JP2609932B2 - プラズマエッチング用電極板 - Google Patents

プラズマエッチング用電極板

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JP2609932B2
JP2609932B2 JP1284372A JP28437289A JP2609932B2 JP 2609932 B2 JP2609932 B2 JP 2609932B2 JP 1284372 A JP1284372 A JP 1284372A JP 28437289 A JP28437289 A JP 28437289A JP 2609932 B2 JP2609932 B2 JP 2609932B2
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泰臣 堀尾
誠司 箕浦
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ICやLSI等の半導体集積回路をプラズマエ
ッチング処理によって形成する際に使用するプラズマエ
ッチング用電極板に関する。
(従来の技術) プラズマエッチング装置は、図に示すように、円板形
状の陽極板(10)と、これと対向する陰極板(20)とを
反応チャンバー(30)内に備え、電極板(10)(20)間
に数十ボルトから数百ボルトの電位差の電場をつくり、
反応チャンバー(30)内にCF4等の反応ガスを供給して
プラズマ状態とし、陰極板(20)上に載置したウエハ
(40)にエッチング処理をほどこす構造となっている。
従来、このようなプラズマエッチング装置に用いられ
る電極としては、一般に高密度黒鉛よりなる円板が使用
されている。高密度黒鉛は、優れた導電性と化学的安定
性を備え、高密度化も容易であることから、プラズマエ
ッチング用電極としては特性的に極めて好適な電極材料
である。
しかしながら、この高密度黒鉛は、コークスあるいは
カーボンの微粉をタールピッチなどのバインダー成分と
共に高密度に形成して、焼成した後黒鉛化したものであ
り、巨視的には黒鉛の粒体集合による組織構造を有して
いるため、プラズマエッチングのような高エネルギーを
発生させるところでは、粒体脱落による消耗が激しく、
また、脱落した黒鉛粒子がウエハ上面を汚染して所定パ
ターンの形成を阻害する等の欠点を招く不都合がある。
この不都合を解消するものとして、特開昭62−252942号
公報に開示されているガラス状カーボンがあるが、この
ガラス状カーボンは、高密度黒鉛に比べ加工が困難であ
り、コスト高となるという問題があった。
また、電極板の片側には高エネルギーのプラズマによ
る局所負荷を生じ、しかもチャンバー内は400℃〜500℃
の加熱状態におかれるため、電極板がそりを生じたり、
局所的な消耗が起こったりして、正確なエッチング処理
がほどこせなくなるという問題があった。
(発明が解決しようとする課題) 本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、
その目的は、プラズマの発生時の局所負荷による電極板
のそりや局所消耗を防止して正確なエッチング処理がほ
どこせるようにするとともに、粒体脱落をなくして長寿
命のプラズマエッチング用電極板を提供することにあ
る。
(課題を解決するための手段) 上記課題を解決するため、第一請求項に係る発明が採
った手段は、 「20℃〜400℃における平均熱膨張係数が1.3〜7.0×1
0-6/℃、異方比が1.25以下の黒鉛基材表面に熱分解炭素
被膜を形成して成ることを特徴とするプラズマエッチン
グ用電極板」 である。
ここで、黒鉛基材の平均熱膨張係数は1.3〜7.0×10-6
/℃の範囲としたのは、プラズマエッチング処理時に電
極板が局所的に加熱されても、熱膨張の違いから、電極
板に亀裂を発生させないためである。さらに、黒鉛基材
表面に形成した熱分解炭素被膜との熱膨張差による剥離
を防止するためである。
また、黒鉛基材を、その異方比が1.25以下のものとし
たのは、プラズマエッチング処理時に電極板の片側のみ
に応力が生じても、物性を均一にしておくことによっ
て、電極板にそりを発生させないためである。
熱分解炭素の被膜層を黒鉛基材の表面に形成させる方
法としては、各種化学蒸着法により行なうことができ
る。通常は、黒鉛基材を加熱し、メタン、プロパン等の
炭化水素ガスを高温の黒鉛基材に接触させることにより
反応させ、黒鉛基材の表面に熱分解炭素を生成させる方
法による。この場合、炭化水素ガスの濃度調整、あるい
はキャリアガスには水素ガスが適している。また、反応
は常圧もしくは減圧下で行なわれているが、被膜の均一
性、平滑性を得るため減圧下で行なうのが好ましく、30
0Torr以下で行なうのが望ましい。
また、第二請求項に係る発明の採った手段は、 「20℃〜400℃における平均熱膨張係数が1.3〜7.0×1
0-6/℃、異方比が1.25以下であり、かつ水銀圧入法で測
定される75Å〜75000Åの径を有する微細気孔の占める
容積が0.02cc/g〜0.20cc/gの黒鉛基材表面に、厚さが50
〜800μmの熱分解炭素被膜を形成して成ることを特徴
とするプラズマエッチング用電極板」 である。
ここで、黒鉛基材が上記第一請求項における物性を有
したものとする他に、特に、黒鉛基材の水銀圧入法で測
定される75Å〜75000Åの径を有する微細気孔の占める
容積が0.02cc/g〜0.20cc/gとしたのは、黒鉛基材に適当
量の気孔が存在することにより、これら気孔内に熱分解
炭素被膜の一部が入り込む。そのためアンカー効果によ
り黒鉛基材と熱分解炭素被膜の密着性を高めることがで
きるのである。
0.02cc/g未満であるとアンカー効果が小さくなり被膜
との密着性が弱くなり、また0.20cc/gを超えると基材表
面の凹凸が大きくなる結果、そこに被覆される膜の微少
な部位で応力が集中し、ハクリ、クラックが生じ易くな
る。
また、黒鉛基材を被覆する熱分解炭素の被膜層は、50
μm〜800μmの範囲の厚さが必要である。50μm未満
では十分な耐消耗性がえられないからで、また80μmを
超えると基材との熱膨張差により被膜の剥離やクラック
を生じる可能性が大きくなる。
このことから中でも50μm〜600μm程度が最適であ
る。
(作用) まず、第一請求項に係るプラズマエッチング用電極板
にあっては、その黒鉛基材として、20℃〜400℃におけ
る平均熱膨張係数が1.3〜7.0×10-6/℃、異方比が1.25
以下のものを採用したから、プラズマエッチング処理時
に生じる電極板の局所的な負荷による加熱や応力が生じ
ても、電極板に亀裂を発生させたり、そりや振動を生じ
させたりすることがない。
また、このプラズマエッチング用電極板にあっては、
熱分解炭素被膜により黒鉛基材の表面は、高密度黒鉛の
ような粒体集合系とは異質の緻密組織となっている。こ
のため、プラズマエッチングのような高エネルギーを発
生させるところでも、電極材料である黒鉛の粒体脱落に
よる消耗を防止することができる。
第二請求項に係るプラズマエッチング用電極板にあっ
ては、その黒鉛基材として、上記第一請求項に係るそれ
の物性の他に、特に、水銀圧入法で測定される75Å〜75
000Åの径を有する微細気孔の占める容積が0.02cc/g〜
0.20cc/gとしたから、これらの気孔内に熱分解炭素被膜
の一部が入り込んで、アンカー効果によるこの黒鉛基材
と熱分解炭素被膜との密着性をより向上したものとして
いるのである。
また、第二請求項におけるプラズマエッチング用電極
板においては、黒鉛基材の表面に形成した熱分解被膜の
厚さを50μm〜800μmとしたので、黒鉛基材の粒体脱
落を防止して、その消耗を非常に小さくしているのであ
る。
(実施例) 次に、各請求項に係るプラズマエッチング用電極を実
施例に基づいて説明する。
実施例1 この実施例1は、第一請求項に係るプラズマエッチン
グ用電極を示すもので、その黒鉛基材として、20℃〜40
0℃の平均熱膨張係数が2.8×10-6/℃、異方比1.05、水
銀圧入法による気孔75Å〜75000Åの容積が0.10cc/g
(以下微細孔という)の黒鉛を使用し、これを反応炉内
に入れ、2000℃に加熱し、水素ガスをキャリアとしてプ
ロパンを炉内に供給し、黒鉛基材上に厚さが50μmの熱
分解炭素被膜を形成させた電極板を作製した。
比較例1 黒鉛基材として、実施例1に対して平均熱膨張係数及
び微細孔を変化させたものである。即ち、20℃〜400℃
の平均熱膨張係数が7.5×10-6/℃、異方比1.05、微細孔
0.06cc/gの黒鉛を使用し、その他は実施例1と同じ条件
で、電極板を作製した。
比較例2 黒鉛基材として、実施例1に対して異方比を変化させ
たものである。20℃〜400℃の平均熱膨張係数が2.8×10
-6/℃、異方比1.30の黒鉛を使用し、その他は実施例1
と同じ条件で、電極板を作製した。
比較例3 黒鉛基材として、実施例1に対して平均熱膨張係数及
び微細孔を変化させた高密度黒鉛を使用したもので、さ
らに、表面の熱分解炭素被膜は形成せずに電極板を作製
した。
上記実施例1及び比較例1,2,3の電極板をそれぞれ、
プラズマエッチング装置にセットし、反応ガスとしてCF
4を用い、反応チャンバー中のガス圧を1.0Torrとし、20
0個のシリコンウエハのエッチング処理を行なった。
その結果、実施例1については、エッチング処理にお
ける不良品発生はなく、熱分解炭素被膜の剥離、黒鉛の
粒体脱落も認められなかった。また電極板の消耗度合は
比較例3の電極板の1/10程度であった。
なお、比較例1については、不良品発生はなかった
が、熱分解炭素被膜の一部に剥離がみられ、比較例2に
ついては、実施例1の電極板の消耗度合とほとんど変ら
なかったが、プラズマエッチング処理における歩留りが
悪く、比較例3と同程度であった。比較例3は表面の消
耗が激しく、短寿命である。
これらの結果を要約して、表1にまとめた。
実施例2 この実施例2は、第2請求項に係るプラズマエッチン
グ用電極を示すもので、実施例1に対して熱分解炭素被
膜の厚さを変化させたものである。即ち、黒鉛基材とし
て、20℃〜400℃の平均熱膨張係数が2.7×10-6/℃、異
方比1.05、水銀圧入法による気孔75Å〜75000Åの容積
が0.10cc/gの黒鉛を使用し、これを反応炉内に入れ、20
00℃に加熱し、水素ガスをキャリアとしてプロパンを炉
内に供給し、黒鉛基材上に厚さが300μmの熱分解炭素
被膜を形成させた電極板を作製した。
比較例4 黒鉛基材として、実施例2に対して平均熱膨張係数及
び微細孔を変化させたものである。即ち、20℃〜400℃
の平均熱膨張係数が4.5×10-6/℃、異方比1.05、水銀圧
入法による気孔75Å〜75000Åの容積が0.25cc/gの黒鉛
を使用し、その他は実施例2と同じ条件で、電極板を作
製した。
比較例5 黒鉛基材として、実施例2に対して異方比及び微細孔
を変化させたものである。20℃〜400℃の平均熱膨張係
数が2.7×10-6/℃、異方比1.03、水銀圧入法による気孔
75Å〜75000Åの容積が0.25cc/gの黒鉛を使用し、その
他は実施例2と同じ条件で、電極板を作製した。
比較例6 黒鉛基材として、実施例2に対して平均熱膨張係数及
び微細孔を変化させた高密度黒鉛を使用したもので、さ
らに、表面の熱分解炭素被膜は形成せずに電極板を作製
した。
上記実施例2及び比較例4,5,6の電極板をそれぞれ、
プラズマエッチング装置にセットし、反応ガスとしてCF
4を用い、反応チャンバー中のガス圧を1.0Torrとし、20
0個のシリコンウエハのエッチング処理を行なった。
その結果、この実施例2については、エッチング処理
における不良品発生はなく、熱分解炭素被膜の剥離、黒
鉛の粒体脱落も認められなかった。また電極板の消耗度
合は比較例3の電極板の1/10程度であった。
なお、比較例4については、熱分解炭素被膜の一部に
剥離が、また被膜に局部的な消耗が認められた。比較例
5については、熱分解炭素被膜の剥離は認められなかっ
たが、被膜に局部的な消耗が認められた。比較例6は表
面の消耗が激しく、短寿命である。
これらの結果を要約して、表1にまとめた。
(発明の効果) 以上説明したように、各請求項に係るプラズマエッチ
ング用電極板により、プラズマエッチング処理時に生じ
る電極板の局所的な負荷による局所的な加熱や、応力が
生じても、電極板に亀裂を発生させたり、そりや振動を
生じさせたりすることがなく、正確なエッチング処理を
行なうことができる。
また、熱分解炭素被膜により、プラズマエッチングの
ような高エネルギーを発生させるところでも、電極材料
である黒鉛の粒体脱落による消耗を防止して電極板のラ
イフアップを図ることができる。
これにより、プラズマエッチング処理における歩留り
を向上させ、大幅なコスト低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
図はプラズマエッチング装置の概要を示す断面図であ
る。 符号の説明 10……陽極板、20……陰極板、30……反応チャンバー、
40……ウエハ。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】20℃〜400℃における平均熱膨張係数が1.3
    〜7.0×10-6/℃、異方比が1.25以下の黒鉛基材表面に熱
    分解炭素被膜を形成して成ることを特徴とするプラズマ
    エッチング用電極板。
  2. 【請求項2】20℃〜400℃における平均熱膨張係数が1.3
    〜7.0×10-6/℃、異方比が1.25以下であり、かつ水銀圧
    入法で測定される75Å〜75000Åの径を有する微細気孔
    の占める容積が0.02cc/g〜0.20cc/gの黒鉛基材表面に、
    厚さが50〜800μmの熱分解炭素被膜を形成して成るこ
    とを特徴とするプラズマエッチング用電極板。
JP1284372A 1989-07-03 1989-10-31 プラズマエッチング用電極板 Expired - Lifetime JP2609932B2 (ja)

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JP1-172628 1989-07-03

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62252942A (ja) * 1986-04-17 1987-11-04 Tokai Carbon Co Ltd プラズマエツチング用電極板
JPS6459818A (en) * 1987-08-31 1989-03-07 Hitachi Ltd Electrode for dry etching apparatus

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