JPH08199363A - プラズマｃｖｄ方法及び装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ方法及び装置Info
- Publication number
- JPH08199363A JPH08199363A JP7012618A JP1261895A JPH08199363A JP H08199363 A JPH08199363 A JP H08199363A JP 7012618 A JP7012618 A JP 7012618A JP 1261895 A JP1261895 A JP 1261895A JP H08199363 A JPH08199363 A JP H08199363A
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- JP
- Japan
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- cathode
- substrate
- anode
- plasma
- reactive gases
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- Pending
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- Plasma Technology (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜後にカソードの静電気を除去し、塵埃の
付着を防止すると共に基板搬送時にカソードに基板が引
寄せられて搬送ミスを起すおそれをなくす。 【構成】 基板１６上にＣＶＤ膜を生成後、カソード６
への高周波電源２２をオフし、カソード６を接地するこ
とを特徴とする。
付着を防止すると共に基板搬送時にカソードに基板が引
寄せられて搬送ミスを起すおそれをなくす。 【構成】 基板１６上にＣＶＤ膜を生成後、カソード６
への高周波電源２２をオフし、カソード６を接地するこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、平行平板電極間に発生
するプラズマを利用して基板上にＣＶＤ膜を生成するプ
ラズマＣＶＤ方法及び装置に関する。
するプラズマを利用して基板上にＣＶＤ膜を生成するプ
ラズマＣＶＤ方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来装置の１例の構成を示す断面
図で例えば液晶表示素子製造装置である。図２において
１は反応処理槽、２は電極ホルダ、３は絶縁体、６はシ
ャワープレート（カソード）、４はカソードヒータ、７
は間隙、８は反応ガス導入管、９はシャワープレート６
の複数のガス分散孔である。１０は内槽、１１は内槽外
壁、１２は内槽内壁、１５は基板載置台（アノード）、
１３はアノードヒータ、１６は基板、１８Ａ，１９Ａは
それぞれ基板搬入出時に開かれるゲート、１８，１９は
それぞれ基板搬入，出口、１７は排気管、２０は外槽、
２１は圧力検出器、２２はシャワープレート６に高周波
電圧を印加する高周波電源、２３は基板１６の搬入出時
に基板１６を昇降する基板昇降ピンである。
図で例えば液晶表示素子製造装置である。図２において
１は反応処理槽、２は電極ホルダ、３は絶縁体、６はシ
ャワープレート（カソード）、４はカソードヒータ、７
は間隙、８は反応ガス導入管、９はシャワープレート６
の複数のガス分散孔である。１０は内槽、１１は内槽外
壁、１２は内槽内壁、１５は基板載置台（アノード）、
１３はアノードヒータ、１６は基板、１８Ａ，１９Ａは
それぞれ基板搬入出時に開かれるゲート、１８，１９は
それぞれ基板搬入，出口、１７は排気管、２０は外槽、
２１は圧力検出器、２２はシャワープレート６に高周波
電圧を印加する高周波電源、２３は基板１６の搬入出時
に基板１６を昇降する基板昇降ピンである。
【０００３】上記従来装置は、シャワープレート６に高
周波電源２２により高周波電圧を印加し、反応ガス導入
管８より反応ガスを導入して複数のガス分散孔９より噴
出し、基板載置台１５とシャワープレート６との間にプ
ラズマを発生させ、基板１６上にＣＶＤ膜を生成するも
のである。
周波電源２２により高周波電圧を印加し、反応ガス導入
管８より反応ガスを導入して複数のガス分散孔９より噴
出し、基板載置台１５とシャワープレート６との間にプ
ラズマを発生させ、基板１６上にＣＶＤ膜を生成するも
のである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような平行平板電
極を用いたプラズマＣＶＤ装置で、成膜を行うと発生す
る問題として、静電気による障害が考えられる。ガラス
基板１６，シャワープレート６が帯電して引き起こす障
害としては、静電気力による塵埃（パウダー，パーティ
クル）の付着、デバイス破壊が挙げられる。従来、ガラ
ス基板１６は、イオナイザ等で静電気を除去していた
が、シャワープレート６に関しては、何ら対策を行なわ
ずに使用していた。このため、成膜をかさね、帯電電位
が大きくなると成膜終了後、基板搬出のため昇降ピン２
３で基板１６を上げると、静電気により基板１６がシャ
ワープレート６に引寄せられ、搬送に影響を及ぼすとい
う課題がある。
極を用いたプラズマＣＶＤ装置で、成膜を行うと発生す
る問題として、静電気による障害が考えられる。ガラス
基板１６，シャワープレート６が帯電して引き起こす障
害としては、静電気力による塵埃（パウダー，パーティ
クル）の付着、デバイス破壊が挙げられる。従来、ガラ
ス基板１６は、イオナイザ等で静電気を除去していた
が、シャワープレート６に関しては、何ら対策を行なわ
ずに使用していた。このため、成膜をかさね、帯電電位
が大きくなると成膜終了後、基板搬出のため昇降ピン２
３で基板１６を上げると、静電気により基板１６がシャ
ワープレート６に引寄せられ、搬送に影響を及ぼすとい
う課題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明方法は、上記の課
題を解決するため、基板１６上にＣＶＤ膜を生成後、カ
ソード６への高周波電源２２をオフし、カソード６を接
地することを特徴とする。
題を解決するため、基板１６上にＣＶＤ膜を生成後、カ
ソード６への高周波電源２２をオフし、カソード６を接
地することを特徴とする。
【０００６】又、本発明装置は、同じ課題を解決するた
め、基板１６上にＣＶＤ膜を生成する装置において、カ
ソード６に、成膜後オフされる高周波電源２２を接続す
ると共に成膜後に該カソード６を接地するスイッチ装置
２４を設けることを特徴とする。
め、基板１６上にＣＶＤ膜を生成する装置において、カ
ソード６に、成膜後オフされる高周波電源２２を接続す
ると共に成膜後に該カソード６を接地するスイッチ装置
２４を設けることを特徴とする。
【０００７】
【作 用】このような構成であるから基板１６上にＣＶ
Ｄ膜が生成されると、カソード６への高周波電源２２が
オフされると共にスイッチ装置２４が作動されてカソー
ド６が接地されることになり、カソード６の静電気が除
去されることになる。
Ｄ膜が生成されると、カソード６への高周波電源２２が
オフされると共にスイッチ装置２４が作動されてカソー
ド６が接地されることになり、カソード６の静電気が除
去されることになる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明方法及び装置の１実施例の構成
を示す断面図である。本実施例は、カソード、この例の
場合、シャワープレート６に、成膜後オフされる高周波
電源２２を接続すると共に成膜後に該シャワープレート
６を接地するスイッチ装置、例えばリレーユニット２４
を設けてなる。
を示す断面図である。本実施例は、カソード、この例の
場合、シャワープレート６に、成膜後オフされる高周波
電源２２を接続すると共に成膜後に該シャワープレート
６を接地するスイッチ装置、例えばリレーユニット２４
を設けてなる。
【０００９】上記の構成において基板１６上にＣＶＤ膜
が生成されると、シャワープレート６への高周波電源２
２がオフされると共にリレーユニット２４が作動されて
シャワープレート６が接地されることになり、シャワー
プレート６の静電気が除去されることになる。このリレ
ーユニット２４の作動を次の成膜がなされる基板１６が
搬送されてくるまで行う。次の成膜時に高周波電源２２
がオンされ、リレーユニット２４が不動作されて成膜が
行われる。以上の動作が繰返えされるが、成膜中に帯電
した電位は次の成膜時まで、除去されることになる。
が生成されると、シャワープレート６への高周波電源２
２がオフされると共にリレーユニット２４が作動されて
シャワープレート６が接地されることになり、シャワー
プレート６の静電気が除去されることになる。このリレ
ーユニット２４の作動を次の成膜がなされる基板１６が
搬送されてくるまで行う。次の成膜時に高周波電源２２
がオンされ、リレーユニット２４が不動作されて成膜が
行われる。以上の動作が繰返えされるが、成膜中に帯電
した電位は次の成膜時まで、除去されることになる。
【００１０】
【発明の効果】上記のように本発明によれば、成膜後に
カソードの静電気を除去することができ、塵埃の付着を
防止することができると共に基板搬送時にカソードに基
板が引寄せられて搬送ミスを起すおそれをなくすことが
できる。
カソードの静電気を除去することができ、塵埃の付着を
防止することができると共に基板搬送時にカソードに基
板が引寄せられて搬送ミスを起すおそれをなくすことが
できる。
【図１】本発明方法及び装置の１実施例の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】従来装置の１例の構成を示す断面図である。
１ 反応処理槽 ６ カソード（シャワープレート） ８ 反応ガス導入管 ９ ガス分散孔 １５ 基板載置台 １６ 基板 １７ 排気管 １８ 基板搬入口 １９ 基板搬出口 ２２ 高周波電源 ２４ スイッチ装置（リレーユニット）
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にＣＶＤ膜を生成後、カソードへ
の高周波電源をオフし、カソードを接地することを特徴
とするプラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項２】 基板上にＣＶＤ膜を生成する装置におい
て、カソードに、成膜後オフされる高周波電源を接続す
ると共に成膜後に該カソードを接地するスイッチ装置を
設けることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7012618A JPH08199363A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | プラズマｃｖｄ方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7012618A JPH08199363A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | プラズマｃｖｄ方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08199363A true JPH08199363A (ja) | 1996-08-06 |
Family
ID=11810371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7012618A Pending JPH08199363A (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | プラズマｃｖｄ方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08199363A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7337745B1 (en) | 1999-04-06 | 2008-03-04 | Tokyo Electron Limited | Electrode, susceptor, plasma processing apparatus and method of making the electrode and the susceptor |
-
1995
- 1995-01-30 JP JP7012618A patent/JPH08199363A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7337745B1 (en) | 1999-04-06 | 2008-03-04 | Tokyo Electron Limited | Electrode, susceptor, plasma processing apparatus and method of making the electrode and the susceptor |
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