JPH0493026A - 絶縁膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は絶縁膜形成装置の石英反応管の構造に関する。

〔従来技術〕

従来の絶縁膜形成装置は第４図にあるような構造であり
、石英反応管は第５図にあるように透明石英のみで作ら
れた構造をしていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、前述の従来技術では、第４図において、石英反
応管３内に均一に熱がかけられるが、半導体基板４を支
えるボート５が石英反応管３の下部に位置している為、
熱容量差に依り石英反応管３の下部に比べ上部の方が温
度が高くなり、さらには石英反応管３内にガスソース６
から水蒸気雰囲気を導入した際、石英反応管３内に存在
している他のガス、例えば窒素ガスや酸素ガスに比べて
水蒸気ガスが軽いため、石英反応管３内の上部へ先に水
蒸気雰囲気が流れやすい為、ソースガスの供給が石英反
応管３の」二部の方が下部に比べて多くなるなどの為、
絶縁膜の形成速度が石英反応管３内の上部の方が早く、
厚くなり、半導体基板４」二の絶縁膜の厚さの均一性が
悪くなるという問題点を有していた。

そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、水蒸気雰囲気で半導体基板上
に均一性の良い絶縁膜を形成できる絶縁膜形成装置を提
供するところに有る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の絶縁膜形成装置は、石英反応管の構造が上部は
不透明石英で、下部は透明石英となっていることに依り
、石英反応管内の上部と下部で温度勾配を持たせること
を特徴とする。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例に於ける絶縁膜形成装置の石英
反応管であり、石英反応管の」二部が不透明石英１であ
り、下部は透明石英２になっている。

第２図は実施例第１図の石英反応管を用いて、石英反応
管内に半導体基板４、ボート５を入れて絶縁膜形成時と
同じ条件にして石英反応管内を９００℃になる様に条件
出しした時の石英反応管断面Ａ−Ａ　　の温度分布であ
り、石英反応管下部は透明石英２である為ヒーター７か
らの熱の放射効率が高く、石英反応管に部は不透明石英
１の為ヒーター７からの熱の放射が下部に比べて弱くな
り、石英反応管の下部の方が上部に比べて温度が５°Ｃ
くらい高くなっている。本実施例を用いて水蒸気雰囲気
に依り半導体基板４」二に絶縁膜を形成した時の半導体
基板内の膜厚分布が第３図であり、従来の石英反応管第
５図を用いて絶縁膜を形成した時の膜厚分布第６図に比
べて改善されていることが分かる。

本実施例では、石英反応管の上部全体を不透明石英にし
であるが、石英反応管の長さや太さ、また絶縁膜を形成
する条件により、不透明石英部の範囲は変更、合わせ込
めば良いことはいうまでもない。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、絶縁膜形成装置の石
英反応管の構造を、上部が不透明石英で下部は透明石英
とすることにより、半導体基板上に水蒸気雰囲気で絶縁
膜を均−良く形成できるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例にｈ仝ける絶縁膜形成装置の石
英反応管の斜影図であり、第２図は実施例の石英反応管
内の断面方向の温度分布図、第３図は実施例に於ける半
導体基板内の絶縁膜厚分布図、第４図は従来の絶縁膜形
成装置を示す主要平面図、第５図は従来の石英反応管の
斜影図、第６図は従来の半導体基板内の絶縁膜厚分布図
である。 １・・・不透明石英 ２・・・透明石英 ３・・・石英反応管 ４・・・半導体基板 ５・・・ボート ６・・・ソースガス ７・・・ヒーター 以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板上に水蒸気で絶縁膜を形成する装置の石英
   反応管において、石英反応管の材質が上部が不透明石英
   で、下部は透明石英構造であることを特徴とする絶縁膜
   形成装置。