JPS59173273A - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
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- JPS59173273A JPS59173273A JP4623683A JP4623683A JPS59173273A JP S59173273 A JPS59173273 A JP S59173273A JP 4623683 A JP4623683 A JP 4623683A JP 4623683 A JP4623683 A JP 4623683A JP S59173273 A JPS59173273 A JP S59173273A
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- JP
- Japan
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- etching
- polytetrafluoroethylene
- ion etching
- vessel
- reactive ion
- Prior art date
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
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- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
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- H01J2237/3341—Reactive etching
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体等の電子部品製造工程における反応性イ
オンエツチング装置に関するものである。
オンエツチング装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来のＳｉ系材料の反応性イオンエツチング装置は第１
図にその具体構成を示すように真空容器１に図示しない
真空排気手段に接続された真空排気接続口２、処理ガス
供給配管３、基板電極４、対向電極５が備えられ、蒐記
基板電極４に高周波電源６が電気的に接続されたもので
、処理ガスとしては弗素化合物（ＣＦ４，０３Ｆ８等）
を使用していた。寸た７は被エツチング物である。しか
しながら、上記のようなＳｉ系材料の反応性イオンエツ
チング装置では、Ｓｌ系材料のエツチングレートを増加
させるためには電源からの電力を増加させなくてはなら
ないので、マスクパターンとなるレジスト材料とのエツ
チングレートの選択比（Ｓｉ系材料のエツチングレート
／レジスト材料のエツチングレート）が減少し、マスク
パターンどおりの反応性イオンエツチングができないと
いう欠点を有していた１゜ 発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、電源からの電力を増加せずに
Ｓｉ系材料のエツチングレートを増加させるＳｌ系材料
の反応性イオンエツチング装置を掃供するものである。
図にその具体構成を示すように真空容器１に図示しない
真空排気手段に接続された真空排気接続口２、処理ガス
供給配管３、基板電極４、対向電極５が備えられ、蒐記
基板電極４に高周波電源６が電気的に接続されたもので
、処理ガスとしては弗素化合物（ＣＦ４，０３Ｆ８等）
を使用していた。寸た７は被エツチング物である。しか
しながら、上記のようなＳｉ系材料の反応性イオンエツ
チング装置では、Ｓｌ系材料のエツチングレートを増加
させるためには電源からの電力を増加させなくてはなら
ないので、マスクパターンとなるレジスト材料とのエツ
チングレートの選択比（Ｓｉ系材料のエツチングレート
／レジスト材料のエツチングレート）が減少し、マスク
パターンどおりの反応性イオンエツチングができないと
いう欠点を有していた１゜ 発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、電源からの電力を増加せずに
Ｓｉ系材料のエツチングレートを増加させるＳｌ系材料
の反応性イオンエツチング装置を掃供するものである。
発明の構成
本発明は基本的には従来のＳｉ系材料の反応性イオンエ
ツチング装置と同様であるが、真空容器の内面あるいは
基板電極、対向電極をポリ四フッ化エチレンでコーティ
ングすることにより、弗素化合物の処理ガス（ＣＦ４．
ＣＦ８等）の放電が始まると、処理ガスからのエツチン
グに寄与する物質（弗素及び弗素化合物のイオンあるい
はラジカル）たけでなく、前記のポリ四フッ化エチレン
でコーティングされた構成部品からもエツチングに寄与
する物質が発生するため、従来のようにレジストに対す
るエツチングレートの選択比を減少させずに、 Ｓｉ系
材料のエツチングレートを増加させるという特有の効果
を有するものである。
ツチング装置と同様であるが、真空容器の内面あるいは
基板電極、対向電極をポリ四フッ化エチレンでコーティ
ングすることにより、弗素化合物の処理ガス（ＣＦ４．
ＣＦ８等）の放電が始まると、処理ガスからのエツチン
グに寄与する物質（弗素及び弗素化合物のイオンあるい
はラジカル）たけでなく、前記のポリ四フッ化エチレン
でコーティングされた構成部品からもエツチングに寄与
する物質が発生するため、従来のようにレジストに対す
るエツチングレートの選択比を減少させずに、 Ｓｉ系
材料のエツチングレートを増加させるという特有の効果
を有するものである。
実施例の説明
以下本発明の一実施例を第２〜３図にもとづいてｉ説明
する。第２図は本発明の実施例におけるＳｌ系材料の反
応性イオンエツチング装置の概略図を示したものである
。第２図において、８は内部をポ１，１四−ｙ ｙ化エ
チレンでコーティングした真空容器、９は真空排気口、
１０は処理ガス供給配管、１１はポリ四フッ化エチレン
でコーティングした基板電極、１２はポリ四フッ化エチ
レンでコーティングした対向電極、１３は高周波電源、
１４は被エツチング物である。本実施例において前記ポ
リ四フッ化エチレンコーティングの厚さは１００μｍと
した。
する。第２図は本発明の実施例におけるＳｌ系材料の反
応性イオンエツチング装置の概略図を示したものである
。第２図において、８は内部をポ１，１四−ｙ ｙ化エ
チレンでコーティングした真空容器、９は真空排気口、
１０は処理ガス供給配管、１１はポリ四フッ化エチレン
でコーティングした基板電極、１２はポリ四フッ化エチ
レンでコーティングした対向電極、１３は高周波電源、
１４は被エツチング物である。本実施例において前記ポ
リ四フッ化エチレンコーティングの厚さは１００μｍと
した。
以上のように構成された装置を用いて、下記に示すエツ
チング条件で本発明の Ｓｉ系材料の反応性イオンエツ
チングを実施した。
チング条件で本発明の Ｓｉ系材料の反応性イオンエツ
チングを実施した。
処理ガス二０３Ｆ８（パーフロログロパン）ガス流量：
５０ＳＣＣＭ 真空度 ： ｏ 、ｏａ Ｔｏｒｒ 電源の電カニ ２００〜５ｏｏＷ 披エツチング物：外径１００ ｍｍφの Ｓ１ウエハ上
のＳ １０２膜（６，０００人） 第３図は本実施例におけるＳ １０２膜のエツチングレ
ート及びレジストに対するエツチングレートの選択比と
、従来例の第１図の装置を用いて同一のエツチング条件
で反応性イオンエツチングした場合の結果とを比較した
ものでＡは本実施例、Ｂは従来例の各結果を示す。
５０ＳＣＣＭ 真空度 ： ｏ 、ｏａ Ｔｏｒｒ 電源の電カニ ２００〜５ｏｏＷ 披エツチング物：外径１００ ｍｍφの Ｓ１ウエハ上
のＳ １０２膜（６，０００人） 第３図は本実施例におけるＳ １０２膜のエツチングレ
ート及びレジストに対するエツチングレートの選択比と
、従来例の第１図の装置を用いて同一のエツチング条件
で反応性イオンエツチングした場合の結果とを比較した
ものでＡは本実施例、Ｂは従来例の各結果を示す。
以上のように本実施例によれば、第３図から明らかなよ
うに、真空容器の内面及び基板電極、対向′電極をポリ
四フッ化エチレンでコーティングすることにより、レジ
ストに対するエツチングレートの選択比を減少させずに
８１０２膜のエツチングレートを増加することができる
。これは前記真空容器内面あるいは基板電極、対向電極
をポリ四７ソ化エチレンでコーティングすることにより
、弗素化合物の処理ガス（０３Ｆ８）の放電が始まると
、処理ガスからのエツチングに寄与する弗素及び弗素化
合物のイオンあるいはラジカルといった物質以外に、ポ
リ四フッ化エチレンからもこれらのエツチングに寄与す
る物質が発生するためである４、なお、本実施例におい
て第２図に示すように、だが、いずれか１つでもポリ四
７ノ化エチレンでコーティングされていれば本発明の効
果があることは言うまでもない。さらに本実施例におい
て被エツチング物をＳ ｉＯ２膜としたが、被エツチン
グ物は単結晶・多結晶Ｓｉ膜、窒化Ｓ１膜のいずれであ
ってもよい。
うに、真空容器の内面及び基板電極、対向′電極をポリ
四フッ化エチレンでコーティングすることにより、レジ
ストに対するエツチングレートの選択比を減少させずに
８１０２膜のエツチングレートを増加することができる
。これは前記真空容器内面あるいは基板電極、対向電極
をポリ四７ソ化エチレンでコーティングすることにより
、弗素化合物の処理ガス（０３Ｆ８）の放電が始まると
、処理ガスからのエツチングに寄与する弗素及び弗素化
合物のイオンあるいはラジカルといった物質以外に、ポ
リ四フッ化エチレンからもこれらのエツチングに寄与す
る物質が発生するためである４、なお、本実施例におい
て第２図に示すように、だが、いずれか１つでもポリ四
７ノ化エチレンでコーティングされていれば本発明の効
果があることは言うまでもない。さらに本実施例におい
て被エツチング物をＳ ｉＯ２膜としたが、被エツチン
グ物は単結晶・多結晶Ｓｉ膜、窒化Ｓ１膜のいずれであ
ってもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、 Ｓｉ系材料の反応性イオンエ
ツチングにおいて、真空容器の内面、対向電極及び基板
゛電極のうち、いずれか１つ、あるいは２つ、あるいは
全てをポリ四７ノ化エチレンでコーティングすることに
よりレジストに対するエツチングレートの選択比を減少
することな（、Ｓｉ系材料のエツチングレートを増加す
ることができ、その効果は大なるものがある。
ツチングにおいて、真空容器の内面、対向電極及び基板
゛電極のうち、いずれか１つ、あるいは２つ、あるいは
全てをポリ四７ノ化エチレンでコーティングすることに
よりレジストに対するエツチングレートの選択比を減少
することな（、Ｓｉ系材料のエツチングレートを増加す
ることができ、その効果は大なるものがある。
第１図は従来のＳｉ系相料の反応性イオンエッチ７り装
置の概略図、第２図は本発明の一実施例におけるＳｉ系
材料の反応性イオンエツチング装置の概略図、第３図は
本発明の一実施例と従来例に分ける高周波電圧と８１０
２膜のエツチングレートとの関係及び高周波電圧とエツ
チングレートの選択比との関係を比較した図である。 ８ ・・内部をポリ四フッ化エチレンでコーティングし
た真空容器、９・・・・・・真空排気口、１０ ・・・
処理カス供給配管、１１ ・・・ポリ四フッ化エチレン
でコーティングした基板電極、１２・・・・・・ポリ四
フッ化エチレンでコーティングした対向電極、１３・高
周波電源、１４ ・・被ニー・チンｙ物。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ３図 Ｌ ７ｆｌ Ｊ ’ｌ Ａ （ｗ）
置の概略図、第２図は本発明の一実施例におけるＳｉ系
材料の反応性イオンエツチング装置の概略図、第３図は
本発明の一実施例と従来例に分ける高周波電圧と８１０
２膜のエツチングレートとの関係及び高周波電圧とエツ
チングレートの選択比との関係を比較した図である。 ８ ・・内部をポリ四フッ化エチレンでコーティングし
た真空容器、９・・・・・・真空排気口、１０ ・・・
処理カス供給配管、１１ ・・・ポリ四フッ化エチレン
でコーティングした基板電極、１２・・・・・・ポリ四
フッ化エチレンでコーティングした対向電極、１３・高
周波電源、１４ ・・被ニー・チンｙ物。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ３図 Ｌ ７ｆｌ Ｊ ’ｌ Ａ （ｗ）
Claims (2)
- （１）真空容器と、この真空容器に連接するように設け
られた真空排気手段と、前記真空容器に連接するように
設けられた処理ガス供給手段と、前記真空容器内にあっ
て、被エツチング物を載置するために設けられた基板電
極と、前記基板電極と対向するように設けられた対向電
極と、真空容器内の前記電極のいずれか一方に電気的に
接続された高周波電源とからなり、前記真空容器あるい
は真空容器内の前記部材にポリ四フッ化エチレンでコー
ティングが施されている反応性イオンエツチング装置。 。 - （２）真空容器の内面、基板電極、または対向電極のう
ち、少なくとも１つは表面全体に、または部分的にポリ
四フッ化エチレンでコーティングされている特許請求の
範囲第１項記載の反応性イオンエツチング装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4623683A JPS59173273A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 反応性イオンエツチング装置 |
| EP19840901223 EP0140975A4 (en) | 1983-03-18 | 1984-03-19 | REACTIVE ION ETCHING APPARATUS. |
| PCT/JP1984/000114 WO1984003798A1 (en) | 1983-03-18 | 1984-03-19 | Reactive ion etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4623683A JPS59173273A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59173273A true JPS59173273A (ja) | 1984-10-01 |
Family
ID=12741484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4623683A Pending JPS59173273A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59173273A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465363B1 (en) | 1997-04-28 | 2002-10-15 | Shibaura Mechatronics Corporation | Vacuum processing method and vacuum processing apparatus |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP4623683A patent/JPS59173273A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465363B1 (en) | 1997-04-28 | 2002-10-15 | Shibaura Mechatronics Corporation | Vacuum processing method and vacuum processing apparatus |
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