JPS63166789A - シリコン単結晶引上装置用黒鉛製ルツボとその製造方法 - Google Patents

シリコン単結晶引上装置用黒鉛製ルツボとその製造方法

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JPS63166789A
JPS63166789A JP61313817A JP31381786A JPS63166789A JP S63166789 A JPS63166789 A JP S63166789A JP 61313817 A JP61313817 A JP 61313817A JP 31381786 A JP31381786 A JP 31381786A JP S63166789 A JPS63166789 A JP S63166789A
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graphite
crucible
polycarbosilane
graphite crucible
pores
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JP61313817A
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Shigeo Yasuda
茂雄 安田
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Ibiden Co Ltd
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、いわゆるチョコラルスキー法(以下CZ法と
もいう)と称されているシリコン単結晶の製造方法で使
用されるシリコン単結晶引上装置において用いられる黒
鉛製のルツボ(以下、シリコン単結晶引上装置用黒鉛製
ルツボと略称する)とその製造方法に関する。
(従来の方法とその問題点) シリコン単結晶引上装置用黒鉛製ルツボは、一般にシリ
コン多結晶を単結晶に精製するために使用されるもので
あり、シリコン多結晶を溶融するために使用される石英
製ルツボと、この石英製ルツボな内装するために使用さ
れる黒鉛製ルツボとから成っている。
ところで、シリコン単結晶を引上げている際の黒鉛製ル
ツボは、約1500℃の高温に加熱されておリ、またシ
リコン多結晶の溶融時には更に高温の1600〜170
0℃まで加熱されることになる。それゆえ、ホットゾー
ンと称されている高温加熱部においては、下記の(1)
及び(2)の反応式で示す化学反応が起っていることが
考えられる。
C(黒鉛)  +5iO(石英)→5iO(G) + 
C0(G) −(1)2C(黒鉛) + 5in(G)
→ stc+ Go(G) ・・・−”” (2)これ
らの反応式における化学反応開始温度は、(1)の反応
式の場合は約1250℃であり、(2)の反応式におけ
る化学反応開始温度は約1460℃である。
このように、黒鉛製ルツボと石英製ルツボとが面接触し
た状態で1300℃〜1700℃の高温で加熱された結
果、(1)の反応式によって黒鉛製ルツボと石英製ルツ
ボとの材質である黒鉛(C)と石英(Sin)とが反応
して、−酸化珪素(SiOガス)と−酸化炭素(COガ
ス)とが生成する。このようにして生成した一酸化珪素
ガスは、(2)の反応式で示すように、黒鉛(C)と反
応して、黒鉛製ルツボの表層部は炭化珪素(SiC)に
転化される。
このような−反応が繰り返し繰り返し反覆されていくと
、黒鉛製ルツボの表層部のみならず内層部まで炭化珪素
に転化されることになり、遂には黒鉛と炭化珪素との熱
膨張係数に差異があることに基因して、黒鉛製ルツボ本
体に内部ひずみが起こり、極端な場合は反りや亀裂が発
生してルツボの使用耐久寿命を短かくするという現象が
正起している。そのため、黒鉛製ルツボの使用耐久寿命
は、使用される黒鉛素材の特性等によっても異なるが、
通常5〜15日間の反覆使用に耐え得る程度のものであ
る。
ところで、黒鉛(C)と−酸化珪素(SiOガス)との
反応は、1500〜1600℃の領域で生起するもので
あるから、黒鉛製ルツボを構成している1つ1    
 一つの黒鉛粒子を完全に炭化珪素に転化することが困
難であり、実際には黒鉛粒子間に存在する気孔の内部表
面、並びに黒鉛粒子相互を継いでいる境界部分が選択的
に炭化珪素に転化されているものと考えられる。
これらの炭化珪素への転化反応の過程を更に詳しく説明
すると、前記(2)の反応式において一酸化珪素と反応
した2原子の炭素原子の一つは、−酸化炭素ガスとして
逸散することになり、その代りに炭素原子により原子半
径の大きい珪素原子が割り込む反応が繰り返されること
によって、黒鉛製ルツボ自体の使用回数が増加するに伴
いルツボの材質である黒鉛の物理的な不均一さが部分的
に生起してミクロクラックと称する微細な亀裂が発生す
るものと考えられる。その結果、黒鉛製ルツボには反り
又は亀裂が発生することになる。
一方、黒鉛製ルツボの表層部又は全体で炭化珪素に転移
した粒子がアルゴンガスやSiOガスの気流により、黒
鉛製ルツボの内曲面底部が極端に消耗するためルツボの
使用耐久寿命を短くしている。
そこで、これらの問題点を除去・改善するために、黒鉛
製ルツボの表層部を炭化珪素で被覆或いは転化する方法
が、例えば特開昭58−172292号公報に開示され
ている如く提案されている。
しかしながら、炭化珪素で被膜する方法は、黒鉛基材と
その被膜である炭化珪素との熱膨張係数の差異があるた
め、シリコン単結晶を引上げる際に、常温から1600
℃の繰り返しの条件下では炭化珪素被膜が剥離したり、
一方決化珪素に転化する方法にあっては、黒鉛表面、特
にその表面に開口している気孔の内面が完全に炭化珪素
によって被覆されていないため、石英製ルツボ表面のS
iOと黒鉛製ルツボ表面の炭素との反応、並びに−酸化
珪素ガスの黒鉛素材の気孔内への侵入により、従来の黒
鉛製ルツボの欠点を完全に解消できないばかりか、炭化
珪素の被覆或いは転化に要する費用は極めて高価となり
、シリコン単結晶引上装置用黒鉛製ルツボとしては未だ
品質面又は価格面で十分なものはない現状である。
〔問題点を解決するための手段及びその作用〕本発明は
、上記従来技術の欠点並びに未解決の問題を除去・改善
するため有機珪素高分子化合物であるポリカルボシラン
を黒鉛製ルツボの気孔の内部に含浸充填し、黒鉛の表層
部に含浸塗布した後、一定の条件下で焼成し、ポリカル
ボシランを熱分解することにより、前記黒鉛製ルツボの
表層部は勿論のこと、当該ルツボが有する気孔の内部表
面をも炭化珪素の被膜で被覆し、必要により高純度化処
理により精製して成る黒鉛製ルツボな提供するものであ
る。
本発明のシリコン単結晶引上装置用黒鉛製ルツボは、前
述の通りルツボの使用耐久寿命を決定する要因である前
記(1)及び(2)の反応式の化学反応が生起すること
を防止するため、石英製ルツボと面接触する黒鉛製ルツ
ボの内表面及び−酸化珪素ガスが侵入する気孔の内部表
面に予めポリカルボシランの熱分解生成物である炭化珪
素被膜を形成しておくことにより、前記(1)及び(2
)の反応式で示される化学反応の生起を防止することが
でき、ひいてはルツボの使用耐久寿命を向上させ得るこ
とを新規に知見して本発明は完成されるに至ったもので
ある。
なお、石英と一酸化珪素と炭化珪素との反応式は、下記
の(3)及び(4)で示される。
SiC+SiO→3SiO+ GO−(3)SiC+ 
SiO→2Si  + CO・−・(4)これらの反応
式における反応開始温度は、(3)の反応式においては
約1700℃、(4)の反応式では約1880℃である
ためシリコン単結晶引上装置内の使用条件下においても
、前記(1)及び(2)の反応式に比して反応生起率は
著しく低くなる。
それゆえ、本発明の黒鉛製ルツボの気孔内表面及び表層
部に形成された有機珪素高分子化合物であるポリカルボ
シランの熱分解により生じた炭化珪素被膜は、前記(3
)及び(4)の反応式を生起させることもないので、ル
ツボの使用耐久寿命を著しく長くする作用を有するもの
である。
次に、本発明の黒鉛製ルツボな製造するために使用され
る有機珪素高分子化合物であるポリカルボシランについ
て説明する。
この方法で使用されるポリカルボシランは、一般に下記
の分子式で示される。すなわち、で示される高分子化合
物であり、加熱反応過程において、 ■ポリカルボシランをアセトン、ヘキサン、キシレン等
の溶媒に溶解し溶液状態にする。
■そして、この溶液に黒鉛素材を浸漬させる。
このように、単にポリカルボシラン溶解の溶液中に黒鉛
素材を浸漬させるだけでも黒鉛の気孔内に溶液をある程
度含浸させ充填させることはできるが、更に好ましくは
、減圧或は減圧と加圧との組合せにより黒鉛素材の気孔
内部全体へ含浸させて、完全に同溶液中のポリカルボシ
ランを充填させることが好ましい。
■次に、このようにして、黒鉛素材の気孔内にポリカル
ボシランを含浸充填させ、及び表面に含浸塗布させたも
のを焼成することによりポリカルボシランを熱分解させ
て、SiC+ CH+ Hが生成する反応により、炭化
珪素の被膜を形成させる。
この焼成は、不活性雰囲気中で、ポリカルボシランを1
000℃〜2000℃で熱分解して炭化珪素被膜を形成
させるものである。そして、好ましくは酸化雰囲気中で
、常温〜400℃の範囲内で、残存する前記溶媒を揮発
させ、またポリカルボシランを不融化させた後に前記条
件下で焼成することが有利である。カルボシランを不融
化して黒鉛気孔内表面等に定着させておくと熱分解効率
が向上し、不純物等の混入を回避することができるから
である。
なお、焼成温度については、強固なβ−8iC被膜が生
成し易い1300〜1800℃とすることが好ましい。
以下、本発明の最も代表的な実施例について説明する。
(実施例) 実施例1 直径が16インチである円筒状で湾曲面台形の底部を有
する黒鉛製ルツボを作成するに当り、CIP成形によっ
てなる等方性黒鉛素材をキシレン溶媒中に20重量%の
ポリカルボシランを溶解させた溶液中に浸漬し、ポリカ
ルボシランを前記黒鉛の気孔内に含浸充填させた。また
、黒鉛表面全体にもポリカルボシランを含浸塗布させ、
その後酸化性雰囲気中で約200°C5時間の不融化処
理をした。
これらの工程を3回繰り返し、さらに1700℃の加熱
処理による焼成を行い、ポリカルボシランの熱分解によ
り黒鉛基材表面全体に均質な炭化珪素被膜を形成させた
このようにして作成された本発明のシリコン単結晶引上
装置用黒鉛製ルツボの重量は、炭化珪素被膜形成前のル
ツボよりも100g増加しており、これはルツボ全重量
の0.5%に相当し、炭化珪素被膜の形成により増加し
たものである。
実施例2 直径が16インチである円筒状で湾曲面台形の底部を有
する黒鉛製ルツボな作成するにあたり、実施例1とは次
の条件のみが異なるほかは同様の処理をして、本発明の
黒鉛製ルツボな得た。なお。
このルツボは、炭化珪素被膜形成前のものよりも150
gの重量が増加しており、これはルツボ全体の約0.7
%に相当し、炭化珪素被膜の形成により増加したもので
ある。
この実施例2における前記実施例1とは異なる条件とし
ては、 ■ポリカルボシランを15重量%ヘキサン溶液中に溶解
した溶液を使用したこと。
■オートクレーブ容器内で前記■の溶液中に黒鉛素材を
浸漬し15Torrに減圧して、さらに窒素ガスを導入
して3 kg/crn”の加圧下で1時間保持して、ポ
リカルボシランを含浸処理させたこと。
0150℃で、10時間の不融化処理を行なったこと。
■上記■、■の工程を2回繰り返したこと。
以上のように処理した本発明のシリコン単結晶引上装置
用黒鉛製ルツボと、比較例1としてポリカルボシランの
含浸処理なしの黒鉛製ルツボと。
押し出し成形による等方性の高くない通常の黒鉛素材を
使用して作成した比較例2の黒鉛製ルツボとを、それぞ
れシリコン単結晶の引上装置に使用したところ、第1表
に示すようなルツボ(16サイズ)の使用耐久寿命の結
果を得た。
第1表 〔発明の効果〕 以上のことから明らかなように、本発明のシリコン単結
晶引上装置用黒鉛製ルツボは、その黒鉛基材の気孔内部
表面及び表層部にポリカルボシランの熱分解による炭化
珪素被膜が形成されているため、使用耐久寿命が向上し
ていることが明白である。なお、本発明の黒鉛ルツボに
使用する黒鉛素材は、等方性であり、熱膨張係数が4.
2±0.5X 10−’/”Cのものが好ましい。
その理由は、熱膨張係数が4.7x 10−67 ”C
以上であるか、 3.7x 10−’/”c以下である
ときは、炭化珪素被膜に微細な亀裂が生成し易いからで
ある。
なお、以上のように本発明の黒鉛製ルツボの使用耐久寿
命が向上する理由として、黒鉛の気孔内部表面まで均一
に強固なβ−3iCの被膜が形成されていることをあげ
ることができ、これは製造コスト面での経済上も有利な
理由の−っである。
また1本発明に係るシリコン単結晶引上装置用黒鉛製ル
ツボも製造法を採用した場合には、上記のような優れた
効果を有する黒鉛製ルツボを確実かつ容易に製造するこ
とができるのである。
以上のように、本発明によれば使用耐久性が向上したシ
リコン単結晶製造用黒鉛製ルツボ及びその製造法を有利
に提供することができ、この産業界において極めて有用
なものである。
以   上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)シリコン単結晶を製造する際に用いられる黒鉛製
    ルツボにおいて、少なくとも黒鉛の気孔の内部表面を有
    機珪素高分子化合物であるポリカルボシランを原料とす
    る炭化珪素膜で被覆して成ることを特徴とするシリコン
    単結晶引上装置用黒鉛製ルツボ。
  2. (2)シリコン単結晶引上装置用黒鉛製ルツボの製造方
    法において、有機珪素高分子化合物であるポリカルボシ
    ランを少なくとも黒鉛の気孔の内部に含浸充填した後、
    酸性雰囲気中の50〜400℃下で不融化させ、さらに
    不活性雰囲気中の1000〜2000℃下で焼成し前記
    ポリカルボシランを熱分解して形成することを特徴とす
    るシリコン単結晶引上装置用黒鉛製ルツボの製造方法。
JP61313817A 1986-12-26 1986-12-26 シリコン単結晶引上装置用黒鉛製ルツボとその製造方法 Pending JPS63166789A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07187878A (ja) * 1992-03-24 1995-07-25 Tokai Carbon Co Ltd シリコン単結晶製造用黒鉛ルツボ
US6183553B1 (en) * 1998-06-15 2001-02-06 Memc Electronic Materials, Inc. Process and apparatus for preparation of silicon crystals with reduced metal content
JP2013193943A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Toyota Central R&D Labs Inc 高耐熱部材およびその製造方法
JP2015107896A (ja) * 2013-12-05 2015-06-11 信越半導体株式会社 炭化珪素被覆黒鉛部材の製造方法、炭化珪素被覆黒鉛部材、及びシリコン結晶の製造方法。

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