JP3937072B2 - ダミーウェハー - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばシリコンウェハーに、スパッタリング、エッチング、CVDあるいはイオン注入等の種々な加工を施して集積回路を製造する場合に、各工程でのダストのモニター、加工後の特性評価、搬送チェック使用されるダミーウェハーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
集積回路を形成するには、上記のような種々な加工が施されるが、例えばシリコンウェハーの表面に減圧CVD工程によって酸化膜等を形成する場合、これらのシリコンウェハーの多数を、例えば図1に示すような治具に支持して、図2に示すように、これを半導体製造装置であるCVD炉内に入れなければならない。最近では、作業効率を高めるために、1つのCVD炉内に150枚程度のシリコンウェハーを同時に入れて、各種加工を行うようにしている。
【0003】
このように多数のシリコンウェハーを1つのCVD炉の中に入れてある加工を行おうとすると、全てのシリコンウェハーに対して均質な加工を施すことが困難となる。何故なら、図2に示したように、多数のシリコンウェハーを並べて原料ガス等の雰囲気中に置いたとすると、一番外側のシリコンウェハーと中程のシリコンウェハーとでは、原料ガス等に曝される割合がどうしても異なってしまうからである。
【0004】
このため、実際の集積回路の製造工程では、150枚程度並べられたシリコンウェハーの両外側において、2枚〜20枚程度は、製品化されない所謂「ダミーウェハー」とされるのである。このダミーウェハーは、上述したCVD炉内のガス濃度や流れを一定に保つために、あるいは膜厚や表面粗度、電気特性等の検査試料として使用されるものであり、従来はシリコンウェハーそのもの、あるいはシリコンウェハーと同じ形状の石英板を使用していた。
【0005】
これらのダミーウェハーは、その使用後に硝酸等によって洗浄することにより再利用を図っていたのであるが、シリコンや石英は硝酸に対する耐食性や耐熱性に劣るものであるため、数回(1週間〜3ヶ月)の使用で使いものにならなくなり、廃棄処分としていたのである。しかも、例えばシリコンウェハーそのものは現在品不足でもあり、製品となるべき1割以上もダミーウェハーとして使用することは、当然のことながら不経済である。
【0006】
このため、この種のダミーウェハーを炭化珪素によって形成することが提案されているが、炭化珪素は耐食性に優れているため、その耐久性、あるいは再利用性には何等問題はない。しかしながら、炭化珪素は硬度の非常に高い特性を有するものであり、ダミーウェハーとして製造するのに困難なものとなっている。また、炭化珪素は、その表面における熱伝導性や電気持性が適当でないため、シリコンウェハーと同程度の表面処理が行えず、CVD炉内での加工後にこの炭化珪素からなるシリコンウェハーの加工結果を見るための試料とするには相応しくないものとなっている。
【0007】
そこで、本発明者は、上記のシリコンウェハーにおける実状を改善するにはどうしたらよいかについて種々検討を重ねてきた結果、以下の本発明を完成したのである。
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上の経緯に基づいてなされたもので、その解決しようとする課題は、製造や加工が容易で、物性的にも優れたダミーウェハーを提供することにある。
【0008】
すなわち、本発明の目的とするところは、半導体製造装置内に入れるものとしての耐熱性、耐食性に優れていることは勿論、それ程硬度が高くなくて製造や加工、及び使用後の加工性にも優れていて、比較的安価に構成することのできるダミーウェハーを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、まず請求項1に係る発明の採った手段は、以下の実施形態の説明中において使用する符号を付して説明すると、
「半導体製造装置内に多数並べられる集積回路等を形成するためのウェハー20に混ぜて配置されるダミーウェハー10であって、
全体が、層状に積層した熱分解炭素によって形成されていることを特徴とするダミーウェハー10」
である。
【0010】
すなわち、この請求項1に係るダミーウェハー10は、図3の(イ)に示すように、その全体を、層状に積層した熱分解炭素によって形成したものであるが、これによりシリコンウェハー20の表面と略同等の平滑性を有したものであり、製品となるシリコンウェハー20の表面に対する酸化膜の形成と同程度の加工を行えるようにしたものである。また、熱分解炭素そのものは、耐熱性及び耐食性に優れたものであるから、CVD炉内での高温雰囲気中(1200℃〜1300℃)に十分耐えるものであって、全く変化しないものであり、かつ、表面に形成された酸化膜を硝酸によって洗浄するに際して何等の変化も生じないものとなっている。
【0011】
勿論、熱分解炭素によって形成したダミーウェハー10は、その熱分解炭素が純度の高いものであるため、シリコンウェハー20に対する酸化膜の形成中に、これに悪影響を与える不純物を飛散させることはなく、シリコンウェハー20の加工を安定した状態で行うことができることは当然である。従って、熱分解炭素からなる請求項1のダミーウェハー10は、シリコンウェハー20の加工時に使用するものとして最適なものとなっており、耐久性にも優れていることから何度でも再使用することができ、従来の石英製のものは勿論、炭化珪素製のものに比較しても有用性の高いものとなっているのである。
【0012】
前述した課題を解決するために、請求項2に係る発明の採った手段は、
「半導体製造装置内に多数並べられる集積回路等を形成するためのウェハー20に混ぜて配置されるダミーウェハー10であって、
ウェハー形状に加工されたカーボン基材11の表面全体に、層状に積層した熱分解炭素被膜12が形成されていることを特徴とするダミーウェハー10」
である。
【0013】
すなわち、この請求項2に係るダミーウェハー10は、図3の(ロ)に示すように、カーボン基材11の表面に熱分解炭素被膜12を形成して構成したものであるから、この熱分解炭素被膜12の存在によって、上記請求項1に係るダミーウェハー10と同様な作用・機能を発揮するものとなっている。
【0014】
また、この請求項2に係るダミーウェハー10では、その大部分を比較的容易かつ安価に製造することのできるカーボン基材11としたから、ダミーウェハー10全体のコストが低減されていることは当然として、熱分解炭素被膜12を必要最小限の厚さのものにすることが自由にできるため、その製造それ自体も容易に行えるものとなっている。
【0015】
特に、以上の各請求項に係るいずれのダミーウェハー10も、その表面が熱分解炭素を層状に積層したものとなっているから、その表面方向に対する熱伝導性及び電気伝導性が非常に高いものとなっている。
【0016】
このため、まず、本発明に係るダミーウェハー10では、これをシリコンウェハー20とともに図1に示したような支持治具上に支持してCVD炉内に入れたとき、仮に雰囲気ガスが直接当たらない部分があったとしても、少なくとも周囲部分は雰囲気ガスによって直接加熱され、その熱は熱分解炭素の高い熱伝導性によって早急に内方まで伝導する。従って、このダミーウェハー10は、CVD炉の温度雰囲気に直ちに適応したものとなり、シリコンウェハー20に対する酸化膜等の形成工程には全く悪影響を与えないのである。
【0017】
また、このダミーウェハー10の表面が優れた電気伝導度を有したものであるということは、その表面への酸化膜の形成をシリコンウェハー20と同等に行うことができるということを意味しており、加工後のダミーウェハー10を製品検査の試料としたときに、シリコンウェハー20の表面状況を直接測定するのと同等の検査を行うことができるということをも意味していることになる。
【0018】
【発明の実施の形態】
次に、以上のように構成した各請求項の発明について、図面を参照しながら、その実施の形態を説明すると、次の通りである。
【0019】
(請求項1に係るダミーウェハー10について)
このダミーウェハー10は、図3の(イ)に示したように、その全体を熱分解炭素によって形成したものであるが、その外形形状は、図1にも示したように、製品となるべきシリコンウェハー20と同じものとしてある。
【0020】
熱分解炭素によってダミーウェハー10を形成する方法としては、各種化学蒸着法により行なうことができる。通常は、黒鉛基材を加熱し、メタン、プロパン等の炭化水素ガスを高温(1200℃〜2200℃)の黒鉛基材に接触させることにより反応させ、黒鉛基材の表面に熱分解炭素を生成させる方法(CVD法)による。この場合、炭化水素ガスの濃度調整、あるいはキャリアガスには水素ガスが適している。また、反応は常圧もしくは減圧下で行なわれるが、被膜の均一性、平滑性を得るため減圧下で行なうのが好ましく、300Torr以下で行なうのが望ましい。
【0021】
以上のように、黒鉛基材上に積層させた熱分解炭素を独立して取り出すためには、その全体を常温に急冷させればよい。これらの黒鉛基材及び熱分解炭素の25℃〜400℃における各熱膨張率は、それぞれ3〜6×10-6/℃、1.7× 10-6/℃であるから、両者の熱膨張率の差によって、両者を簡単に剥すことができるのである。また、形成される熱分解炭素層の厚さを、できるだけ厚くすることにより、さらに黒鉛基材からの離脱が容易になる。この場合、形成される層の厚みは0.5mm以上、好ましくは1mm以上が望ましい。
【0022】
さらに、形成される基材の形成面の表面粗度を小さくすることによっても基材からの離脱が行いやすい。基材表面が粗いと熱分解炭素層が基材の凹凸部に入り込み、層と基材との分離が困難となる。この場合、形成される基材の表面粗度はRmax=25μm以下が望ましい。
【0023】
勿論、以上のよう形成した熱分解炭素それ自体は高純度であるが、これを積層させるために使用した黒鉛基材中に種々な不純物、例えば、鉄、ニッケル、コバルト、バナジウムが混入していることがあり、これらが熱分解炭素側に残留していることがある。熱分解炭素中に不純物が混入する経路として考えられるのは、前述した黒鉛基材中の不純物が混入していることがあげられる。これらの不純物は、高純度の黒鉛基材を用いる事及び供給ガスの純度(ガス供給部品、供給管及び反応容器等の構造、材質を選択する)により、熱分解炭素中に混入しないようにすることができるものである。
【0024】
このような方法によって、当該熱分解炭素からなるダミーウェハー10の全灰分(鉄等の不純物)の量を、10ppm以下とすることができるのである。従って、このダミーウェハー10をウェハー処理用のCVD炉中の前端や後端に配置しても、処理ガスによる加熱が均等に行われるのである。このことは、ダミーウェハー10の表面における電気伝導度についても同様であり、電気によって試料であるダミーウェハー10上の様子をチェックする場合に適したものとなっている。
【0025】
また、このダミーウェハー10は、その全体を熱分解炭素によって構成してあるから、粒体集合系からなる高密度黒鉛とは異なって緻密組織のものとなっており、粒体脱落を生じることはない。従って、これらのダミーウェハー10によってシリコンウェハー20を汚染することはないのである。
【0026】
次に、以上のようなダミーウェハー10の製造方法を説明する。まず、高純度の黒鉛基材(熱膨張係数3.2×10-6/℃、基材面粗度Rmax=16μm)を炉中に配置した。そして、この炉によって黒鉛基材の表面側が常に2200℃となるように加熱して、原料ガスを注入した。
【0027】
原料ガスとしては、不純物を十分除去したメタン、プロパンあるいはベンゼン等の炭化水素ガスを用い、その濃度の調整をも行なうキャリアガスとして水素ガスを使用した。これにより、原料ガスは、高温になっている黒鉛基材の表面で、分解、結合などにより、熱分解炭素となって基材表面に沈積した。
【0028】
以上のようにして、熱分解炭素が黒鉛基材表面に5mm以上沈積させた後、これを常温状態にして熱分解炭素を黒鉛基材から剥離した。この熱分解炭素を加工することにより、ダミーウェハー10とした。
【0029】
(請求項2に係るダミーウェハー10について)
図3の(ロ)には請求項2に係るダミーウェハー10の部分拡大断面図が示してあるが、このダミーウェハー10は、等方性(熱膨張係数の異方比1.20以下)を有し、高密度(1.7〜2.0g/cm3 )でしかも高純度(全灰分10ppm以下)のカーボン基材11の表面全体を、厚さ10μ以上の熱分解炭素被膜12によって被覆して形成したものである。
【0030】
カーボン基材11そのものは、シリコンウェハー20の形状に合わせたものを一般的な方法によって形成すればよく、このカーボン基材11の表面の熱分解炭素被膜12は、例えば上記請求項1に係るダミーウェハー10の実施形態中で説明したのと同様な方法によって形成すればよいものである。
【0031】
【発明の効果】
以上、詳述した通り、請求項1に係るダミーウェハー10は、
「半導体製造装置内に多数並べられる集積回路等を形成するためのウェハー20に混ぜて配置されるダミーウェハー10であって、
全体が、層状に積層した熱分解炭素によって形成されていること」
に特徴があり、また、請求項2に係るダミーウェハー10は、
「半導体製造装置内に多数並べられる集積回路等を形成するためのウェハー20に混ぜて配置されるダミーウェハー10であって、
ウェハー形状に加工されたカーボン基材11の表面全体に、層状に積層した熱分解炭素被膜12が形成されていること」
にその特徴があり、これにより、半導体製造装置内に入れるものとしての耐熱性、耐食性に優れていることは勿論、それ程硬度が高くなくて製造や加工、及び使用後の加工性にも優れていて、比較的安価なものとして製造することができるのである。
【0032】
また、本発明に係るダミーウェハー10では、これをシリコンウェハー20とともにCVD炉内に入れたとき、仮に雰囲気ガスが直接当たらない部分があったとしても、少なくとも周囲部分は雰囲気ガスによって直接加熱され、その熱は熱分解炭素皮膜12の高い熱伝導性によって早急に内方まで伝導する。従って、このダミーウェハー10は、CVD炉の温度雰囲気に直ちに適応したものとなり、シリコンウェハー20に対する酸化膜等の形成工程には全く悪影響を与えることがない。
【0033】
さらに、本発明によれば、ダミーウェハー10の表面に層状に積層してある熱分解炭素皮膜12が優れた電気伝導度を有したものであるから、このダミーウェハー10の表面への酸化膜の形成をシリコンウェハー20と同等に行うことができ、加工後のダミーウェハー10を製品検査の試料としたときに、シリコンウェハー20の表面状況を直接測定するのと同等の検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るダミーウェハーを、ウエハ保持治具上に多数配列したシリコンウェハーに混ぜて配置した状態を示す斜視図である。
【図2】図1に示した全体を入れたCVD炉の断面図である。
【図3】本発明に係るダミーウェハーを示すもので、(イ)は熱分解炭素のみからなるダミーウェハーの部分拡大断面図、(ロ)はカーボン基材全体を熱分解炭素被膜によって被覆したダミーウェハーの部分拡大断面図である。
【符号の説明】
10 ダミーウェハー
11 カーボン基材
12 熱分解炭素被膜
20 シリコンウェハー
Claims (2)
- 半導体製造装置内に多数並べられる集積回路等を形成するためのウェハーに混ぜて配置されるダミーウェハーであって、
全体が、層状に積層した熱分解炭素によって形成されていることを特徴とするダミーウェハー。 - 半導体製造装置内に多数並べられる集積回路等を形成するためのウェハーに混ぜて配置されるダミーウェハーであって、
ウェハー形状に加工されたカーボン基材の表面全体に、層状に積層した熱分解炭素被膜が形成されていることを特徴とするダミーウェハー。
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-
1996
- 1996-07-01 JP JP17117296A patent/JP3937072B2/ja not_active Expired - Lifetime
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