JPH1045476A - 半導体ウエハ処理具 - Google Patents
半導体ウエハ処理具Info
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- JPH1045476A JPH1045476A JP21925596A JP21925596A JPH1045476A JP H1045476 A JPH1045476 A JP H1045476A JP 21925596 A JP21925596 A JP 21925596A JP 21925596 A JP21925596 A JP 21925596A JP H1045476 A JPH1045476 A JP H1045476A
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- Japan
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- sic
- semiconductor wafer
- processing tool
- purity
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高純度、かつ緻密で高強度のＳｉＣ焼結体か
らなる半導体ウエハ処理具を提供する。 【解決手段】 菱面体晶系（１５Ｒ）が１５％以上で、
六方晶系（２Ｈ，４Ｈ，６Ｈ）が８５％以下の結晶構造
を有する高純度ＳｉＣ焼結体からなる。
らなる半導体ウエハ処理具を提供する。 【解決手段】 菱面体晶系（１５Ｒ）が１５％以上で、
六方晶系（２Ｈ，４Ｈ，６Ｈ）が８５％以下の結晶構造
を有する高純度ＳｉＣ焼結体からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハに加
熱を伴うデポジションや拡散等の処理を施す際に用いら
れる均熱（ライナー）管，炉芯管，ボート，フォーク等
の高純度ＳｉＣ焼結体からなる半導体ウエハ処理具に関
する。
熱を伴うデポジションや拡散等の処理を施す際に用いら
れる均熱（ライナー）管，炉芯管，ボート，フォーク等
の高純度ＳｉＣ焼結体からなる半導体ウエハ処理具に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の高純度ＳｉＣ焼結体から
なる半導体ウエハ処理具としては、例えば均熱管と炉芯
管を兼ねたＳｉ−ＳｉＣ系プロセスチューブが知られて
いる。このプロセスチューブは、一般に、原料となるＳ
ｉＣ（炭化珪素）粉の酸洗浄，成形，純化処理，高純度
Ｓｉ（金属珪素）の含浸及び最終の酸処理といった工程
を経て製造されるものであり、半導体ウエハへの不純物
拡散のための高温加熱，冷却のサイクルにおいても十分
な耐熱衝撃性と機械的強度を有している。
なる半導体ウエハ処理具としては、例えば均熱管と炉芯
管を兼ねたＳｉ−ＳｉＣ系プロセスチューブが知られて
いる。このプロセスチューブは、一般に、原料となるＳ
ｉＣ（炭化珪素）粉の酸洗浄，成形，純化処理，高純度
Ｓｉ（金属珪素）の含浸及び最終の酸処理といった工程
を経て製造されるものであり、半導体ウエハへの不純物
拡散のための高温加熱，冷却のサイクルにおいても十分
な耐熱衝撃性と機械的強度を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高純度ＳｉＣ焼結体からなる半導体ウエハ処理具では、
石英ガラスからなる炉芯管等と比較し、高純度といわれ
るものでも汚染源となる不純物の含有量が多く、半導体
ウエハに悪影響を与え易いので、必ずしも純度の点で十
分満足のいくものといえない。すなわち、従来の高純度
ＳｉＣ焼結体からなる半導体ウエハ処理具は、その製造
に際し、高純度Ｓｉを含浸する前に高温でＣｌ2 ，ＨＣ
ｌ等のガス又は酸の液を流すことにより純化処理が行わ
れるが、長時間に亘って純化処理を行っても表層部が純
化されるだけであり、内部の不純物を完全に除去するこ
とができず、高純度のものを得ることが困難である。特
に、原料のＳｉＣ粒子の内部に封じ込められている不純
物は、その後の清浄化処理でもこれを除去することは極
めて困難である。このため、加熱を伴う各種処理時に、
半導体ウエハ処理具におけるＳｉＣ焼結体の内部に残存
している不純物が拡散して放出され、半導体ウエハを汚
染し、その歩留まりを低下させる原因となっている。か
かる不具合を解消するため、ＳｉＣ成形体を１６００℃
以上の温度で不活性ガスをキャリアーガスとしハロゲン
又はハロゲン化水素の雰囲気中で処理して高純度化し、
その後高純度Ｓｉを含浸してＳｉ−ＳｉＣ系半導体ウエ
ハ処理具を得る試みがなされている。しかし、上記処理
を高温で行うと、純化の効果は向上するが、ＨＣｌによ
りＳｉＣ粒子のＳｉがエッチングされる。そして、その
後のＳｉの含浸に伴って生成するＳｉＣ粒子が体積膨張
を起こし、クラックが発生して成形体の強度が低下した
り、あるいは成形体に反りを生じる等の不具合がある。
又、Ｆｅ（鉄）やＡｌ（アルミニウム）の除去が不十分
であると焼結体の密度が低くなり、強度が低下する不具
合もある。そこで、本発明は、高強度、かつ緻密で高純
度のＳｉＣ焼結体からなる半導体ウエハ処理具を提供す
ることを目的とする。
高純度ＳｉＣ焼結体からなる半導体ウエハ処理具では、
石英ガラスからなる炉芯管等と比較し、高純度といわれ
るものでも汚染源となる不純物の含有量が多く、半導体
ウエハに悪影響を与え易いので、必ずしも純度の点で十
分満足のいくものといえない。すなわち、従来の高純度
ＳｉＣ焼結体からなる半導体ウエハ処理具は、その製造
に際し、高純度Ｓｉを含浸する前に高温でＣｌ2 ，ＨＣ
ｌ等のガス又は酸の液を流すことにより純化処理が行わ
れるが、長時間に亘って純化処理を行っても表層部が純
化されるだけであり、内部の不純物を完全に除去するこ
とができず、高純度のものを得ることが困難である。特
に、原料のＳｉＣ粒子の内部に封じ込められている不純
物は、その後の清浄化処理でもこれを除去することは極
めて困難である。このため、加熱を伴う各種処理時に、
半導体ウエハ処理具におけるＳｉＣ焼結体の内部に残存
している不純物が拡散して放出され、半導体ウエハを汚
染し、その歩留まりを低下させる原因となっている。か
かる不具合を解消するため、ＳｉＣ成形体を１６００℃
以上の温度で不活性ガスをキャリアーガスとしハロゲン
又はハロゲン化水素の雰囲気中で処理して高純度化し、
その後高純度Ｓｉを含浸してＳｉ−ＳｉＣ系半導体ウエ
ハ処理具を得る試みがなされている。しかし、上記処理
を高温で行うと、純化の効果は向上するが、ＨＣｌによ
りＳｉＣ粒子のＳｉがエッチングされる。そして、その
後のＳｉの含浸に伴って生成するＳｉＣ粒子が体積膨張
を起こし、クラックが発生して成形体の強度が低下した
り、あるいは成形体に反りを生じる等の不具合がある。
又、Ｆｅ（鉄）やＡｌ（アルミニウム）の除去が不十分
であると焼結体の密度が低くなり、強度が低下する不具
合もある。そこで、本発明は、高強度、かつ緻密で高純
度のＳｉＣ焼結体からなる半導体ウエハ処理具を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の半導体ウエハ処理具は、菱面体晶系
（１５Ｒ）が１５％以上で、六方晶系（２Ｈ，４Ｈ，６
Ｈ）が８５％以下の結晶構造を有する高純度ＳｉＣ焼結
体からなることを特徴とする。第２の半導体ウエハ処理
具は、第１のものにおいて、前記高純度ＳｉＣ焼結体に
高純度Ｓｉを含浸したことを特徴とする。又、第３の半
導体ウエハ処理具は、第２のものにおいて、前記高純度
Ｓｉが含浸された高純度ＳｉＣ焼結体にＣＶＤ法による
高純度で緻密なＳｉＣ膜をコーティングしたことを特徴
とする。一方、前記六方晶系のうち、４Ｈの結晶が１％
以下であることが好ましい。又、前記高純度ＳｉＣ焼結
体のＦｅ含有量が０．１ppm 以下で、Ａｌ含有量が１０
ppm 以下であることが好ましい。
め、本発明の第１の半導体ウエハ処理具は、菱面体晶系
（１５Ｒ）が１５％以上で、六方晶系（２Ｈ，４Ｈ，６
Ｈ）が８５％以下の結晶構造を有する高純度ＳｉＣ焼結
体からなることを特徴とする。第２の半導体ウエハ処理
具は、第１のものにおいて、前記高純度ＳｉＣ焼結体に
高純度Ｓｉを含浸したことを特徴とする。又、第３の半
導体ウエハ処理具は、第２のものにおいて、前記高純度
Ｓｉが含浸された高純度ＳｉＣ焼結体にＣＶＤ法による
高純度で緻密なＳｉＣ膜をコーティングしたことを特徴
とする。一方、前記六方晶系のうち、４Ｈの結晶が１％
以下であることが好ましい。又、前記高純度ＳｉＣ焼結
体のＦｅ含有量が０．１ppm 以下で、Ａｌ含有量が１０
ppm 以下であることが好ましい。
【０００５】しかして、第１の半導体ウエハ処理具は、
アチソン（Ａｃｈｅｓｏｎ）法によって合成されたＳｉ
Ｃから、炉芯部の高温で合成された箇所のα−ＳｉＣ
と、炉芯部から離れた比較的低温で合成された箇所のβ
−ＳｉＣを採取し、粉砕して得られたＳｉＣ粉末原料を
それぞれ高温のハロゲン又はハロゲン化水素雰囲気中で
純化処理し、その後、これらのＳｉＣ粉末原料とカーボ
ンブラックとを所要の割合で混合し、これにフェノール
レジンを添加して混練し、成形後焼成し、更に上記純化
処理を施して製造される。第２の半導体ウエハ処理具
は、第１のものと同様に製造した高純度ＳｉＣ焼結体に
同様の純化処理を施した後高純度Ｓｉを含浸して製造さ
れる。又、第３の半導体ウエハ処理具は、第２のものと
同様に製造した高純度Ｓｉ含浸高純度ＳｉＣ焼結体にＣ
ＶＤ法により高純度で緻密なＳｉＣ膜をコーティングし
て製造される。
アチソン（Ａｃｈｅｓｏｎ）法によって合成されたＳｉ
Ｃから、炉芯部の高温で合成された箇所のα−ＳｉＣ
と、炉芯部から離れた比較的低温で合成された箇所のβ
−ＳｉＣを採取し、粉砕して得られたＳｉＣ粉末原料を
それぞれ高温のハロゲン又はハロゲン化水素雰囲気中で
純化処理し、その後、これらのＳｉＣ粉末原料とカーボ
ンブラックとを所要の割合で混合し、これにフェノール
レジンを添加して混練し、成形後焼成し、更に上記純化
処理を施して製造される。第２の半導体ウエハ処理具
は、第１のものと同様に製造した高純度ＳｉＣ焼結体に
同様の純化処理を施した後高純度Ｓｉを含浸して製造さ
れる。又、第３の半導体ウエハ処理具は、第２のものと
同様に製造した高純度Ｓｉ含浸高純度ＳｉＣ焼結体にＣ
ＶＤ法により高純度で緻密なＳｉＣ膜をコーティングし
て製造される。
【０００６】ＳｉＣ焼結体の結晶構造のうち、菱面体晶
系（１５Ｒ）は、螺旋転位を介して成長する結晶構造で
あるから転位芯や積層欠陥を多数含み、これらが拡散パ
スとなって不純物の短回路拡散を誘起し、１５％以上含
有していると、その製造時におけるＳｉＣ焼結体の純化
処理に際し、ＳｉＣ粒子の内部に封じ込められているＦ
ｅやＡｌ等の不純物を、ＳｉＣ粒子のＳｉがエッチング
されない１５００〜１６００℃程度の温度でもＨＣｌ雰
囲気下で容易に除去できる。一方、１５％未満の含有で
あると、拡散パスが少なくなるため、Ｆｅ，Ａｌ等の不
純物元素がＳｉＣ粒子の表面へ外方拡散することが難し
くなり、純化処理によって純度が上がらないだけでな
く、焼結体の密度も上がらない。なお、上記の点は、原
料のＳｉＣ粉末の段階での純化処理でも同様であり、原
料の段階においては、特に、菱面体晶系（１５Ｒ）が２
０％以上含有することが好ましい。ＳｉＣ焼結体中の菱
面体晶系（１５Ｒ）の結晶構造は、１５〜４０％、六方
晶系（２Ｈ，４Ｈ，６Ｈ）の結晶構造が６０〜８５％で
あることが好ましい。ＳｉＣ焼結体中の六方晶系（２
Ｈ，４Ｈ，６Ｈ）の結晶構造のうち、４Ｈの結晶にはＡ
ｌが固溶し易く、又、４Ｈの結晶中のＡｌはＨＣｌ雰囲
気下でも除去し難いので、１％以下となるようにする。
１％を超えると、焼結体中のＡｌ濃度が非常に高くな
る。なお、４Ｈの結晶が１％以下のＳｉＣ原料は、合成
温度を高くする（２２００℃以上）ことによって得られ
る。又、高純度ＳｉＣ焼結体のＦｅ含有量が０．１ppm
を超え、かつＡｌ含有量が１０ppm を超えると、半導体
ウエハの処理時に半導体ウエハを汚染し、その歩留まり
を低下させる。高純度ＳｉＣ焼結体のＦｅ，Ａｌ含有量
は、上記上限値より低いほど望ましい。
系（１５Ｒ）は、螺旋転位を介して成長する結晶構造で
あるから転位芯や積層欠陥を多数含み、これらが拡散パ
スとなって不純物の短回路拡散を誘起し、１５％以上含
有していると、その製造時におけるＳｉＣ焼結体の純化
処理に際し、ＳｉＣ粒子の内部に封じ込められているＦ
ｅやＡｌ等の不純物を、ＳｉＣ粒子のＳｉがエッチング
されない１５００〜１６００℃程度の温度でもＨＣｌ雰
囲気下で容易に除去できる。一方、１５％未満の含有で
あると、拡散パスが少なくなるため、Ｆｅ，Ａｌ等の不
純物元素がＳｉＣ粒子の表面へ外方拡散することが難し
くなり、純化処理によって純度が上がらないだけでな
く、焼結体の密度も上がらない。なお、上記の点は、原
料のＳｉＣ粉末の段階での純化処理でも同様であり、原
料の段階においては、特に、菱面体晶系（１５Ｒ）が２
０％以上含有することが好ましい。ＳｉＣ焼結体中の菱
面体晶系（１５Ｒ）の結晶構造は、１５〜４０％、六方
晶系（２Ｈ，４Ｈ，６Ｈ）の結晶構造が６０〜８５％で
あることが好ましい。ＳｉＣ焼結体中の六方晶系（２
Ｈ，４Ｈ，６Ｈ）の結晶構造のうち、４Ｈの結晶にはＡ
ｌが固溶し易く、又、４Ｈの結晶中のＡｌはＨＣｌ雰囲
気下でも除去し難いので、１％以下となるようにする。
１％を超えると、焼結体中のＡｌ濃度が非常に高くな
る。なお、４Ｈの結晶が１％以下のＳｉＣ原料は、合成
温度を高くする（２２００℃以上）ことによって得られ
る。又、高純度ＳｉＣ焼結体のＦｅ含有量が０．１ppm
を超え、かつＡｌ含有量が１０ppm を超えると、半導体
ウエハの処理時に半導体ウエハを汚染し、その歩留まり
を低下させる。高純度ＳｉＣ焼結体のＦｅ，Ａｌ含有量
は、上記上限値より低いほど望ましい。
【０００７】しかして、半導体ウエハ処理具の製造に際
し、ＳｉＣ粉末の段階でＨＣｌ雰囲気下における純化処
理を経て焼成すると、焼結体の密度が高くなる。又、成
形体の段階で同様の純化処理を行うと、純化効果が更に
向上する。
し、ＳｉＣ粉末の段階でＨＣｌ雰囲気下における純化処
理を経て焼成すると、焼結体の密度が高くなる。又、成
形体の段階で同様の純化処理を行うと、純化効果が更に
向上する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的な実施例と比較例を用いて説明する。 実施例１〜３，比較例１〜３ 珪石とコークスを原料とし、アチソン法によってＳｉＣ
を合成後、炉芯に近い高温部（２２００℃以上）で合成
された箇所からα−ＳｉＣ、及び炉芯部から離れた比較
的低温（２２００℃未満）で合成された箇所からβ−Ｓ
ｉＣを、ＳｉＣ結晶の菱面体晶系（１５Ｒ）がそれぞれ
表１に示す割合となるように採取し、粉砕して粒度４０
〜２００μｍの各ＳｉＣ粉末原料を得た。各ＳｉＣ粉末
原料の菱面体晶系（１５Ｒ）以外の結晶構造は、六方晶
系（２Ｈ，４Ｈ，６Ｈ）であった。各ＳｉＣ粉末原料を
それぞれＨＣｌ雰囲気中において１６００℃の温度で、
１時間の純化処理を行ったところ、各ＳｉＣ粉末原料の
Ｆｅ濃度は、表１に示すようになった。次に、各ＳｉＣ
粉末原料とカーボンブラックとを重量比１００：７の割
合で混合し、これらにフェノールレジンをそれぞれ外割
で１２wt％添加して混練し、成形後焼成して均熱管，炉
芯管，ボート，及び物性測定用サンプル（外径５０mm，
高さ５０mm）を得た。各物性測定用サンプルの菱面体晶
系（１５Ｒ）の含有率，Ｆｅ含有量，曲げ強さ及び密度
は、それぞれ表１に示すようになった。なお、４Ｈ結晶
の含有率については、後述の表２に示すが、各ＳｉＣ焼
結体中の菱面体晶系以外の結晶構造は、上記４Ｈ結晶を
含む六方晶系であった。
て具体的な実施例と比較例を用いて説明する。 実施例１〜３，比較例１〜３ 珪石とコークスを原料とし、アチソン法によってＳｉＣ
を合成後、炉芯に近い高温部（２２００℃以上）で合成
された箇所からα−ＳｉＣ、及び炉芯部から離れた比較
的低温（２２００℃未満）で合成された箇所からβ−Ｓ
ｉＣを、ＳｉＣ結晶の菱面体晶系（１５Ｒ）がそれぞれ
表１に示す割合となるように採取し、粉砕して粒度４０
〜２００μｍの各ＳｉＣ粉末原料を得た。各ＳｉＣ粉末
原料の菱面体晶系（１５Ｒ）以外の結晶構造は、六方晶
系（２Ｈ，４Ｈ，６Ｈ）であった。各ＳｉＣ粉末原料を
それぞれＨＣｌ雰囲気中において１６００℃の温度で、
１時間の純化処理を行ったところ、各ＳｉＣ粉末原料の
Ｆｅ濃度は、表１に示すようになった。次に、各ＳｉＣ
粉末原料とカーボンブラックとを重量比１００：７の割
合で混合し、これらにフェノールレジンをそれぞれ外割
で１２wt％添加して混練し、成形後焼成して均熱管，炉
芯管，ボート，及び物性測定用サンプル（外径５０mm，
高さ５０mm）を得た。各物性測定用サンプルの菱面体晶
系（１５Ｒ）の含有率，Ｆｅ含有量，曲げ強さ及び密度
は、それぞれ表１に示すようになった。なお、４Ｈ結晶
の含有率については、後述の表２に示すが、各ＳｉＣ焼
結体中の菱面体晶系以外の結晶構造は、上記４Ｈ結晶を
含む六方晶系であった。
【０００９】
【表１】
【００１０】表１から、本発明に係る実施例１〜３のＳ
ｉＣ焼結体は、菱面体晶系（１５Ｒ）が１５％以上であ
ると、Ｆｅの含有量を０．１ppm 以下、曲げ強さを１４
０〜１５０MPa 及び密度を２．５〜２．６にし得ること
がわかる。
ｉＣ焼結体は、菱面体晶系（１５Ｒ）が１５％以上であ
ると、Ｆｅの含有量を０．１ppm 以下、曲げ強さを１４
０〜１５０MPa 及び密度を２．５〜２．６にし得ること
がわかる。
【００１１】次いで、上述した各均熱管，炉芯管及びボ
ートにＳｉＣ粉末原料の場合と同様な純化処理を施した
後、それぞれの均熱管，炉芯管及びボートに高純度Ｓｉ
を含浸し、その後、ＣＶＤ法により高純度で緻密なＳｉ
Ｃ膜（膜厚１００μｍ）をコーティングした。高純度で
緻密なＳｉＣ膜をコーティングした各均熱管，炉芯管及
びボートを用い、８インチのシリコンウエハを１２５０
℃の温度で、ＨＣｌ＋Ｏ2 ガス中で２０時間処理した
後、１２５０℃の温度で１時間アニール処理を行い、処
理したシリコンウエハの特性を測定したところ、Ａｌ濃
度，ライフタイム（Ｌｉｆｅ Ｔｉｍｅ）及びＯＳＦ
（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉ
ｎｇＦａｕｌｔ）は、表２に示すようになった。
ートにＳｉＣ粉末原料の場合と同様な純化処理を施した
後、それぞれの均熱管，炉芯管及びボートに高純度Ｓｉ
を含浸し、その後、ＣＶＤ法により高純度で緻密なＳｉ
Ｃ膜（膜厚１００μｍ）をコーティングした。高純度で
緻密なＳｉＣ膜をコーティングした各均熱管，炉芯管及
びボートを用い、８インチのシリコンウエハを１２５０
℃の温度で、ＨＣｌ＋Ｏ2 ガス中で２０時間処理した
後、１２５０℃の温度で１時間アニール処理を行い、処
理したシリコンウエハの特性を測定したところ、Ａｌ濃
度，ライフタイム（Ｌｉｆｅ Ｔｉｍｅ）及びＯＳＦ
（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉ
ｎｇＦａｕｌｔ）は、表２に示すようになった。
【００１２】
【表２】
【００１３】表２から、本発明に係る実施例１〜３のＳ
ｉＣ膜をコーティングしたＳｉ含浸ＳｉＣ焼結体からな
る均熱管等の半導体ウエハ処理具によれば、シリコンウ
エハのＡｌ含有量が０．３ppm 以下、ライフタイムが４
８０〜５４０μsec 、ＯＳＦが零となることがわかる。
ｉＣ膜をコーティングしたＳｉ含浸ＳｉＣ焼結体からな
る均熱管等の半導体ウエハ処理具によれば、シリコンウ
エハのＡｌ含有量が０．３ppm 以下、ライフタイムが４
８０〜５４０μsec 、ＯＳＦが零となることがわかる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の半
導体ウエハ処理具によれば、ＳｉＣ焼結体の結晶構造の
うちの菱面体晶系（１５Ｒ）が、螺旋転位を介して成長
する結晶構造であって転位芯や積層欠陥を多数含み、こ
れらが拡散パスとなって不純物の短回路拡散を誘起し、
ＳｉＣ焼結体製造時におけるＳｉＣ焼結体の純化処理に
際し、ＳｉＣ粒子の内部に封じ込められているＦｅやＡ
ｌ等の不純物を、ＳｉＣ粒子のＳｉがエッチングされな
い１５００〜１６００℃程度の温度でもＨＣｌ雰囲気下
で容易除去できるので、高強度、かつ緻密で高純度とす
ることができ、ひいては半導体ウエハの汚染を大幅に低
減でき、かつ加工の際にチッピングを生じ難く、高精度
で微細な加工を施すことができる。第２の半導体ウエハ
処理具によれば、第１のものの作用効果の他、ＳｉＣ焼
結体の空隙が高純度Ｓｉで充填されるので、不純物ガス
の吸蔵を防止することができる。又、第３の半導体ウエ
ハ処理具によれば、第２のものの作用効果の他、高純度
Ｓｉを含浸した高純度ＳｉＣ焼結体が高純度で緻密なＳ
ｉＣ膜でコーティングされるので、使用後の洗浄等によ
る損傷を受け難くなり、耐用性を高めることができる。
導体ウエハ処理具によれば、ＳｉＣ焼結体の結晶構造の
うちの菱面体晶系（１５Ｒ）が、螺旋転位を介して成長
する結晶構造であって転位芯や積層欠陥を多数含み、こ
れらが拡散パスとなって不純物の短回路拡散を誘起し、
ＳｉＣ焼結体製造時におけるＳｉＣ焼結体の純化処理に
際し、ＳｉＣ粒子の内部に封じ込められているＦｅやＡ
ｌ等の不純物を、ＳｉＣ粒子のＳｉがエッチングされな
い１５００〜１６００℃程度の温度でもＨＣｌ雰囲気下
で容易除去できるので、高強度、かつ緻密で高純度とす
ることができ、ひいては半導体ウエハの汚染を大幅に低
減でき、かつ加工の際にチッピングを生じ難く、高精度
で微細な加工を施すことができる。第２の半導体ウエハ
処理具によれば、第１のものの作用効果の他、ＳｉＣ焼
結体の空隙が高純度Ｓｉで充填されるので、不純物ガス
の吸蔵を防止することができる。又、第３の半導体ウエ
ハ処理具によれば、第２のものの作用効果の他、高純度
Ｓｉを含浸した高純度ＳｉＣ焼結体が高純度で緻密なＳ
ｉＣ膜でコーティングされるので、使用後の洗浄等によ
る損傷を受け難くなり、耐用性を高めることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｔ Ｃ０４Ｂ 35/56 １０１Ｘ
Claims (5)
- 【請求項１】 菱面体晶系（１５Ｒ）が１５％以上で、
六方晶系（２Ｈ，４Ｈ，６Ｈ）が８５％以下の結晶構造
を有する高純度ＳｉＣ焼結体からなることを特徴とする
半導体ウエハ処理具。 - 【請求項２】 前記高純度ＳｉＣ焼結体に高純度Ｓｉを
含浸したことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ
処理具。 - 【請求項３】 前記高純度Ｓｉが含浸された高純度Ｓｉ
Ｃ焼結体にＣＶＤ法による高純度で緻密なＳｉＣ膜をコ
ーティングしたことを特徴とする請求項２記載の半導体
ウエハ処理具。 - 【請求項４】 前記六方晶系のうち、４Ｈの結晶が１％
以下であることを特徴とする請求項１，２又は３記載の
半導体ウエハ処理具。 - 【請求項５】 前記高純度ＳｉＣ焼結体のＦｅ含有量が
０．１ppm 以下で、Ａｌ含有量が１０ppm 以下であるこ
とを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の半導体ウ
エハ処理具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21925596A JP3642446B2 (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 半導体ウエハ処理具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21925596A JP3642446B2 (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | 半導体ウエハ処理具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000281328A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体装置部材用の精製炭化珪素粉末とその精製方法、及び該粉末から得られる半導体装置部材用焼結体とその製造方法 |
| US6699401B1 (en) | 2000-02-15 | 2004-03-02 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Method for manufacturing Si-SiC member for semiconductor heat treatment |
| KR100867961B1 (ko) | 2007-12-14 | 2008-11-10 | 주식회사 월덱스 | 알파형 에스아이씨- 베타형 에스아이씨 결합형 반응소결에스아이씨 소재와 제조 방법 및 그 소재를 이용한 이체형플라즈마 챔버 캐소드 |
| WO2012043752A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 日本碍子株式会社 | 炭化珪素質セラミックスの製造方法及びハニカム構造体の製造方法 |
| WO2021132003A1 (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 株式会社フェローテックマテリアルテクノロジーズ | ＳｉＣとＳｉによる混合部材および製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138913A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体拡散炉管の製造方法 |
| JPS6311589A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-19 | イビデン株式会社 | 耐熱性治具及びその製造方法 |
| JPS6335452A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | 東芝セラミツクス株式会社 | 半導体拡散炉用構成部材の製造方法 |
| JPS6472964A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Shinetsu Chemical Co | Production of silicon carbide jig for semiconductor diffusion furnace |
| JPH01282153A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 炭化珪素質反応管 |
| JPH0465374A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-02 | Asahi Glass Co Ltd | シリコン含浸炭化珪素質セラミックスへの炭化珪素被膜の形成方法 |
| JPH054870A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-14 | Kyocera Corp | 高靱性炭化珪素質焼結体 |
-
1996
- 1996-08-01 JP JP21925596A patent/JP3642446B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138913A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体拡散炉管の製造方法 |
| JPS6311589A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-19 | イビデン株式会社 | 耐熱性治具及びその製造方法 |
| JPS6335452A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | 東芝セラミツクス株式会社 | 半導体拡散炉用構成部材の製造方法 |
| JPS6472964A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Shinetsu Chemical Co | Production of silicon carbide jig for semiconductor diffusion furnace |
| JPH01282153A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 炭化珪素質反応管 |
| JPH0465374A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-02 | Asahi Glass Co Ltd | シリコン含浸炭化珪素質セラミックスへの炭化珪素被膜の形成方法 |
| JPH054870A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-14 | Kyocera Corp | 高靱性炭化珪素質焼結体 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000281328A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体装置部材用の精製炭化珪素粉末とその精製方法、及び該粉末から得られる半導体装置部材用焼結体とその製造方法 |
| US6699401B1 (en) | 2000-02-15 | 2004-03-02 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Method for manufacturing Si-SiC member for semiconductor heat treatment |
| KR100867961B1 (ko) | 2007-12-14 | 2008-11-10 | 주식회사 월덱스 | 알파형 에스아이씨- 베타형 에스아이씨 결합형 반응소결에스아이씨 소재와 제조 방법 및 그 소재를 이용한 이체형플라즈마 챔버 캐소드 |
| WO2012043752A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 日本碍子株式会社 | 炭化珪素質セラミックスの製造方法及びハニカム構造体の製造方法 |
| EP2623483A1 (en) * | 2010-09-29 | 2013-08-07 | NGK Insulators, Ltd. | Method for producing silicon carbide ceramic and method for producing honeycomb structure |
| EP2623483A4 (en) * | 2010-09-29 | 2014-04-30 | Ngk Insulators Ltd | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SILICON CARBIDE CERAMICS AND PROCESS FOR PRODUCING A HONEYCOMB STRUCTURE |
| US9120706B2 (en) | 2010-09-29 | 2015-09-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing silicon carbide ceramic and method for producing honeycomb structure |
| WO2021132003A1 (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 株式会社フェローテックマテリアルテクノロジーズ | ＳｉＣとＳｉによる混合部材および製造方法 |
| KR20210154192A (ko) * | 2019-12-23 | 2021-12-20 | 가부시키가이샤 페로텍 머티리얼 테크놀로지즈 | SiC와 Si에 의한 혼합 부재 및 제조 방법 |
| CN113874338A (zh) * | 2019-12-23 | 2021-12-31 | 飞罗得材料技术股份有限公司 | 基于SiC和Si的混合部件和制造方法 |
| TWI811602B (zh) * | 2019-12-23 | 2023-08-11 | 日商飛羅得材料技術有限公司 | SiC與Si的混合部件及製造方法 |
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