JPS60113420A - 半導体結晶の製造装置 - Google Patents
半導体結晶の製造装置Info
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- JPS60113420A JPS60113420A JP22110983A JP22110983A JPS60113420A JP S60113420 A JPS60113420 A JP S60113420A JP 22110983 A JP22110983 A JP 22110983A JP 22110983 A JP22110983 A JP 22110983A JP S60113420 A JPS60113420 A JP S60113420A
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- JP
- Japan
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- crystal
- substrate crystal
- chamber
- substrate
- semiconductor
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はＯＶＤ法による半導体結晶の製造装置に関す
るものである。以下、有機金属熱分解（ＭＯＯＶＤ）法
の場合を例に挙げて説明する。
るものである。以下、有機金属熱分解（ＭＯＯＶＤ）法
の場合を例に挙げて説明する。
第１図は従来の半導体結晶製造装置の構成を示す模式断
面図で、（１）は基板結晶、（２）は基板結晶ｆｌｌを
載置するためのサセプター、（３）は反応管、（４）ハ
基板結晶（１）の温度を上昇させるための誘導加熱コイ
ルである。
面図で、（１）は基板結晶、（２）は基板結晶ｆｌｌを
載置するためのサセプター、（３）は反応管、（４）ハ
基板結晶（１）の温度を上昇させるための誘導加熱コイ
ルである。
この従来装置では、反応管（３）の一端から矢印Ａに示
すように、結晶成長の原料を含むキャリヤガスからなる
導入ガスを導入し、反応管（３）の外部にある誘導加熱
コイル（４）を駆動すると、グラファイトなどの導電物
質からなるサセプター（２）の温度が上昇し、その上の
基板結晶（１）および導入ガスも加熱される。このＭＯ
ＯＶＤ法によるヒ化ガリウム（ＧａＡｓ ）のエピタキ
シャル成長の場合には、トリメチルガリウム（Ｔ Ｍ
Ｇ ） （（ＯＨ３） ａ Ｇ ａ 、ｌ とアルシン
（ＡｓＨ３）とがこの加熱によって熱分解、同じ＜１０
０〜８００°Ｃの温度に熱せられているＧａＡθ基板ｆ
ｌｌ上での表面反応によってエピタキシャル成長が生じ
る。
すように、結晶成長の原料を含むキャリヤガスからなる
導入ガスを導入し、反応管（３）の外部にある誘導加熱
コイル（４）を駆動すると、グラファイトなどの導電物
質からなるサセプター（２）の温度が上昇し、その上の
基板結晶（１）および導入ガスも加熱される。このＭＯ
ＯＶＤ法によるヒ化ガリウム（ＧａＡｓ ）のエピタキ
シャル成長の場合には、トリメチルガリウム（Ｔ Ｍ
Ｇ ） （（ＯＨ３） ａ Ｇ ａ 、ｌ とアルシン
（ＡｓＨ３）とがこの加熱によって熱分解、同じ＜１０
０〜８００°Ｃの温度に熱せられているＧａＡθ基板ｆ
ｌｌ上での表面反応によってエピタキシャル成長が生じ
る。
ところが、このような従来装置では基板結晶（１）をサ
セプター（２）の上に一方の面を接して配置されている
のでエピタキシャル成長層は他方の片面のみにしか成長
させられなかった。
セプター（２）の上に一方の面を接して配置されている
のでエピタキシャル成長層は他方の片面のみにしか成長
させられなかった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、基
板結晶を反応管内に両面を露出させるようＧこ空間的に
載置することによって、基板結晶の両面に同種または異
種のエピタキシャル成長層、を１回の成長で形成できる
装置を提供するものである０ 〔発明の実施例〕 第２図はこの発明の一実施例の繊成を示す断面図で、（
ｌｌは基板結晶、（３）は反応管、（５）は反応管（３
）内を２室Ｇこ分け、しかもそれに設けられた開孔部（
≦） を覆うように基板結晶（１）を載置する仕切板、Φおよ
び（７）はそれぞれ基板結晶（１１の上面および下面を
照射加熱するランプヒータ、（８）および（９）はそれ
ぞれ上面および下面への加熱集光用ミラーである〇に図
に矢印で示すように互いに独立に導入ガスＢ。
板結晶を反応管内に両面を露出させるようＧこ空間的に
載置することによって、基板結晶の両面に同種または異
種のエピタキシャル成長層、を１回の成長で形成できる
装置を提供するものである０ 〔発明の実施例〕 第２図はこの発明の一実施例の繊成を示す断面図で、（
ｌｌは基板結晶、（３）は反応管、（５）は反応管（３
）内を２室Ｇこ分け、しかもそれに設けられた開孔部（
≦） を覆うように基板結晶（１）を載置する仕切板、Φおよ
び（７）はそれぞれ基板結晶（１１の上面および下面を
照射加熱するランプヒータ、（８）および（９）はそれ
ぞれ上面および下面への加熱集光用ミラーである〇に図
に矢印で示すように互いに独立に導入ガスＢ。
Ｃを導入することができる。そして、基板結晶（Ｉ］は
その上面は上部室に、下面は下部室に向っている。従っ
て、実際の結晶成長には、上部ランプ（６）によって基
板結晶ｆ１＋の上面を加熱し、上部室へ導入ガスＢを流
すことによって当該上面に導入ガスＢに対応する結晶層
をエピタキシャル成長させることができる。捷だ、下部
う／プヒータ（７）によって基板結晶ｆ＋）の下面を加
熱し、下部室へ導入ガス０を流すことによって当該下面
に導入ガスＣに対応する結晶層をエピタキシャル成長さ
せることができる。この基板結晶Ｈの上面および下面へ
の結晶Ｊｉのエピタキシャル成長は、上下面別々に行な
ってもよく、また同時しこ行なってもよく、上部ランプ
ヒータ（６）および下部ランプヒータ（７）による加熱
温度を互いに独立に制御し、更に上部室の導入ガスＢと
下部室の導入ガスＣとを任意に選ぶことによって同種ま
たは異種のエピタキシャル成長層を１回の成長で形成す
ることができる。
その上面は上部室に、下面は下部室に向っている。従っ
て、実際の結晶成長には、上部ランプ（６）によって基
板結晶ｆ１＋の上面を加熱し、上部室へ導入ガスＢを流
すことによって当該上面に導入ガスＢに対応する結晶層
をエピタキシャル成長させることができる。捷だ、下部
う／プヒータ（７）によって基板結晶ｆ＋）の下面を加
熱し、下部室へ導入ガス０を流すことによって当該下面
に導入ガスＣに対応する結晶層をエピタキシャル成長さ
せることができる。この基板結晶Ｈの上面および下面へ
の結晶Ｊｉのエピタキシャル成長は、上下面別々に行な
ってもよく、また同時しこ行なってもよく、上部ランプ
ヒータ（６）および下部ランプヒータ（７）による加熱
温度を互いに独立に制御し、更に上部室の導入ガスＢと
下部室の導入ガスＣとを任意に選ぶことによって同種ま
たは異種のエピタキシャル成長層を１回の成長で形成す
ることができる。
勿論、基板結晶（１）の昇温は両面別個に行う必要のな
い場合は、従来例におけるように誘導加熱を用いてもよ
い。上記実施例では反応管（３）を水平にしたいわゆる
横形構造を示したが、竪形構造にしてもよい。また、Ｍ
ＯＣＶＤ装置の場合について説明したが、あらゆるＯＶ
Ｄ装置にこの発明は適用でき、かつ、半導体基板結晶お
よびエピタキシャル成長させる結晶層もＧａＡｓに限ら
ず、その他の■−Ｖ族化合物半導体は勿論、■−■族な
どを含む化合物半導体及びその混晶の場合についてこの
発明は広く適用できる。
い場合は、従来例におけるように誘導加熱を用いてもよ
い。上記実施例では反応管（３）を水平にしたいわゆる
横形構造を示したが、竪形構造にしてもよい。また、Ｍ
ＯＣＶＤ装置の場合について説明したが、あらゆるＯＶ
Ｄ装置にこの発明は適用でき、かつ、半導体基板結晶お
よびエピタキシャル成長させる結晶層もＧａＡｓに限ら
ず、その他の■−Ｖ族化合物半導体は勿論、■−■族な
どを含む化合物半導体及びその混晶の場合についてこの
発明は広く適用できる。
以上説明したように、この発明になる半導体結晶製造装
置では反応管を２つの室に仕切る仕切板を設け、この仕
切板に形成した開孔部に両面がそれぞれ上記２つの室に
面するように基板結晶を装着し、各室毎に互いに独立に
反応ガスを導入し基板結晶の両面に独立に結晶層を成長
させるようにしたので、基板結晶の両面に同種または異
種の結晶層を同時に成長させることができる。これによ
って３次元機能デバイス用の結晶成長が効率的になる。
置では反応管を２つの室に仕切る仕切板を設け、この仕
切板に形成した開孔部に両面がそれぞれ上記２つの室に
面するように基板結晶を装着し、各室毎に互いに独立に
反応ガスを導入し基板結晶の両面に独立に結晶層を成長
させるようにしたので、基板結晶の両面に同種または異
種の結晶層を同時に成長させることができる。これによ
って３次元機能デバイス用の結晶成長が効率的になる。
第１図は従来の半導体結晶製造装置の構成を示す模式断
面図、第２図はこの発明の一実施例の構成を示す模式断
面図である。 図において、（１）は半導体基板結晶、（３）は反応管
、（５）は仕切板、ｔｅｌ 、 ［７１はランプヒータ
、（８） 、 ＋９）は加熱集光用ミラーである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人 大岩増雄 一４
面図、第２図はこの発明の一実施例の構成を示す模式断
面図である。 図において、（１）は半導体基板結晶、（３）は反応管
、（５）は仕切板、ｔｅｌ 、 ［７１はランプヒータ
、（８） 、 ＋９）は加熱集光用ミラーである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人 大岩増雄 一４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｆｌ＋ 反応管内に置かれた半導体基板結晶を昇温させ
るとともに、上記反応管内へ結晶成長の原料を含むキャ
リヤガスからなる導入ガスを導入して、上記半導体基板
結晶の表面上に半導体結晶をエピタキシャル成長させる
ものにおいて、上記反応’！内を互いに独立した２つの
室に仕切る仕切板を設け、この仕切板に形成された開孔
部に上記半導体基板結晶をその両面がそれぞれ上記２つ
の室に面するように装着し、かつ、上記２つの室に互い
に独立して任意の上記導入ガスを導入できるようにした
ことを特徴とする半導体結晶の製造装置。 （２）半導体基板結晶の両面をそれぞれ互いに独立に昇
温させる２組のランプヒータを備えたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22110983A JPS60113420A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 半導体結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22110983A JPS60113420A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 半導体結晶の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113420A true JPS60113420A (ja) | 1985-06-19 |
Family
ID=16761620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22110983A Pending JPS60113420A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 半導体結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289623A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応装置 |
| US7025831B1 (en) * | 1995-12-21 | 2006-04-11 | Fsi International, Inc. | Apparatus for surface conditioning |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP22110983A patent/JPS60113420A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289623A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応装置 |
| JPH0544825B2 (ja) * | 1985-06-18 | 1993-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| US7025831B1 (en) * | 1995-12-21 | 2006-04-11 | Fsi International, Inc. | Apparatus for surface conditioning |
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