JP2625880B2 - ＳｉＣ製サセプタの製造方法 - Google Patents
ＳｉＣ製サセプタの製造方法Info
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- JP2625880B2 JP2625880B2 JP63118884A JP11888488A JP2625880B2 JP 2625880 B2 JP2625880 B2 JP 2625880B2 JP 63118884 A JP63118884 A JP 63118884A JP 11888488 A JP11888488 A JP 11888488A JP 2625880 B2 JP2625880 B2 JP 2625880B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はSiCのみよりなるサセプタを製造する方法に
係り、特に中空のSiC製サセプタの製造方法に関する。
係り、特に中空のSiC製サセプタの製造方法に関する。
［従来の技術］ シリコンウェハ等を表面処理する際、ウェハを保持す
るための座ぐり面が形成されたサセプタが用いられる。
従来、一般に提供されるサセプタは、高純度処理された
等方性黒鉛にCVD法によりSiC（炭化珪素）被膜を形成し
たものである（特公昭53−39234）。
るための座ぐり面が形成されたサセプタが用いられる。
従来、一般に提供されるサセプタは、高純度処理された
等方性黒鉛にCVD法によりSiC（炭化珪素）被膜を形成し
たものである（特公昭53−39234）。
［発明が解決しようとする課題］ 上記従来品では基体が黒鉛製とされている。この黒鉛
基体はたとえ高純度処理されたものであっても、微量の
不純物混入を避けることはできない。このため、使用過
程において、CVD−SiC被膜にピンホールやマイクロクラ
ック等の被膜欠陥が生じた場合には、黒鉛基体中の不純
物が被膜の欠陥部から侵出し、ウェハを汚染するという
問題があった。
基体はたとえ高純度処理されたものであっても、微量の
不純物混入を避けることはできない。このため、使用過
程において、CVD−SiC被膜にピンホールやマイクロクラ
ック等の被膜欠陥が生じた場合には、黒鉛基体中の不純
物が被膜の欠陥部から侵出し、ウェハを汚染するという
問題があった。
本発明は上記従来の問題点を解決し、不純物汚染の問
題がなく寸法精度、取り扱い性等にも優れたSiC製サセ
プタの製造方法を提供することを目的とする。
題がなく寸法精度、取り扱い性等にも優れたSiC製サセ
プタの製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明のSiC製サセプタ製造方法は、燃焼除去又は溶
解除去可能な材質からなり、ウェハ保持用の座ぐり面が
形成された板状であって、かつ板面に１又は２以上の貫
通孔を有する基体を用いる。まず、基体の表面に、CVD
処理によりSiC被膜を形成し、次いで前記板状基体を燃
焼又は溶解させる。これにより基体の両板面に形成され
たSiC被膜同志を前記貫通孔の内周面に形成されたSiCで
連結してなるサセプタを製造する。
解除去可能な材質からなり、ウェハ保持用の座ぐり面が
形成された板状であって、かつ板面に１又は２以上の貫
通孔を有する基体を用いる。まず、基体の表面に、CVD
処理によりSiC被膜を形成し、次いで前記板状基体を燃
焼又は溶解させる。これにより基体の両板面に形成され
たSiC被膜同志を前記貫通孔の内周面に形成されたSiCで
連結してなるサセプタを製造する。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図〜第５図は本発明のSiC製サセプタの製造方法
の一実施例方法を説明する図である。
の一実施例方法を説明する図である。
本発明においては、基体として燃焼除去又は溶解除去
可能な材質からなり、かつ第１図及び第２図に示すよう
に、ウェハ保持用の座ぐり面２が形成された板状であっ
て、板面に複数の貫通孔３を有する基体１を用いる。こ
の基体１としては、CVD処理温度に耐え得る材質のもの
が用いられる。その形状、大きさは、所望とするサセプ
タよりもCVD被膜の厚さ分だけ小さいものを用いる。
可能な材質からなり、かつ第１図及び第２図に示すよう
に、ウェハ保持用の座ぐり面２が形成された板状であっ
て、板面に複数の貫通孔３を有する基体１を用いる。こ
の基体１としては、CVD処理温度に耐え得る材質のもの
が用いられる。その形状、大きさは、所望とするサセプ
タよりもCVD被膜の厚さ分だけ小さいものを用いる。
燃焼除去できる基体としては、炭素（その結晶形態の
いかんを問わない）などの他、合成樹脂や紙なども用い
ることができる。また溶解除去できる基体としては、ア
ルミニウムやニッケル、モリブデン、タングステン等の
金属や有機溶剤にて溶解する合成樹脂等が挙げられる。
いかんを問わない）などの他、合成樹脂や紙なども用い
ることができる。また溶解除去できる基体としては、ア
ルミニウムやニッケル、モリブデン、タングステン等の
金属や有機溶剤にて溶解する合成樹脂等が挙げられる。
基体１に穿設される貫通孔３は、図示の如く均等に分
布させるのが好適である。また、貫通孔３の直径や設置
個数は任意であるが、通常の場合、直径５〜10mm程度の
貫通孔を100cm2当り３〜５個程度設けるのが好適であ
る。この貫通孔３は円孔、角孔のいずれでも良い。
布させるのが好適である。また、貫通孔３の直径や設置
個数は任意であるが、通常の場合、直径５〜10mm程度の
貫通孔を100cm2当り３〜５個程度設けるのが好適であ
る。この貫通孔３は円孔、角孔のいずれでも良い。
このような基体１に、本発明においてはCVD処理を施
し、第３図に示す如く、その外表面及び貫通孔３内にSi
C被膜４を形成する。SiC被膜４を形成するには、常法に
従って行なえば良く、例えば基体をCVD処理装置内に装
入し、適当なCVD反応温度に加熱して、CVD−SiC原料ガ
スを導入すれば良い。SiCのCVD反応に用いられる原料ガ
スは、各種のものが知られており、本発明ではいずれの
ものも採用できる。例えば、よく知られているように、
CH3SiCl3を熱分解させることによりSiCを蒸着させるこ
とができる。またSiCl4とCH4等のハイドロカーボンを反
応させることによってもSiCを得ることができる。
し、第３図に示す如く、その外表面及び貫通孔３内にSi
C被膜４を形成する。SiC被膜４を形成するには、常法に
従って行なえば良く、例えば基体をCVD処理装置内に装
入し、適当なCVD反応温度に加熱して、CVD−SiC原料ガ
スを導入すれば良い。SiCのCVD反応に用いられる原料ガ
スは、各種のものが知られており、本発明ではいずれの
ものも採用できる。例えば、よく知られているように、
CH3SiCl3を熱分解させることによりSiCを蒸着させるこ
とができる。またSiCl4とCH4等のハイドロカーボンを反
応させることによってもSiCを得ることができる。
SiC被膜４の厚さは、特に限定はされず、得られるサ
セプタに要求される強度を満たす肉厚となるようにCVD
処理条件を選定する。通常の場合、SiC被膜４の厚さは3
00〜1000μｍ程度とするのが好ましい。SiC被膜４の厚
さは、例えばCVD処理時間を長短調整することにより、
容易に調整を行なうことが可能である。
セプタに要求される強度を満たす肉厚となるようにCVD
処理条件を選定する。通常の場合、SiC被膜４の厚さは3
00〜1000μｍ程度とするのが好ましい。SiC被膜４の厚
さは、例えばCVD処理時間を長短調整することにより、
容易に調整を行なうことが可能である。
CVD処理を行うことにより、貫通孔３の内周面にもSiC
が蒸着し、基体１の両板面のSiC被膜４が貫通孔３の内
周面のSiCによって連結されるようになる。この貫通孔
３の内周面に形成されたSiCは、後述するリブ７とな
る。
が蒸着し、基体１の両板面のSiC被膜４が貫通孔３の内
周面のSiCによって連結されるようになる。この貫通孔
３の内周面に形成されたSiCは、後述するリブ７とな
る。
このようなSiC被膜４の析出を行なった後、基体１の
除去を行なう。この基体の除去を行なうには、前述のよ
うに燃焼除去又は溶解除去を行なう。燃焼除去を行なう
には、一部SiC蒸着膜を除去、基体を露出させ、酸化雰
囲気中において基体が燃焼する温度領域に保持すればよ
い。この際、燃焼処理温度をCVD処理温度と等しくする
ことにより、基体とSiC被膜との熱膨張差に起因する熱
応力の発生を低減することができる。また、CVD処理温
度とは異なる温度で基体を燃焼させても良いことは明ら
かである。
除去を行なう。この基体の除去を行なうには、前述のよ
うに燃焼除去又は溶解除去を行なう。燃焼除去を行なう
には、一部SiC蒸着膜を除去、基体を露出させ、酸化雰
囲気中において基体が燃焼する温度領域に保持すればよ
い。この際、燃焼処理温度をCVD処理温度と等しくする
ことにより、基体とSiC被膜との熱膨張差に起因する熱
応力の発生を低減することができる。また、CVD処理温
度とは異なる温度で基体を燃焼させても良いことは明ら
かである。
基体を溶解除去させる場合、例えば基体がアルミニウ
ムやニッケル等の金属であるならば、適当な濃度の酸を
用いる。また、アルミニウムはアルカリでも溶解除去す
ることが可能である。更に、基体が合成樹脂である場
合、それを適度な速さで溶解し得る有機溶剤を用いても
良い。
ムやニッケル等の金属であるならば、適当な濃度の酸を
用いる。また、アルミニウムはアルカリでも溶解除去す
ることが可能である。更に、基体が合成樹脂である場
合、それを適度な速さで溶解し得る有機溶剤を用いても
良い。
なお、このようにして基体１の除去を行なうに先立っ
て、第４図の如く、SiC被膜４の少なくとも一箇所に開
口５を設け、除去すべき基体１を外部に露出させ、基体
１の燃焼除去もしくは溶解除去に際してのガス又は液体
の通路部を形成するのが好ましい。開口５は、座ぐり面
以外の部分に設けるのが好ましい。開口５の形成方法に
は特に制限はなく、研磨や研削など適当な方法で孔明け
加工しても良く、また、開口を形成する部分にSiC被膜
を形成させないような対策を講じておけば、孔明け加工
は不要である。（例えば、基体の一部にレーザを照射し
て当該部分をCVD析出温度以上に加熱しておくと、局部
的な開口５を有するCVD−SiC被膜を形成できる。）開口
５の大きさや設置個数等についても特に制限はない。
て、第４図の如く、SiC被膜４の少なくとも一箇所に開
口５を設け、除去すべき基体１を外部に露出させ、基体
１の燃焼除去もしくは溶解除去に際してのガス又は液体
の通路部を形成するのが好ましい。開口５は、座ぐり面
以外の部分に設けるのが好ましい。開口５の形成方法に
は特に制限はなく、研磨や研削など適当な方法で孔明け
加工しても良く、また、開口を形成する部分にSiC被膜
を形成させないような対策を講じておけば、孔明け加工
は不要である。（例えば、基体の一部にレーザを照射し
て当該部分をCVD析出温度以上に加熱しておくと、局部
的な開口５を有するCVD−SiC被膜を形成できる。）開口
５の大きさや設置個数等についても特に制限はない。
このような基体１の除去により、第５図に示すよう
に、中空部６内に柱状のリブ７が形成された中空体SiC
製サセプタ８が得られる。
に、中空部６内に柱状のリブ７が形成された中空体SiC
製サセプタ８が得られる。
なお、このSiC製サセプタ８の開口５は、更にCVD処理
を施すことにより封じても良いが、サセプタの使用に支
障がない場合には、開口５をそのまま残しても良い。
を施すことにより封じても良いが、サセプタの使用に支
障がない場合には、開口５をそのまま残しても良い。
このような本発明の方法において、製造するサセプタ
の形状、大きさ等には特に制限はなく、強度等に支障の
ない範囲であれば、小型のものから、大型のものまで任
意に製造することができる。また、リブの形成個数、形
成箇所についても制限はなく、サセプタの大きさ、形状
等に応じて適宜設定し得る。
の形状、大きさ等には特に制限はなく、強度等に支障の
ない範囲であれば、小型のものから、大型のものまで任
意に製造することができる。また、リブの形成個数、形
成箇所についても制限はなく、サセプタの大きさ、形状
等に応じて適宜設定し得る。
第１〜５図では、サセプタの一方の面にのみ座ぐり面
２が形成されているが、双方の面に形成しても良い。
２が形成されているが、双方の面に形成しても良い。
なお、第１図〜第５図においては、柱状のリブ７が形
成される場合について示したが、基体に形成した貫通孔
が比較的大きい場合には、第６図に示す如く、貫通孔9a
を有する筒状のリブ９が形成される場合もある。
成される場合について示したが、基体に形成した貫通孔
が比較的大きい場合には、第６図に示す如く、貫通孔9a
を有する筒状のリブ９が形成される場合もある。
［作用］ 本発明で製造されるSiC製サセプタは、CVD−SiCのみ
で構成されるため、使用過程において、ピンホールやマ
イクロクラック等の欠陥が生じた場合においても黒鉛中
の不純物によるウェハの汚染がない。
で構成されるため、使用過程において、ピンホールやマ
イクロクラック等の欠陥が生じた場合においても黒鉛中
の不純物によるウェハの汚染がない。
また、CVD−SiC被膜で形成される中空体であるため、
反りや歪等がなく、寸法精度に優れる。因みに、CVD−S
iC製の中実板状体にあっては、反りや歪等が生じ易く、
十分な形状精度が得られない。これに対し、本発明で得
られる中空形状のSiC製サセプタであれば、著しく優れ
た形状精度得られる。
反りや歪等がなく、寸法精度に優れる。因みに、CVD−S
iC製の中実板状体にあっては、反りや歪等が生じ易く、
十分な形状精度が得られない。これに対し、本発明で得
られる中空形状のSiC製サセプタであれば、著しく優れ
た形状精度得られる。
本発明方法で製造されたサセプタは、中空部にリブを
備えるため、剛性や強度も高い。
備えるため、剛性や強度も高い。
［実施例］ 以下、具体的な実施例について説明する。
実施例１ 第１図〜第５図に示す本発明の方法により、SiC製サ
セプタを製造した。
セプタを製造した。
130mm×400mm×7mm厚さで、直径100mm、深さ1.0mmの
座ぐり面及び直径8mmの貫通孔を９個有する黒鉛製基体
の表面にCVD法によりSiC被膜を形成した。
座ぐり面及び直径8mmの貫通孔を９個有する黒鉛製基体
の表面にCVD法によりSiC被膜を形成した。
即ち、この基体をCVD処理装置内に装入し、1500℃に
加熱した状態でCVD原料ガスとしてSiCl4を0.6l/min、C3
H8を0.1l/minの割合で基体の表面に沿って流通させ、基
体表面及び貫通孔内に厚さ0.3mmのSiC被膜を形成した。
加熱した状態でCVD原料ガスとしてSiCl4を0.6l/min、C3
H8を0.1l/minの割合で基体の表面に沿って流通させ、基
体表面及び貫通孔内に厚さ0.3mmのSiC被膜を形成した。
次いで、処理装置から取り出し、裏面に直径20mmの開
口を明けた後、1000℃の大気雰囲気で基体の燃焼除去を
行なった。基体の燃焼除去処理により発生したCO、CO2
ガスは裏面の孔より排出される。
口を明けた後、1000℃の大気雰囲気で基体の燃焼除去を
行なった。基体の燃焼除去処理により発生したCO、CO2
ガスは裏面の孔より排出される。
得られたSiC製サセプタは130mm×400mm×7mm厚さで、
直径100mm、深さ1.0mmの座ぐり面が形成されたCVD−SiC
製中空体よりなるものであり、剛性が高く、寸法精度に
も優れるものであった。
直径100mm、深さ1.0mmの座ぐり面が形成されたCVD−SiC
製中空体よりなるものであり、剛性が高く、寸法精度に
も優れるものであった。
［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明のSiC製サセプタの製造方
法によれば、ウェハを不純物で汚染するおそれがなく、
かつ剛性、強度、寸法精度等に優れ、軽量で取り扱い性
に優れたSiC製サセプタを低コストにかつ容易に製造す
ることができる。
法によれば、ウェハを不純物で汚染するおそれがなく、
かつ剛性、強度、寸法精度等に優れ、軽量で取り扱い性
に優れたSiC製サセプタを低コストにかつ容易に製造す
ることができる。
第１図〜第５図は本発明のSiC製サセプタの製造方法の
一実施例方法を説明する図であって、第１図は基体の斜
視図、第２図は第１図II−II線に沿う断面図である。第
３図及び第４図は製造途中の断面図、第５図は製造され
たサセプタの断面図である。第６図は本発明の他の実施
例方法で製造されるSiC製サセプタの部分断面図であ
る。 １…基体、２…座ぐり面、３…貫通孔、４…SiC被膜、
７…リブ。
一実施例方法を説明する図であって、第１図は基体の斜
視図、第２図は第１図II−II線に沿う断面図である。第
３図及び第４図は製造途中の断面図、第５図は製造され
たサセプタの断面図である。第６図は本発明の他の実施
例方法で製造されるSiC製サセプタの部分断面図であ
る。 １…基体、２…座ぐり面、３…貫通孔、４…SiC被膜、
７…リブ。
Claims (1)
- 【請求項１】燃焼除去又は溶解除去可能な材質からな
り、ウェハ保持用の座ぐり面が形成された板状であっ
て、かつ板面に１又は２以上の貫通孔を有する基体の表
面に、CVD処理によりSiC被膜を形成し、 次いで前記板状基体を燃焼又は溶解させて除去すること
により、 基体の両板面に形成されたSiC被膜同志を前記貫通孔の
内周面に形成されたSiCで連結してなる中空SiC製サセプ
タを製造することを特徴とするSiC製サセプタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118884A JP2625880B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | ＳｉＣ製サセプタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118884A JP2625880B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | ＳｉＣ製サセプタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290520A JPH01290520A (ja) | 1989-11-22 |
| JP2625880B2 true JP2625880B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=14747523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63118884A Expired - Lifetime JP2625880B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | ＳｉＣ製サセプタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625880B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2628394B2 (ja) * | 1990-02-26 | 1997-07-09 | 東芝セラミックス株式会社 | サセプタ |
| JP7234703B2 (ja) * | 2019-03-11 | 2023-03-08 | 住友金属鉱山株式会社 | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法、及び、炭化ケイ素多結晶基板の製造装置 |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP63118884A patent/JP2625880B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01290520A (ja) | 1989-11-22 |
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