JPH01290520A - ＳｉＣ製サセプタの製造方法 - Google Patents
ＳｉＣ製サセプタの製造方法Info
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- JPH01290520A JPH01290520A JP63118884A JP11888488A JPH01290520A JP H01290520 A JPH01290520 A JP H01290520A JP 63118884 A JP63118884 A JP 63118884A JP 11888488 A JP11888488 A JP 11888488A JP H01290520 A JPH01290520 A JP H01290520A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＳｉＣのみよりなるサセプタを製造する方法に
係り、特に中空のＳｉＣ製サセプタの製造方法に関する
。
係り、特に中空のＳｉＣ製サセプタの製造方法に関する
。
［従来の技術］
シリコンウェハ等を表面処理する際、ウェハを保持する
ための座ぐり面が形成されたサセプタが用いられる。従
来、一般に提供されるサセプタは、高純度処理された等
方性黒鉛にＣＶＤ法によりＳｉＣ（炭化珪素）被膜を形
成したものである（特公昭５３−３９２３４）。
ための座ぐり面が形成されたサセプタが用いられる。従
来、一般に提供されるサセプタは、高純度処理された等
方性黒鉛にＣＶＤ法によりＳｉＣ（炭化珪素）被膜を形
成したものである（特公昭５３−３９２３４）。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来品では基体が黒鉛製とされている。この黒鉛基
体はたとえ高純度処理されたものであっても、微量の不
純物混入を避けることはできない。このため、使用過程
において、ＣＶＤ−５ｉＣ被膜にピンホールやマイクロ
クラック等の被膜欠陥が生じた場合には、黒鉛基体中の
不純物が被膜の欠陥部から侵出し、クエへを汚染すると
いう問題があった。
体はたとえ高純度処理されたものであっても、微量の不
純物混入を避けることはできない。このため、使用過程
において、ＣＶＤ−５ｉＣ被膜にピンホールやマイクロ
クラック等の被膜欠陥が生じた場合には、黒鉛基体中の
不純物が被膜の欠陥部から侵出し、クエへを汚染すると
いう問題があった。
本発明は上記従来の問題点を解決し、不純物汚染の問題
がなく寸法精度、取り扱い性等にも優れたＳｉＣ製サセ
プタの製造方法を提供することを目的とする。
がなく寸法精度、取り扱い性等にも優れたＳｉＣ製サセ
プタの製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明のＳｉＣ製サセプタ製造方法は、燃焼除去又は溶
解除去可能な材質からなり、ウェハ保持用の座ぐり面が
形成された板状であフて、かつ板面に１又は２以上の貫
通孔を有する基体を用いる。まず、基体の表面に、Ｃｖ
ＤＩＡ理によりＳｉＣ被膜を形成し、次いで前記板状基
体を燃焼又は溶解させる。これにより基体の両板面に形
成されたＳｉＣ被膜同志を前記貫通孔の内周面に形成さ
れたＳｉＣで連結してなるサセプタを製造する。
解除去可能な材質からなり、ウェハ保持用の座ぐり面が
形成された板状であフて、かつ板面に１又は２以上の貫
通孔を有する基体を用いる。まず、基体の表面に、Ｃｖ
ＤＩＡ理によりＳｉＣ被膜を形成し、次いで前記板状基
体を燃焼又は溶解させる。これにより基体の両板面に形
成されたＳｉＣ被膜同志を前記貫通孔の内周面に形成さ
れたＳｉＣで連結してなるサセプタを製造する。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図〜第５図は本発明のＳｉＣ製サセプタの製造方法
の一実施例方法を説明する図である。
の一実施例方法を説明する図である。
本発明においては、基体として燃焼除去又は溶解除去可
能な材質からなり、かつ第１図及び第２図に示すように
、ウェハ保持用の座ぐり面２が形成された板状であって
、板面に複数の貫通孔３を有する基体１を用いる。この
基体１としては、ＣＶＤ処理温度に耐え得る材質のもの
が用いられる。その形状、大きさは、所望とするサセプ
タよりもＣＶＤ被膜の厚さ分だけ小さいものを用いる。
能な材質からなり、かつ第１図及び第２図に示すように
、ウェハ保持用の座ぐり面２が形成された板状であって
、板面に複数の貫通孔３を有する基体１を用いる。この
基体１としては、ＣＶＤ処理温度に耐え得る材質のもの
が用いられる。その形状、大きさは、所望とするサセプ
タよりもＣＶＤ被膜の厚さ分だけ小さいものを用いる。
燃焼除去できる基体としては、炭素（その結晶形態のい
かんを問わない）などの他、合成樹脂や紙なども用いる
ことができる。また溶解除去できる基体としては、アル
ミニウムやニッケル、モリブデン、タングステン等の金
属や有機溶剤にて溶解する合成樹脂等が挙げられる。
かんを問わない）などの他、合成樹脂や紙なども用いる
ことができる。また溶解除去できる基体としては、アル
ミニウムやニッケル、モリブデン、タングステン等の金
属や有機溶剤にて溶解する合成樹脂等が挙げられる。
基体１に穿設される貫通孔３は、図示の如く均等に分布
させるのが好適である。また、貫通孔３の直径や設置個
数は任意であるが、通常の場合、直径５〜１０ｍｍ程度
の貫通孔を１００ｃｒｎ’当り３〜５個程度設けるのが
好適である。この貫通孔３は円孔、角孔のいずれでも良
い。
させるのが好適である。また、貫通孔３の直径や設置個
数は任意であるが、通常の場合、直径５〜１０ｍｍ程度
の貫通孔を１００ｃｒｎ’当り３〜５個程度設けるのが
好適である。この貫通孔３は円孔、角孔のいずれでも良
い。
このような基体１に、本発明においてはＣＶＤ処理を施
し、第３図に示す如く、その外表面及び貫通孔３内にＳ
ｉＣ被１１ｊｉ４を形成する。ＳｉＣ被膜４を形成する
には、常法に従って行なえば良く、例えば基体をＣＶＤ
処理装置内に装入し、適当なＣＶＤ反応温度に加熱して
、ＣＶＤ−３ｉＣ原料ガスを導入すれば良い。ＳｉＣの
ＣＶＤ反応に用いられる原料ガスは、各種のものが知ら
れており、本発明ではいずれのものも採用できる。例え
ば、よく知られているように、ＣＨ３５ｉＣλ３を熱分
解させることによりＳｉＣを蒸着させることができる。
し、第３図に示す如く、その外表面及び貫通孔３内にＳ
ｉＣ被１１ｊｉ４を形成する。ＳｉＣ被膜４を形成する
には、常法に従って行なえば良く、例えば基体をＣＶＤ
処理装置内に装入し、適当なＣＶＤ反応温度に加熱して
、ＣＶＤ−３ｉＣ原料ガスを導入すれば良い。ＳｉＣの
ＣＶＤ反応に用いられる原料ガスは、各種のものが知ら
れており、本発明ではいずれのものも採用できる。例え
ば、よく知られているように、ＣＨ３５ｉＣλ３を熱分
解させることによりＳｉＣを蒸着させることができる。
またＳ ｉ ＣｆＬ＋とＣＨ４等のハイドロカーボンを
反応させることによってもＳｉＣを得ることができる。
反応させることによってもＳｉＣを得ることができる。
ＳｉＣ被膜４の厚さは、特に限定はされず、得られるサ
セプタに要求される強度を満たす肉厚となるようにＣＶ
Ｄ処理条件を連窓する。通常の場合、ＳｉＣ被膜４の厚
さは３００〜１０００μｍ程度とするのが好ましい。Ｓ
ｉＣ被膜４の厚さは、例えばＣＶＤ処理時間を長短調整
することにより、容易に調整を行なうことが可能である
。
セプタに要求される強度を満たす肉厚となるようにＣＶ
Ｄ処理条件を連窓する。通常の場合、ＳｉＣ被膜４の厚
さは３００〜１０００μｍ程度とするのが好ましい。Ｓ
ｉＣ被膜４の厚さは、例えばＣＶＤ処理時間を長短調整
することにより、容易に調整を行なうことが可能である
。
ＣＶＤ処理を行うことにより、貫通孔３の内周面にもＳ
ｉＣが蒸着し、基体１の両板面のＳｉＣ被膜４が貫通孔
３の内周面のＳｉＣによって連結されるようになる。こ
の貫通孔３の内周面に形成されたＳｉＣは、後述するリ
ブ７となる。
ｉＣが蒸着し、基体１の両板面のＳｉＣ被膜４が貫通孔
３の内周面のＳｉＣによって連結されるようになる。こ
の貫通孔３の内周面に形成されたＳｉＣは、後述するリ
ブ７となる。
このよりなＳｉＣ被膜４の析出を行なった後、基体１の
除去を行なう。この基体の除去を行なうには、前述のよ
うに燃焼除去又は溶解除去を行なう。燃焼除去を行なう
には、一部ＳｉＣ蒸着膜を除去、基体を露出させ、酸化
雰囲気中において基体が燃焼する温度領域に保持すれば
よい。この際、燃焼処理温度をＣＶＤ処理温度と等しく
することにより、基体とＳｉＣ被膜との熱膨張差に起因
する熱応力の発生を低減することができる。また、ＣＶ
Ｄｆｉ理温度とは異なる温度で基体を燃焼させても良い
ことは明らかである。
除去を行なう。この基体の除去を行なうには、前述のよ
うに燃焼除去又は溶解除去を行なう。燃焼除去を行なう
には、一部ＳｉＣ蒸着膜を除去、基体を露出させ、酸化
雰囲気中において基体が燃焼する温度領域に保持すれば
よい。この際、燃焼処理温度をＣＶＤ処理温度と等しく
することにより、基体とＳｉＣ被膜との熱膨張差に起因
する熱応力の発生を低減することができる。また、ＣＶ
Ｄｆｉ理温度とは異なる温度で基体を燃焼させても良い
ことは明らかである。
基体を溶解除去させる場合、例λば基体がアルミニウム
やニッケル等の金属であるならば、適当な濃度の酸を用
いる。また、アルミニウムはアルカリでも溶解除去する
ことが可能である。更に、基体が合成樹脂である場合、
それを適度な速さで溶解し得る有機溶剤を用いても良い
。
やニッケル等の金属であるならば、適当な濃度の酸を用
いる。また、アルミニウムはアルカリでも溶解除去する
ことが可能である。更に、基体が合成樹脂である場合、
それを適度な速さで溶解し得る有機溶剤を用いても良い
。
なお、このようにして基体１の除去を行なうに先立って
、第４図の如く、ＳｉＣ被膜４の少なくとも一箇所に開
口５を設け、除去すべぎ基体１を外部に露出させ、基体
１の燃焼除去もしくは溶解除去に際してのガス又は液体
の通路部を形成するのが好ましい。開口５は、座ぐり面
以外の部分に設けるのが好ましい。開口５の形成方法に
は特に制限はなく、研磨や研削など適当な方法で孔明は
加工しても良く、また、開口を形成する部分にＳｉＣ被
膜を形成させないような対策を講じておけば、孔明は加
工は不要である。（例えば、基体の一部にレーザを照射
して当該部分をＣＶＤ析出温度以上に加熱しておくと、
局部的な開口５を有するＣＶＤ−３ｉＣ被膜を形成でき
る。）開口５の大きさや設置個数等についても特に制限
はない。
、第４図の如く、ＳｉＣ被膜４の少なくとも一箇所に開
口５を設け、除去すべぎ基体１を外部に露出させ、基体
１の燃焼除去もしくは溶解除去に際してのガス又は液体
の通路部を形成するのが好ましい。開口５は、座ぐり面
以外の部分に設けるのが好ましい。開口５の形成方法に
は特に制限はなく、研磨や研削など適当な方法で孔明は
加工しても良く、また、開口を形成する部分にＳｉＣ被
膜を形成させないような対策を講じておけば、孔明は加
工は不要である。（例えば、基体の一部にレーザを照射
して当該部分をＣＶＤ析出温度以上に加熱しておくと、
局部的な開口５を有するＣＶＤ−３ｉＣ被膜を形成でき
る。）開口５の大きさや設置個数等についても特に制限
はない。
このような基体１の除去により、第５図に示すように、
中空部６内に柱状のリブ７が形成された中空体ＳｉＣ製
サセプタ８が得られる。
中空部６内に柱状のリブ７が形成された中空体ＳｉＣ製
サセプタ８が得られる。
なお、このＳｉＣ製サセプタ８の開口５は、更にＣＶＤ
処理を施すことにより封じても良いが、サセプタの使用
に支障がない場合には、開口５をそのまま残しても良い
。
処理を施すことにより封じても良いが、サセプタの使用
に支障がない場合には、開口５をそのまま残しても良い
。
このような本発明の方法において、製造するサセプタの
形状、大きさ等には特に制限はなく、強度等に支障のな
い範囲であれば、小型のものから、大型のものまで任意
に製造することができる。また、リブの形成個数、形成
箇所についても制限はなく、サセプタの大とさ、形状等
に応じて適宜設定し得る。
形状、大きさ等には特に制限はなく、強度等に支障のな
い範囲であれば、小型のものから、大型のものまで任意
に製造することができる。また、リブの形成個数、形成
箇所についても制限はなく、サセプタの大とさ、形状等
に応じて適宜設定し得る。
第１〜５図では、サセプタの一方の面にのみ座ぐり面２
が形成されているが、双方の面に形成しても良い。
が形成されているが、双方の面に形成しても良い。
なお、第１図〜第５図においては、柱状のリブ７が形成
される場合について示したが、基体に形成した貫通孔が
比較的大きい場合には、第６図に示す如く、貫通孔９ａ
を有する筒状のリブ９が形成される場合もある。
される場合について示したが、基体に形成した貫通孔が
比較的大きい場合には、第６図に示す如く、貫通孔９ａ
を有する筒状のリブ９が形成される場合もある。
［作用コ
本発明で製造されるＳｉＣ製サセプタは、ＣＶＤ−３ｉ
Ｃのみで構成されるため、使用過程において、ピンホー
ルやマイクロクラック等の欠陥が生じた場合においても
黒鉛中の不純物によるウェハの汚染がない。
Ｃのみで構成されるため、使用過程において、ピンホー
ルやマイクロクラック等の欠陥が生じた場合においても
黒鉛中の不純物によるウェハの汚染がない。
また、ＣＶＤ−５ｉＣ被膜で形成される中空体であるた
め、反りや歪等がなく、寸法精度に優れる。因みに、Ｃ
ＶＤ−３ｉＣ製の中実板状体にあっては、反りや歪等が
生じ易く、十分な形状精度が得られない。これに対し、
本発明で得られる中空形状のＳｉＣ製サセプタであれば
、著しく優れた形状精度が得られる。
め、反りや歪等がなく、寸法精度に優れる。因みに、Ｃ
ＶＤ−３ｉＣ製の中実板状体にあっては、反りや歪等が
生じ易く、十分な形状精度が得られない。これに対し、
本発明で得られる中空形状のＳｉＣ製サセプタであれば
、著しく優れた形状精度が得られる。
本発明方法で製造されたサセプタは、中空部にリブを備
えるため、剛性や強度も高い。
えるため、剛性や強度も高い。
［実施例］
以下、具体的な実施例について説明する。
実施例１
第１図〜第５図に示す本発明の方法により、ＳｉＣ製サ
セプタを製造した。
セプタを製造した。
１３０ｍｍｘ４００ｍｍｘ７ｍｍ厚さで、直径１００ｍ
ｍ、深さ１．０ｍｍの座ぐり面及び直径８ｍｍの貫通孔
を９個有する黒鉛製基体の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ
被膜を形成した。
ｍ、深さ１．０ｍｍの座ぐり面及び直径８ｍｍの貫通孔
を９個有する黒鉛製基体の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ
被膜を形成した。
即ち、この基体をＣＶＤ処理装置内に装入し、１５００
℃に加熱した状態でＣＶＤ原料ガスとしてＳ ｉ Ｃ１
ｌ＜を０．６１／ｍｉ ｎ、Ｃ２Ｈａを０．１ｆＬ／ｍ
ｉｎの割合で基体の表面に沿って流通させ、基体表面及
び貫通孔内に厚さ０．３ｍｍのＳｉＣ被膜を形成した。
℃に加熱した状態でＣＶＤ原料ガスとしてＳ ｉ Ｃ１
ｌ＜を０．６１／ｍｉ ｎ、Ｃ２Ｈａを０．１ｆＬ／ｍ
ｉｎの割合で基体の表面に沿って流通させ、基体表面及
び貫通孔内に厚さ０．３ｍｍのＳｉＣ被膜を形成した。
次いで、処理装置から取り出し、裏面に直径２０ｍｍの
開口を明けた後、１０００℃の大気雰囲気で基体の燃焼
除去を行なった。基体の燃焼除去処理により発生したＣ
０１Ｃ０２ガスは裏面の孔より排出される。
開口を明けた後、１０００℃の大気雰囲気で基体の燃焼
除去を行なった。基体の燃焼除去処理により発生したＣ
０１Ｃ０２ガスは裏面の孔より排出される。
得られたＳｉＣ製サセプタは１３０ｍｍＸ４００ ｍｍ
ｘ ７ ｍｍ厚さで、直径１００ｍｍ、深さ１．０ｍｍ
の座ぐり面が形成されたＣＶＤ−３ｉＣ製中空体よりな
るものであり、剛性が高く、寸法精度にも優れるもので
あった。
ｘ ７ ｍｍ厚さで、直径１００ｍｍ、深さ１．０ｍｍ
の座ぐり面が形成されたＣＶＤ−３ｉＣ製中空体よりな
るものであり、剛性が高く、寸法精度にも優れるもので
あった。
［発明の効果コ
以上詳述した通り、本発明のＳｉＣ製サセブタの製造方
法によれば、ウェハを不純物で汚染するおそれがなく、
かつ剛性、強度、寸法精度等に優れ、軽量で取り扱い性
に優れたＳｉＣ製サセプタを低コストにかつ容易に製造
することができる。
法によれば、ウェハを不純物で汚染するおそれがなく、
かつ剛性、強度、寸法精度等に優れ、軽量で取り扱い性
に優れたＳｉＣ製サセプタを低コストにかつ容易に製造
することができる。
第１図〜第５図は本発明のＳｉＣ製サセプタの製造方法
の一実施例方法を説明する図であって、第１図は基体の
斜視図、第２図は第１図ＩＩ −ＩＩ線に沿う断面図で
ある。第３図及び第４図は製造途中の断面図、第５図は
製造されたサセプタの断面図である。第６図は本発明の
他の実施例方法で製造されるＳｉＣ製サセプタの部分断
面図である。 １・・・基体、 ２・・・座ぐり面、３・・・貫
通孔、 ４・・・ＳｉＣ被膜、７・・・リブ。 代 理 人 弁理士 重 野 剛節
１図 第２図
の一実施例方法を説明する図であって、第１図は基体の
斜視図、第２図は第１図ＩＩ −ＩＩ線に沿う断面図で
ある。第３図及び第４図は製造途中の断面図、第５図は
製造されたサセプタの断面図である。第６図は本発明の
他の実施例方法で製造されるＳｉＣ製サセプタの部分断
面図である。 １・・・基体、 ２・・・座ぐり面、３・・・貫
通孔、 ４・・・ＳｉＣ被膜、７・・・リブ。 代 理 人 弁理士 重 野 剛節
１図 第２図
Claims (1)
- （１）燃焼除去又は溶解除去可能な材質からなり、ウェ
ハ保持用の座ぐり面が形成された板状であって、かつ板
面に１又は２以上の貫通孔を有する基体の表面に、ＣＶ
Ｄ処理によりＳｉＣ被膜を形成し、 次いで前記板状基体を燃焼又は溶解させて除去すること
により、 基体の両板面に形成されたＳｉＣ被膜同志を前記貫通孔
の内周面に形成されたＳｉＣで連結してなる中空ＳｉＣ
製サセプタを製造することを特徴とするＳｉＣ製サセプ
タの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118884A JP2625880B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | ＳｉＣ製サセプタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118884A JP2625880B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | ＳｉＣ製サセプタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290520A true JPH01290520A (ja) | 1989-11-22 |
| JP2625880B2 JP2625880B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=14747523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63118884A Expired - Lifetime JP2625880B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | ＳｉＣ製サセプタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625880B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03246931A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
| JP2020149988A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法、及び、炭化ケイ素多結晶基板の製造装置 |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP63118884A patent/JP2625880B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03246931A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
| JP2020149988A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法、及び、炭化ケイ素多結晶基板の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2625880B2 (ja) | 1997-07-02 |
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