JPS61132595A - 有機金属熱分解気相結晶成長装置 - Google Patents
有機金属熱分解気相結晶成長装置Info
- Publication number
- JPS61132595A JPS61132595A JP24974784A JP24974784A JPS61132595A JP S61132595 A JPS61132595 A JP S61132595A JP 24974784 A JP24974784 A JP 24974784A JP 24974784 A JP24974784 A JP 24974784A JP S61132595 A JPS61132595 A JP S61132595A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- holding plate
- ring
- substrate
- crystal growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は有機金属熱分解気相、′吉晶成長装置に関す
る。
る。
有機金属熱分解気相結晶成長法は液相結晶成長法、気相
成長法と同様■−■族結晶の結晶成長方法として近年注
目されている技術である。近赤外可視半導体レーザの開
発もこの方法によってなされている。この方法の特徴と
しては、■大面積、■再現性、■均−注の面で他の方法
よりもすぐれている。しかしながら従来の方法でサセプ
ターの構造に問題を有していた。即ち術３図の断面図に
おいて、グラファイトａサセプター３０２上に基板保持
板３０１を置きその上に半導体基板３０３を置く。
成長法と同様■−■族結晶の結晶成長方法として近年注
目されている技術である。近赤外可視半導体レーザの開
発もこの方法によってなされている。この方法の特徴と
しては、■大面積、■再現性、■均−注の面で他の方法
よりもすぐれている。しかしながら従来の方法でサセプ
ターの構造に問題を有していた。即ち術３図の断面図に
おいて、グラファイトａサセプター３０２上に基板保持
板３０１を置きその上に半導体基板３０３を置く。
このサセプターを石英製反応炉内に入れ高周波誘導加熱
することにより半導体基板３０３を７００〜８００℃に
する。それと同時に水素ガス、有機金属及びドーピング
ガスを反応炉内に導入すると、有機金属及びドーピング
ガスはサセプターの近傍で熱分解し、半導体基板３０３
に結晶成長する。又基板保持板３０１．グラフアイトＦ
Ｊサセプター３０２上及び１１１１１面にも積層する。
することにより半導体基板３０３を７００〜８００℃に
する。それと同時に水素ガス、有機金属及びドーピング
ガスを反応炉内に導入すると、有機金属及びドーピング
ガスはサセプターの近傍で熱分解し、半導体基板３０３
に結晶成長する。又基板保持板３０１．グラフアイトＦ
Ｊサセプター３０２上及び１１１１１面にも積層する。
このため多数回グラファイト製サセプター３０２を使用
すると、基板保持板３０１がサセプター３０２の溝部に
入らなくなることｌこより、温度むらが半導体基板３０
３内に発生し、成長厚み２組成、及び結晶成長表面形態
が悪化することや、サセプター３０２の上側面の角部に
多結晶が針状に析出し、反応炉内からサセプター３０２
を挿出入する時の塵埃の発生原因となりていた。
すると、基板保持板３０１がサセプター３０２の溝部に
入らなくなることｌこより、温度むらが半導体基板３０
３内に発生し、成長厚み２組成、及び結晶成長表面形態
が悪化することや、サセプター３０２の上側面の角部に
多結晶が針状に析出し、反応炉内からサセプター３０２
を挿出入する時の塵埃の発生原因となりていた。
本発明は前述した従来装置の欠点を改良したもので、縦
型有機金属熱分解気相結晶成長装置において、グラファ
イトＮサセプターを多数回使用しても半導体基板内の温
度不均一や、塵埃発生を防止し、均一性、再現性の良い
成長結晶を得るためのサセプター改良した気相成長装置
を提供するこ 。
型有機金属熱分解気相結晶成長装置において、グラファ
イトＮサセプターを多数回使用しても半導体基板内の温
度不均一や、塵埃発生を防止し、均一性、再現性の良い
成長結晶を得るためのサセプター改良した気相成長装置
を提供するこ 。
とにある。
本発明は半導体基板を加熱するサセプターを２分割し、
一方は該サセプターの内周を摺動する基板保持板と一体
で分離可能としており、他方は該サセプター支持台から
取りはずさない構成となっている。又基板保持板と一体
で分離可能となるサセプターの材料を他方のサセプター
材料と異なる材料で作成されていることにより、結晶成
長膜の均一性、再現性の向上を計ったものである。
一方は該サセプターの内周を摺動する基板保持板と一体
で分離可能としており、他方は該サセプター支持台から
取りはずさない構成となっている。又基板保持板と一体
で分離可能となるサセプターの材料を他方のサセプター
材料と異なる材料で作成されていることにより、結晶成
長膜の均一性、再現性の向上を計ったものである。
本発明２分割サセプターを用いることにより、サセプタ
ー上部ＩＦＩｉ１面に付着する反応生成物による半導体
基板表面への反応生成物汚染を防止出来ることｌこより
高品質で均一性の高い結晶成長膜が得られる。又、グラ
ファイトサセプターの交換も・禰繁に行うことはなく、
上部サセプターの入れ函えを行うだけで良いため反応炉
内を不純物汚染から防ぐことが出来、高１４度結晶が得
られた。
ー上部ＩＦＩｉ１面に付着する反応生成物による半導体
基板表面への反応生成物汚染を防止出来ることｌこより
高品質で均一性の高い結晶成長膜が得られる。又、グラ
ファイトサセプターの交換も・禰繁に行うことはなく、
上部サセプターの入れ函えを行うだけで良いため反応炉
内を不純物汚染から防ぐことが出来、高１４度結晶が得
られた。
本発明の実施例の断面図を酊１図に示す。グラファイト
製サセプター１０３は高周波誘導４流を有効に吸収され
る材料である。その上部１ｃ基板保持仮１０１を乗せ、
その上（こ半４＃−甚板１０４を乗せである。基板保持
板１０１がサセプター１０３から落下しないようζζグ
ラファイト排サセプターリング１０２で固定しである。
製サセプター１０３は高周波誘導４流を有効に吸収され
る材料である。その上部１ｃ基板保持仮１０１を乗せ、
その上（こ半４＃−甚板１０４を乗せである。基板保持
板１０１がサセプター１０３から落下しないようζζグ
ラファイト排サセプターリング１０２で固定しである。
又、等阪保持板１０１の外径とサセプターリング１０２
の内径は摺動可能な精度で切削加工しである。嘉２図は
サセプター２０３とサセプターリング２０２を分離した
ものである。両者を合体させると基板保持板２０１はサ
セプターりング２０２の内面を摺動してその上面と一致
する。半導体基板２０４を石英製反応炉へ挿出入する時
はπ２図のようにして上部のサセプターリング２０２を
分離すれば良い。ここで例えば基板保持板２０１をサフ
ァイヤ板及びシリコン仮を用いれば、通常の４ＧａＡｓ
ｊＧａＡＪＡｓ、Ｉｎｐ、ＩｎＧａＡｓＰ等のＩ−Ｖ族
化合物半導体の結晶を成長しても王水等の酸処理によっ
て容易に再生可能である。又サセプターリング２０２の
上側面に横１した反応生成物の除去も容易に出来得る利
点がある。このサセプターリング材料をグラファイトで
はなく、石英等耐酸性材料で製作すれば、ｓｌＨ保持板
同様再生可能で、多数回の使用に供することが出来る。
の内径は摺動可能な精度で切削加工しである。嘉２図は
サセプター２０３とサセプターリング２０２を分離した
ものである。両者を合体させると基板保持板２０１はサ
セプターりング２０２の内面を摺動してその上面と一致
する。半導体基板２０４を石英製反応炉へ挿出入する時
はπ２図のようにして上部のサセプターリング２０２を
分離すれば良い。ここで例えば基板保持板２０１をサフ
ァイヤ板及びシリコン仮を用いれば、通常の４ＧａＡｓ
ｊＧａＡＪＡｓ、Ｉｎｐ、ＩｎＧａＡｓＰ等のＩ−Ｖ族
化合物半導体の結晶を成長しても王水等の酸処理によっ
て容易に再生可能である。又サセプターリング２０２の
上側面に横１した反応生成物の除去も容易に出来得る利
点がある。このサセプターリング材料をグラファイトで
はなく、石英等耐酸性材料で製作すれば、ｓｌＨ保持板
同様再生可能で、多数回の使用に供することが出来る。
鵠１図は本発明の一実施例の２分割サセプターの断面図
、第２図は本発明の一実施例の２分割サセプターの分離
断面図、奢３図は従来のサセプターの断面図である。 １０１．２０１・・・基１！ｉ保持阪、 １０２，２
０２・・・サセプターリング、１０３，２０３・・・サ
セプター、 １０４，２０４・・・半導体基板。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ばか１名）第１図 第２図 第８図
、第２図は本発明の一実施例の２分割サセプターの分離
断面図、奢３図は従来のサセプターの断面図である。 １０１．２０１・・・基１！ｉ保持阪、 １０２，２
０２・・・サセプターリング、１０３，２０３・・・サ
セプター、 １０４，２０４・・・半導体基板。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（ばか１名）第１図 第２図 第８図
Claims (2)
- （１）縦型有機金属熱分解気相結晶成長装置において、
半導体基板を加熱する円形サセプターが、上、下２分割
になり、上部サセプターに円形の基板保持板が設置され
、該基板保持板が上部サセプターの孔の内周部を上、下
に摺動可能となっており、且つ該基板保持板と上部サセ
プターが一体で下部サセプターと分離出来ることを特徴
とする有機金属熱分解気相結晶成長装置。 - （２）基板保持板と一体で分離可能とした上部サセプタ
ーの材料を下部サセプターの材料と異なるもので作成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の有機
金属熱分解気相結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249747A JPH06678B2 (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 有機金属熱分解気相結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249747A JPH06678B2 (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 有機金属熱分解気相結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61132595A true JPS61132595A (ja) | 1986-06-20 |
| JPH06678B2 JPH06678B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=17197611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59249747A Expired - Lifetime JPH06678B2 (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 有機金属熱分解気相結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06678B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465819A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Nissin Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2014022732A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 気相成長用反応装置 |
| WO2020139030A1 (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 주식회사 테스 | 서셉터 어셈블리, 이를 포함하는 mocvd 장치 및 mocvd 장치로부터 상측 서셉터를 인출하기 위한 제어 방법 |
| CN113227451A (zh) * | 2018-12-28 | 2021-08-06 | Tes股份有限公司 | 基座组件、包括其的mocvd装置及用于从mocvd装置引出上基座的控制方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59160564U (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-27 | 東芝機械株式会社 | 化学気相成長装置 |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59249747A patent/JPH06678B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59160564U (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-27 | 東芝機械株式会社 | 化学気相成長装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465819A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Nissin Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2014022732A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 気相成長用反応装置 |
| WO2020139030A1 (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 주식회사 테스 | 서셉터 어셈블리, 이를 포함하는 mocvd 장치 및 mocvd 장치로부터 상측 서셉터를 인출하기 위한 제어 방법 |
| KR20200083384A (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 주식회사 테스 | 서셉터 어셈블리를 포함하는 mocvd 장치 및 mocvd 장치로부터 상측 서셉터를 인출하기 위한 제어 방법 |
| CN113227451A (zh) * | 2018-12-28 | 2021-08-06 | Tes股份有限公司 | 基座组件、包括其的mocvd装置及用于从mocvd装置引出上基座的控制方法 |
| CN113227451B (zh) * | 2018-12-28 | 2024-03-15 | Tes股份有限公司 | 基座组件、包括其的mocvd装置及用于从mocvd装置引出上基座的控制方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06678B2 (ja) | 1994-01-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |