JPH06340479A - 半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法 - Google Patents
半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法Info
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- JPH06340479A JPH06340479A JP5129511A JP12951193A JPH06340479A JP H06340479 A JPH06340479 A JP H06340479A JP 5129511 A JP5129511 A JP 5129511A JP 12951193 A JP12951193 A JP 12951193A JP H06340479 A JPH06340479 A JP H06340479A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属Ｓｉの含浸を行わなくとも基材の高純度
化、高強度化、軽量化を図ること、及び製造プロセスを
簡単にしかつ低コスト化を図ること。 【構成】 平均粒径が１μｍ〜５００μｍでありかつ不
純物含有量が２０ｐｐｍ以下であるＳｉＣ粉末を用いて
成形体を作製する。成形体を不活性雰囲気下かつ１５０
０℃〜２０００℃の温度下にて焼成する。研磨等によっ
て多孔質性焼結体のＲａを０．５μｍ〜１０μｍとし、
Ｒｍａｘを２．０μｍ〜１００μｍとする。得られた多
孔質性の焼結体の表面に、減圧ＣＶＤ法によって厚さ１
０μｍ〜５００μｍの高純度ＳｉＣ薄膜を形成する。
化、高強度化、軽量化を図ること、及び製造プロセスを
簡単にしかつ低コスト化を図ること。 【構成】 平均粒径が１μｍ〜５００μｍでありかつ不
純物含有量が２０ｐｐｍ以下であるＳｉＣ粉末を用いて
成形体を作製する。成形体を不活性雰囲気下かつ１５０
０℃〜２０００℃の温度下にて焼成する。研磨等によっ
て多孔質性焼結体のＲａを０．５μｍ〜１０μｍとし、
Ｒｍａｘを２．０μｍ〜１００μｍとする。得られた多
孔質性の焼結体の表面に、減圧ＣＶＤ法によって厚さ１
０μｍ〜５００μｍの高純度ＳｉＣ薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば拡散炉チューブ
等のような半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の
製造方法に関するものである。
等のような半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体の製造における最も重
要でありかつ基本的な工程として、シリコンウェハへの
不純物拡散工程が実施されている。
要でありかつ基本的な工程として、シリコンウェハへの
不純物拡散工程が実施されている。
【０００３】この不純物拡散工程では、多孔質炭化珪素
製の拡散炉チューブ内にシリコンウェハを装入し、加熱
されたチューブ内に拡散源を供給することにより、窒素
やホウ素等の不純物の拡散が行われる。その際、多孔質
であるチューブの内壁面から、加熱等によって拡散源以
外の物質が放出される場合がある。そして、その放出量
が多いと、シリコンウェハが汚染されることによって製
品の歩留りが悪化することが知られている。
製の拡散炉チューブ内にシリコンウェハを装入し、加熱
されたチューブ内に拡散源を供給することにより、窒素
やホウ素等の不純物の拡散が行われる。その際、多孔質
であるチューブの内壁面から、加熱等によって拡散源以
外の物質が放出される場合がある。そして、その放出量
が多いと、シリコンウェハが汚染されることによって製
品の歩留りが悪化することが知られている。
【０００４】そのため、この種の拡散炉チューブとして
は、５容量％〜５０容量％の金属シリコンを含浸させた
ものが近年における主流となっている。また、一部にお
いては、例えば前記チューブの表面にさらにＣＶＤ法に
よる緻密かつ高純度な炭化珪素薄膜を形成するという方
法も提案されている。
は、５容量％〜５０容量％の金属シリコンを含浸させた
ものが近年における主流となっている。また、一部にお
いては、例えば前記チューブの表面にさらにＣＶＤ法に
よる緻密かつ高純度な炭化珪素薄膜を形成するという方
法も提案されている。
【０００５】この方法によると、金属シリコン及び炭化
珪素薄膜によって多孔質性チューブの表面を被覆するこ
とにより気密性が改善され、チューブ自体に由来する不
純物の影響を解消し得るものと考えられている。
珪素薄膜によって多孔質性チューブの表面を被覆するこ
とにより気密性が改善され、チューブ自体に由来する不
純物の影響を解消し得るものと考えられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、金属シリコ
ンの含浸とＣＶＤ法による炭化珪素薄膜の形成とを行う
従来の方法には、以下に示すようないくつかの問題点が
あった。
ンの含浸とＣＶＤ法による炭化珪素薄膜の形成とを行う
従来の方法には、以下に示すようないくつかの問題点が
あった。
【０００７】例えば、従来のチューブは、金属シリコン
を用いている関係上、その融点を越える約１２６０℃以
上の温度では使用することができなかった。また、金属
シリコン自体にも不純物を拡散し易いという特性がある
ことが近年明らかとなり、チューブの気密性向上のため
の含浸剤として疑問視する声があった。更に、金属シリ
コンの含浸を行うと、必然的にチューブの重量が増加
し、取扱性が悪くなるという欠点があった。
を用いている関係上、その融点を越える約１２６０℃以
上の温度では使用することができなかった。また、金属
シリコン自体にも不純物を拡散し易いという特性がある
ことが近年明らかとなり、チューブの気密性向上のため
の含浸剤として疑問視する声があった。更に、金属シリ
コンの含浸を行うと、必然的にチューブの重量が増加
し、取扱性が悪くなるという欠点があった。
【０００８】加えて、金属シリコンの含浸はチューブ表
面の平滑性を悪化させる原因となっていたため、前記チ
ューブ表面に対して所望の炭化珪素薄膜を形成すること
が困難であった。このため、形成された薄膜にはピンホ
ールや剥離が生じ易かった。また、含浸とＣＶＤ法によ
る薄膜形成とを行う従来方法では、製造コストも高くな
り、製造プロセスも煩雑になるという欠点があった。
面の平滑性を悪化させる原因となっていたため、前記チ
ューブ表面に対して所望の炭化珪素薄膜を形成すること
が困難であった。このため、形成された薄膜にはピンホ
ールや剥離が生じ易かった。また、含浸とＣＶＤ法によ
る薄膜形成とを行う従来方法では、製造コストも高くな
り、製造プロセスも煩雑になるという欠点があった。
【０００９】そして、不純物拡散工程においてチューブ
に局所的な温度差が生じた場合、チューブが割れてしま
うことがあった。上記の事情のもと本発明者が鋭意研究
を行ったところ、所定の材料及び条件に従って多孔質性
の炭化珪素焼結体を作製し、かつその焼結体に所定の厚
さの高純度ＣＶＤ薄膜を直接形成すれば、前述の諸問題
を解決し得るという知見を得た。そして、本発明者らは
その知見を更に発展させることにより、以下のような発
明を完成させるに到った。
に局所的な温度差が生じた場合、チューブが割れてしま
うことがあった。上記の事情のもと本発明者が鋭意研究
を行ったところ、所定の材料及び条件に従って多孔質性
の炭化珪素焼結体を作製し、かつその焼結体に所定の厚
さの高純度ＣＶＤ薄膜を直接形成すれば、前述の諸問題
を解決し得るという知見を得た。そして、本発明者らは
その知見を更に発展させることにより、以下のような発
明を完成させるに到った。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明では、平
均粒径が１μｍ〜５００μｍでありかつ不純物含有量が
２０ｐｐｍ以下である炭化珪素（ＳｉＣ）粉末を用いて
成形体を作製した後、その成形体を不活性雰囲気下かつ
１５００℃〜２０００℃の温度下にて焼成して得られる
多孔質性の焼結体の表面に、ＣＶＤ法による厚さ１０μ
ｍ〜５００μｍの高純度ＳｉＣ薄膜を形成している。こ
の場合、焼結体の表面粗さの平均値を０．５μｍ〜１０
μｍとし、最大値を２．０μｍ〜１００μｍとすること
が良い。また、高純度ＳｉＣ薄膜における不純物の含有
量を１ｐｐｍ以下とすることが良い。
均粒径が１μｍ〜５００μｍでありかつ不純物含有量が
２０ｐｐｍ以下である炭化珪素（ＳｉＣ）粉末を用いて
成形体を作製した後、その成形体を不活性雰囲気下かつ
１５００℃〜２０００℃の温度下にて焼成して得られる
多孔質性の焼結体の表面に、ＣＶＤ法による厚さ１０μ
ｍ〜５００μｍの高純度ＳｉＣ薄膜を形成している。こ
の場合、焼結体の表面粗さの平均値を０．５μｍ〜１０
μｍとし、最大値を２．０μｍ〜１００μｍとすること
が良い。また、高純度ＳｉＣ薄膜における不純物の含有
量を１ｐｐｍ以下とすることが良い。
【００１１】高純度なＳｉＣ粉末によって作製された成
形体は、通常のものより不純物含有量が少なくなる。し
かも、その成形体を一般的なＳｉＣの焼成温度より低い
温度で焼成することにより、成形体中の不純物含有量は
格段に少なくなる。従って、今まで必須とされていた金
属シリコン（Ｓｉ）の含浸を行わなくとも、ＣＶＤ法に
よって焼結体表面に直接ＳｉＣ薄膜を形成することが可
能となる。また、金属Ｓｉが存在しない箇所への薄膜形
成であるため、ＳｉＣ薄膜の密着性が向上し、ピンホー
ル・剥離等が生じ難くなる。
形体は、通常のものより不純物含有量が少なくなる。し
かも、その成形体を一般的なＳｉＣの焼成温度より低い
温度で焼成することにより、成形体中の不純物含有量は
格段に少なくなる。従って、今まで必須とされていた金
属シリコン（Ｓｉ）の含浸を行わなくとも、ＣＶＤ法に
よって焼結体表面に直接ＳｉＣ薄膜を形成することが可
能となる。また、金属Ｓｉが存在しない箇所への薄膜形
成であるため、ＳｉＣ薄膜の密着性が向上し、ピンホー
ル・剥離等が生じ難くなる。
【００１２】以下、本発明の製造方法を工程順に詳細に
説明する。主原料であるＳｉＣ粉末には、不純物含有量
が２０ｐｐｍ以下のものが用いられる。このような高純
度の粉末は、例えば酸の水溶液またはガスによりＳｉＣ
粉末を純化する、というような従来公知の方法によって
作製される。また、α型ＳｉＣ粉末及びβ型ＳｉＣ粉末
のいずれも使用することが可能であるばかりでなく、両
者を混合して使用することも可能である。
説明する。主原料であるＳｉＣ粉末には、不純物含有量
が２０ｐｐｍ以下のものが用いられる。このような高純
度の粉末は、例えば酸の水溶液またはガスによりＳｉＣ
粉末を純化する、というような従来公知の方法によって
作製される。また、α型ＳｉＣ粉末及びβ型ＳｉＣ粉末
のいずれも使用することが可能であるばかりでなく、両
者を混合して使用することも可能である。
【００１３】ＳｉＣ粉末の平均粒径は１μｍ〜５００μ
ｍの範囲内である必要がある。平均粒径が１μｍ未満で
あると、粉末を製造する際に不純物の混合量が増加して
しまい、純度の高い基材が得られない。一方、平均粒径
が５００μｍより大きいと、焼結後における基材の強度
が非常に小さくなってしまい、使用に値しないものとな
る。
ｍの範囲内である必要がある。平均粒径が１μｍ未満で
あると、粉末を製造する際に不純物の混合量が増加して
しまい、純度の高い基材が得られない。一方、平均粒径
が５００μｍより大きいと、焼結後における基材の強度
が非常に小さくなってしまい、使用に値しないものとな
る。
【００１４】上記のＳｉＣ粉末には成形用のバインダ等
が混合される。この混合物はラバープレス成形、射出成
形、押出成形、鋳込み成形等によって成形されることに
より、所望の形状をした成形体となる。得られた成形体
は、脱枠、乾燥及び脱ワックスの各工程を経た後に、ア
ルゴン等の不活性ガス雰囲気下にて１５００℃〜２００
０℃前後の温度で焼成される。この温度が１５００℃未
満であると、成形体が完全に焼結せず、所望の焼結体が
得られない。一方、この温度が２０００℃を越えると、
ＳｉＣの焼結が速く進行してしまうため、不純物を完全
に除去することができない。
が混合される。この混合物はラバープレス成形、射出成
形、押出成形、鋳込み成形等によって成形されることに
より、所望の形状をした成形体となる。得られた成形体
は、脱枠、乾燥及び脱ワックスの各工程を経た後に、ア
ルゴン等の不活性ガス雰囲気下にて１５００℃〜２００
０℃前後の温度で焼成される。この温度が１５００℃未
満であると、成形体が完全に焼結せず、所望の焼結体が
得られない。一方、この温度が２０００℃を越えると、
ＳｉＣの焼結が速く進行してしまうため、不純物を完全
に除去することができない。
【００１５】前記焼成によってＳｉＣ成形体は純度の良
い多孔質性の焼結体となり、その比重も１．６g/cm3 〜
２．２g/cm3 程度となる。その後、焼結体には必要に応
じて機械加工等が施される。
い多孔質性の焼結体となり、その比重も１．６g/cm3 〜
２．２g/cm3 程度となる。その後、焼結体には必要に応
じて機械加工等が施される。
【００１６】次いで、焼結体表面の全部または必要とさ
れる部分には、ＣＶＤ法によって厚さ１０μｍ〜５００
μｍの高純度で緻密なＳｉＣ薄膜が形成される。この場
合、ＳｉＣ薄膜の厚さが１０μｍ未満であると、小さな
衝撃でもＳｉＣ薄膜に剥離・割れが発生し易くなる。一
方、ＳｉＣ薄膜の厚さが５００μｍを越えると、ＳｉＣ
薄膜の生成に時間がかかるようになり、生産性及びコス
トの面で不利になる。なお、成形体に対するＳｉＣ薄膜
の形成は減圧ＣＶＤ法にて行われることが好ましい。そ
の理由は、減圧ＣＶＤ法は大量生産に適していることに
加え、成形体が単純な形状でない場合であっても確実に
薄膜を形成できるためである。
れる部分には、ＣＶＤ法によって厚さ１０μｍ〜５００
μｍの高純度で緻密なＳｉＣ薄膜が形成される。この場
合、ＳｉＣ薄膜の厚さが１０μｍ未満であると、小さな
衝撃でもＳｉＣ薄膜に剥離・割れが発生し易くなる。一
方、ＳｉＣ薄膜の厚さが５００μｍを越えると、ＳｉＣ
薄膜の生成に時間がかかるようになり、生産性及びコス
トの面で不利になる。なお、成形体に対するＳｉＣ薄膜
の形成は減圧ＣＶＤ法にて行われることが好ましい。そ
の理由は、減圧ＣＶＤ法は大量生産に適していることに
加え、成形体が単純な形状でない場合であっても確実に
薄膜を形成できるためである。
【００１７】また、ＳｉＣ薄膜における不純物の含有量
は１ｐｐｍ以下であることが望ましい。不純物の含有量
がこの値を越えると、ＳｉＣ薄膜自体に由来する不純物
によって、シリコンウェハが汚染されてしまうからであ
る。
は１ｐｐｍ以下であることが望ましい。不純物の含有量
がこの値を越えると、ＳｉＣ薄膜自体に由来する不純物
によって、シリコンウェハが汚染されてしまうからであ
る。
【００１８】更に、焼結体の表面粗さ（ＪＩＳ Ｂ ０
６０１）の平均値（Ｒａ）は０．５μｍ〜１０μｍであ
りかつ最大値（Ｒｍａｘ）は２．０μｍ〜１００μｍで
あることが望ましい。即ち、焼結体の表面にある程度の
凹凸があると、そのアンカー効果によってＳｉＣ薄膜の
密着強度が向上するからである。
６０１）の平均値（Ｒａ）は０．５μｍ〜１０μｍであ
りかつ最大値（Ｒｍａｘ）は２．０μｍ〜１００μｍで
あることが望ましい。即ち、焼結体の表面にある程度の
凹凸があると、そのアンカー効果によってＳｉＣ薄膜の
密着強度が向上するからである。
【００１９】ＲａまたはＲｍａｘが前記の値より小さい
と、充分なアンカー効果を得ることができず、生成した
ＳｉＣ薄膜が小さな衝撃等によって剥離し易くなる。ま
た、耐熱衝撃値が小さくなるため、高温雰囲気下での使
用が難しくなる。一方、ＲａまたはＲｍａｘが前記の値
より大きいと、ＳｉＣ薄膜を平滑化するためには厚膜に
しなければならず、生産性及びコストの面で問題とな
る。
と、充分なアンカー効果を得ることができず、生成した
ＳｉＣ薄膜が小さな衝撃等によって剥離し易くなる。ま
た、耐熱衝撃値が小さくなるため、高温雰囲気下での使
用が難しくなる。一方、ＲａまたはＲｍａｘが前記の値
より大きいと、ＳｉＣ薄膜を平滑化するためには厚膜に
しなければならず、生産性及びコストの面で問題とな
る。
【００２０】以上の方法によると、金属Ｓｉの含浸を行
わずして基材を高純度化、高強度化、軽量化できるた
め、極めて好適である。また、金属Ｓｉの含浸が不要に
なることにより、製造プロセス的にもコスト的にも有利
になる。
わずして基材を高純度化、高強度化、軽量化できるた
め、極めて好適である。また、金属Ｓｉの含浸が不要に
なることにより、製造プロセス的にもコスト的にも有利
になる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明をシリコンウェハへの不純物拡
散工程において用いられる拡散炉チューブの製造方法に
具体化した一実施例を詳細に説明する。
散工程において用いられる拡散炉チューブの製造方法に
具体化した一実施例を詳細に説明する。
【００２２】本実施例では、不純物含有量が１０ｐｐｍ
以下で平均粒径が１．４μｍのβ型ＳｉＣ粉末を主原料
として選択した。そのＳｉＣ粉末に５重量部の成形用バ
インダを加えて造粒し、得られた顆粒をもとにして湿式
ラバープレス法によりチューブ状の成形体（外径２５c
m, 内径２４cm，長さ１５０cm）を作製した。
以下で平均粒径が１．４μｍのβ型ＳｉＣ粉末を主原料
として選択した。そのＳｉＣ粉末に５重量部の成形用バ
インダを加えて造粒し、得られた顆粒をもとにして湿式
ラバープレス法によりチューブ状の成形体（外径２５c
m, 内径２４cm，長さ１５０cm）を作製した。
【００２３】成形体を脱枠して乾燥させかつ脱ワックス
を行った後、アルゴンガス雰囲気下にて１８００℃，４
時間で焼成を行うことにより、前記成形体を多孔質性の
焼結体とした。得られた焼結体を調査したところ、不純
物含有量は５ｐｐｍと少なく、極めて高純度な多孔質体
であった。
を行った後、アルゴンガス雰囲気下にて１８００℃，４
時間で焼成を行うことにより、前記成形体を多孔質性の
焼結体とした。得られた焼結体を調査したところ、不純
物含有量は５ｐｐｍと少なく、極めて高純度な多孔質体
であった。
【００２４】次に、チューブ状の焼結体の内外面を機械
加工することにより、肉厚が３mm，Ｒａが２．４μｍ，
Ｒｍａｘが２８．２μｍの焼結体を得た。ここで、焼結
体をＣＶＤ用の真空炉にセットし、炉内を減圧状態にし
てから、ＳｉＣｌ4 ガス及びＣＣｌ4 ガスを流通させ
た。そして、高純度で緻密なＳｉＣ薄膜（厚さ約１００
μｍ，不純物含有量１ｐｐｍ以下）を焼結体全面に均一
に形成した。
加工することにより、肉厚が３mm，Ｒａが２．４μｍ，
Ｒｍａｘが２８．２μｍの焼結体を得た。ここで、焼結
体をＣＶＤ用の真空炉にセットし、炉内を減圧状態にし
てから、ＳｉＣｌ4 ガス及びＣＣｌ4 ガスを流通させ
た。そして、高純度で緻密なＳｉＣ薄膜（厚さ約１００
μｍ，不純物含有量１ｐｐｍ以下）を焼結体全面に均一
に形成した。
【００２５】次に、前記実施例に対する比較例の拡散炉
チューブを以下のようにして作製した。まず、実施例と
同じ手順によって得られた同形状・同サイズのチューブ
状焼結体を金属Ｓｉの塊と共にカーボンるつぼに入れ、
それらを焼成炉内にセットした。そして、１４００℃で
１０時間加熱することにより、金属Ｓｉを焼結体の気孔
部に含浸させた。次に、カーボンるつぼから焼結体を取
り出して、表面に析出した余剰の金属Ｓｉを除去するこ
とにより、焼結体の表面を滑らかにした。更に、前記焼
結体を洗浄・乾燥した後、前記実施例の減圧ＣＶＤ法に
準じて高純度ＳｉＣ薄膜の形成を試みた。
チューブを以下のようにして作製した。まず、実施例と
同じ手順によって得られた同形状・同サイズのチューブ
状焼結体を金属Ｓｉの塊と共にカーボンるつぼに入れ、
それらを焼成炉内にセットした。そして、１４００℃で
１０時間加熱することにより、金属Ｓｉを焼結体の気孔
部に含浸させた。次に、カーボンるつぼから焼結体を取
り出して、表面に析出した余剰の金属Ｓｉを除去するこ
とにより、焼結体の表面を滑らかにした。更に、前記焼
結体を洗浄・乾燥した後、前記実施例の減圧ＣＶＤ法に
準じて高純度ＳｉＣ薄膜の形成を試みた。
【００２６】これらの拡散炉チューブを比較するため
に、各サンプルを１０個づつ作製し、全体の重量（ｋ
ｇ）、密度(g/cm3) 、ＳｉＣ薄膜におけるピンホー
ル・剥離、温度差を加えた場合のチューブの割れの４
項目を調査した。その結果を表１に示す。
に、各サンプルを１０個づつ作製し、全体の重量（ｋ
ｇ）、密度(g/cm3) 、ＳｉＣ薄膜におけるピンホー
ル・剥離、温度差を加えた場合のチューブの割れの４
項目を調査した。その結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１より明らかなように、実施例の拡散炉
チューブでは重量は約６．４ｋｇであり、取扱性に優れ
るものであった。また、薄膜を除く部分の密度は１．８
６g/cm3 であった。一方、比較例のチューブは実施例の
ものと同サイズであるにも関わらず、重量及び密度が実
施例の１．６倍〜１．７倍となっていた。
チューブでは重量は約６．４ｋｇであり、取扱性に優れ
るものであった。また、薄膜を除く部分の密度は１．８
６g/cm3 であった。一方、比較例のチューブは実施例の
ものと同サイズであるにも関わらず、重量及び密度が実
施例の１．６倍〜１．７倍となっていた。
【００２９】また、実施例ではＳｉＣ薄膜にピンホール
や剥離が全く見られなかったのに対して、比較例ではＳ
ｉＣ薄膜の所々にピンホールや剥離が見られた。そし
て、両拡散炉チューブに温度差を加えた場合、実施例で
は全く割れが生じなかったのに対し、比較例では割れが
生じて破壊に到るものがいくつか見られた。
や剥離が全く見られなかったのに対して、比較例ではＳ
ｉＣ薄膜の所々にピンホールや剥離が見られた。そし
て、両拡散炉チューブに温度差を加えた場合、実施例で
は全く割れが生じなかったのに対し、比較例では割れが
生じて破壊に到るものがいくつか見られた。
【００３０】なお、両者の製造工程自体を比較した場
合、含浸を行わない実施例では、比較的短時間かつ低コ
ストで拡散炉チューブを作製することが可能であった。
これに対して、比較例ではＣＶＤ法の前に金属Ｓｉの含
浸を行わなければならず、製造コスト的にも製造プロセ
ス的にも不利であった。
合、含浸を行わない実施例では、比較的短時間かつ低コ
ストで拡散炉チューブを作製することが可能であった。
これに対して、比較例ではＣＶＤ法の前に金属Ｓｉの含
浸を行わなければならず、製造コスト的にも製造プロセ
ス的にも不利であった。
【００３１】以上の結果を総合すると、実施例の製造方
法のほうが比較例の製造方法に比して優れているという
結論に達する。なお、本発明は上記実施例のみに限定さ
れることはなく、以下のように変更することが勿論可能
である。例えば、 （ａ）本発明は実施例にて具体化した拡散炉チューブの
ほかにも、ウェハボート、ウェハキャリア、エピタキシ
ャル成長用サセプタ等といった各種の治具にも勿論具体
化することが可能である。
法のほうが比較例の製造方法に比して優れているという
結論に達する。なお、本発明は上記実施例のみに限定さ
れることはなく、以下のように変更することが勿論可能
である。例えば、 （ａ）本発明は実施例にて具体化した拡散炉チューブの
ほかにも、ウェハボート、ウェハキャリア、エピタキシ
ャル成長用サセプタ等といった各種の治具にも勿論具体
化することが可能である。
【００３２】（ｂ）高純度ＳｉＣ薄膜は必ずしもチュー
ブの内外両面に設ける必要はなく、少なくとも内面、即
ち汚染を避けるべきシリコンウェハに対面する側に設け
たものであれば良い。
ブの内外両面に設ける必要はなく、少なくとも内面、即
ち汚染を避けるべきシリコンウェハに対面する側に設け
たものであれば良い。
【００３３】（ｃ）実施例にて実施した減圧ＣＶＤ法以
外にも、例えば常圧ＣＶＤ法、各種プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法等を用いても良い。
外にも、例えば常圧ＣＶＤ法、各種プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法等を用いても良い。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の半導体製
造用治具のためのＳｉＣ質基材の製造方法によれば、金
属Ｓｉの含浸を行わなくとも基材の高純度化、高強度
化、軽量化を図ることができるという優れた効果を奏す
る。また、金属Ｓｉの含浸が不要になることに付随し
て、従来に比して製造プロセスを簡単にできかつ低コス
ト化することができるという優れた効果をも奏する。
造用治具のためのＳｉＣ質基材の製造方法によれば、金
属Ｓｉの含浸を行わなくとも基材の高純度化、高強度
化、軽量化を図ることができるという優れた効果を奏す
る。また、金属Ｓｉの含浸が不要になることに付随し
て、従来に比して製造プロセスを簡単にできかつ低コス
ト化することができるという優れた効果をも奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/22 Ｍ 9278−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】平均粒径が１μｍ〜５００μｍでありかつ
不純物含有量が２０ｐｐｍ以下である炭化珪素粉末を用
いて成形体を作製した後、その成形体を不活性雰囲気下
かつ１５００℃〜２０００℃の温度下にて焼成して得ら
れる多孔質性の焼結体の表面に、ＣＶＤ法による厚さ１
０μｍ〜５００μｍの高純度炭化珪素薄膜を形成するこ
とを特徴とした半導体製造用治具のための炭化珪素質基
材の製造方法。 - 【請求項２】前記焼結体の表面粗さの平均値は０．５μ
ｍ〜１０μｍでありかつ最大値は２．０μｍ〜１００μ
ｍであることを特徴とした請求項１に記載の半導体製造
用治具のための炭化珪素質基材の製造方法。 - 【請求項３】前記高純度炭化珪素薄膜における不純物の
含有量は１ｐｐｍ以下であることを特徴とした請求項１
または２に記載の半導体製造用治具のための炭化珪素質
基材の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12951193A JP3378608B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12951193A JP3378608B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06340479A true JPH06340479A (ja) | 1994-12-13 |
| JP3378608B2 JP3378608B2 (ja) | 2003-02-17 |
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ID=15011306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12951193A Expired - Lifetime JP3378608B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 半導体製造用治具のための炭化珪素質基材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3378608B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH092876A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-07 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 熱処理炉用部材 |
| KR100465389B1 (ko) * | 2001-03-22 | 2005-01-13 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | ＳｉＣ질 열처리용 지그 |
| JP2016023131A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-02-08 | イビデン株式会社 | 管状体およびその製造方法 |
| CN112521154A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-03-19 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 具有高纯工作表面的SiC陶瓷器件及其制备方法和应用 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP12951193A patent/JP3378608B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH092876A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-07 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 熱処理炉用部材 |
| KR100465389B1 (ko) * | 2001-03-22 | 2005-01-13 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | ＳｉＣ질 열처리용 지그 |
| JP2016023131A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-02-08 | イビデン株式会社 | 管状体およびその製造方法 |
| CN112521154A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-03-19 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 具有高纯工作表面的SiC陶瓷器件及其制备方法和应用 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3378608B2 (ja) | 2003-02-17 |
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