JPH05216001A - Ｌｃｄ製造装置 - Google Patents
Ｌｃｄ製造装置Info
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- JPH05216001A JPH05216001A JP9221092A JP2109292A JPH05216001A JP H05216001 A JPH05216001 A JP H05216001A JP 9221092 A JP9221092 A JP 9221092A JP 2109292 A JP2109292 A JP 2109292A JP H05216001 A JPH05216001 A JP H05216001A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ中の活性イオン種によりエッチング
を行うＬＣＤ製造装置に関し，エッチング中に生じたＬ
ＣＤ基板の帯電によるトランジスタ素子の静電破壊及び
異物吸着を防ぎ歩留り，信頼性を向上させる。 【構成】 真空容器２内でＬＣＤ基板５のエッチング終
了後，イオン発生器１２により発生したイオンを，イオ
ン導入管１４，バルブ１３を通して真空容器２内に導入
しＬＣＤ基板５に吹きつける事によって，ＬＣＤ基板５
が大気中にさらされ，静電気が大気中に放電される前に
イオンにより中和，除電を行い，帯電によるトランジス
タ素子の静電破壊及び異物の静電吸着による配線短絡・
断線不良を防ぐ構成である。
を行うＬＣＤ製造装置に関し，エッチング中に生じたＬ
ＣＤ基板の帯電によるトランジスタ素子の静電破壊及び
異物吸着を防ぎ歩留り，信頼性を向上させる。 【構成】 真空容器２内でＬＣＤ基板５のエッチング終
了後，イオン発生器１２により発生したイオンを，イオ
ン導入管１４，バルブ１３を通して真空容器２内に導入
しＬＣＤ基板５に吹きつける事によって，ＬＣＤ基板５
が大気中にさらされ，静電気が大気中に放電される前に
イオンにより中和，除電を行い，帯電によるトランジス
タ素子の静電破壊及び異物の静電吸着による配線短絡・
断線不良を防ぐ構成である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＣＤ（液晶表示装置）
の製造装置に関し，特にＬＣＤ基板を，プラズマ雰囲気
中の活性イオン種により，エッチングを行うＬＣＤ製造
装置に関する。
の製造装置に関し，特にＬＣＤ基板を，プラズマ雰囲気
中の活性イオン種により，エッチングを行うＬＣＤ製造
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，この種のＬＣＤ製造装置は，図３
に示す様に，相対向する平行平板状の電極１を真空容器
２内に互いに平行に配置している。電極１に高周波電源
３により高周波電力を印加し，真空容器２内に，プロセ
スガス導入管４を通じて導入されたプロセスガスを励
起，活性化する事により，プラズマを発生させ電極１と
のＬＣＤ基板５をエッチングする。
に示す様に，相対向する平行平板状の電極１を真空容器
２内に互いに平行に配置している。電極１に高周波電源
３により高周波電力を印加し，真空容器２内に，プロセ
スガス導入管４を通じて導入されたプロセスガスを励
起，活性化する事により，プラズマを発生させ電極１と
のＬＣＤ基板５をエッチングする。
【０００３】次に，従来の装置内におけるＬＣＤ基板５
の搬入・搬出の動作について説明する。ＬＣＤ基板５
は，第１ゲート６を通して，予備真空容器７に入り，予
備真空容器７内が排気され，高真空になる。かつ，真空
容器２内が高真空になっていれば，第２ゲート８を通し
て，下方の電極１上に配置される。その後，プロセスガ
ス導入管４を通して導入され，電極１に高周波を印加
し，プラズマを発生させ，ＬＣＤ基板のエッチングを行
う。エッチングが終了したら，再び真空容器２内を排気
・高真空にする。しかる後，高真空である予備真空容器
９に，第３ゲート１０を通して移動する。予備真空容器
９はパージガス導入管１１を通して不活性のパージガス
を導入し，大気圧になると，ＬＣＤ基板は第４ゲート１
２を通して搬出される。
の搬入・搬出の動作について説明する。ＬＣＤ基板５
は，第１ゲート６を通して，予備真空容器７に入り，予
備真空容器７内が排気され，高真空になる。かつ，真空
容器２内が高真空になっていれば，第２ゲート８を通し
て，下方の電極１上に配置される。その後，プロセスガ
ス導入管４を通して導入され，電極１に高周波を印加
し，プラズマを発生させ，ＬＣＤ基板のエッチングを行
う。エッチングが終了したら，再び真空容器２内を排気
・高真空にする。しかる後，高真空である予備真空容器
９に，第３ゲート１０を通して移動する。予備真空容器
９はパージガス導入管１１を通して不活性のパージガス
を導入し，大気圧になると，ＬＣＤ基板は第４ゲート１
２を通して搬出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のＬＣＤ製造
装置では，ＬＣＤ基板をエッチングする際，直接プラズ
マにさらされる為，プラズマ中のイオン，電子等によ
り，ＬＣＤ基板が帯電し，ＬＣＤ基板上に作られたトラ
ンジスタ素子の静電破壊を引き起こすという問題点があ
った。
装置では，ＬＣＤ基板をエッチングする際，直接プラズ
マにさらされる為，プラズマ中のイオン，電子等によ
り，ＬＣＤ基板が帯電し，ＬＣＤ基板上に作られたトラ
ンジスタ素子の静電破壊を引き起こすという問題点があ
った。
【０００５】又，ＬＣＤ基板が帯電する事により，ＬＣ
Ｄ装置内あるいは作業環境における異物を吸着し，ＬＣ
Ｄ基板上に作られたトランジスタ素子の配線短絡あるい
は断線不良を引き起こすという問題点もあった。ＬＣＤ
基板が絶縁性であり，かつ，ＬＣＤ基板の面積が大きい
程，帯電量も増加するため，上述した問題点は近年のＬ
ＣＤ基板の大型化，微細化にともない無視できない問題
となっている。
Ｄ装置内あるいは作業環境における異物を吸着し，ＬＣ
Ｄ基板上に作られたトランジスタ素子の配線短絡あるい
は断線不良を引き起こすという問題点もあった。ＬＣＤ
基板が絶縁性であり，かつ，ＬＣＤ基板の面積が大きい
程，帯電量も増加するため，上述した問題点は近年のＬ
ＣＤ基板の大型化，微細化にともない無視できない問題
となっている。
【０００６】そこで，本発明の第１の技術的課題は，Ｌ
ＣＤ基板上のトランジスタ素子の静電破壊及び異物吸着
を防ぐことができるＬＣＤ製造装置を提供するにある。
ＣＤ基板上のトランジスタ素子の静電破壊及び異物吸着
を防ぐことができるＬＣＤ製造装置を提供するにある。
【０００７】また，本発明の第２の技術的課題は，歩留
り良く，信頼性の向上したＬＣＤを製造できるＬＣＤ製
造装置を提供するにある。
り良く，信頼性の向上したＬＣＤを製造できるＬＣＤ製
造装置を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，平行平
板状の相対向する電極を真空容器内に互いに平行に配置
し，一方の電極に高周波を印加し真空容器内に導入した
反応性ガスにプラズマを発生させ電極上に設置したＬＣ
Ｄ基板のエッチングを行うＬＣＤ製造装置において，外
部から前記真空容器内にイオンを導入するためのイオン
導入手段を有することを特徴とするＬＣＤ製造装置が得
られる。
板状の相対向する電極を真空容器内に互いに平行に配置
し，一方の電極に高周波を印加し真空容器内に導入した
反応性ガスにプラズマを発生させ電極上に設置したＬＣ
Ｄ基板のエッチングを行うＬＣＤ製造装置において，外
部から前記真空容器内にイオンを導入するためのイオン
導入手段を有することを特徴とするＬＣＤ製造装置が得
られる。
【０００９】本発明によれば，平行平板状の相対向する
電極を真空容器内に平行に配置し，一方の電極に高周波
を印加し真空容器内に導入した反応性ガスにプラズマを
発生させ電極上に設置したＬＣＤ基板のエッチングを行
うＬＣＤ製造装置において，前記真空容器の真空を保持
するように，前記真空容器の端部のＬＣＤ基板の搬出口
を覆うように設けられた一対の予備真空容器と，前記予
備真空容器内に外部からイオンを導入するためのイオン
導入手段とを有することを特徴とするＬＣＤ製造装置が
得られる。ここで，本発明のＬＣＤ製造装置は，イオン
導入手段として，イオン発生装置と，真空容器又は予備
真空容器内にイオンを導入するイオン導入管及びこの導
入管を断続させるバルブとを有している。
電極を真空容器内に平行に配置し，一方の電極に高周波
を印加し真空容器内に導入した反応性ガスにプラズマを
発生させ電極上に設置したＬＣＤ基板のエッチングを行
うＬＣＤ製造装置において，前記真空容器の真空を保持
するように，前記真空容器の端部のＬＣＤ基板の搬出口
を覆うように設けられた一対の予備真空容器と，前記予
備真空容器内に外部からイオンを導入するためのイオン
導入手段とを有することを特徴とするＬＣＤ製造装置が
得られる。ここで，本発明のＬＣＤ製造装置は，イオン
導入手段として，イオン発生装置と，真空容器又は予備
真空容器内にイオンを導入するイオン導入管及びこの導
入管を断続させるバルブとを有している。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例に係るＬＣＤ製造装置に
ついて図面を参照して説明する。
ついて図面を参照して説明する。
【００１１】図１は本発明の第１の実施例に係るＬＣＤ
製造装置の断面図である。図１において，図３で示す従
来例と異なる点は，第１の実施例に係るＬＣＤ製造装置
がプロセスガス導入管４に接続されたイオン発生器１５
とバルブ１３を有するイオン導入管１４とを有する点で
ある。第２ゲート８を通して，予備真空容器７内に搬入
されたＬＣＤ基板５は，排気により１０-4〜１０-5Ｔｏ
ｒｒの高真空になった後，同程度に高真空になっている
金属からなる真空容器２内に第２ゲート８を通して，下
方の電極１上に配置される。真空容器の内に１０-3〜１
０-4Ｔｏｒｒ程度のＳＦ6 ，ＣＦ4 ，Ｃｌ2 ，等プロセ
スガスをプロセスガス導入管４により導入し，真空容器
２内の相対向する電極１に高周波電源３により１００Ｈ
ｚ〜１００ＭＨｚの高周波電力を印加してプラズマを発
生させ，励起・活性化されたプロセスガスにより，ＬＣ
Ｄ基板５をエッチングする。エッチングが終了しプロセ
スガスの供給を止め，排気により真空容器２内が１０-4
〜１０-5Ｔｏｒｒの高真空になった後，バルブ１３を開
け，イオン発生器１５により発生した酸素イオン，窒素
イオン等の陰イオンをイオン導入管１４により真空容器
内２に導入し，ＬＣＤ基板５にイオンを吹きつける事に
より，エッチングにより帯電した静電気を中和，除電す
る。ＬＣＤ基板５は，除電が終えた後，第１ゲート１０
を通して真空容器２と同程度の高真空である予備真空容
器９内に配置されるＬＣＤ基板５は，予備真空容器９が
パージガス導入管１１を通して導入されたＮ2 等のパー
ジガスにより，大気圧になった後，第４ゲート１２より
搬出される。
製造装置の断面図である。図１において，図３で示す従
来例と異なる点は，第１の実施例に係るＬＣＤ製造装置
がプロセスガス導入管４に接続されたイオン発生器１５
とバルブ１３を有するイオン導入管１４とを有する点で
ある。第２ゲート８を通して，予備真空容器７内に搬入
されたＬＣＤ基板５は，排気により１０-4〜１０-5Ｔｏ
ｒｒの高真空になった後，同程度に高真空になっている
金属からなる真空容器２内に第２ゲート８を通して，下
方の電極１上に配置される。真空容器の内に１０-3〜１
０-4Ｔｏｒｒ程度のＳＦ6 ，ＣＦ4 ，Ｃｌ2 ，等プロセ
スガスをプロセスガス導入管４により導入し，真空容器
２内の相対向する電極１に高周波電源３により１００Ｈ
ｚ〜１００ＭＨｚの高周波電力を印加してプラズマを発
生させ，励起・活性化されたプロセスガスにより，ＬＣ
Ｄ基板５をエッチングする。エッチングが終了しプロセ
スガスの供給を止め，排気により真空容器２内が１０-4
〜１０-5Ｔｏｒｒの高真空になった後，バルブ１３を開
け，イオン発生器１５により発生した酸素イオン，窒素
イオン等の陰イオンをイオン導入管１４により真空容器
内２に導入し，ＬＣＤ基板５にイオンを吹きつける事に
より，エッチングにより帯電した静電気を中和，除電す
る。ＬＣＤ基板５は，除電が終えた後，第１ゲート１０
を通して真空容器２と同程度の高真空である予備真空容
器９内に配置されるＬＣＤ基板５は，予備真空容器９が
パージガス導入管１１を通して導入されたＮ2 等のパー
ジガスにより，大気圧になった後，第４ゲート１２より
搬出される。
【００１２】図２は本発明の第２の実施例に係るＬＣＤ
製造装置を示す断面図である。図２で示すＬＣＤ製造装
置が，従来例及び第１実施例と異なる点は，イオン発生
器がパージガス導入管に接続されている点にある。第２
の実施例では，エッチング終了後のＬＣＤ基板５が予備
真空容器９内に配置された後，予備真空容器９がパージ
ガス導入管１１を通してパージガスを導入する際，バル
ブ１３を開け，イオン発生器１５により発生した陰イオ
ンをイオン導入管１４により予備真空容器９内に導入
し，ＬＣＤ基板５にイオンを吹きつけ，ＬＣＤ基板５に
帯電した静電気を中和，除電する。予備真空容器９が大
気圧になった後，第４ゲート１２よりＬＣＤ基板５は搬
出される。第２の実施例では，ＬＣＤ基板５の除電を，
パージガスの導入と同様に行うので，スループットの向
上，及び，除電に必要なイオンの量が少なくて済むとい
う利点がある。
製造装置を示す断面図である。図２で示すＬＣＤ製造装
置が，従来例及び第１実施例と異なる点は，イオン発生
器がパージガス導入管に接続されている点にある。第２
の実施例では，エッチング終了後のＬＣＤ基板５が予備
真空容器９内に配置された後，予備真空容器９がパージ
ガス導入管１１を通してパージガスを導入する際，バル
ブ１３を開け，イオン発生器１５により発生した陰イオ
ンをイオン導入管１４により予備真空容器９内に導入
し，ＬＣＤ基板５にイオンを吹きつけ，ＬＣＤ基板５に
帯電した静電気を中和，除電する。予備真空容器９が大
気圧になった後，第４ゲート１２よりＬＣＤ基板５は搬
出される。第２の実施例では，ＬＣＤ基板５の除電を，
パージガスの導入と同様に行うので，スループットの向
上，及び，除電に必要なイオンの量が少なくて済むとい
う利点がある。
【００１３】
【発明の効果】以上説明した様に，本発明は，真空容器
あるいは予備真空容器内にイオンを導入する構造を有す
るので，エッチングを行った際，ＬＣＤ基板上に帯電し
た静電気を，ＬＣＤ基板が大気にさらされる前，すなわ
ち，ＬＣＤ基板に帯電した静電気が大気中に放電する
前，に除電することができるので，ＬＣＤ基板上のトラ
ンジスタ素子の静電破壊あるいは，ＬＣＤ基板の帯電に
よる装置内及び大気環境雰囲気の，異物の静電吸着を防
ぐという効果を有する。エッチング後のＬＣＤ基板の帯
電量は従来の装置では，−１０〜−１５Ｖであったの
が，本発明の装置では−０〜−０．５Ｖに低減し歩留が
２〜３割向上した。
あるいは予備真空容器内にイオンを導入する構造を有す
るので，エッチングを行った際，ＬＣＤ基板上に帯電し
た静電気を，ＬＣＤ基板が大気にさらされる前，すなわ
ち，ＬＣＤ基板に帯電した静電気が大気中に放電する
前，に除電することができるので，ＬＣＤ基板上のトラ
ンジスタ素子の静電破壊あるいは，ＬＣＤ基板の帯電に
よる装置内及び大気環境雰囲気の，異物の静電吸着を防
ぐという効果を有する。エッチング後のＬＣＤ基板の帯
電量は従来の装置では，−１０〜−１５Ｖであったの
が，本発明の装置では−０〜−０．５Ｖに低減し歩留が
２〜３割向上した。
【００１４】上述した効果は近年のＬＣＤ基板の大型
化，微細化にともない歩留の向上，信頼性の向上にとっ
て多大な効果がある。
化，微細化にともない歩留の向上，信頼性の向上にとっ
て多大な効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例に係るＬＣＤ製造装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係るＬＣＤ製造装置の
断面図である。
断面図である。
【図３】従来のＬＣＤ製造装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ 電極 ２ 真空容器 ３ 高周波電源 ４ プロセスガス導入管 ５ ＬＣＤ基板 ６ 第１ゲート ７，９ 予備真空容器 ８ 第２ゲート １０ 第３ゲート １１ パージガス導入管 １２ 第４ゲート １３ バルブ １４ イオン導入管 １５ イオン発生器
Claims (2)
- 【請求項１】 平行平板状の相対向する電極を真空容器
内に互いに平行に配置し，一方の電極に高周波を印加し
真空容器内に導入した反応性ガスにプラズマを発生させ
電極上に設置したＬＣＤ基板のエッチングを行うＬＣＤ
製造装置において，外部から前記真空容器内にイオンを
導入するためのイオン導入手段を有することを特徴とす
るＬＣＤ製造装置。 - 【請求項２】 平行平板状の相対向する電極を真空容器
内に平行に配置し，一方の電極に高周波を印加し真空容
器内に導入した反応性ガスにプラズマを発生させ電極上
に設置したＬＣＤ基板のエッチングを行うＬＣＤ製造装
置において，前記真空容器の真空を保持するように，前
記真空容器の端部のＬＣＤ基板の搬出口を覆うように設
けられた一対の予備真空容器と，前記予備真空容器内に
外部からイオンを導入するためのイオン導入手段とを有
することを特徴とするＬＣＤ製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9221092A JPH05216001A (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | Ｌｃｄ製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9221092A JPH05216001A (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | Ｌｃｄ製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05216001A true JPH05216001A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12045230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9221092A Withdrawn JPH05216001A (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | Ｌｃｄ製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05216001A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480818B1 (ko) * | 2002-03-20 | 2005-04-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 합착기 |
| CN1324380C (zh) * | 2002-03-20 | 2007-07-04 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 用于制造液晶显示装置的粘合装置 |
| CN100456092C (zh) * | 2002-03-22 | 2009-01-28 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置的基板粘合设备及其驱动方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56137594A (en) * | 1980-03-29 | 1981-10-27 | Ricoh Co Ltd | Control system for nonvolatile memory |
| JPS57143794A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-06 | Fanuc Ltd | Memory device |
| JPS62154786A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
| JPS63124298A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | メモリ装置 |
| JPH0294198A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ装置 |
| JPH02292798A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-12-04 | Sundisk Corp | フラッシュＥＥｐｒｏｍシステム |
| JPH03171496A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-24 | Nec Corp | マイクロコンピュータ |
| JPH04102296A (ja) * | 1990-08-17 | 1992-04-03 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
-
1992
- 1992-02-06 JP JP9221092A patent/JPH05216001A/ja not_active Withdrawn
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| CN100456092C (zh) * | 2002-03-22 | 2009-01-28 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置的基板粘合设备及其驱动方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |