JP2009239300A - 陽極酸化処理された基板支持体 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板支持体および該基板支持体を製造する為の方法が提供される。
【解決手段】本発明の一実施形態において、基板支持体は、電気的絶縁性被膜により覆われている基板支持面を有する伝導体を含む。基板支持面の中心にある被膜の少なくとも一部は、約８０から約２００ミクロインチ間の表面仕上げを有する。他の実施形態において、基板支持体は、メッキ処理されたアルミニウム本体を含み、そのアルミニウム本体は、上部に基板を支持するように適合された本体の一部に、約８０から約２００ミクロインチの表面仕上げ処理部を有する。
【選択図】図２
【解決手段】本発明の一実施形態において、基板支持体は、電気的絶縁性被膜により覆われている基板支持面を有する伝導体を含む。基板支持面の中心にある被膜の少なくとも一部は、約８０から約２００ミクロインチ間の表面仕上げを有する。他の実施形態において、基板支持体は、メッキ処理されたアルミニウム本体を含み、そのアルミニウム本体は、上部に基板を支持するように適合された本体の一部に、約８０から約２００ミクロインチの表面仕上げ処理部を有する。
【選択図】図２
Description
本発明の実施形態は、概して、半導体処理で利用される基板支持体および当該基板支持体を製造する方法を提供する。
液晶ディスプレイ又はフラットパネルは、コンピュータ、テレビモニタ、パーソナル・デジタル・アシスタント（ＰＤＡ）、携帯電話等のようなアクティブマトリックスディスプレイの為に共通して使用される。一般的に、フラットパネルは２つのガラス板を備え、これらに挟まれた液晶層を有する。少なくとも一つのガラス板は、上部に配置される少なくとも一つの導電性膜を含み、これが電源に結合される。電源から導電性膜に供給される電力は、結晶材料の配向性を変更し、当該ディスプレイに見られるテキストやグラフィクスのようなパターンを作り出す。フラットパネルを生産する為に頻繁に使用される、一つの製造方法は、プラズマ増強型化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ）である。
プラズマ増強型化学気相堆積法は、フラットパネルや半導体ウエハのような基板上に薄膜を堆積する為に一般的に使用される。プラズマ増強型化学気相堆積法は、基板を含む真空チャンバ内に前駆体ガスを導入することにより一般的に達成される。前駆体ガスは、通常、チャンバの最上部付近に置かれる分配用プレートを通って導かれる。チャンバ内の前駆体ガスは、チャンバに結合された１以上のＲＦ電源からチャンバにＲＦエネルギを印加することにより、プラズマへと活性化される（励起される）。励起されたガスは、温度制御された基板支持体上に位置決めされた基板の表面上に材料層を形成する為に反応する。低温ポリシリコンの層を基板が受ける適用例において、基板支持体は、４００℃を越える温度で加熱される可能性がある。この反応中に生み出される揮発性副産物は、排気システムを介してチャンバから送り出される。
一般的に、フラットパネル製造に利用される大領域基板は、大きく、しばしば５５０ｍｍ×６５０ｍｍを越え、表面積では４ｍ２、それを越えるものまで構想されている。対応して、大領域基板を処理する為に利用される基板支持体は、大きな表面領域の基板に適合するように比例して大きくなる。高温使用の為の基板支持体は、一般的に鋳造され、１以上の加熱素子や熱電対がアルミニウム本体内に封入される。基板支持体の大きさのため、１以上の補強部材が一般的に基板支持体内に配置され、高温動作温度（すなわち、膜内の水素含有を最小にするため、３５０℃を越え５００℃に近い温度）における基板支持体の剛性、性能を改善している。アルミニウム製基板支持体は、その後、陽極酸化処理され、保護被膜を提供する。
この方法で構成された基板支持体は、良好な処理性能を示すが、しばしば、より薄い膜厚のスポットとして明示されるが、膜厚における小さな局所的変動は、大領域基板上に形成された次世代デバイスにとって有害になる可能性があり、観察されてきた。変動は、基板支持面に沿った、ガラス膜厚と平坦性、通常、約５０ミクロインチであるが、ガラス基板を横切る一定の場所で局所的容量変動を作り出し、それにより、堆積変動において生じる局所的なプラズマ非均一性（例えば、堆積された膜厚のスポット）を作り出すと考えられる。
処理の為に基板をチャンバに移送する前に、特に拡張チャンバ真空パージと組み合わされて実行されるとき、基板支持体のエージング及びプラズマ条件設定の修正により、薄いスポット形成を緩和することが示されてきた。しかし、この方法に必要な時間と材料の、結果として生じる消費や、コストと処理能力における不利な影響があるので、より効果的な解決策を得ることが望ましい。
次世代の基板の大きさが大きくなり続けるにつれて、各基板により表わされるフラットパネル製造業者による実質的な投資のため、欠陥減少の重要性は益々重要になっている。さらに、デバイスの継続的な進化と共に、膜の均一性の為の、より密接した許容範囲、膜厚変動の減少及び／又は除去を必要とする危急の寸法減少は、大領域基板上に形成される次世代デバイスの経済的生産にとって重要なファクタになる。
そのため、改善された基板支持体が必要である。
基板支持体と、当該基板支持体を製造する方法が提供される。本発明の一実施形態において、基板支持体は、電気的絶縁性被膜に覆われた基板支持面を有する電気的導電性本体を含む。基板支持面上の中央に置かれた被膜の少なくとも一部は、約８０〜約２００ミクロインチの間の表面仕上げを有する。他の実施形態において、基板支持体は、当該本体の一部が上部で基板を支持するように適合され、約８０から約２００ミクロインチの間の表面仕上げ処理部を有する陽極酸化処理されたアルミニウム本体を含む。
他の実施形態において、基板支持体は、以下の方法により製造される。この方法は、基板支持面で大領域基板を支持するのに適したアルミニウム本体を提供するステップと、約８０から約２００ミクロインチの間の表面粗さを有する陽極酸化処理された被膜を基板支持面上に形成するステップと、を含む。
簡単に説明された本発明の、より具体的な説明は、添付図面により例示された実施形態を参照される。しかし、添付図面は、本発明の、単なる典型的な実施形態を例示するにすぎず、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明は他の効果的な実施形態を許容可能である。
理解を容易にするため、可能な限り、図で共通な同一要素を示すために同一参照符号を使用している。
本発明は、全体的に、大領域基板支持体と、その製造方法を提供する。本発明は、カリフォルニア州サンタクララ市のアプライドマテリアルズ社の一部門であるＡＫＴ社から利用可能な、プラズマ増強型化学気相堆積チャンバ（ＰＥＣＶＤ）のような、プラズマ増強型化学気相堆積チャンバを参照し、以下、例示的に説明する。しかし、本発明は、他のシステム（物理的気相堆積システム、イオン注入システム、エッチングシステム、他の化学気相堆積法および他のシステムであって、内部で基板支持体上の基板を処理することが望まれるもの）でも有用であることが分かる。
図１は、一実施形態に係るプラズマ増強型化学気相堆積システム１００の横断面図である。当該システム１００は、一般的に、ガス源１０４に結合されたチャンバ１０２を含む。チャンバ１０２は、壁１０６、底部１０８、リッドアセンブリ１１０であって、これらは、処理ボリュームを画成する。処理ボリューム１１２は、通常、壁１０６内のポート（図示せず）を介してアクセスされ、これが、チャンバ１０２の内外へ大領域のガラス基板１４０を移動させることを容易にする。壁１０６と底部１０８は、通常、アルミニウム製または処理と両立可能な他の材料であって単一ブロックから製造される。リッドアセンブリ１１０は、処理ボリューム１１２を（図示されていない様々なポンプ構成部品に結合された）排気用ポートに結合するポンプ用プレナム１１４を含む。
リッドアセンブリ１１０は、壁１０６により支持され、チャンバ１０２を修理するために除去される。リッドアセンブリ１１０は、一般的にアルミニウムで構成される。分配用プレート１１８は、リッドアセンブリ１１０の内側１２０に結合される。分配用プレート１１８は、通常、アルミニウムから製造される。中央区域は、穿孔領域であり、ここを通って、ガス源１０４からの処理ガスや他のガスが処理ボリューム１１２に分配される。分配用プレート１１８の穿孔領域は、分配用プレート１１８を通過してチャンバ１０２内に入るガスの均一な分配を提供するように構成されている。
加熱された基板支持用アセンブリ１３８は、チャンバ１０２内の中央に配置されている。支持用アセンブリ１３８は、大領域ガラス基板１４０（以下、「基板１４０」）を処理中に支持する。基板支持用アセンブリ１３８は、一般的に、基板１４０を支持する本体１２４の少なくとも一部を覆う電気的に絶縁性の被覆１８０で覆われた電気的に導電性の本体１２４を含む。被覆１８０は、約８０から約２００ミクロインチの表面仕上げ処理部を持ち、これは、高価なエージングや基板支持用アセンブリ１３８のプラズマ処置を有することなく、堆積の均一性を改善すると証明されてきた。被膜１８０は、本体１２４の他の部分を覆ってもよい。より粗い表面は、ガラス基板の厚さ変動の影響を相殺し、基板にわたり、より均一な容量を提供し、それにより、プラズマ、堆積均一性を増強し、実質的に堆積膜における薄いスポット形成を除去する。
導電性本体１２４は、金属や、他の、導電性材料に匹敵するものから製造可能である。被膜１８０は、数ある中で、酸化物、窒化珪素、二酸化珪素、二酸化アルミニウム、五酸化タンタル、シリコンカーバイド、ポリイミドのような誘電材料でもよく、これらには、様々な堆積又は被膜処理（フレーム溶射、プラズマ溶射、高エネルギ被膜、化学気相堆積、溶射、付着膜、スパッタリング、カプセル封入を含むが、これらに限定されない）が適用可能である。
一実施形態において、基板支持用アセンブリ１３８は、少なくとも一つの埋め込まれた加熱素子１３２及び熱電対を封入するアルミニウム導電性本体１２４を含む。少なくとも一つの補強部材１１６が、加熱素子１３２の近傍の本体１２４内に一般的に埋め込まれている。第２補強部材１６６は、第１補強部材１１６の反対側の、加熱素子１３２の側に本体１２４内に配置可能である。補強部材１１６、１６６は、金属、セラミック、他の剛性材料で構成されてもよい。一実施形態において、補強部材１１６、１６６は、酸化アルミニウム製ファイバで構成される。代替え的に、補強部材１１６、１６６は、酸化アルミニウム粒子と結合された酸化アルミニウム製ファイバ、シリコンカーバイド製ファイバ、酸化シリコン製ファイバ、類似の材料から構成可能である。補強部材１１６、１６６は、ルースな材料を含んでもよく、板のように予め加工された形状でもよい。代替え的に、補強部材１１６、１６６は、他の形状や幾何学的な形状を備えてもよい。一般的に、補強部材１１６、１６６は、以下で説明する鋳造処理中にアルミニウムが部材１１６、１６６に含浸させる多少の多孔性を有してもよい。
支持用アセンブリ１３８内に配置された電極のような加熱素子１３２は、電源１３０に結合され、制御自在に支持用アセンブリ１３８と、上部に位置決めされた基板１４０を所定温度まで加熱する。通常、加熱素子１３２は、約１５０から少なくとも約４６０℃までの間のある均一な温度に基板１４０を維持する。
一般的に、基板アセンブリ１３８は、基板を支持する下側１２６と上側１３４を有する。下側１２６は、それに結合されたステムカバー１４４を有する。ステムカバー１４４は、一般的に、支持用アセンブリ１３８に結合されたアルミニウム製リングであり、支持用アセンブリ１３８は、ステム１４２の取付けの為に装着面を提供する。
一般的に、ステム１４２は、ステムカバー１４４から伸びており、支持用アセンブリ１３８を高い位置（図示せず）と低い位置との間で移動させるリフトシステム（図示せず）に支持用アセンブリ１３８を結合する。ベローズ１４６は、真空密閉を処理ボリューム１１２とチャンバ外環境との間に提供するが、支持用アセンブリ１３８の移動は容易にする。ステム１４２は、追加的に、支持用アセンブリ１３８とシステム１００の他の構成部品との間で電気的リード及び熱電対用リード用導管を提供する。
支持用アセンブリ１３８は、一般的に接地され、ＲＦ電源１２２により分配用プレート１１８（又はチャンバのリッドアセンブリ内又は付近に位置決めされた他の電極）に供給されたＲＦ電力が、支持用アセンブリ１３８と分配用プレート１１８との間の処理ボリューム１１２内に配置されたガスを励起可能である。電源１２２からのＲＦ電力は、化学気相堆積処理を駆動する為に基板のサイズに相応して一般的に選択される。
支持用アセンブリ１３８は、追加的に、外接シャドウフレーム１４８を支持する。一般的に、シャドウフレーム１４８は、基板１４０の縁部での堆積を防止し、アセンブリ１３８を支持し、基板が支持用アセンブリ１３８にくっつかないようにする。
支持用アセンブリ１３８は、複数のリフトピンを受容する複数の孔１２８が開けられている。リフトピン１５０は、通常、セラミック又は陽極酸化処理されたアルミニウムから構成される。一般的に、リフトピン１５０は、第１端部１６０を持つが、この第１端部１６０は、リフトピン１５０が通常の位置（すなわち、支持用アセンブリ１３８に対し後退た位置）にあるとき、支持用アセンブリ１３８の上側１３４から僅かに後退されるか実質的に同一平面にある。第１端部１６０は、一般的にラッパ状に広がっており、リフトピン１５０が孔１２８から落ちないようになっている。さらに、リフトピン１５０は、第２端部１６４を有するが、この第２端部１６４は、支持用アセンブリ１３８の下側から下方に伸びている。リフトピン１５０は、リフトプレート１５４により支持用アセンブリ１３８に対して上側１３４から突き出るように駆動可能であり、それにより、支持用アセンブリ１３８に対して間隔を開けた関係に基板を置く。
リフトプレート１５４は、支持面の下側１２６近傍に配置される。リフトプレート１５４は、カラー１５６によりアクチュエータに連結され、カラー１５６は、ステム１４３の一部に外接する。ベローズ１４６は、上部１６８と下部１７０とを含み、これらは、ステム１４２とカラー１５６を独立して移動させる一方、同時にチャンバ１０２の外側の環境から処理ボリューム１１２の隔離を維持する。一般的に、リフトプレート１５４は、支持用アセンブリ１３８とリフトプレート１５４が互いに密接に移動するとき、リフトピン１５０が上側１３４から伸びるように起動される。
図２は、支持用アセンブリ２００の他の一実施形態の部分的断面図である。支持用アセンブリ２００は、陽極酸化処理された被膜２１０で実質的に覆われたアルミニウム本体２０２を含む。本体２０２は、一以上の結合部材又は単一の鋳造された本体であって、内部に加熱素子１３２が埋め込まれたものでもよい。本発明から利益を得る為に適合可能な基板支持用アセンブリの例は、１２／２／２００２に出願された米国特許第１０／３０８３８５号、８／１／２００１に出願された米国出願第０９／９２１１０４に記載され、両方とも本願に参考の為に組み込まれる。
本体２０２は、一般的に、基板支持面２０４、反対側の装着面２０６を含む。装着面２０６は、ステム１４２（図１に図示）に結合されている。陽極酸化処理された被膜２１０は、本体２０２の支持面２０４を少なくとも覆い、基板１４０と支持面２０４との間に分離層を提供する。
被膜２１０は、外側面２１２と内側面２１４とを含む。内側面２１４は、一般的に、本体２０２上に直接、配置される。一実施形態において、陽極酸化処理された被膜の厚さは、約０．３から約２．１６ミルの間である。この範囲の外側に該当する厚さを持つ陽極酸化処理された被膜は、失敗する可能性温度サイクル中に該当するか、或いは、ＰＥＣＶＤ堆積において形成されたＳｉＮ、αＳｉ、ｎ＋α−Ｓｉ製の大領域膜におけるスポッティングを十分に減少させない。
上記基板支持面２０４の上方に位置決めされた外側面２１２の一部２１８は、上部の基板１４０を支持するように構成された幾何学的形状を有する。外側面２１２の一部２１８は、所定の表面粗さの表面仕上げ処理部２１６を有し、これが、基板１４０上に堆積された膜の均一な厚さを促進する。表面処理仕上げ部２１６は、約８０〜約２００ミクロインチの粗さを有する。表面仕上げ処理部２１６は、有利なことに、改善膜の厚さ均一性が生じ、特に、基板支持体をコンディショニング（例えば、エージング）することなく、局所的厚さの不均一性（薄い堆積箇所）を実質的に除去することが分かってきた。基板支持体のコンディショニングの除去により、通常はプラズマエージング処理で消費される時間と材料の両方を節約でき、サイクル間の真空パージを除去し、この除去により、システムスループットが改善される。一実施形態において、表面仕上げ処理部２１６は、約１３０ミクロインチの粗さを有する。
陽極酸化処理された被膜２１０の表面仕上げ処理部２１６は、基板１４０の下にある外側基板支持面２０４の少なくとも一部を処置することにより、更に／又は、（所定の表面仕上げ処理部２０８を得るために）基板１４０を支持する陽極酸化処理された被膜２１０を少なくとも処置することにより、達成可能である。基板支持面２０４の表面仕上げ処理部２０８は、数多くの方法で形成可能であり、例えば、ビードブラスト処理、研磨材ブラスト処理、研削、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチング、所定の表面粗さを提供する他の方法がある。一実施形態において、本体２０２の支持面の表面仕上げ処理部２０８は、約８８から約２３０ミクロインチである。他の実施形態において、表面仕上げ処理部２０８は、約１４５ミクロインチである。
オプションとして、基板１４０の下方から外側に位置決めされる部分２２０に隣接する基板支持面２０４のストリップ２２４は、製造コストを最小にするため、処置せずに残してもよい。これにより、未処置ストリップ２２４の上方に、陽極酸化処理された被膜２１０のストリップ２２２が生じ、ストリップ２２２は仕上げ部２１６とは異なる仕上げ部を有してもよい。しかし、ストリップ２２２は基板１４０を超え、ストリップ２２２の表面仕上げ処理部は、膜堆積の均一性に影響がない。一実施形態において、陽極酸化処理された被膜２１０のストリップ２２２は、それが隣接する被膜２１０の一部２１８よりスムーズな表面仕上げ処理部を有する。一実施形態において、ストリップ２２２は、約１３０ミクロインチ未満の表面仕上げ処理部を有する。
図３は、支持用アセンブリ１３８を製造するための方法３００の一実施形態を示す。この方法は、本体２０２の支持面２０４を準備することにより、ステップ３０２から開始する。準備するステップ３０２は、一般的に、基板表面２０４を加工すること、或いは、他の方法で処置することを要するので、仕上げ処理部２０８は、約８０から約２００ミクロインチになっている。一実施形態において、準備するステップ３０２は、ビードブラスト処理、研磨材ブラスト処理、研削、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチング、所定の表面粗さ（例えば、約１３０ミクロインチ）を与える他の方法を含んでもよい。
一実施形態において、基板支持面２０４は、所定表面仕上げ状態までビードブラスト処理される。ビードブラスト処理は、本体２０２をセラミック又は酸化物ビードで衝突させることを含んでもよい。
他の実施形態において、ビードは、平均径約１２５から３７５ミクロの酸化アルミニウムである。ビーズは、約８８から約２３０ミクロインチの表面仕上げを提供するのに十分な出口速度を有するノズルを通して提供される。
準備するステップ３０２の後、本体はステップ３０４で陽極酸化処理される。陽極酸化処理するステップ３０４は、一般的に、約０．３から約２．１６ミルの間の厚さを有する陽極酸化処理された層を適用するステップを含む。陽極酸化処理された被膜２１２の外側面２１２の、結果として生じる表面仕上げ処理部２１６は、約８０から約２００ミクロインチであり、一実施形態では、約１３０ミクロインチである。
図４は、支持用アセンブリ１３８を製造する方法４００の他の実施形態である。この方法は、アルミニウム本体２０２を陽極酸化処理することによりステップ４０２で開始する。ステップ４０４では、陽極酸化処理された被膜２１０の外側面２１２の少なくとも一部２１８が処置され、粗くされた表面仕上げ処理部２１６を提供する。また、外側面２１２の他の部分は、処置されてもよい。
処理するステップ４０４は、ビードブラスト処理、研磨材ブラスト処理、研削、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチング、所定の表面粗さを与える他の方法を含んでもよい。一実施形態において、処理するステップ４０４は、約８０から約２００ミクロインチ間の外側面の表面仕上げ処理部が生じる。
図５は、均一体積厚さを高めるように構成された支持用アセンブリ５００の他の実施形態の一部断面図を示す。支持用アセンブリ５００は、陽極酸化処理された被膜５０６により実質的に封入されたアルミニウム製支持用本体５０２を含む。加熱素子５０４は、支持用本体５０２に結合され、支持用アセンブリ５００の上面に位置決めされた基板１４０の温度を制御する。加熱素子５０４は、抵抗加熱ヒータ、又は本体５０２に結合されるか本体５０２に配置される他の温度制御装置でもよい。代替え的に、加熱素子５０４と本体５０２との間に直接の接触を与えるために、本体５０２の下部５１２は陽極酸化処理が無くてもよい。オプションとして、熱伝導材の介在層（図示せず）が、加熱素子５０４と本体５０２の下部５０４の間に配置されてもよい。
基板１４０を支持する、陽極酸化処理された被膜５０６の上部５０８は、基板１４０上の均一な膜の堆積を高めるように構成された表面仕上げ処理部５１０を有する。一実施形態において、表面仕上げ処理部５１０は、約８０から約２００ミクロインチの間の粗さを有する。表面仕上げ処理部５１０は、前述した方法を含む数多くの方法を介して作り出せる。
図６は、加熱アセンブリ６００の他の実施形態を示す。加熱アセンブリ６００は、少なくとも部分的に上部に形成された、陽極酸化処理された被膜６０６を有するアルミニウム本体６０２を含む。加熱素子６０４，即ち、温度制御された流体が循環される導管は、本体６０２の底面に配置され、基板１４０の温度制御を容易にする。代替え的に、熱伝導板６１４は、加熱素子６０４と本体６０２との間に配置可能であり、加熱素子６０４と本体６０２間の温度均一性を高める。一実施形態において、介在層６１４は銅板である。
クランプ板６０８は、複数のファスナ６１０（図６には一つが図示）であって、本体６０２に形成されたネジ付き孔６１２内に通されたものにより本体６０２に結合されている。クランプ板６０８は、加熱素子６０４を本体６０２を用いて挟み、熱伝達を高めている。
基板１４０を支持する陽極酸化処理された被膜６０６の一部６２０は、基板１４０の堆積膜の均一性を高めるように構成された表面仕上げ処理部６２２を有する。表面仕上げ処理部６２２は、前述したものと同様に作り出せる。
そのため、大領域基板上に配置された堆積膜の均一性を高める支持用アセンブリが提供される。基板を支持する支持用アセンブリのアルミニウム製本体を覆う、陽極酸化処理された被膜の少なくとも一部は、堆積均一性を高める所定の表面粗さまで織地状の表面にされ、それにより、実質的に時間消費する支持用アセンブリのエージングや付随するコストを除去する。
本発明の教示を組み込む幾つかの好適な実施形態を図示し詳細に説明してきたが、当業者は、容易に多くの他の変更実施形態であって、これらの教示を組み込むものを案出することができる。
１００…プラズマ増強型化学気相堆積システム、１０２…チャンバ、１０６…壁、１０８…底部、１１０…アセンブリ、１１２…処理ボリューム、１１４…ポンピングプレナム、１１６…第１補強部材、１１８…分配用プレート、１２０…内側、１２４…本体、１２６…下側、１２８…孔、１３０…電源、１３２…加熱素子、１３４…上側、１３８…基板支持用アセンブリ、１４０…大領域ガラス基板、１４２…ステム、１４４…ステムカバー、１４６…ベローズ、１４８…外接シャドウフレーム、１５０…リフトピン、１５４…リフトプレート、１５６…カラー、１６０…第１端部、１６４…第２端部、１６６…第２補強部材、１６８…上部、１７０…下部、１８０…被膜、２００…支持用アセンブリ、２０２…本体、２０４…支持面、２０６…装着面、２０８…表面仕上げ処理部、２１０…被膜、２１２…外側面、２１４…内側面、２１６…表面仕上げ処理部、２１８…部分、２２０…部分、２２４…ストリップ、５００…支持用アセンブリ、５０２…アルミニウム製支持用本体、５０４…加熱素子、５０６…被膜、５０８…上部、５１０…表面仕上げ処理部、５１２…下部、６００…ヒータアセンブリ、６０２…アルミニウム製本体、６０４…加熱素子、６０６…被膜、６０８…クランプ板、６１０…ファスナ、６１２…ネジ付き孔、６１４…介在層、６２０…部分、６２２…表面仕上げ処理部。
Claims (20)
- 重力により大領域基板を支持するように適合された基板支持体であって、
大領域ガラス基板を上部に支持するように構成された基板支持面を有し、少なくとも１つの加熱素子を含むアルミニウム本体と、
前記基板支持面上に配置された陽極酸化処理された被膜と、
のみから実質的になり、
前記被膜が、０．３ミル〜２．１６ミルの厚さと、基板接触領域とを有し、
前記基板接触領域は、前記基板支持面を８８ミクロインチ〜２３０ミクロインチの表面粗さに準備して、続いて前記基板表面を前記厚さまで陽極酸化処理することによって得られる、基板支持体。 - 前記基板支持面を準備するステップは、前記基板支持面をビードブラスト処理するステップを備える、請求項１記載の基板支持体。
- 前記基板支持体は、前記基板接触領域に隣接する周辺領域を更に含み、
前記周辺領域は、前記基板表面を陽極酸化処理する前において１３０ミクロインチ未満の表面粗さを有する、請求項１記載の基板支持体。 - 前記基板支持体は、ガス分配用プレートと対向配置されている、請求項１記載の基板支持体。
- 前記ガス分配用プレートは、化学気相堆積チャンバにシリコン含有ガスを供給するように適合されている、請求項４記載の基板支持体。
- ガラス基板を支持する方法であって、
基板支持体を供給するステップであって、前記基板支持体が、電気的導電性本体と、前記基板支持体の表面に形成される基板接触領域とを備え、前記基板接触領域を形成するプロセスが、
前記電気的導電性本体の表面領域上に電気的に絶縁性の被膜を形成する工程であって、前記被膜が０．３ミル〜２．１６ミルの厚さを有し、前記表面領域が前記基板接触領域に実質的に対応する、前記工程と、
前記表面領域を８８ミクロインチ〜２３０ミクロインチの表面粗さに準備する工程と、
を備える、前記ステップと、
基板処理チャンバ内の基板処理領域に隣接して前記基板支持体を位置決めするステップであって、前記基板接触領域が前記基板処理領域に隣接する、前記ステップと、
前記基板接触領域上に基板を位置決めするステップと、
を備える、方法。 - 前記基板支持体の前記電気的導電性本体は、アルミニウム本体である、請求項６記載の方法。
- 電気的に絶縁性の被膜を形成する工程は、前記基板支持体の少なくとも前記表面領域を陽極酸化処理する工程を含む、請求項７記載の方法。
- 前記表面領域を準備する工程は、ビードブラスト処理する工程のみから実質的になる、請求項８記載の方法。
- 前記ビードブラスト処理する工程は、陽極酸化処理する工程の前に行われる、請求項９記載の方法。
- 前記電気的に絶縁性の被膜は、窒化珪素、二酸化珪素、二酸化アルミニウム、五酸化タンタル、シリコンカーバイド、ポリイミドから成るグループから選択される、請求項６記載の方法。
- 前記基板接触領域は、前記基板支持体の表面のうち、処理中に基板に接触する全ての領域を含む、請求項６記載の方法。
- 前記基板支持体は、少なくとも１つの加熱素子を含む、請求項６記載の方法。
- 前記基板支持体は、前記基板接触領域に隣接する周辺領域を更に含み、
前記周辺領域は、１３０ミクロインチ未満の表面粗さを有する、請求項６記載の方法。 - 基板処理領域に隣接して前記基板支持体を位置決めするステップは、前記基板支持体をガス分配用プレートと対向配置するステップを備える、請求項６記載の方法。
- ガラス基板を支持する方法であって、
アルミニウム本体を有する基板支持体上に基板接触領域を形成するステップであって、前記基板接触領域を形成するステップが、
前記基板支持体の表面領域を８８ミクロインチ〜２３０ミクロインチの表面粗さに準備する工程であって、前記表面領域が前記基板接触領域に実質的に対応する、前記工程と、
前記表面領域を準備する工程の後に、前記基板支持体の少なくとも前記表面領域を、０．３ミル〜２．１６ミルの厚さまで陽極酸化処理する工程と、
を備える、前記ステップと、
基板処理チャンバ内の基板処理領域に隣接して前記基板支持体を位置決めするステップであって、前記基板接触領域が前記基板処理領域に隣接する、前記ステップと、
前記基板接触領域上にガラス基板を位置決めするステップと、
前記基板処理領域にシリコン含有ガスを導入するステップと、
前記シリコン含有ガスを励起するために前記基板処理領域内にプラズマを生成するステップと、
前記基板上にシリコン含有膜を堆積するステップと、
を備える、方法。 - 前記基板支持面を準備する工程は、前記基板支持面をビードブラスト処理する工程を備える、請求項１６記載の方法。
- 前記基板支持体は、前記基板接触領域に隣接する周辺領域を備え、
前記周辺領域は、前記基板支持面を陽極酸化処理する前において１３０ミクロインチ未満の表面粗さを有する、請求項１６記載の方法。 - 前記基板接触領域は、前記基板支持体の表面のうち、処理中に基板に接触する全ての領域を含む、請求項１６記載の方法。
- 前記基板支持体は、少なくとも１つの加熱素子を含む、請求項１６記載の方法。
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