JPH06163439A - 半導体拡散炉用ボート及びその製造方法 - Google Patents
半導体拡散炉用ボート及びその製造方法Info
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- JPH06163439A JPH06163439A JP32998892A JP32998892A JPH06163439A JP H06163439 A JPH06163439 A JP H06163439A JP 32998892 A JP32998892 A JP 32998892A JP 32998892 A JP32998892 A JP 32998892A JP H06163439 A JPH06163439 A JP H06163439A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 化学蒸着法で炭化珪素被膜を表面に形成した
炭化珪素質基材からなり、半導体ウエハーの周縁部が挿
入されて、半導体ウェハーを搭載する多数の溝部を有す
る半導体拡散炉用ボートにおいて、上記溝部の底面にお
ける炭化珪素被膜の厚さが、これら溝部間に形成された
凸状部頂面における炭化珪素被膜の厚さの５０％以上で
あることを特徴とする半導体拡散炉用ボート、好ましく
は上記溝部の底面における炭化珪素被膜の厚さが５０〜
１５０μｍである半導体拡散炉用ボート。 【効果】 本発明によれば、半導体ウエハーの熱処理の
際に炭化珪素質基材に含まれる金属不純物が溝部底面か
ら半導体ウエハーに拡散するのを防ぐことができるので
半導体ウエハーを汚染する危険性が極めて少ない半導体
拡散炉用ボートを得ることができる。また、本発明の製
造方法によれば、かかる半導体拡散炉用ボートを簡単か
つ確実に製造することができる。
炭化珪素質基材からなり、半導体ウエハーの周縁部が挿
入されて、半導体ウェハーを搭載する多数の溝部を有す
る半導体拡散炉用ボートにおいて、上記溝部の底面にお
ける炭化珪素被膜の厚さが、これら溝部間に形成された
凸状部頂面における炭化珪素被膜の厚さの５０％以上で
あることを特徴とする半導体拡散炉用ボート、好ましく
は上記溝部の底面における炭化珪素被膜の厚さが５０〜
１５０μｍである半導体拡散炉用ボート。 【効果】 本発明によれば、半導体ウエハーの熱処理の
際に炭化珪素質基材に含まれる金属不純物が溝部底面か
ら半導体ウエハーに拡散するのを防ぐことができるので
半導体ウエハーを汚染する危険性が極めて少ない半導体
拡散炉用ボートを得ることができる。また、本発明の製
造方法によれば、かかる半導体拡散炉用ボートを簡単か
つ確実に製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体熱処理装置内で
用いられる半導体拡散炉用ボートに関し、更に詳述する
と化学蒸着法（ＣＶＤ法）で炭化珪素質ボートの表面に
炭化珪素被膜を形成した半導体拡散炉用ボートに関す
る。
用いられる半導体拡散炉用ボートに関し、更に詳述する
と化学蒸着法（ＣＶＤ法）で炭化珪素質ボートの表面に
炭化珪素被膜を形成した半導体拡散炉用ボートに関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
半導体熱処理装置の反応管及び半導体ウエハーを搭載す
るボートを形成する材料としては、純度的に優れている
点から石英ガラスが使用されてきたが、１２００℃を越
える高温のプロセスにおける石英ガラスの強度は十分で
はないため、ボートの変形や失透が生じるという問題が
ある。
半導体熱処理装置の反応管及び半導体ウエハーを搭載す
るボートを形成する材料としては、純度的に優れている
点から石英ガラスが使用されてきたが、１２００℃を越
える高温のプロセスにおける石英ガラスの強度は十分で
はないため、ボートの変形や失透が生じるという問題が
ある。
【０００３】そこで、最近では高温における強度に優
れ、かつ熱伝導性にも優れた炭化珪素質セラミックスや
シリコン含浸炭化珪素質セラミックスからなる反応管や
ボートが使用され始めている。しかし、これらの炭化珪
素質セラミックスは、金属不純物レベルが石英に比較し
て高いことが問題であり、このため上記炭化珪素質セラ
ミックスの表面にＣＶＤ法によって高純度の炭化珪素被
膜を形成することにより、炭化珪素質セラミックスから
金属不純物が拡散するのを防ぐ方法が一般的に採用され
ている。
れ、かつ熱伝導性にも優れた炭化珪素質セラミックスや
シリコン含浸炭化珪素質セラミックスからなる反応管や
ボートが使用され始めている。しかし、これらの炭化珪
素質セラミックスは、金属不純物レベルが石英に比較し
て高いことが問題であり、このため上記炭化珪素質セラ
ミックスの表面にＣＶＤ法によって高純度の炭化珪素被
膜を形成することにより、炭化珪素質セラミックスから
金属不純物が拡散するのを防ぐ方法が一般的に採用され
ている。
【０００４】しかしながら、半導体拡散炉用ボートに炭
化珪素被膜を形成する場合、該ボートは、例えば図１〜
３に示すように、２枚の側板１，１間に溝切り棒２が架
設され、該溝切り棒２に多数の溝部３が形成された形状
を有し、溝切り棒２の溝部３内にシリコンウエハーの周
縁部を挿入、保持することにより、シリコンウエハーを
搭載するものであるが、上記溝部３は通常幅が０．８〜
３．０ｍｍ、深さが３．０〜８．０ｍｍであり、狭くか
つ深いため、これらの溝部３内に十分に厚く炭化珪素被
膜を形成することが困難で、溝部３の底面における炭化
珪素被膜の厚さが、これら溝部３，３間に形成された凸
状部４の頂面における炭化珪素被膜の厚さと比較して著
しく薄くなる。このため、半導体ウエハーを上記ボート
に搭載して熱処理する際、溝部３の炭化珪素被膜の膜厚
の薄い底部を通して炭化珪素質基材に含まれる金属不純
物が半導体ウエハーに拡散してしまい、半導体ウエハー
の特性を著しく損ねる原因となっている。
化珪素被膜を形成する場合、該ボートは、例えば図１〜
３に示すように、２枚の側板１，１間に溝切り棒２が架
設され、該溝切り棒２に多数の溝部３が形成された形状
を有し、溝切り棒２の溝部３内にシリコンウエハーの周
縁部を挿入、保持することにより、シリコンウエハーを
搭載するものであるが、上記溝部３は通常幅が０．８〜
３．０ｍｍ、深さが３．０〜８．０ｍｍであり、狭くか
つ深いため、これらの溝部３内に十分に厚く炭化珪素被
膜を形成することが困難で、溝部３の底面における炭化
珪素被膜の厚さが、これら溝部３，３間に形成された凸
状部４の頂面における炭化珪素被膜の厚さと比較して著
しく薄くなる。このため、半導体ウエハーを上記ボート
に搭載して熱処理する際、溝部３の炭化珪素被膜の膜厚
の薄い底部を通して炭化珪素質基材に含まれる金属不純
物が半導体ウエハーに拡散してしまい、半導体ウエハー
の特性を著しく損ねる原因となっている。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
半導体ウエハーの熱処理の際に炭化珪素質基材に含まれ
る金属不純物が半導体ウエハーに拡散するのを防ぐこと
ができるので半導体ウエハーを汚染する危険性が極めて
少ない半導体拡散炉用ボート及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
半導体ウエハーの熱処理の際に炭化珪素質基材に含まれ
る金属不純物が半導体ウエハーに拡散するのを防ぐこと
ができるので半導体ウエハーを汚染する危険性が極めて
少ない半導体拡散炉用ボート及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を行った結果、化学蒸着法
で炭化珪素被膜を表面に形成した炭化珪素質基材からな
り、半導体ウエハーを搭載する溝部を有する半導体拡散
炉用ボートにおいて、上記溝部の底面における炭化珪素
被膜の厚さが凸状部頂面における炭化珪素被膜の厚さの
５０％以上、更に好ましくは上記溝部の底面における炭
化珪素被膜の厚さが５０〜１５０μｍである場合、半導
体ウエハーの熱処理の際に炭化珪素質基材に含まれる金
属不純物が上記溝部の底部から半導体ウエハーに拡散す
るのを防ぐことができ、このため半導体ウエハーを汚染
する危険性が極めて少ないことを見い出した。また、Ｃ
ＶＤ法で炭化珪素被膜を形成する場合、温度１１５０℃
以下、圧力１０〜７６０Ｔｏｒｒでシリコン源及び炭素
源となる原料ガス、好ましくはメチルトリクロロシラン
と水素とを導入するという条件を採用することにより、
上記膜厚条件を満たす炭化珪素被膜を簡単かつ確実に得
ることができることを知見し、本発明をなすに至った。
目的を達成するため鋭意検討を行った結果、化学蒸着法
で炭化珪素被膜を表面に形成した炭化珪素質基材からな
り、半導体ウエハーを搭載する溝部を有する半導体拡散
炉用ボートにおいて、上記溝部の底面における炭化珪素
被膜の厚さが凸状部頂面における炭化珪素被膜の厚さの
５０％以上、更に好ましくは上記溝部の底面における炭
化珪素被膜の厚さが５０〜１５０μｍである場合、半導
体ウエハーの熱処理の際に炭化珪素質基材に含まれる金
属不純物が上記溝部の底部から半導体ウエハーに拡散す
るのを防ぐことができ、このため半導体ウエハーを汚染
する危険性が極めて少ないことを見い出した。また、Ｃ
ＶＤ法で炭化珪素被膜を形成する場合、温度１１５０℃
以下、圧力１０〜７６０Ｔｏｒｒでシリコン源及び炭素
源となる原料ガス、好ましくはメチルトリクロロシラン
と水素とを導入するという条件を採用することにより、
上記膜厚条件を満たす炭化珪素被膜を簡単かつ確実に得
ることができることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００７】従って、本発明は、（１）化学蒸着法で炭
化珪素被膜を表面に形成した炭化珪素質基材からなり、
半導体ウエハーの周縁部が挿入されて、半導体ウエハー
を搭載する多数の溝部を有する半導体拡散炉用ボートに
おいて、上記溝部の底面における炭化珪素被膜の厚さ
が、これら溝部間に形成された凸状部頂面における炭化
珪素被膜の厚さの５０％以上であることを特徴とする半
導体拡散炉用ボート、及び、（２）化学蒸着法で炭化珪
素被膜を表面に形成した炭化珪素質基材からなり、半導
体ウエハーの周縁部が挿入されて、半導体ウエハーを搭
載する多数の溝部を有する半導体拡散炉用ボートを製造
する方法において、上記炭化珪素被膜を、シリコン源及
び炭素源となる原料ガスを反応温度１１５０℃以下、反
応圧力１０〜７６０Ｔｏｒｒで反応させることにより形
成して、上記溝部の底面における炭化珪素被膜の厚さを
これら溝部間に形成された凸状部頂面における炭化珪素
被膜の厚さの５０％以上としたことを特徴とする半導体
拡散炉用ボートの製造方法を提供する。
化珪素被膜を表面に形成した炭化珪素質基材からなり、
半導体ウエハーの周縁部が挿入されて、半導体ウエハー
を搭載する多数の溝部を有する半導体拡散炉用ボートに
おいて、上記溝部の底面における炭化珪素被膜の厚さ
が、これら溝部間に形成された凸状部頂面における炭化
珪素被膜の厚さの５０％以上であることを特徴とする半
導体拡散炉用ボート、及び、（２）化学蒸着法で炭化珪
素被膜を表面に形成した炭化珪素質基材からなり、半導
体ウエハーの周縁部が挿入されて、半導体ウエハーを搭
載する多数の溝部を有する半導体拡散炉用ボートを製造
する方法において、上記炭化珪素被膜を、シリコン源及
び炭素源となる原料ガスを反応温度１１５０℃以下、反
応圧力１０〜７６０Ｔｏｒｒで反応させることにより形
成して、上記溝部の底面における炭化珪素被膜の厚さを
これら溝部間に形成された凸状部頂面における炭化珪素
被膜の厚さの５０％以上としたことを特徴とする半導体
拡散炉用ボートの製造方法を提供する。
【０００８】以下、本発明を更に詳しく説明すると、本
発明の半導体拡散炉用ボートは、化学蒸着法で炭化珪素
被膜を表面に形成した炭化珪素質基材からなり、図１，
２に示すような半導体ウエハーを搭載する溝部３を有す
る半導体拡散炉用ボートにおいて、図３に示す溝部３の
底面における炭化珪素被膜の厚さが凸状部４の頂面にお
ける炭化珪素被膜の厚さの５０％以上、より好ましくは
７０％以上としたものである。
発明の半導体拡散炉用ボートは、化学蒸着法で炭化珪素
被膜を表面に形成した炭化珪素質基材からなり、図１，
２に示すような半導体ウエハーを搭載する溝部３を有す
る半導体拡散炉用ボートにおいて、図３に示す溝部３の
底面における炭化珪素被膜の厚さが凸状部４の頂面にお
ける炭化珪素被膜の厚さの５０％以上、より好ましくは
７０％以上としたものである。
【０００９】上記溝部の底面の炭化珪素被膜の厚さは５
０〜１５０μｍ、特に８０〜１２０μｍとすることが好
ましい。この被膜の厚さが５０μｍ未満では炭化珪素質
基材に含まれる金属不純物が半導体ウエハーに拡散する
のを十分に防ぐことができない場合があり、また、１５
０μｍを越えると、半導体ウエハーの熱処理中にＣＶＤ
膜の剥離、クラックが生じる場合がある。
０〜１５０μｍ、特に８０〜１２０μｍとすることが好
ましい。この被膜の厚さが５０μｍ未満では炭化珪素質
基材に含まれる金属不純物が半導体ウエハーに拡散する
のを十分に防ぐことができない場合があり、また、１５
０μｍを越えると、半導体ウエハーの熱処理中にＣＶＤ
膜の剥離、クラックが生じる場合がある。
【００１０】なお、上記凸状部の頂面などにおける炭化
珪素被膜の厚さは、通常７０〜３００μｍ、特に１００
〜２００μｍである。
珪素被膜の厚さは、通常７０〜３００μｍ、特に１００
〜２００μｍである。
【００１１】ここで、本発明でいう炭化珪素質とは、炭
化珪素粉末を焼結した一般炭化珪素質、炭化珪素質粉末
の成形体を高温で再結晶させて焼結した後、溶融珪素を
含浸して作られる再結晶炭化珪素質、炭化珪素粉末と炭
素からなる成形体に溶融珪素を含浸させながら焼結する
反応焼結炭化珪素質などを含む。
化珪素粉末を焼結した一般炭化珪素質、炭化珪素質粉末
の成形体を高温で再結晶させて焼結した後、溶融珪素を
含浸して作られる再結晶炭化珪素質、炭化珪素粉末と炭
素からなる成形体に溶融珪素を含浸させながら焼結する
反応焼結炭化珪素質などを含む。
【００１２】本発明の半導体拡散炉用ボートの製造方法
は、上記炭化珪素質からなるボートにＣＶＤ法で炭化珪
素被膜を形成するものであるが、この場合、ＣＶＤ法に
よる炭化珪素被膜の形成をシリコン源及び炭素源となる
原料ガスを反応温度１１５０℃以下、反応圧力１０〜７
６０Ｔｏｒｒの条件で反応させるものであり、これによ
り上記溝部内にも良好に炭化珪素被膜が形成され、溝部
底面のＣＶＤ−炭化珪素被膜の膜厚が凸状部頂面のＣＶ
Ｄ−炭化珪素被膜の厚さの５０％以上に形成できるもの
である。
は、上記炭化珪素質からなるボートにＣＶＤ法で炭化珪
素被膜を形成するものであるが、この場合、ＣＶＤ法に
よる炭化珪素被膜の形成をシリコン源及び炭素源となる
原料ガスを反応温度１１５０℃以下、反応圧力１０〜７
６０Ｔｏｒｒの条件で反応させるものであり、これによ
り上記溝部内にも良好に炭化珪素被膜が形成され、溝部
底面のＣＶＤ−炭化珪素被膜の膜厚が凸状部頂面のＣＶ
Ｄ−炭化珪素被膜の厚さの５０％以上に形成できるもの
である。
【００１３】上記温度が１１５０℃を越えたり、圧力が
１０Ｔｏｒｒ未満であると半導体拡散炉用ボートの溝部
の底面の膜厚が溝部の凸状部の頂面の膜厚の５０％未満
となり、本発明の半導体拡散炉用ボートを得ることがで
きない。また、炭化珪素被膜を形成するための原料ガス
としては、メチルトリクロロシランと水素を使用するこ
とが好ましい。この場合、メチルトリクロロシランと水
素のモル比は１：１０〜１：１００とすることが好まし
い。
１０Ｔｏｒｒ未満であると半導体拡散炉用ボートの溝部
の底面の膜厚が溝部の凸状部の頂面の膜厚の５０％未満
となり、本発明の半導体拡散炉用ボートを得ることがで
きない。また、炭化珪素被膜を形成するための原料ガス
としては、メチルトリクロロシランと水素を使用するこ
とが好ましい。この場合、メチルトリクロロシランと水
素のモル比は１：１０〜１：１００とすることが好まし
い。
【００１４】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００１５】［実施例１，２］図１〜３に示す形状の珪
素含浸炭化珪素質基材からなる半導体拡散炉用ボートを
ＣＶＤ反応装置内にセットし、装置内を窒素ガスで置換
した後、装置内を１Ｔｏｒｒ以下に減圧した。次いで、
装置内を１１５０℃まで加熱した後、メチルトリクロロ
シラン（ＣＨ3ＳｉＣｌ3）と水素との混合物をモル比
１：３０で導入し、反応圧力を１００ＴｏｒｒとしてＣ
ＶＤ反応を行った。このＣＶＤ反応によってボート表面
に形成された炭化珪素被膜の厚さは１５０μｍであり、
そのときの溝部の底面の炭化珪素被膜の厚さは１００μ
ｍであった（実施例１）。
素含浸炭化珪素質基材からなる半導体拡散炉用ボートを
ＣＶＤ反応装置内にセットし、装置内を窒素ガスで置換
した後、装置内を１Ｔｏｒｒ以下に減圧した。次いで、
装置内を１１５０℃まで加熱した後、メチルトリクロロ
シラン（ＣＨ3ＳｉＣｌ3）と水素との混合物をモル比
１：３０で導入し、反応圧力を１００ＴｏｒｒとしてＣ
ＶＤ反応を行った。このＣＶＤ反応によってボート表面
に形成された炭化珪素被膜の厚さは１５０μｍであり、
そのときの溝部の底面の炭化珪素被膜の厚さは１００μ
ｍであった（実施例１）。
【００１６】また、ＣＶＤ反応の圧力のみを２００Ｔｏ
ｒｒとし、上記と同様のＣＶＤ反応を行ったところ、ボ
ート表面の炭化珪素被膜の厚さは２００μｍ、溝部底面
の炭化珪素被膜の厚さは１５０μｍであった（実施例
２）。
ｒｒとし、上記と同様のＣＶＤ反応を行ったところ、ボ
ート表面の炭化珪素被膜の厚さは２００μｍ、溝部底面
の炭化珪素被膜の厚さは１５０μｍであった（実施例
２）。
【００１７】［比較例１〜４］実施例１と同様の半導体
拡散炉ボートをＣＶＤ反応装置内にセットし、装置内を
窒素ガスで置換した後、装置内を１Ｔｏｒｒ以下に減圧
した。次いで、装置内を１２００℃まで加熱した後、四
塩化珪素とメタンと水素との混合ガスを１：１：３０の
モル比で導入し、反応圧力を１ＴｏｒｒとしてＣＶＤ反
応を行った。反応後のボート表面の炭化珪素膜厚は１２
０μｍであり、そのときの溝部底面の炭化珪素被膜の膜
厚は４５μｍであった。（比較例１） 反応温度のみを１２５０℃、１３００℃、１３５０℃と
した以外は上記と同様にしてＣＶＤ反応を行った。反応
後のボート表面の炭化珪素被膜の厚さはいずれも１２０
μｍであり、溝部底面の炭化珪素被膜の厚さはそれぞれ
３５、２５、１０μｍであった（比較例３，４，５）。
拡散炉ボートをＣＶＤ反応装置内にセットし、装置内を
窒素ガスで置換した後、装置内を１Ｔｏｒｒ以下に減圧
した。次いで、装置内を１２００℃まで加熱した後、四
塩化珪素とメタンと水素との混合ガスを１：１：３０の
モル比で導入し、反応圧力を１ＴｏｒｒとしてＣＶＤ反
応を行った。反応後のボート表面の炭化珪素膜厚は１２
０μｍであり、そのときの溝部底面の炭化珪素被膜の膜
厚は４５μｍであった。（比較例１） 反応温度のみを１２５０℃、１３００℃、１３５０℃と
した以外は上記と同様にしてＣＶＤ反応を行った。反応
後のボート表面の炭化珪素被膜の厚さはいずれも１２０
μｍであり、溝部底面の炭化珪素被膜の厚さはそれぞれ
３５、２５、１０μｍであった（比較例３，４，５）。
【００１８】実施例及び比較例で作製した半導体拡散炉
用ボートを用いてＳｉウエハーの酸化熱処理を行い、ウ
エハーのライフタイムを測定した。図４に溝部底面の炭
化珪素被膜／凸状部頂面の炭化珪素被膜比とライフタイ
ムとの関係を示す。
用ボートを用いてＳｉウエハーの酸化熱処理を行い、ウ
エハーのライフタイムを測定した。図４に溝部底面の炭
化珪素被膜／凸状部頂面の炭化珪素被膜比とライフタイ
ムとの関係を示す。
【００１９】図４から、溝部の底面の被膜の厚さが溝部
の凸状部頂面の被膜の厚さの５０％以上のときはウエハ
ーのライフタイムが５０μｓ程度と長いことがわかる。
の凸状部頂面の被膜の厚さの５０％以上のときはウエハ
ーのライフタイムが５０μｓ程度と長いことがわかる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハーの熱処
理の際に炭化珪素質基材に含まれる金属不純物が溝部底
面から半導体ウエハーに拡散するのを防ぐことができる
ので半導体ウエハーを汚染する危険性が極めて少ない半
導体拡散炉用ボートを得ることができる。
理の際に炭化珪素質基材に含まれる金属不純物が溝部底
面から半導体ウエハーに拡散するのを防ぐことができる
ので半導体ウエハーを汚染する危険性が極めて少ない半
導体拡散炉用ボートを得ることができる。
【００２１】また、本発明の製造方法によれば、かかる
半導体拡散炉用ボートを簡単かつ確実に製造することが
できる。
半導体拡散炉用ボートを簡単かつ確実に製造することが
できる。
【図１】本発明に係る半導体拡散炉用ボートの一例を示
す正面図である。
す正面図である。
【図２】同例の側面図である。
【図３】同例の溝切り棒の部分拡大断面図である。
【図４】本発明の実施例と比較例における被膜の厚さの
比とライフタイムとの関係を示すグラフである。
比とライフタイムとの関係を示すグラフである。
１ 側板 ２ 溝切り棒 ３ 溝部 ４ 凸状部
Claims (4)
- 【請求項１】 化学蒸着法で炭化珪素被膜を表面に形成
した炭化珪素質基材からなり、半導体ウエハーの周縁部
が挿入されて、半導体ウエハーを搭載する多数の溝部を
有する半導体拡散炉用ボートにおいて、上記溝部の底面
における炭化珪素被膜の厚さが、これら溝部間に形成さ
れた凸状部頂面における炭化珪素被膜の厚さの５０％以
上であることを特徴とする半導体拡散炉用ボート。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体拡散炉用ボートに
おいて、上記溝部の底面における炭化珪素被膜の厚さが
５０〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１記載
の半導体拡散炉用ボート。 - 【請求項３】化学蒸着法で炭化珪素被膜を表面に形成し
た炭化珪素質基材からなり、半導体ウエハーの周縁部が
挿入されて、半導体ウエハーを搭載する多数の溝部を有
する半導体拡散炉用ボートを製造する方法において、上
記炭化珪素被膜を、シリコン源及び炭素源となる原料ガ
スを反応温度１１５０℃以下、反応圧力１０〜７６０Ｔ
ｏｒｒで反応させることにより形成して、上記溝部の底
面における炭化珪素被膜の厚さをこれら溝部間に形成さ
れた凸状部頂面における炭化珪素被膜の厚さの５０％以
上としたことを特徴とする半導体拡散炉用ボートの製造
方法。 - 【請求項４】 上記原料ガスとしてメチルトリクロロシ
ランと水素とを用いることを特徴とする請求項３記載の
半導体拡散炉用ボートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32998892A JPH06163439A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 半導体拡散炉用ボート及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32998892A JPH06163439A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 半導体拡散炉用ボート及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163439A true JPH06163439A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18227518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32998892A Pending JPH06163439A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 半導体拡散炉用ボート及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163439A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807961A1 (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Vertical wafer boat |
| WO2003034477A1 (en) * | 2001-10-18 | 2003-04-24 | Chul Soo Byun | Method and apparatus for chemical vapor ddeposition capable of preventing contamination and enhancing film growth rate |
| JPWO2007139015A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2009-10-08 | コニカミノルタオプト株式会社 | 成膜方法、金型及び金型の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-16 JP JP32998892A patent/JPH06163439A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807961A1 (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Vertical wafer boat |
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| US7156921B2 (en) | 2001-10-18 | 2007-01-02 | Chulsoo Byun | Method and apparatus for chemical vapor deposition capable of preventing contamination and enhancing film growth rate |
| US7485339B2 (en) | 2001-10-18 | 2009-02-03 | Chulsoo Byun | Method for chemical vapor deposition capable of preventing contamination and enhancing film growth rate |
| JPWO2007139015A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2009-10-08 | コニカミノルタオプト株式会社 | 成膜方法、金型及び金型の製造方法 |
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