JPH03246931A - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
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- JPH03246931A JPH03246931A JP4236490A JP4236490A JPH03246931A JP H03246931 A JPH03246931 A JP H03246931A JP 4236490 A JP4236490 A JP 4236490A JP 4236490 A JP4236490 A JP 4236490A JP H03246931 A JPH03246931 A JP H03246931A
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は半導体ウェハの製造に使用する縦型の気相成
長装置に関し、特に半導体ウェハを支持するサセプタの
改良に関するものである。
長装置に関し、特に半導体ウェハを支持するサセプタの
改良に関するものである。
従来の技術
半導体工業分野において様々な型の縦型気相成長装置が
使用されている。
使用されている。
一般に、縦型気相成長装置は石英又はステンレス製の炉
の中にディスク状のサセプタを備えている。サセプタの
下方には高周波コイルが設けられ、コイルによってサセ
プタが加熱される。半導体の基板ウエノ１がサセプタ上
に載置され、サセプタからの伝熱によって加熱される。
の中にディスク状のサセプタを備えている。サセプタの
下方には高周波コイルが設けられ、コイルによってサセ
プタが加熱される。半導体の基板ウエノ１がサセプタ上
に載置され、サセプタからの伝熱によって加熱される。
そして原料ガスが炉内に導かれ、サセプタ上に噴射され
る。サセプタを中心軸回りに回転させながら処理を行う
構成になっている。
る。サセプタを中心軸回りに回転させながら処理を行う
構成になっている。
従来のサセプタは中実のカーボン基材）表面にＳｉＣ被
膜をコーティングしたものであった。
膜をコーティングしたものであった。
発明が解決しようとする問題点
中実のカーボン基材の表面にＳｉＣ膜をコートしたサセ
プタにおいては次の点が問題になっていた。
プタにおいては次の点が問題になっていた。
１）高周波コイルによる加熱むらのためにサセプタに温
度むらが発生し易かった。例えば１０５０℃に加熱した
時に、サセプタ中心部と外側部では１０℃程度の温度差
が存在した。その場合にエビタキシャル工程が良好に行
われずウェハに欠陥が生じ易かった。
度むらが発生し易かった。例えば１０５０℃に加熱した
時に、サセプタ中心部と外側部では１０℃程度の温度差
が存在した。その場合にエビタキシャル工程が良好に行
われずウェハに欠陥が生じ易かった。
２）昇温速度がはやいとサセプタに割れが生じることが
あり、サセプタの耐用寿命が充分でなかった。
あり、サセプタの耐用寿命が充分でなかった。
３）炭素中に吸着されていた不純物が加熱中に発生して
、処理中のウェハに悪影響を与えることがあった。
、処理中のウェハに悪影響を与えることがあった。
４）加熱時にサセプタにそりが生じ、ウェハの品質が低
下することがあった。
下することがあった。
発明の目的
以上のような従来技術の欠点を解決して、ウェハの品質
を向上でき、かつ長寿命なサセプタを提供することが本
発明の目的である。
を向上でき、かつ長寿命なサセプタを提供することが本
発明の目的である。
発明の要旨
前述の目的を達成するために、この発明は請求項１に記
載のサセプタを要旨としている。
載のサセプタを要旨としている。
問題点を解決するための手段
本発明のサセプタはカーボン基体を中空構造とし、その
表面にＳｉＣ被膜を被覆することを特徴とする。すなわ
ち、サセプタ内部に中空カーボン基体の内側表面及び外
側表面の両方にＳｉＣ被膜をコーティングすることが望
ましい。ＳｉＣ被膜はＣＶＤ法等によってコーティング
する。
表面にＳｉＣ被膜を被覆することを特徴とする。すなわ
ち、サセプタ内部に中空カーボン基体の内側表面及び外
側表面の両方にＳｉＣ被膜をコーティングすることが望
ましい。ＳｉＣ被膜はＣＶＤ法等によってコーティング
する。
カーボン基体の下面側に、カーボン基体内の空隙に通じ
る孔を設けることが望ましい。
る孔を設けることが望ましい。
ウェハ上に供給される処理用ガスは通常炉の下部から排
気されるが、サセプタの中空部に通じる孔をサセプタ下
側に設けることにより、以下の利点がある。すなわち、
カーボン基体に吸着した不純物が孔から排出され、処理
用ガスと共にすみやかに排気されるのである。
気されるが、サセプタの中空部に通じる孔をサセプタ下
側に設けることにより、以下の利点がある。すなわち、
カーボン基体に吸着した不純物が孔から排出され、処理
用ガスと共にすみやかに排気されるのである。
従って、不純物がサセプタ上に載置されたウェハまで達
してウェハに悪影響を与えることがない。ただし、孔を
設ける場合にはカーボン基体の内側表面にもＳｉＣ被膜
をコーティングする必要がある。
してウェハに悪影響を与えることがない。ただし、孔を
設ける場合にはカーボン基体の内側表面にもＳｉＣ被膜
をコーティングする必要がある。
カーボン基材を炭素繊維で強化することが望ましい。炭
素繊維で強化することによって加熱時に割れを少なくで
きる。
素繊維で強化することによって加熱時に割れを少なくで
きる。
カーボン基体の厚さは内部空隙の０．１〜１．５倍であ
ることが望ましい。カーボン基体の厚さが空隙の０．１
倍未満であると表面の均熱性が低下するという不都合が
ある。１゜５倍をこえると変形により、スリップ不良や
抵抗値のばらつきが起り、ウェハの歩留りが低下すると
いう不都合がある。
ることが望ましい。カーボン基体の厚さが空隙の０．１
倍未満であると表面の均熱性が低下するという不都合が
ある。１゜５倍をこえると変形により、スリップ不良や
抵抗値のばらつきが起り、ウェハの歩留りが低下すると
いう不都合がある。
空隙内にリブを設け、強度を高めることが好ましい。
作 用
サセプタ内部を中空にすることによって、サセプタ上面
、すなわちウェハ載置面の温度むらを低減できる。
、すなわちウェハ載置面の温度むらを低減できる。
実 施 例
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図にその主要部を示した縦型気相成長装置は本発明
によるサセプタ１０を備えている。サセプタ１０は、上
板９と下板８から構成されている。上板及び下板は炭素
繊維を含んだ炭素質成形基体からなり、表面にＳｉＣ被
膜がコートされている。ＳｉＣ膜はＣＶＤ法によって上
板９、下板８のそれぞれ両面にコートし、その膜厚は例
えば８０μｍとする。
によるサセプタ１０を備えている。サセプタ１０は、上
板９と下板８から構成されている。上板及び下板は炭素
繊維を含んだ炭素質成形基体からなり、表面にＳｉＣ被
膜がコートされている。ＳｉＣ膜はＣＶＤ法によって上
板９、下板８のそれぞれ両面にコートし、その膜厚は例
えば８０μｍとする。
上板９はディスク型の平板で、その上面は半導体ウェハ
２０を載せるウェハ載置面になる。
２０を載せるウェハ載置面になる。
下板８はリブ７をもつディスク状平板である。リブ７は
同心円状に配置されているが、適宜放射状にもリブを配
置する。下板８には多数の孔１２が設けである。
同心円状に配置されているが、適宜放射状にもリブを配
置する。下板８には多数の孔１２が設けである。
上板９と下板８は熱硬化性樹脂系の接着剤で接合しであ
る。上板９と下板８の間にはリブ７で境界づけられた空
隙（中空部）６が形成される。孔１２はこの中空部６に
通じている。
る。上板９と下板８の間にはリブ７で境界づけられた空
隙（中空部）６が形成される。孔１２はこの中空部６に
通じている。
サセプタは支持部材１４によって炉内で回転可能に支持
されている。
されている。
支持部材１４の内側にはガス供給管１１が設けである。
ガス供給管１１の上端には多数のガス排出穴１５が設け
である。原料（エピタキシャル）ガスはガス供給管１４
の下端から供給され（矢印Ａ）、ガス排出穴１５がらウ
ェハ２０上に排出される（矢印Ｂ）。
である。原料（エピタキシャル）ガスはガス供給管１４
の下端から供給され（矢印Ａ）、ガス排出穴１５がらウ
ェハ２０上に排出される（矢印Ｂ）。
サセプタ１０の下方にはガス排気管１６が設けてあり、
そこから原料ガスが炉外に排気される。加熱によってサ
セプタ以外内から発生した不純物はサセプタ１０の孔１
２を通って下方に放出され（矢印Ｄ）、原料ガスと共に
ガス排気管１６から排出される。
そこから原料ガスが炉外に排気される。加熱によってサ
セプタ以外内から発生した不純物はサセプタ１０の孔１
２を通って下方に放出され（矢印Ｄ）、原料ガスと共に
ガス排気管１６から排出される。
サセプタ１２の下方には螺旋状（又は同心円状）の高周
波コイル１３が配置されており、サセプタを介してウェ
ハを加熱する。
波コイル１３が配置されており、サセプタを介してウェ
ハを加熱する。
なお、気相成長装置のサセプタ以外の部分は従来の構成
を採用できる。
を採用できる。
第１図の装置を用いてウェハ処理実験を行った。炉内を
１０５０℃に加熱した時にサセプタ上面の中心部と外側
部の温度差は１℃程度であった。これはサセプタ内に空
隙を設けたことによって、輻射熱によってもサセプタ上
面が加熱されるためであると考えられる。
１０５０℃に加熱した時にサセプタ上面の中心部と外側
部の温度差は１℃程度であった。これはサセプタ内に空
隙を設けたことによって、輻射熱によってもサセプタ上
面が加熱されるためであると考えられる。
このようにサセプタ上面の温度むらを低減することによ
って、ウェハ処理を良好に行うことができ、ウェハの不
良発生率を減少できた。
って、ウェハ処理を良好に行うことができ、ウェハの不
良発生率を減少できた。
なお、本発明は前述の実施例に限定されない。例えば、
サセプタ上面にはウェハを載置するための座ぐり部を設
けてもよい。
サセプタ上面にはウェハを載置するための座ぐり部を設
けてもよい。
発明の効果
本発明によれば、サセプタ内部を中空にすることによっ
て、サセプタ上面のウェハ載置面の温度むらを少なくで
きる。従って、ウェハの不良発生率を減少できる。
て、サセプタ上面のウェハ載置面の温度むらを少なくで
きる。従って、ウェハの不良発生率を減少できる。
また中空のサセプタ基体の内外面にＳｉＣ膜をコートす
ることによって不純物ガスの発生を抑え、さらに不良発
生率を減少できる。
ることによって不純物ガスの発生を抑え、さらに不良発
生率を減少できる。
カーボン基体の下面に孔を設けた場合には、不純物ガス
の影響をさらに低減できる。
の影響をさらに低減できる。
また、サセプタ基体を炭素繊維で強化することによって
加熱時の割れ現象を少なくできる。
加熱時の割れ現象を少なくできる。
さらに、リブを設けることによってサセプタの変形を小
さくできる。
さくできる。
第１図は本発明によるサセプタを備えた縦型気相成長装
置の一部を示す断面図である。 ６・・・・・・・・・空 隙 １０・・・・・・サセプタ １２・・・・・・孔 ２０・・・・・・ウェハ
置の一部を示す断面図である。 ６・・・・・・・・・空 隙 １０・・・・・・サセプタ １２・・・・・・孔 ２０・・・・・・ウェハ
Claims (1)
- 表面にＳｉＣ被膜を有する中空構造カーボン基体よりな
ることを特徴とするサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042364A JP2628394B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042364A JP2628394B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | サセプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03246931A true JPH03246931A (ja) | 1991-11-05 |
| JP2628394B2 JP2628394B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=12633984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2042364A Expired - Fee Related JP2628394B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2628394B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514439A (en) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Sibley; Thomas | Wafer support fixtures for rapid thermal processing |
| WO2005059992A1 (de) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh | Träger zur aufnahme eines gegenstandes sowie verfahren zur herstellung eines trägers |
| KR100750968B1 (ko) * | 2005-06-07 | 2007-08-22 | 주식회사 알지비하이텍 | 플라즈마화학적기상증착 기구 내의 서셉터 구조 |
| JP2009071303A (ja) * | 2007-09-17 | 2009-04-02 | Asm Internatl Nv | 堆積されたコーティングを有するアパーチャを備えた半導体処理部品、及びその形成方法。 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4576024B2 (ja) | 2000-05-31 | 2010-11-04 | トヨタ紡織株式会社 | 表皮一体成形品の製造方法および装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290520A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ＳｉＣ製サセプタの製造方法 |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP2042364A patent/JP2628394B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290520A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ＳｉＣ製サセプタの製造方法 |
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| US7919143B2 (en) | 2003-12-09 | 2011-04-05 | Schunk Kohlensteofftechnik Gmbh | Carrier for receiving an object and method for the production of a carrier |
| KR101148897B1 (ko) * | 2003-12-09 | 2012-05-29 | 슝크 코렌슈토프테크닉 게엠베하 | 대상물을 지지하기 위한 기판 및 이 기판의 제조방법 |
| KR100750968B1 (ko) * | 2005-06-07 | 2007-08-22 | 주식회사 알지비하이텍 | 플라즈마화학적기상증착 기구 내의 서셉터 구조 |
| JP2009071303A (ja) * | 2007-09-17 | 2009-04-02 | Asm Internatl Nv | 堆積されたコーティングを有するアパーチャを備えた半導体処理部品、及びその形成方法。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2628394B2 (ja) | 1997-07-09 |
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