JP2001117079A - 液晶表示板用の基板の加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 歪みや脱粉を生ずることがなく，かつ基板と
の密着性のよい支持プレートを有する液晶表示板用の基
板の加熱装置を提供すること。 【解決手段】 液晶表示板の製造工程において液晶表示
板を構成するガラス基板２を支持するための支持プレー
ト１１と，支持プレート１１を発熱させることによりガ
ラス基板２を加熱するための発熱手段１２とを有する加
熱装置１。支持プレート１１は，その一部又は全部がカ
ーボン材料からなる。また，支持プレート２の表面には
熱分解炭素又はガラス状炭素からなる被膜１３が形成さ
れている。また，被膜１３の表面粗度は，十点平均粗さ
（Ｒｚ）１０μｍ以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は，液晶表示板の製造工程において
上記液晶表示板を構成する基板を支持すると共に加熱す
るための加熱装置に関する。

【０００２】

【従来技術】液晶表示板はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
を形成した基板とカラーフィルタを形成した基板とを貼
り合せることにより製造する。上記基板（ＴＦＴ側基
板）にＴＦＴを形成する際には，プラズマＣＶＤ装置や
スパッタリング装置を用いる。例えば，上記プラズマＣ
ＶＤ装置によって，シリコン窒化膜，シリコン酸化膜，
シリコンオキシナイトライド膜等からなる絶縁膜や，ア
モルファスシリコン，Ｐドープアモルファスシリコン等
からなる半導体層を形成する。

【０００３】また，上記スパッタリング装置により，Ａ
ｌ，Ｍｏ，Ｔａ等の金属膜からなる導体配線や，ゲート
電極，ソース電極，ドレイン電極，或いはＩＴＯ膜等か
らなる透明電極層を形成する。また，上記基板（カラー
フィルタ側基板）にカラーフィルタを形成する際にも，
プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置を用いる。

【０００４】例えば，上記スパッタリング装置により，
Ｃｒ／ＣｒＯ_X膜等からなるブラックマトリックスや，
ＩＴＯ膜等からなる透明電極層を形成する。更に，上記
ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板を貼り合せる際に
は，貼り合せ装置を用いる。即ち，該貼り合せ装置によ
り，上記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板とを貼り
合せ，加圧，加熱することにより，所定の間隔をもって
両者を接合する。

【０００５】ところで，上記スパッタリング装置，プラ
ズマＣＶＤ装置，及び貼り合せ装置には，上記基板を支
持すると共に加熱する加熱装置が配設されている（図４
〜図６参照）。該加熱装置は，基板を支持するための支
持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより
上記基板を加熱するための発熱手段とを有する。

【０００６】即ち，スパッタリング装置には，支持プレ
ートが配設されており，該支持プレートによって上記基
板を支持すると共に加熱しながら，該基板の表面に成膜
する。また，上記プラズマＣＶＤ装置にも支持プレート
が配設されており，該支持プレートによって上記基板を
支持すると共に加熱しながら，該基板の表面に成膜す
る。

【０００７】また，上記貼り合せ装置には，一対の定盤
が配設されており，該一対の定盤によって上記ＴＦＴ側
基板とカラーフィルタ側基板をそれぞれ支持して貼り合
せ，その両面から加圧すると共に加熱する。これによ
り，両者を接合する。以上のごとく，液晶表示板の製造
工程において使用される各装置には，基板を加熱するた
めの加熱装置が設けてある。

【０００８】

【解決しようとする課題】しかしながら，上記従来の液
晶表示板用の基板の加熱装置には，以下の問題がある。
上記加熱装置は，上記のごとく，上記支持プレートを発
熱させることにより上記基板を加熱する。そのため，上
記支持プレートは高温となる。それ故，該支持プレート
に金属等の熱膨張率の大きい素材を用いると，その熱膨
張により歪み等を生じる。かかる支持プレートの歪み
は，上記液晶表示板の製造工程において，成膜が不均一
となったり，基板間の間隔が不均一となったりする原因
となる。

【０００９】かかる不具合を防ぐために，上記支持プレ
ートとして，熱膨張率の小さいカーボン材料を用いるこ
とが考えられる。ところが，上記支持プレートにカーボ
ン材料を用いると，成膜時や貼り合せ時において，上記
支持プレートからカーボン粉末が発生するおそれがあ
る。このカーボン粉末の発生（脱粉）により，基板上に
形成される膜の中にカーボン粉末が混入したり，上記基
板間にカーボン粉末が入り込むなど，製品に悪影響を及
ぼすおそれがある。

【００１０】また，上記カーボン材料には，多数の微細
孔が存在するものがあり，その中に成形時に混入した不
純物質，或いはガス等が混入していることもある。これ
らの不純物質やガス等が成膜時や貼り合せ時において放
出され，製品に悪影響を及ぼすおそれがある。更には，
例えばスパッタリング装置やプラズマＣＶＤ装置等のよ
うにチャンバー内を真空状態に保つ必要がある装置等
に，上記支持プレートを用いる場合には，該支持プレー
トから上記ガスが発生することにより，充分な真空度が
得られないおそれがある。そのため，確実な成膜を行な
うことが困難となるおそれがある。

【００１１】そこで，上記脱粉等を防止するための被膜
を，上記支持プレートの表面に設けたものが考えられ
る。しかし，上記被膜は，上記のごとく微細孔を多数有
するカーボン材料からなる支持プレートの表面に沿って
形成される。そのため，上記被膜の表面粗度は大きくな
ることがある。

【００１２】上記被膜の表面粗度が大きすぎると，上記
支持プレートに支持される基板との密着性が低下する。
そのため，上記支持プレートから上記基板への熱伝導を
均一に行うことが困難となる。また，上記基板に均一な
押圧を与えることが困難となるおそれがある。また，上
記被膜の表面粗度が大きいと，上記被膜が，上記基板と
の接触等により上記支持プレートから剥がれるおそれが
ある。これにより，上記支持プレートからの脱粉が起こ
るおそれがある。

【００１３】本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので，歪みや脱粉を生ずることがなく，かつ基
板との密着性のよい支持プレートを有する液晶表示板用
の基板の加熱装置を提供しようとするものである。

【００１４】

【課題の解決手段】請求項１に記載の発明は，液晶表示
板の製造工程において上記液晶表示板を構成する基板を
支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱
させることにより上記基板を加熱するための発熱手段と
を有する加熱装置において，上記支持プレートは，その
一部又は全部がカーボン材料からなると共に，その表面
には熱分解炭素又はガラス状炭素からなる被膜が形成さ
れており，かつ，該被膜の表面粗度は，十点平均粗さ
（Ｒｚ）１０μｍ以下であることを特徴とする液晶表示
板用の基板の加熱装置にある。

【００１５】本発明において最も注目すべきことは，上
記支持プレートの被膜の表面粗度が，十点平均粗さ（Ｒ
ｚ）１０μｍ以下であることである。上記十点平均粗さ
（Ｒｚ）は，JIS B 0601-1994に従って測定される値で
ある。上記表面粗度がＲｚ１０μｍを超える場合には，
上記基板との密着性が悪くなり，該基板への熱伝導が均
一に行えない等の不具合が生ずるおそれがある。上記被
膜の表面粗度をＲｚ１０μｍ以下にする方法としては，
例えば，上記支持プレートの材料として高密度カーボン
材料を用いる方法，或いは上記被膜を形成後にバフ研磨
を行う方法等がある。

【００１６】また，上記カーボン材料としては，例えば
黒鉛質のもの，炭素質のもの，或いはＣ／Ｃコンポジッ
ト（炭素結合炭素繊維複合材料）等がある。また，上記
発熱手段としては，上記支持プレートに埋め込まれたニ
クロム線，或いは上記支持プレートに取付けられたコイ
ルなどの誘導加熱手段等がある。

【００１７】上記液晶表示板を構成する基板としては，
例えばその表面にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成す
るガラス基板（ＴＦＴ側基板）や，カラーフィルタを形
成するガラス基板（カラーフィルタ側基板）がある。ま
た，上記基板として，ガラス基板の他に各種セラミック
基板，樹脂基板，金属基板，或いは各種材料を混合して
なる混合材料からなる基板等を用いることができる。

【００１８】上記熱分解炭素とは，炭化水素ガス等を加
熱することにより分解生成される炭素物質をいう。ま
た，上記熱分解炭素を上記支持プレートにコーティング
する際には，例えばＣＶＤ法により行なうことができ
る。上記ガラス状炭素は，無定形の均質な連続緻密組織
を呈する高強度の炭素材料である。即ち，黒鉛材のよう
にカーボン粉末粒子の集合体からなる組織とは全く異質
な炭素質構造体である。

【００１９】次に，本発明の作用効果につき説明する。
本発明の加熱装置は，上記液晶表示板を製造する際の種
々の工程において，種々の装置に組み込まれて使用され
る。このとき，上記加熱装置は，上記支持プレートによ
り上記基板を支持する。これにより，該支持プレートを
発熱させ，該支持プレートに支持された基板を加熱す
る。

【００２０】ここで，上述のごとく，上記支持プレート
は，その一部又は全部がカーボン材料からなる。カーボ
ン材料は熱膨張率が小さいため，上記支持プレートを発
熱させて高温とした場合にも歪みを生ずるおそれがな
い。

【００２１】それ故，上記加熱装置により上記基板を加
熱しながら成膜したり貼り合せを行なったりする際に，
基板が反ったり，押圧力が不均一となったりするおそれ
がない。また，上記支持プレートから基板への熱伝導を
均一に行なうことができる。

【００２２】また，上記支持プレートの表面には，上記
被膜が形成されているため，上記液晶表示板の種々の製
造工程において，カーボン粉末が発生するおそれがな
い。また，上記被膜により，上記カーボン材料における
微細孔を塞ぐことにより，上記製造工程において上記カ
ーボン材料中に混入している不純物質やガス等が上記微
細孔から放出されることを防ぐことができる。また，上
記被膜は，上記カーボン材料の微細孔にも入り込むよう
にしてコーティングされるため，アンカー効果により上
記被膜は剥がれ難く，亀裂も生じ難い。

【００２３】更に，上述のごとく，上記被膜の表面粗度
は，Ｒｚ１０μｍ以下である。そのため，上記支持プレ
ートとこれに支持される基板との密着性が向上する。こ
れにより，上記支持プレートから上記基板への熱伝導を
均一に行うことができる。また，上記支持プレートに支
持された上記基板に，均一な押圧を与えることも容易と
なる。

【００２４】また，上記被膜の粗度が小さいため，上記
被膜が，上記基板との接触等により上記支持プレートか
ら剥がれるおそれがなく，上記支持プレートからの脱粉
が起こるおそれもない。また，上記被膜は，熱分解炭素
又はガラス状炭素からなるため，一層剥がれ難く，亀裂
も生じ難い。

【００２５】以上のごとく，本発明によれば，歪みや脱
粉を生ずることがなく，かつ基板との密着性のよい支持
プレートを有する液晶表示板用の基板の加熱装置を提供
することができる。

【００２６】次に，請求項２に記載の発明のように，上
記加熱装置の支持プレートは，スパッタリング装置にお
いて上記基板を支持するものとすることもできる。上記
液晶表示板の製造工程の一例につき簡単に説明すると，
まず，上記ＴＦＴ側基板である基板の表面にＴＦＴを形
成する。次いで，該ＴＦＴの上面から透明電極層を形成
し，次いでその上から配向膜を形成する。

【００２７】一方，上記カラーフィルタ側基板である基
板の表面に，カラーフィルタを形成する。次いで，該カ
ラーフィルタの上面から透明電極層を形成し，次いでそ
の上から配向膜を形成する。上記のごとく表面に成膜し
たＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板とを，成膜され
た面同士を対向させて貼り合せる（図２参照）。

【００２８】そして，上記基板へのＴＦＴの形成やカラ
ーフィルタの形成には，例えばスパッタリング装置を用
いることができる（実施形態例２参照）。上記スパッタ
リング装置には，本発明にかかる加熱装置が配設されて
いる。そして，該加熱装置により上記基板を加熱しなが
ら成膜を行なう。

【００２９】この場合に，上記加熱装置により該基板を
加熱しても，上記支持プレートに歪みを生ずるおそれが
ない。そのため，上記基板が反ったりするおそれもな
い。それ故，均一な成膜を実現することができる。ま
た，上記支持プレートから上記基板への熱伝導を均一に
行なうことができる。また，上記基板への成膜時に，上
記支持プレートからの脱粉が生ずるおそれもないため，
カーボン粉末が成膜中に混入するなどという不具合が発
生するおそれもない。

【００３０】更に，上記支持プレートに形成されている
上記被膜は表面粗度が小さいため，上記支持プレートと
これに支持される基板との密着性が高く，熱伝導を均一
に行うことができる。また，上記被膜は，上記基板との
接触等により上記支持プレートから剥がれるおそれがな
く，上記支持プレートからの脱粉が起こるおそれもな
い。それ故，品質の高い液晶表示板を製造することがで
きるスパッタリング装置が得られる。

【００３１】次に，請求項３に記載の発明のように，上
記加熱装置の支持プレートは，プラズマＣＶＤ装置にお
いて上記基板を支持するものとすることもできる。即
ち，上述したＴＦＴやカラーフィルタの形成には，上記
プラズマＣＶＤ装置を用いることもできる。

【００３２】この場合，上記プラズマＣＶＤ装置により
上記基板に成膜する際に，上記加熱装置により該基板を
加熱しても，熱膨張係数が金属等の１／５〜１／１０と
低く，上記支持プレートに歪みを生ずるおそれがない。
そのため，上記基板が反ったりするおそれもなく，基板
を均一に加熱することができると共に，均一な成膜を実
現することができる。また，上記基板への成膜時に，上
記支持プレートからの脱粉が生ずるおそれもないため，
カーボン粉末が成膜中に混入するという不具合が発生す
るおそれもない。

【００３３】更に，上記支持プレートに形成されている
上記被膜は表面粗度が小さいため，上記支持プレートと
これに支持される基板との密着性が高く，熱伝導を均一
に行うことができる。また，上記被膜は，上記基板との
接触等により上記支持プレートから剥がれるおそれがな
く，上記支持プレートからの脱粉が起こるおそれもな
い。そのため，品質の高い液晶表示板を製造することが
できるプラズマＣＶＤ装置が得られる。

【００３４】次に，請求項４に記載の発明のように，上
記加熱装置の支持プレートは，貼り合せ装置において一
対の上記基板を支持して貼り合せる定盤とすることもで
きる。即ち，上述した上記ＴＦＴ基板とカラーフィルタ
側基板との貼り合せには，上記貼り合せ装置を用いるこ
とができる。

【００３５】この場合，上記張り合わせ装置により一対
の上記基板を貼り合せる際に，上記加熱装置により該基
板を加熱しても，上記定盤に歪みを生ずるおそれがな
い。そのため，上記基板の全面において押圧力が均一と
なり，貼り合された一対の基板の間に形成される隙間の
厚みが均一となる。

【００３６】また，上記一対の基板を貼り合せる際に，
上記支持プレートから脱粉が生じることがない。そのた
め，上記基板の間にカーボン粉末が入り込むなどの不具
合が生じない。

【００３７】更に，上記支持プレートに形成されている
上記被膜は表面粗度が小さいため，上記支持プレートと
これに支持される基板との密着性が高く，熱伝導を均一
に行うことができる。また，上記基板への押圧を均一に
行うことができる。また，上記被膜は，上記基板との接
触等により上記支持プレートから剥がれるおそれがな
く，上記支持プレートからの脱粉が起こるおそれもな
い。それ故，品質の高い液晶表示板を得ることができ
る。

【００３８】次に，請求項５に記載の発明のように，上
記基板には，上記液晶表示板のＴＦＴ側基板を含めるこ
ともできる。この場合には，ＴＦＴを構成する絶縁膜や
半導体膜等を，基板の位置に関わらず均一の膜厚に形成
することができると共に，上記絶縁膜や半導体膜等にカ
ーボン粉末が混入することを防ぐことができる。

【００３９】次に，請求項６に記載の発明のように，上
記基板には，上記液晶表示板のカラーフィルタ側基板を
含めることもできる。この場合には，カラーフィルタを
構成するブラックマトリックス等を，基板の位置に関わ
らず均一の膜厚に形成することができると共に，上記ブ
ラックマトリックス等にカーボン粉末が混入することを
防ぐことができる。

【００４０】

【発明の実施の形態】実施形態例１ 本発明の実施形態例にかかる液晶表示板用の基板の加熱
装置につき，図１〜図３を用いて説明する。図１に示す
ごとく，本例の液晶表示板用の基板の加熱装置１は，液
晶表示板の製造工程において，図２に示す上記液晶表示
板２０を構成するガラス基板２を支持するための支持プ
レート１１を有する。更に，上記加熱装置１は，図１に
示すごとく，上記支持プレート１１を発熱させることに
より上記ガラス基板２を加熱するための発熱手段１２を
有する。

【００４１】また，上記支持プレート１１は高密度のカ
ーボン材料からなる。そして，図１に示すごとく，上記
支持プレート１１の表面には，熱分解炭素からなる被膜
１３が形成されている。また，該被膜１３の表面粗度
は，十点平均粗さ（Ｒｚ）４．４μｍである。また，該
被膜１３の膜厚は約５０μｍである。

【００４２】上記被膜は，ＣＶＤ法を用いて以下のよう
にして形成した。即ち，高密度カーボン材料からなる上
記支持プレート１１を反応炉内において加熱する。次い
で，上記反応炉内に炭化水素ガスを導入する。これによ
り，該炭化水素ガスは，熱によって構成分子の結合が解
かれ，炭素及び定分子量の炭素化合物よりなる熱分解炭
素を発生する。次いで，該熱分解炭素がカーボン材料か
らなる上記支持部材１１と接触反応し，上記支持プレー
ト１１の表面において膜状の構造を形成する。これによ
り，上記支持プレート１１の表面に熱分解炭素の被膜１
３を形成する。また，上記反応は４０ｋＰａ以下の減圧
下において行う。

【００４３】また，上記発熱手段１２はニクロム線であ
り，上記支持プレート１１の内部に埋め込まれいる。ま
た，上記液晶表示板２０を構成するガラス基板２として
は，その表面にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３を形成す
るもの（ＴＦＴ側基板２１）とカラーフィルタ４を形成
するもの（カラーフィルタ側基板２２）がある。

【００４４】上記加熱装置１は，後述する上記液晶表示
板２０の製造工程において用いられるスパッタリング装
置，プラズマＣＶＤ装置，或いは貼り合せ装置に配設さ
れている。なお，上記各装置についての詳細は，実施形
態例２〜４において説明する。

【００４５】次に，上記液晶表示板２０の製造工程につ
き，図２，図３を用いて説明する。まず，上記ＴＦＴ側
基板２１の表面にＴＦＴ３を形成する（ステップＴ
１）。即ち，上記ＴＦＴ側基板２１の表面に絶縁層，半
導体層，導体配線，ゲート電極，ソース電極，ドレイン
電極等を形成することによりＴＦＴ３を形成する。次い
で，該ＴＦＴ３の上面から透明電極層３１を形成する
（ステップＴ２）。次いで，該透明電極層３１の上から
配向膜３２を形成し（ステップＴ３），該配向膜３２に
ラビング処理を施す（ステップＴ４）。

【００４６】一方，上記カラーフィルタ側基板２２の表
面に，カラーフィルタ４を形成する（ステップＣ１）。
即ち，上記カラーフィルタ側基板２２の表面にブラック
マトリックス等を形成することにより，上記カラーフィ
ルタ４を形成する。次いで，該カラーフィルタ４の上面
から透明電極層４１を形成する（ステップＣ２）。次い
で，該透明電極層４１の上から配向膜４２を形成し（ス
テップＣ３），該配向膜４２にラビング処理を施す（ス
テップＣ４）。

【００４７】上記のごとく表面に成膜したＴＦＴ側基板
２１とカラーフィルタ側基板２２とを，成膜された面同
士を対向させて貼り合せる。即ち，上記ＴＦＴ側基板２
１の配向膜上にシール材２５を印刷すると共にプラスチ
ックビーズ２６を撒布した後（ステップＳ５，Ｓ６），
上記カラーフィルタ側基板２２を貼り合せる（ステップ
Ｓ７）。

【００４８】次いで，両ガラス基板２を両面から加圧し
て，該ガラス基板２間の間隔（図２の符号Ｄ）が上記プ
ラスチックビーズ２６の直径（１０μｍ程度）に等しく
なるまで押圧する（ステップＳ８）。次いで，加熱する
ことにより上記シール材２５を両ガラス基板２に融着さ
せると共に硬化させる（ステップＳ９）。その後，上記
２枚のガラス基板２間に液晶２７を注入する（ステップ
Ｓ１０）。次いで，上記２枚のガラス基板２の両面に，
偏向板２８を貼り付けることにより（ステップＳ１
１），液晶表示板２０を製造する（図２）。

【００４９】上述したガラス基板２へのＴＦＴ３の形成
やカラーフィルタ４の形成には，実施形態例２において
説明するスパッタリング装置５（図４），或いは実施形
態例３において説明するプラズマＣＶＤ装置６（図５）
を用いる。また，上記ＴＦＴ側基板２１と上記カラーフ
ィルタ側基板２２との貼り合せには，実施形態例４にお
いて説明する貼り合せ装置７（図６）を用いる。そし
て，上記各装置には，上記ガラス基板２を支持すると共
に加熱する加熱装置１が配設されている。そして，上記
各装置は，上記加熱装置１によりガラス基板２を加熱し
ながら成膜あるいは加圧する。

【００５０】次に，本例の作用効果につき説明する。上
記加熱装置１は，図１に示すごとく，上記支持プレート
により上記ガラス基板２を支持する。そして，上記発熱
手段１２であるニクロム線に通電して発熱させ，その熱
を上記支持プレート１１に伝える。これにより，該支持
プレートを発熱させ，該支持プレート１１に支持された
ガラス基板２を加熱する。

【００５１】ところで，上述のごとく，上記加熱装置１
における支持プレート１１は，カーボン材料からなる。
カーボン材料は熱膨張率が小さいため，上記支持プレー
ト１１を発熱させて高温とした場合にも，反りなどは殆
ど起こらない。そのため，上記加熱装置１は，上記支持
プレート１１に歪みを生ずるおそれがない。

【００５２】それ故，上記加熱装置１により上記ガラス
基板２を加熱しながら成膜したり貼り合せを行なったり
する際に，ガラス基板２が反ったり，押圧力が不均一と
なったりするおそれがない。また，上記支持プレート１
１からガラス基板２への熱伝導を均一に行なうことがで
きる。従って，高品質の液晶表示板２０を製造すること
ができる。

【００５３】また，図１に示すごとく，上記支持プレー
ト１１の表面には，少なくとも脱粉を防止するための被
膜１３が形成されている。そのため，上記液晶表示板２
０の種々の製造工程において，上記加熱装置１を用いる
際に，カーボン粉末が発生するおそれがない。そのた
め，上記製造工程において，上記カーボン粉末が上記製
品に悪影響を与えるおそれがない。

【００５４】また，上記被膜１３により，上記カーボン
材料における微細孔を塞ぐことも可能である。そのた
め，上記製造工程において，上記カーボン材料中に混入
している不純物質やガス等が上記微細孔から放出される
ことを防ぐことができる。そのため，上記不純物質やガ
ス等が製品に悪影響を与えるおそれもない。

【００５５】また，上記被膜１３は，上記カーボン材料
の微細孔にも入り込むようにしてコーティングされる。
そのため，上記微細孔のアンカー効果により，上記被膜
１３は剥がれ難く，亀裂も生じ難い。

【００５６】更に，上述のごとく，上記被膜１３の表面
粗度は，Ｒｚ４．４μｍである。そのため，上記支持プ
レート１１とこれに支持されるガラス基板２との密着性
が向上する。これにより，上記支持プレート１１から上
記ガラス基板２への熱伝導を均一に行うことができる。
また，上記被膜１３の粗度が小さいため，上記被膜１３
が，上記ガラス基板２との接触等により上記支持プレー
ト１１から剥がれるおそれがなく，上記支持プレート１
１からの脱粉が起こるおそれもない。また，上記被膜１
３は，熱分解炭素からなるため，一層剥がれ難く，亀裂
も生じ難い。

【００５７】以上のごとく，本例によれば，歪みや脱粉
を生ずることがなく，かつガラス基板との密着性のよい
支持プレートを有する液晶表示板用の基板の加熱装置を
提供することができる。

【００５８】実施形態例２ 本例は，図４に示すごとく，スパッタリング装置５に配
設した加熱装置１の例である。即ち，上記スパッタリン
グ装置５においてガラス基板２を支持すると共に加熱す
る基板電極治具５１が，上記加熱装置１の支持プレート
１１となる。

【００５９】まず，上記スパッタリング装置５の構成に
つき説明する。上記スパッタリング装置５は，図４に示
すごとく，上記基板電極治具５１と該基板電極治具５１
に対向配置されたカソード板５２を，チャンバー５０内
に配設している。上記カソード板５２における上記基板
電極治具５１に対向する面には，Ａｌなど上記ガラス基
板２に成膜するための材料からなるターゲット５３が保
持されている。また，上記チャンバー５０には，Ａｒガ
スを導入するためのガス導入管５４と，チャンバー５０
内を真空引きするための排気管５５が配設されている。

【００６０】上記スパッタリング装置５によりスパッタ
リングを行なうに当っては，排気管５５から上記チャン
バー５０内を真空引きした後，上記ガス導入管５４から
Ａｒガスを導入する。次いで，電源５６を用いて上記カ
ソード板５２に電圧を印加することにより，Ａｒイオン
を，上記カソード板５２に保持されたターゲット５３に
衝突させる。これにより，ターゲット５３のＡｌがはじ
き出され，上記基板電極治具５１に支持されているガラ
ス基板２の表面に付着する。これにより，上記ガラス基
板２の表面にＡｌ膜を成膜する。

【００６１】上記スパッタリング装置５は，実施形態例
１で示した液晶表示板の製造工程において，ＴＦＴ３の
形成（図３のステップＴ１），カラーフィルタ４の形成
（ステップＣ１），あるいは透明電極層３１，４１の形
成（ステップＴ２，Ｃ２）に用いられる。即ち，ＴＦＴ
３における導体配線，ゲート電極，ソース電極，ドレイ
ン電極等を形成する際には，例えばＡｌ金属をスパッタ
リング装置５により上記ガラス基板２にスパッタリング
して成膜する。そして，その上にレジストによりパター
ン形成してエッチングした後，レジストを剥離すること
により，各配線，電極を形成する。

【００６２】同様に，上記透明電極層の形成において
は，ＩＴＯをスパッタリングする。また，カラーフィル
ターの形成においては，Ｃｒ／ＣｒＯ_Xをスパッタリン
グしてブラックマトリックスを形成する。

【００６３】上記のごとくスパッタリングを行なうに当
っては，発熱手段１２により上記基板電極治具５１であ
る支持プレート１１を発熱させて，上記ガラス基板２を
約３００℃に加熱する。その他は，実施形態例１と同様
である。

【００６４】上記支持プレート１１は，上述のごとくカ
ーボン材料からなるため，歪みを生ずることがない。そ
のため，スパッタリングによりＡｌ等を成膜する際に，
ガラス基板２が反ったりすることがない。それ故，ガラ
ス基板２の全体に均一に成膜を行なうことができる。ま
た，上記支持プレート１１から上記ガラス基板２への熱
伝導を均一に行なうことができる。

【００６５】また，上記支持プレート１１の表面には被
膜１３が形成されている。それ故，上記ガラス基板２へ
の成膜時に，上記支持プレート１１からの脱粉が生ずる
おそれもないため，カーボン粉末が成膜中に混入すると
いう不具合が発生するおそれもない。

【００６６】更に，上記支持プレート１１に形成されて
いる上記被膜１３は表面粗度が小さいため，上記支持プ
レート１１とこれに支持されるガラス基板２との密着性
が高く，熱伝導を均一に行うことができる。また，上記
被膜１３は，上記ガラス基板２との接触等により上記支
持プレート１１から剥がれるおそれがなく，上記支持プ
レート１１からの脱粉が起こるおそれもない。それ故，
品質の高い液晶表示板２０を製造することができる。そ
の他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。

【００６７】実施形態例３ 本例は，図５に示すごとく，プラズマＣＶＤ装置６に配
設した加熱装置１の例である。即ち，上記プラズマＣＶ
Ｄ装置６においてガラス基板２を支持すると共に加熱す
るサセプター６１が，上記加熱装置１の支持プレート１
１となる。

【００６８】まず，上記プラズマＣＶＤ装置６の構成に
つき説明する。上記プラズマＣＶＤ装置６は，上記サセ
プター６１と，該サセプター６１に対向配置された高周
波電極６２とをチャンバー６０内に配設している。上記
高周波電極６２には，原料ガスを導入するためのガス導
入管６３，及び原料ガスを通過させるスリット６４１を
多数有するシャワーヘッド６４が設けてある。また，上
記チャンバー６０には，チャンバー内を真空引きするた
めの排気管６５が設けてある。

【００６９】上記プラズマＣＶＤ装置６により成膜を行
なうに当っては，成膜する材料の構成元素を含む原料ガ
ス６９を，上記ガス導入管６３，シャワーヘッド６４を
通じて上記チャンバー内に導入する。このとき，上記高
周波電極６２における電圧により，シャワーヘッド６４
を通過する原料ガス６９をプラズマ状態にする。プラズ
マ状態となった上記原料ガス６９は，上記サセプター６
１に支持されたガラス基板２の表面に供給され，該ガラ
ス基板２上において化学反応が起こり，成膜が行われ
る。

【００７０】上記プラズマＣＶＤ装置６は，実施形態例
１で示した液晶表示板の製造工程において，ＴＦＴの形
成（図３のステップＴ１），カラーフィルタの形成（ス
テップＣ１）に用いられる。

【００７１】即ち，上記ＴＦＴ３における絶縁膜や半導
体層は，例えばシリコン窒化膜や，アモルファスシリコ
ンをプラズマＣＶＤ装置６により上記ガラス基板２の表
面に成膜する。そして，その上にレジストによりパター
ン形成してエッチングした後，レジストを剥離すること
により，絶縁膜や半導体層を形成する。

【００７２】上記のごとく成膜を行なうに当っては，発
熱手段１２により上記サセプター６１である支持プレー
ト１１を発熱させて，上記ガラス基板２を約３００℃に
加熱する。その他は，実施形態例１と同様である。

【００７３】上記支持プレート１１は，上述のごとくカ
ーボン材料からなるため，歪みを生ずることがない。そ
のため，プラズマＣＶＤ装置６によりシリコン窒化膜等
を成膜する際に，ガラス基板２が反ったりすることがな
い。それ故，ガラス基板２の全体を均一に加熱すること
ができると共に，均一に成膜を行なうことができる。

【００７４】また，上記支持プレート１１の表面には被
膜１３が形成されている。それ故，上記ガラス基板２へ
の成膜時に，上記支持プレート１１からの脱粉が生ずる
おそれもないため，カーボン粉末が成膜中に混入すると
いう不具合が発生するおそれもない。

【００７５】更に，上記支持プレート１１に形成されて
いる上記被膜１３は表面粗度が小さいため，上記支持プ
レート１１とこれに支持されるガラス基板２との密着性
が高く，熱伝導を均一に行うことができる。また，上記
被膜１３は，上記ガラス基板２との接触等により上記支
持プレート１１から剥がれるおそれがなく，上記支持プ
レート１１からの脱粉が起こるおそれもない。そのた
め，品質の高い液晶表示板を製造することができるプラ
ズマＣＶＤ装置が得られる。その他，実施形態例１と同
様の作用効果を有する。

【００７６】実施形態例４ 本例は，図６に示すごとく，貼り合せ装置７に配設した
加熱装置１の例である。即ち，上記貼り合せ装置７にお
いて一対の上記ガラス基板２を各１枚支持して貼り合
せ，その両面から加圧すると共に加熱する一対の定盤
が，上記加熱装置１の支持プレート１１となる。

【００７７】まず，上記貼り合せ装置７の構成につき説
明する。即ち，図６に示すごとく，上記貼り合せ装置７
は，機枠７０と，該機枠７０の下枠７０１に固定された
固定定盤７１と，該固定定盤７１に対向配置されると共
に上記機枠の上枠７０２に上下動可能に取付けられた可
動定盤７２とからなる。上記可動定盤７２の上下動は，
上記上枠７０２に固定されたエアシリンダー７３によっ
て行なう。

【００７８】上記貼り合せ装置７は，実施形態例１で示
した液晶表示板２０の製造工程において，一対のガラス
基板２の貼り合せ（図３のステップＳ７）に用いられ
る。上記貼り合せ装置７により，一対のガラス基板２を
貼り合せるに当っては，ＴＦＴ側基板２１を上記固定定
盤７１にセットすると共に，カラーフィルム側基板２２
を上記可動定盤７２にセットする。次いで，上記可動定
盤７２を下降させ（図６の矢印Ｚ），上記ＴＦＴ側基板
２１上に上記カラーフィルム側基板２２を貼り合せる。

【００７９】次いで，上記エアシリンダ７３によって，
両ガラス基板２の間隔が１０μｍ程度になるまで加圧す
る。次いで，上記固定定盤７１及び可動定盤７２に設け
られた発熱手段１２によって，上記固定定盤７１及び可
動定盤７２を発熱させて上記ガラス基板２を約２００℃
に加熱する。これにより，上記一対のガラス基板２の間
のシール材を融着すると共に硬化させて，貼り合せを完
了する。その他は，実施形態例１と同様である。

【００８０】上記支持プレート１１は，上述のごとくカ
ーボン材料からなるため，熱によって歪みを生ずること
がない。そのため，貼り合せ装置７により一対のガラス
基板２を両面から加圧する際に，上記ガラス基板２の全
面において押圧力が均一となり，貼り合された一対のガ
ラス基板２の間に形成される隙間が均一となる。また，
上記支持プレート１１からガラス基板２への熱伝導を均
一に行なうことができる。

【００８１】また，上記支持プレート１１の表面には被
膜１３が形成されている。それ故，上記一対のガラス基
板２を貼り合せる際に，上記支持プレート１１から脱粉
が生じることがない。そのため，上記ガラス基板２の間
にカーボン粉末が入り込むなどの不具合が生じない。

【００８２】更に，上記支持プレート１１に形成されて
いる上記被膜１３は表面粗度が小さいため，上記支持プ
レート１１とこれに支持されるガラス基板２との密着性
が高く，熱伝導を均一に行うことができる。また，上記
ガラス基板２への押圧を均一に行うことができる。

【００８３】また，上記被膜１３は，上記ガラス基板２
との接触等により上記支持プレート１１から剥がれるお
それがなく，上記支持プレート１１からの脱粉が起こる
おそれもない。それ故，品質の高い液晶表示板を得るこ
とができる。その他，実施形態例１と同様の作用効果を
有する。

【００８４】実施形態例５ 本例は，支持プレート１１の被膜１３をガラス状炭素に
よって形成した加熱装置の例である。上記被膜１３は，
以下のようにして形成した。即ち，有機樹脂を熱分解さ
せてピッチ状とし，それを溶剤に溶かして支持プレート
１１のカーボン材料に含浸し，加熱炭化させてガラス状
炭素被膜を形成した。この被膜１３の膜厚は２μｍであ
った。その他は，実施形態例１と同様である。

【００８５】上記支持プレート１１の被膜１３は，上述
のごとく，ガラス状炭素からなる。そのため，ガラス基
板２の接触や取扱い等により，上記被膜１３の表面か
ら，組織が粉末として離脱する現象は発生しない。その
ため，確実に脱粉の生じない加熱装置１を得ることがで
きる。その他，実施形態例１と同様の作用効果を有す
る。

【００８６】

【発明の効果】上述のごとく，本発明によれば，歪みや
脱粉を生ずることがなく，かつガラス基板との密着性の
よい支持プレートを有する液晶表示板用の基板の加熱装
置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態例１における，加熱装置の説明図。

【図２】実施形態例１における，液晶表示板の断面説明
図。

【図３】実施形態例１における，液晶表示板の製造工程
のフロー図。

【図４】実施形態例２における，スパッタリング装置の
説明図。

【図５】実施形態例３における，プラズマＣＶＤ装置の
説明図。

【図６】実施形態例４における，貼り合せ装置の説明
図。

【符号の説明】

１．．．加熱装置， １１．．．支持プレート， １２．．．発熱手段， １３．．．被膜， ２．．．ガラス基板， ２１．．．ＴＦＴ側基板， ２２．．．カラーフィルム側基板， ３．．．ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）， ３１，４１．．．透明電極層， ３２，４２．．．配向膜， ４．．．カラーフィルタ， ５．．．スパッタリング装置， ６．．．プラズマＣＶＤ装置， ７．．．貼り合せ装置，

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ ５Ｆ１０３ (72)発明者 野呂 匡志 岐阜県大垣市青柳町300番地 イビデン株 式会社青柳工場内 Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA30 HA01 HA06 HA08 HA12 2H089 NA45 NA48 NA60 QA06 QA08 QA12 TA02 TA09 TA12 2H090 JA15 JC08 JC11 JD18 LA01 LA04 LA15 5F031 CA05 HA02 HA10 HA37 MA28 MA29 5F045 AA08 BB01 EK21 EM09 5F103 AA08 BB33 BB42 HH03 HH04 LL13 NN01

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶表示板の製造工程において上記液晶
   表示板を構成する基板を支持するための支持プレート
   と，該支持プレートを発熱させることにより上記基板を
   加熱するための発熱手段とを有する加熱装置において，
   上記支持プレートは，その一部又は全部がカーボン材料
   からなると共に，その表面には熱分解炭素又はガラス状
   炭素からなる被膜が形成されており，かつ，該被膜の表
   面粗度は，十点平均粗さ（Ｒｚ）１０μｍ以下であるこ
   とを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置。
2. 【請求項２】 請求項１において，上記加熱装置の支持
   プレートは，スパッタリング装置において上記基板を支
   持するものであることを特徴とする液晶表示板用の基板
   の加熱装置。
3. 【請求項３】 請求項１において，上記加熱装置の支持
   プレートは，プラズマＣＶＤ装置において上記基板を支
   持するものであることを特徴とする液晶表示板用の基板
   の加熱装置。
4. 【請求項４】 請求項１において，上記加熱装置の支持
   プレートは，貼り合せ装置において一対の上記基板を支
   持して貼り合せる定盤であることを特徴とする液晶表示
   板用の基板の加熱装置。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項において，
   上記基板には，上記液晶表示板のＴＦＴ側基板が含まれ
   ることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項において，
   上記基板には，上記液晶表示板のカラーフィルタ側基板
   が含まれることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱
   装置。