JPS5950086B2 - 半導体用治具 - Google Patents
半導体用治具Info
- Publication number
- JPS5950086B2 JPS5950086B2 JP11805875A JP11805875A JPS5950086B2 JP S5950086 B2 JPS5950086 B2 JP S5950086B2 JP 11805875 A JP11805875 A JP 11805875A JP 11805875 A JP11805875 A JP 11805875A JP S5950086 B2 JPS5950086 B2 JP S5950086B2
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- Japan
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- semiconductor
- jig
- copper
- silicon
- silicon wafer
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体用治具に関し、詳しくは不純物の揮散
を少なくしシリコンウェハーの汚染を防止した炭化珪素
質の半導体用治具に係わるものである。
を少なくしシリコンウェハーの汚染を防止した炭化珪素
質の半導体用治具に係わるものである。
従来、半導体用治具としては、操業時これに載置するシ
リコンウェハーの汚染を防止するために超高純度の石英
ガラス製のものが使用されている。
リコンウェハーの汚染を防止するために超高純度の石英
ガラス製のものが使用されている。
し力士ながら、これらの半導体用治具はシリコンウェハ
ーを熱処理した後、その都度ＨＦ一ＨＮＯ３混酸で洗浄
処理されるため、表面が浸蝕されて短期間で使用不可能
となる欠点があつた。また、操業時、機械的衝撃等によ
り亀裂を生しるという欠点があつた。これに対して、か
かる欠点を改善するために耐蝕性、耐機械的衝撃および
耐熱衝撃性の優れた炭化珪素質の半導体用治具が提案さ
れている。
ーを熱処理した後、その都度ＨＦ一ＨＮＯ３混酸で洗浄
処理されるため、表面が浸蝕されて短期間で使用不可能
となる欠点があつた。また、操業時、機械的衝撃等によ
り亀裂を生しるという欠点があつた。これに対して、か
かる欠点を改善するために耐蝕性、耐機械的衝撃および
耐熱衝撃性の優れた炭化珪素質の半導体用治具が提案さ
れている。
しかし、この半導体治具はその原料或いは製造過程にお
いて銅などの不純物が混入するため、操業時、高温度に
なつた半導体用治具から銅などの不純物が揮散し、これ
によつてシリコンウェハーを汚染して得られた半導体に
エッチピット （結晶転位）が多数発生したり、ライフ
タイムが著しく短かくなるという欠点があつた。このよ
うなことから、本発明者は操業時の高温度下でシリコン
ウェハーの汚染を防止するため鋭意研究を重ねた結果、
炭化珪素質の半導体用治具における銅の含有量を規制し
、かつシリコンウェハー１枚当りの該治具の重量を規制
することによつて、その半導体用治具からの銅の揮散化
をシリコンウェハーを汚染しない程度に抑制でき、エッ
チピットの発生が全くなく、かつライフタイムが極めて
長い半導体を製造できる安価な半導体用治具を見い出し
たものである。
いて銅などの不純物が混入するため、操業時、高温度に
なつた半導体用治具から銅などの不純物が揮散し、これ
によつてシリコンウェハーを汚染して得られた半導体に
エッチピット （結晶転位）が多数発生したり、ライフ
タイムが著しく短かくなるという欠点があつた。このよ
うなことから、本発明者は操業時の高温度下でシリコン
ウェハーの汚染を防止するため鋭意研究を重ねた結果、
炭化珪素質の半導体用治具における銅の含有量を規制し
、かつシリコンウェハー１枚当りの該治具の重量を規制
することによつて、その半導体用治具からの銅の揮散化
をシリコンウェハーを汚染しない程度に抑制でき、エッ
チピットの発生が全くなく、かつライフタイムが極めて
長い半導体を製造できる安価な半導体用治具を見い出し
たものである。
すなわち、本発明は銅の含有量が５０ｐμｍ以下の炭化
珪素からなり、かつ載置するシリコンウェハー１枚当り
の重量を０．３〜３ｇにしてなるものである。この場合
、銅の含有量のみを限定しても、シリコンウェハー１枚
当りの重量が大きい場合には治具からの銅の揮散化を抑
制することができず、銅の含有量とシリコンウェハー１
枚当の重量との両方を限定することにより始めて半導体
用治具からの銅の揮散化を抑制でき、操業時におけるシ
リコンウェハーの汚染を防止できるものである。以下、
本発明を詳細に説明する。
珪素からなり、かつ載置するシリコンウェハー１枚当り
の重量を０．３〜３ｇにしてなるものである。この場合
、銅の含有量のみを限定しても、シリコンウェハー１枚
当りの重量が大きい場合には治具からの銅の揮散化を抑
制することができず、銅の含有量とシリコンウェハー１
枚当の重量との両方を限定することにより始めて半導体
用治具からの銅の揮散化を抑制でき、操業時におけるシ
リコンウェハーの汚染を防止できるものである。以下、
本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体用治具は銅の含有量が５０ｐμｍ以下の
炭化珪素からなり、載置するシリコンウエハ一１枚当り
の重量を０．３〜３ｇにしてなるものである。
炭化珪素からなり、載置するシリコンウエハ一１枚当り
の重量を０．３〜３ｇにしてなるものである。
このように銅の含有量を限定した理由は、この銅が５０
ｐｐｍを超えると、操業時、半導体用治具からの銅の揮
散化が激しくなり、シリコンウエハ一を汚染するからで
ある。またシリコンウエハ一１枚当りに対する半導体用
治具の重量を限定した理由は、この治具の重量が０．３
ｇ未満にすると、該シリコンウエハ一を載置した場合、
強度的にもたず、一方その治具の重量が３ｇを超えると
、シリコンウエハ一に対する揮散化した銅の付着量が増
大して該シリコンウエハ一を汚染するからである。なお
、使用するシリコンウエハ一の形状、大きさは通常の規
格品を使用すればよい。
ｐｐｍを超えると、操業時、半導体用治具からの銅の揮
散化が激しくなり、シリコンウエハ一を汚染するからで
ある。またシリコンウエハ一１枚当りに対する半導体用
治具の重量を限定した理由は、この治具の重量が０．３
ｇ未満にすると、該シリコンウエハ一を載置した場合、
強度的にもたず、一方その治具の重量が３ｇを超えると
、シリコンウエハ一に対する揮散化した銅の付着量が増
大して該シリコンウエハ一を汚染するからである。なお
、使用するシリコンウエハ一の形状、大きさは通常の規
格品を使用すればよい。
また半導体用治具の形状は軽重量で充分な強度を付与せ
しめるという観点から、内部が中空状のもの、ボート状
、或いは逆ポート状のものを使用することが望ましい。
さらに、半導体用治具中の銅以外の付純物、たとえば鉄
、アルカリ金属、マンガン、クロ．ム等が多量混入し、
シリコンウエハ一に悪影響を及ぼす場合はこれらの不純
物の含有量を抑制することが望ましい。しかして、本発
明における半導体用治具をうるための製造方法について
、一例を示して説明する：が、この方法に限定されない
ことは勿論である。
しめるという観点から、内部が中空状のもの、ボート状
、或いは逆ポート状のものを使用することが望ましい。
さらに、半導体用治具中の銅以外の付純物、たとえば鉄
、アルカリ金属、マンガン、クロ．ム等が多量混入し、
シリコンウエハ一に悪影響を及ぼす場合はこれらの不純
物の含有量を抑制することが望ましい。しかして、本発
明における半導体用治具をうるための製造方法について
、一例を示して説明する：が、この方法に限定されない
ことは勿論である。
まず高純度の矩形状炭素質成形体を高純度の珪石粉と炭
粉からなる詰粉中に埋め込み、２０００〜２０５０℃の
温度下で加熱処理し、該成形体表面に炭化珪素をコーテ
イングした後、コーテイング層を．有する成形体の両端
部を切除して、内部の炭素を露出させた後、これを酸素
雰囲気下にて５００℃の温度で加熱して内部を揮散除去
し、銅の含有量が５０ｐｐｍ以下の中空状半導体用治具
を造る。しかして本発明の半導体用治具は操業時の高温
．度下で銅の揮散化を抑制できるとともに、載置したシ
リコンウエハ一１枚当りの銅の付着量を著しく減少でき
るため、シリコンウエハ一の汚染を防止し、エツチピツ
トの発生が少なく、かつライフタイムが長い極めて高品
質のシリコン半導体を製′造できる。なお炭素質成形体
に炭化珪素コーテイング層を形成する方法はＣ．Ｖ．Ｄ
法あるいはＳｉ３Ｎ，を分解して得た珪素蒸気を使用す
る方法等いずれの方法でもよい。
粉からなる詰粉中に埋め込み、２０００〜２０５０℃の
温度下で加熱処理し、該成形体表面に炭化珪素をコーテ
イングした後、コーテイング層を．有する成形体の両端
部を切除して、内部の炭素を露出させた後、これを酸素
雰囲気下にて５００℃の温度で加熱して内部を揮散除去
し、銅の含有量が５０ｐｐｍ以下の中空状半導体用治具
を造る。しかして本発明の半導体用治具は操業時の高温
．度下で銅の揮散化を抑制できるとともに、載置したシ
リコンウエハ一１枚当りの銅の付着量を著しく減少でき
るため、シリコンウエハ一の汚染を防止し、エツチピツ
トの発生が少なく、かつライフタイムが長い極めて高品
質のシリコン半導体を製′造できる。なお炭素質成形体
に炭化珪素コーテイング層を形成する方法はＣ．Ｖ．Ｄ
法あるいはＳｉ３Ｎ，を分解して得た珪素蒸気を使用す
る方法等いずれの方法でもよい。
次に、この発明の実施例を説明する。
実施例
炭素質成形体（大きさ２００ｍｍ”×３０ｍｍＷ×３０
ｍｍＨ）を高純度の珪石粉と炭粉とが７：３ （重量比
）で混入した詰粉中に理め込み、２０５０℃の温度下に
て加熱処理して該成形体表面に膜厚１ｍｍの炭化珪素の
コーテイング層を形成した。
ｍｍＨ）を高純度の珪石粉と炭粉とが７：３ （重量比
）で混入した詰粉中に理め込み、２０５０℃の温度下に
て加熱処理して該成形体表面に膜厚１ｍｍの炭化珪素の
コーテイング層を形成した。
つづいて、この成形体の両端を４ｍｍ切断して切断面に
炭素を露出せしめた後、これを酸素雰囲気にて５００℃
の温度下で加熱して内部の炭素質成形体を揮散除去し、
銅の含有量１５ｐｐｍ、重量１０ｇの中空状半導体用治
具を得た。これに対し、比較例として炭化珪素粉末にタ
ールピツチを添加して棒状に成形した後、一次焼成し、
その焼成体を珪石粉と炭粉とからなる詰粉中に埋め込み
、２０５０℃の温度下で再結晶せしめて銅の含有量７５
ｐｐｍ、重量２００ｇの棒状半導体用治具を得た。
炭素を露出せしめた後、これを酸素雰囲気にて５００℃
の温度下で加熱して内部の炭素質成形体を揮散除去し、
銅の含有量１５ｐｐｍ、重量１０ｇの中空状半導体用治
具を得た。これに対し、比較例として炭化珪素粉末にタ
ールピツチを添加して棒状に成形した後、一次焼成し、
その焼成体を珪石粉と炭粉とからなる詰粉中に埋め込み
、２０５０℃の温度下で再結晶せしめて銅の含有量７５
ｐｐｍ、重量２００ｇの棒状半導体用治具を得た。
しかして、上記実施例および比較例の半導体用治具にそ
れぞれ３″のシリコンウエハ一を２０枚（実施例の場合
はシリコンウエハ一１枚当りの重量が０．５ｇ、比較例
の場合はその重量が１０ｇ）してシリコン半導体を製造
した。
れぞれ３″のシリコンウエハ一を２０枚（実施例の場合
はシリコンウエハ一１枚当りの重量が０．５ｇ、比較例
の場合はその重量が１０ｇ）してシリコン半導体を製造
した。
Claims (1)
- １ 銅の含有量が５０ｐｐｍ以下の炭化珪素からなり、
かつ載置するシリコンウェハー１枚当りの重量を０．３
〜３ｇにしてなる半導体用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11805875A JPS5950086B2 (ja) | 1975-09-30 | 1975-09-30 | 半導体用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11805875A JPS5950086B2 (ja) | 1975-09-30 | 1975-09-30 | 半導体用治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5242365A JPS5242365A (en) | 1977-04-01 |
| JPS5950086B2 true JPS5950086B2 (ja) | 1984-12-06 |
Family
ID=14726962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11805875A Expired JPS5950086B2 (ja) | 1975-09-30 | 1975-09-30 | 半導体用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950086B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62138378U (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | ||
| JPH0441456Y2 (ja) * | 1987-10-30 | 1992-09-29 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS552664B2 (ja) * | 1973-06-12 | 1980-01-21 | ||
| DE2915367A1 (de) * | 1979-04-14 | 1980-10-30 | Max Planck Gesellschaft | Optische indikatormessung |
-
1975
- 1975-09-30 JP JP11805875A patent/JPS5950086B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62138378U (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | ||
| JPH0441456Y2 (ja) * | 1987-10-30 | 1992-09-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5242365A (en) | 1977-04-01 |
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