JP3642446B2 - 半導体ウエハ処理具 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハに加熱を伴うデポジションや拡散等の処理を施す際に用いられる均熱(ライナー)管,炉芯管,ボート,フォーク等の高純度SiC焼結体からなる半導体ウエハ処理具に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の高純度SiC焼結体からなる半導体ウエハ処理具としては、例えば均熱管と炉芯管を兼ねたSi−SiC系プロセスチューブが知られている。このプロセスチューブは、一般に、原料となるSiC(炭化珪素)粉の酸洗浄,成形,純化処理,高純度Si(金属珪素)の含浸及び最終の酸処理といった工程を経て製造されるものであり、半導体ウエハへの不純物拡散のための高温加熱,冷却のサイクルにおいても十分な耐熱衝撃性と機械的強度を有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の高純度SiC焼結体からなる半導体ウエハ処理具では、石英ガラスからなる炉芯管等と比較し、高純度といわれるものでも汚染源となる不純物の含有量が多く、半導体ウエハに悪影響を与え易いので、必ずしも純度の点で十分満足のいくものといえない。
すなわち、従来の高純度SiC焼結体からなる半導体ウエハ処理具は、その製造に際し、高純度Siを含浸する前に高温でCl2 ,HCl等のガス又は酸の液を流すことにより純化処理が行われるが、長時間に亘って純化処理を行っても表層部が純化されるだけであり、内部の不純物を完全に除去することができず、高純度のものを得ることが困難である。
特に、原料のSiC粒子の内部に封じ込められている不純物は、その後の清浄化処理でもこれを除去することは極めて困難である。
このため、加熱を伴う各種処理時に、半導体ウエハ処理具におけるSiC焼結体の内部に残存している不純物が拡散して放出され、半導体ウエハを汚染し、その歩留まりを低下させる原因となっている。
かかる不具合を解消するため、SiC成形体を1600℃以上の温度で不活性ガスをキャリアーガスとしハロゲン又はハロゲン化水素の雰囲気中で処理して高純度化し、その後高純度Siを含浸してSi−SiC系半導体ウエハ処理具を得る試みがなされている。
しかし、上記処理を高温で行うと、純化の効果は向上するが、HClによりSiC粒子のSiがエッチングされる。そして、その後のSiの含浸に伴って生成するSiC粒子が体積膨張を起こし、クラックが発生して成形体の強度が低下したり、あるいは成形体に反りを生じる等の不具合がある。
又、Fe(鉄)やAl(アルミニウム)の除去が不十分であると焼結体の密度が低くなり、強度が低下する不具合もある。
そこで、本発明は、高強度、かつ緻密で高純度のSiC焼結体からなる半導体ウエハ処理具を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の第1の半導体ウエハ処理具は、菱面体晶系(15R)が15%以上で、六方晶系(2H,4H,6H)が85%以下の結晶構造を有する高純度SiC焼結体からなることを特徴とする。
第2の半導体ウエハ処理具は、第1のものにおいて、前記高純度SiC焼結体に高純度Siを含浸したことを特徴とする。
又、第3の半導体ウエハ処理具は、第2のものにおいて、前記高純度Siが含浸された高純度SiC焼結体にCVD法による高純度で緻密なSiC膜をコーティングしたことを特徴とする。
一方、前記六方晶系のうち、4Hの結晶が1%以下であることが好ましい。
又、前記高純度SiC焼結体のFe含有量が0.1ppm 以下で、Al含有量が10ppm 以下であることが好ましい。
【0005】
しかして、第1の半導体ウエハ処理具は、アチソン(Acheson)法によって合成されたSiCから、炉芯部の高温で合成された箇所のα−SiCと、炉芯部から離れた比較的低温で合成された箇所のβ−SiCを採取し、粉砕して得られたSiC粉末原料をそれぞれ高温のハロゲン又はハロゲン化水素雰囲気中で純化処理し、その後、これらのSiC粉末原料とカーボンブラックとを所要の割合で混合し、これにフェノールレジンを添加して混練し、成形後焼成し、更に上記純化処理を施して製造される。
第2の半導体ウエハ処理具は、第1のものと同様に製造した高純度SiC焼結体に同様の純化処理を施した後高純度Siを含浸して製造される。
又、第3の半導体ウエハ処理具は、第2のものと同様に製造した高純度Si含浸高純度SiC焼結体にCVD法により高純度で緻密なSiC膜をコーティングして製造される。
【0006】
SiC焼結体の結晶構造のうち、菱面体晶系(15R)は、螺旋転位を介して成長する結晶構造であるから転位芯や積層欠陥を多数含み、これらが拡散パスとなって不純物の短回路拡散を誘起し、15%以上含有していると、その製造時におけるSiC焼結体の純化処理に際し、SiC粒子の内部に封じ込められているFeやAl等の不純物を、SiC粒子のSiがエッチングされない1500〜1600℃程度の温度でもHCl雰囲気下で容易に除去できる。一方、15%未満の含有であると、拡散パスが少なくなるため、Fe,Al等の不純物元素がSiC粒子の表面へ外方拡散することが難しくなり、純化処理によって純度が上がらないだけでなく、焼結体の密度も上がらない。
なお、上記の点は、原料のSiC粉末の段階での純化処理でも同様であり、原料の段階においては、特に、菱面体晶系(15R)が20%以上含有することが好ましい。
SiC焼結体中の菱面体晶系(15R)の結晶構造は、15〜40%、六方晶系(2H,4H,6H)の結晶構造が60〜85%であることが好ましい。
SiC焼結体中の六方晶系(2H,4H,6H)の結晶構造のうち、4Hの結晶にはAlが固溶し易く、又、4Hの結晶中のAlはHCl雰囲気下でも除去し難いので、1%以下となるようにする。1%を超えると、焼結体中のAl濃度が非常に高くなる。
なお、4Hの結晶が1%以下のSiC原料は、合成温度を高くする(2200℃以上)ことによって得られる。
又、高純度SiC焼結体のFe含有量が0.1ppm を超え、かつAl含有量が10ppm を超えると、半導体ウエハの処理時に半導体ウエハを汚染し、その歩留まりを低下させる。
高純度SiC焼結体のFe,Al含有量は、上記上限値より低いほど望ましい。
【0007】
しかして、半導体ウエハ処理具の製造に際し、SiC粉末の段階でHCl雰囲気下における純化処理を経て焼成すると、焼結体の密度が高くなる。
又、成形体の段階で同様の純化処理を行うと、純化効果が更に向上する。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について具体的な実施例と比較例を用いて説明する。
実施例1〜3,比較例1〜3
珪石とコークスを原料とし、アチソン法によってSiCを合成後、炉芯に近い高温部(2200℃以上)で合成された箇所からα−SiC、及び炉芯部から離れた比較的低温(2200℃未満)で合成された箇所からβ−SiCを、SiC結晶の菱面体晶系(15R)がそれぞれ表1に示す割合となるように採取し、粉砕して粒度40〜200μmの各SiC粉末原料を得た。各SiC粉末原料の菱面体晶系(15R)以外の結晶構造は、六方晶系(2H,4H,6H)であった。
各SiC粉末原料をそれぞれHCl雰囲気中において1600℃の温度で、1時間の純化処理を行ったところ、各SiC粉末原料のFe濃度は、表1に示すようになった。
次に、各SiC粉末原料とカーボンブラックとを重量比100:7の割合で混合し、これらにフェノールレジンをそれぞれ外割で12wt%添加して混練し、成形後焼成して均熱管,炉芯管,ボート,及び物性測定用サンプル(外径50mm,高さ50mm)を得た。
各物性測定用サンプルの菱面体晶系(15R)の含有率,Fe含有量,曲げ強さ及び密度は、それぞれ表1に示すようになった。
なお、4H結晶の含有率については、後述の表2に示すが、各SiC焼結体中の菱面体晶系以外の結晶構造は、上記4H結晶を含む六方晶系であった。
【0009】
【表1】
【0010】
表1から、本発明に係る実施例1〜3のSiC焼結体は、菱面体晶系(15R)が15%以上であると、Feの含有量を0.1ppm 以下、曲げ強さを140〜150MPa 及び密度を2.5〜2.6にし得ることがわかる。
【0011】
次いで、上述した各均熱管,炉芯管及びボートにSiC粉末原料の場合と同様な純化処理を施した後、それぞれの均熱管,炉芯管及びボートに高純度Siを含浸し、その後、CVD法により高純度で緻密なSiC膜(膜厚100μm)をコーティングした。
高純度で緻密なSiC膜をコーティングした各均熱管,炉芯管及びボートを用い、8インチのシリコンウエハを1250℃の温度で、HCl+O2 ガス中で20時間処理した後、1250℃の温度で1時間アニール処理を行い、処理したシリコンウエハの特性を測定したところ、Al濃度,ライフタイム(Life Time)及びOSF(Oxidation Induced StackingFault)は、表2に示すようになった。
【0012】
【表2】
【0013】
表2から、本発明に係る実施例1〜3のSiC膜をコーティングしたSi含浸SiC焼結体からなる均熱管等の半導体ウエハ処理具によれば、シリコンウエハのAl含有量が0.3ppm 以下、ライフタイムが480〜540μsec 、OSFが零となることがわかる。
【0014】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の第1の半導体ウエハ処理具によれば、SiC焼結体の結晶構造のうちの菱面体晶系(15R)が、螺旋転位を介して成長する結晶構造であって転位芯や積層欠陥を多数含み、これらが拡散パスとなって不純物の短回路拡散を誘起し、SiC焼結体製造時におけるSiC焼結体の純化処理に際し、SiC粒子の内部に封じ込められているFeやAl等の不純物を、SiC粒子のSiがエッチングされない1500〜1600℃程度の温度でもHCl雰囲気下で容易除去できるので、高強度、かつ緻密で高純度とすることができ、ひいては半導体ウエハの汚染を大幅に低減でき、かつ加工の際にチッピングを生じ難く、高精度で微細な加工を施すことができる。
第2の半導体ウエハ処理具によれば、第1のものの作用効果の他、SiC焼結体の空隙が高純度Siで充填されるので、不純物ガスの吸蔵を防止することができる。
又、第3の半導体ウエハ処理具によれば、第2のものの作用効果の他、高純度Siを含浸した高純度SiC焼結体が高純度で緻密なSiC膜でコーティングされるので、使用後の洗浄等による損傷を受け難くなり、耐用性を高めることができる。
Claims (5)
- 菱面体晶系(15R)が15%以上で、六方晶系(2H,4H,6H)が85%以下の結晶構造を有する高純度SiC焼結体からなることを特徴とする半導体ウエハ処理具。
- 前記高純度SiC焼結体に高純度Siを含浸したことを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ処理具。
- 前記高純度Siが含浸された高純度SiC焼結体にCVD法による高純度で緻密なSiC膜をコーティングしたことを特徴とする請求項2記載の半導体ウエハ処理具。
- 前記六方晶系のうち、4Hの結晶が1%以下であることを特徴とする請求項1,2又は3記載の半導体ウエハ処理具。
- 前記高純度SiC焼結体のFe含有量が0.1ppm 以下で、Al含有量が10ppm 以下であることを特徴とする請求項1,2,3又は4記載の半導体ウエハ処理具。
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