/oder einem Elastomer gebildet ist. Die Beschichtung kann dabei
vorteilhaft als Lackierung, Druckfarbenbedruckung, Klebebeschichtung
oder Beflockungsbeschichtung aufgebracht werden, d. h. die nach
dem erfindungsgemäßen Verfahren fluorierte Oberfläche kann
besonders gut lackiert, mit Druckfarben bedruckt, verklebt oder
beflockt werden. Die Oberflächen werden besser lackierbar,
klebbar, bedruckbar, gereinigt, bekommen einen niedrigeren Reibungskoeffizient
und bessere Permationdichte als vor der erfindungsgemäßen
Fluorierung. Dabei kann insbesondere bei der erfindungsgemäßen
Fluorierung von Oberflächen aus einem Elastomer die Anhaftung oder
Zusammenhaftung der Elastomere, z. B. ein Zusammenkleben eines O-Rings
oder mehrerer O-Ringe oder dessen Anhaftung an einer Oberfläche
z. B. aus Stahl, reduziert und/oder deren Reibungskoeffizienten
(stick slip) verbessert werden.
-
Durch
die Verbesserung der Permationseigenschaften kann eine Diffusionssperre,
z. B. einer Verpackung, durch die erfindungsgemäß fluorierte Oberfläche
verwirklicht werden. Eine Diffusionssperre kann insbesondere durch
Fluorieren einer Oberfläche eines Werkstückes
aus einem Polyolefin, bevorzugt Polypropylen oder Polyethylen, durch
Anwenden des erfindungsgemäßen Verfahrens erreicht werden.
-
Besonders
vorteilhaft beträgt der Anteil des fluorhaltigen Gases
in dem Gas in der Reaktionskammer, in dem das Niederdruckplasma
erzeugt wird, mindestens 90, bevorzugt mindestens 99 Prozent. Dadurch
wird vermieden, dass Fremdatome aus dem Gas, d. h. Nichtfluoratome,
in die Oberfläche implantiert werden.
-
Vorteilhaft
wird ein den Zwischenraum und den Plasmabereich voneinander trennendes
Gitter, bevorzugt aus Metall, zum Beabstanden des Niederdruckplasmas
von der zu fluorierenden Oberfläche des Werkstückes
verwendet. Die elementaren Fluorteilchen können dann durch
die Öffnungen des Gitters zu der zu fluorierenden Oberfläche
diffundieren. Die Oberflächenbehandlung potentiell störende
Ionen werden am Gitter abgefangen, da diese entweder vom Gitter
in Richtung Plasmabereich abgestoßen werden, oder vom Gitter
angezogen werden und dort neutralisiert werden.
-
Bei
dem erfindungsgemäßen Verfahren wird das Niederdruckplasma
bevorzugt durch Anlegen einer Wechselspannung an eine in dem Plasmabereich positionierte
Elektrode erzeugt, und/oder es wird das Niederdruckplasma durch
Betreiben einer Hochfrequenzelektrode, bevorzugt eines Magnetrons,
in einem an den Plasmabereich angrenzenden Bereich außerhalb
der Reaktionskammer, durch Einstrahlen von von der Hochfrequenzelektrode
erzeugter Mikrowellenstrahlung in den Plasmabereich erzeugt. Dabei
handelt es sich um bewährte Verfahren zur Erzeugung von
Niederdruckplasmen.
-
Eine
erfindungsgemäße Plasmabehandlungsanlage ist zur
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
eingerichtet. Die erfindungsgemäße Plasmabehandlungsanlage
weist eine zumindest teilevakuierbare Reaktionskammer einer Vakuumapparatur
auf, wobei eine Werkstoffhaltevorrichtung zum Vorhalten eines Werkstückes
mit einer zu fluorierenden Oberfläche in der Reaktionskammer
vorgesehen ist. Weiter sind Mittel zum Einleiten eines Stickstofffluoridgases
in die Reaktionskammer, und eine Elektrode zum Erzeugen eines Niederdruckplasmas
in dem eingeleiteten Stickstofffluoridgas in einem der zu fluorierenden
Oberfläche des Werkstückes zugewandten Plasmabereich
der Reaktionskammer vorgesehen. Eine derartige Plasmabehandlungsanlage
eignet sich zur Fluorierung von Oberflächen von Werkstücken,
die mit einer Beschichtung versehen werden sollen, so dass die Anhaftung
der Beschichtung auf der fluorierten Oberfläche verbessert
wird gegenüber einer entsprechenden nicht fluorierten Oberfläche.
Dabei können die Vorteile des erfindungsgemäßen
Verfahrens verwirklicht werden.
-
Die
Elektrode zum Erzeugen des Niederdruckplasmas ist in dem Plasmabereich
von der Werkstoffhaltevorrichtung derart beabstandet positioniert,
dass der Plasmabereich durch einen Zwischenraum von der zu fluorierenden
Oberfläche des Werkstückes getrennt ist. Dadurch
kann keine die Oberfläche negativ beinflussende Wirkung
durch ein direktes sichtbares Brennen des Niederdruckplasmas auf
der Oberfläche auftreten.
-
Sehr
vorteilhaft sind Fluorgasentfernungsmittel, bevorzugt ein Gaswäscher
und/oder ein Gasadsorber, an den Gasauslass einer Vakuumpumpe zur
zumindest Teilevakuierung der Reaktionskammer der Vakuumapparatur
angeschlossen.
-
Es
ist bei einer derartigen Anordnung nicht möglich, dass
während der Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens das gebildete elementare Fluor aus der Vakuumapparatur
auf anderem Wege als durch die Vakuumpumpe entweichen kann. Durch
den am Ausgang der Pumpe angeordneten Gaswäscher oder Gasadsorber
nach dem Stande der Technik wird das von der Vakuumpumpe abgepumpte
Fluor rückstandslos abgefangen und kann entsorgt werden.
Hieraus ergibt sich eine hohe Eigensicherheit der erfindungsgemäßen
Vorrichtung, die den hohen Sicherheitsaufwand von Fluorierungsanlagen
nach dem Stand der Technik bei der erfindungsgemäßen
Plasmabehandlungsanlage überflüssig macht.
-
Dabei
ist bevorzugt ein den Zwischenraum und den Plasmabereich voneinander
trennendes Gitter, bevorzugt aus Metall, in der Reaktionskammer vorgesehen,
eingerichtet zum Beabstanden des Niederdruckplasmas von der zu fluorierenden
Oberfläche des Werkstückes. Durch ein derartiges
Gitter kann das Plasma auf einfache Weise von der zu fluorierenden
Oberfläche beabstandet werden.
-
Bevorzugt
ist ein Wechselspannungsgenerator an die Elektrode angeschlossen,
derart dass das Niederdruckplasma durch Anlegen einer von dem Wechselspannungsgenerator
erzeugten Wechselspannung an die Elektrode erzeugbar ist, wobei
die Elektrode im Plasmabereich positioniert ist. Alternativ kann
die Elektrode als Hochfrequenzelektrode, bevorzugt als Magnetron,
ausgebildet sein und in einem an den Plasmabereich angrenzenden
Bereich außerhalb der Reaktionskammer angeordnet sein,
wobei das Niederdruckplasma bei Betreiben der Hochfrequenzelektrode,
durch Einstrahlen von von der Hochfrequenzelektrode erzeugter Mikrowellenstrahlung
in den Plasmabereich, erzeugbar ist.
-
Die
Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen
unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert.
-
1 zeigt
eine erfindungsgemäße Plasmabehandlungsanlage
mit einer außerhalb der Prozesskammer angeordneten Elektrode
zur Erzeugung des Niederdruckplasmas in der Prozesskammer, die als eine
Antenne wirkt.
-
2 zeigt
eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen
Plasmabehandlungsanlage, die eine innerhalb der Prozesskammer angeordnete Elektrode
zur Erzeugung des Niederdruckplasmas aufweist.
-
Die
Darstellungen der Zeichnungen zeigen den erfindungsgemäßen
Gegenstand stark schematisiert und sind nicht maßstäblich
zu verstehen. Die einzelnen Bestandteile des erfindungsgemäßen
Gegenstandes sind so dargestellt, dass ihr Aufbau gut gezeigt werden
kann.
-
In 1 ist
eine erfindungsgemäße Plasmabehandlungsanlage
mit einem Magnetron als Elektrode 1 zur Erzeugung des Niederdruckplasmas 3 gezeigt,
die zur Durchführung des Verfahrens eingerichtet ist. Mittels
einer Vakuumpumpe 5 ist eine Reaktionskammer 6 einer
Vakuumapparatur zumindest teilweise evakuierbar, d. h. es ist darin
ein Unterdruck kleiner als der Atmosphärendruck von ca.
1 bar absolut erzeugbar. Die Vakuumapparatur wird von der Reaktionskammer 6 und
verschiedenen, in der Figur als Linien dargestellten Gasleitungen 7, 8 sowie
an den Gasleitungen 7 angeordneten, Ventilen 9 ausgebildet.
Die vorgesehenen Gasflussrichtungen in den Gasleitungen 7, 8,
die beim Betrieb der Plasmabehandlungsanlage auftreten, sind als
Pfeilspitzen auf den die Gasleitungen 7, 8 darstellenden
Linien symbolisch dargestellt.
-
In
der Reaktionskammer 6 ist eine Werkstoffhaltevorrichtung 10,
z. B. eine Ablage, zum Vorhalten eines Werkstückes 11 mit
einer zu fluorierenden Oberfläche 12 vorgesehen.
Das Werkstück kann zum Beispiel als ein bevorzugt glasfaserverstärktes Kunststoffteil
aus Polypropylen ausgebildet sein. Zum Erzeugen des Niederdruckplasmas 3 in
der Reaktionskammer 6 ist die als Magnetron ausgebildete Elektrode 1 im
Außenbereich der Reaktionskammer 6 angeordnet.
Das Magnetron ist durch ein Fenster 14, das Mikrowellenstrahlung 15 nur
gering dämpft, vom Innenraum der Reaktionskammer 6 getrennt. Das
Magnetron ist in einem, an einen innerhalb der Reaktionskammer 6 gelegenen,
zur Erzeugung des Niederdruckplasmas 3 vorgesehenen Plasmabereich 16 angrenzenden
Bereich außerhalb der Reaktionskammer 6 angeordnet.
Das Niederdruckplasma 3 ist bei Betreiben des Magnetrons
durch Einstrahlen von von dem Magnetron erzeugter Mikrowellenstrahlung 15 in
den Plasmabereich 16 erzeugbar. Die zu fluorierenden Oberfläche 12 des
Werkstückes 11 ist derart innerhalb der Reaktionskammer 6 positioniert, dass
die dem Plasmabereich 16 zugewandt ist.
-
An
eine als Gaszuleitung ausgebildete Gasleitung 7 ist eine
Gasflasche 20 angeschlossen, die ein eine Fluorverbindung,
bevorzugt Stickstofffluorid, enthaltendes fluorhaltiges Gas enthält.
Die Gasflasche 20 und die Gaszuleitung 7 bilden
also Mittel zum Einleiten des fluorhaltigen Gases in die Reaktionskammer 6 aus.
-
Mittels
der als Magnetron ausgebildeten Elektrode 1 wird also das
Niederdruckplasma 3 in dem eingeleiteten fluorhaltigen
Gas in dem Plasmabereich 16 erzeugt.
-
Die
Elektrode 1 zum Erzeugen des Niederdruckplasmas 3 in
dem Plasmabereich 16 ist von der Werkstoffhaltevorrichtung 10 derart
beabstandet positioniert, dass der Plasmabereich 16 durch
einen Zwischenraum 21 von der zu fluorierenden Oberfläche 12 des
Werkstückes 11 getrennt ist. In der Reaktionskammer 6 ist
ein den Zwischenraum 21 und den Plasmabereich 16 voneinander
trennendes Gitter 23, bevorzugt aus Metall, vorgesehen.
Dieses Gitter 23 bewirkt ein Beabstanden des Niederdruckplasmas 3 von
der zu fluorierenden Oberfläche 12 des Werkstückes 11,
so dass im Volumenbereich der Reaktionskammer 6, der sich
unmittelbar an die zu fluorierende Oberfläche 12 anschließt,
kein Plasma brennt.
-
Am
Gasauslass der Vakuumpumpe 5 sind als ein Gaswäscher
und/oder ein Gasadsorber ausgebildete Fluorgasentfernungsmittel 25 angeordnet, wodurch
beim Evakuieren der Reaktionskammer 6 mit abgepumpte Fluorgasreste
nicht in die Umwelt gelangen können.
-
In 2 ist
eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen
Plasmabehandlungsanlage gezeigt, die eine innerhalb der Prozesskammer 6 angeordnete
Elektrode 1 zur Erzeugung des Niederdruckplasmas 3 aufweist.
Die Ausführungsform unterscheidet sich zur Ausführungsform
gemäß 1 also im Wesentlichen lediglich
durch die Art der Niederdruckplasmaerzeugung. Ein Wechselspannungsgenerator 30 ist
an die Elektrode 1 angeschlossen, sodass das Niederdruckplasma 3 durch
Anlegen einer von dem Wechselspannungsgenerator 30 erzeugten
Wechselspannung an die Elektrode 1 erzeugbar ist. Die Elektrode 1 ist
direkt im Plasmabereich 16 positioniert. Das Niederdruckplasma 3 brennt
also um die Elektrode 1 herum. Direkt über der zu
fluorierenden Oberfläche 12 des Werkstückes 11 befindet
sich ein im Wesentlichen plasmafreier Zwischenraum 21,
derart dass das Niederdruckplasma 3 nicht direkt auf der
Oberfläche 12 des Werkstückes 11 brennt.
-
Die
an die Elektrode 1 angelegte Wechselspannung wird gegenüber
zumindest Teilbereichen der Innenwände der Reaktionskammer 6 angelegt. Dazu
ist die Reaktionskammer 6 hinsichtlich ihres elektrischen Potentials
geerdet, d. h. an das Erdpotential 32 des Wechselspannungsgenerators 30 angeschlossen.
Der elektrische Anschluss 35 der Elektrode 1 an
den Wechselspannungsgenerator 30 ist durch eine vakuumdichte,
gegen elektrische Spannung isolierende Öffnung 37 in
einer Wandung der Reaktionskammer 6 durchgeführt.
-
Vorgeschlagen
wird ein Verfahren zum Fluorieren einer Oberfläche 12 eines
Werkstückes 11, insbesondere einer mit einer Beschichtung
zu beschichtenden Oberfläche 12 eines Werkstückes 11 zur
Verbesserung der Anhaftung der Beschichtung auf der Oberfläche 12.
Das Verfahren weist folgende Verfahrensschritte auf:
- – Vorhalten des Werkstückes 11 in
einer zumindest teilevakuierten Reaktionskammer 6 einer
Vakuumapparatur,
- – Einleiten eines eine Fluorverbindung, bevorzugt Stickstofffluorid,
enthaltenden fluorhaltigen Gases in die Reaktionskammer 6,
und
- – Erzeugen eines Niederdruckplasmas 3 in dem fluorhaltigen
Gas in einem der zu fluorierenden Oberfläche 12 des
Werkstückes 11 zugewandten Plasmabereich 16 der
Reaktionskammer 6 zur Umsetzung zumindest von Teilen des
fluorhaltigen Gases in elementares Fluor.
-
Dabei
ist der Plasmabereich 16 durch einen Zwischenraum 21 von
der zu fluorierenden Oberfläche 12 des Werkstückes 11 getrennt.
-
Die
Erfindung beschränkt sich nicht auf die vorstehend angegebenen
Ausführungsbeispiele. Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten
denkbar, welche auch bei grundsätzlich anders gearteter
Ausführung von den Merkmalen der Erfindung Gebrauch machen.
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
Diese Liste
der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert
erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information
des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen
Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
-
Zitierte Patentliteratur
-
- - DE 102006013681
A1 [0002]
- - DE 4320388 A1 [0002]
- - DE 4304792 A1 [0002]
- - EP 0629654 B1 [0002]
- - EP 0611791 A1 [0002]
- - JP 2007161517 A [0004]
- - DE 69826120 T2 [0004]