JPH0245914A - 半導体基板の予備加熱装置 - Google Patents
半導体基板の予備加熱装置Info
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- JPH0245914A JPH0245914A JP19695688A JP19695688A JPH0245914A JP H0245914 A JPH0245914 A JP H0245914A JP 19695688 A JP19695688 A JP 19695688A JP 19695688 A JP19695688 A JP 19695688A JP H0245914 A JPH0245914 A JP H0245914A
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- semiconductor substrate
- substrate
- preheating device
- core tube
- heating
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に半導体基板
に薄膜等を形成する際に、半導体基板の予備加熱を行う
装置に関する。
に薄膜等を形成する際に、半導体基板の予備加熱を行う
装置に関する。
従来、この種の装置は、半導体基板の表面に薄膜を形成
する装置、例えば、常圧ＣＶＤ装置等に附設されている
ものであって、薄膜を形成する場合に、半導体基板を予
備加熱する装置である。
する装置、例えば、常圧ＣＶＤ装置等に附設されている
ものであって、薄膜を形成する場合に、半導体基板を予
備加熱する装置である。
第３図は従来の予備加熱の一例を示す断面図、第４図は
従来の予備加熱装置を用いて半導体基板を加熱したとき
の加熱時間に対する半導体基板の表面及び裏面の温度を
示す特性図である。この装置は第３図に示すように、常
圧ＣＶＤ装置の予備加熱装置を示したものである。石英
管で製作された炉芯管１の中には、半導体基板２が載置
されたハンドリングアーム３が収容されており、このハ
ンドリングアーム３は半導体基板２の周縁を保持してい
る。また、図面には示されていないが、炉芯管１の一側
面にはガスの供給口及び半導体基板２を導出入する取出
入口が設けられ、他の一端は、ガスを排気する排気装置
に連結されている。
従来の予備加熱装置を用いて半導体基板を加熱したとき
の加熱時間に対する半導体基板の表面及び裏面の温度を
示す特性図である。この装置は第３図に示すように、常
圧ＣＶＤ装置の予備加熱装置を示したものである。石英
管で製作された炉芯管１の中には、半導体基板２が載置
されたハンドリングアーム３が収容されており、このハ
ンドリングアーム３は半導体基板２の周縁を保持してい
る。また、図面には示されていないが、炉芯管１の一側
面にはガスの供給口及び半導体基板２を導出入する取出
入口が設けられ、他の一端は、ガスを排気する排気装置
に連結されている。
更に、炉芯管１の下側には、半導体基板２の裏面を加熱
する赤外線ランプが配置されている。
する赤外線ランプが配置されている。
この装置で、例えば多結晶シリコン膜を形成する場合に
は、まず、炉芯管１に半導体基板２を導入し、赤外線ラ
ンプ４により半導体基板２の裏面に赤外光を照射して、
例えば、４５０〜６００℃程度に加熱する。次に、ガス
の供給口により、シラン（ＳｉＨ４）と窒素（Ｎ２）と
の混合ガスを炉芯管１内に導入して反応させて、半導体
基板２上に多結晶シリコン膜を形成する。
は、まず、炉芯管１に半導体基板２を導入し、赤外線ラ
ンプ４により半導体基板２の裏面に赤外光を照射して、
例えば、４５０〜６００℃程度に加熱する。次に、ガス
の供給口により、シラン（ＳｉＨ４）と窒素（Ｎ２）と
の混合ガスを炉芯管１内に導入して反応させて、半導体
基板２上に多結晶シリコン膜を形成する。
上述した従来の半導体基板の予備加熱装置で、例えば、
６インチ直径の半導体基板を加熱すると、第４図に示す
ように、半導体基板の裏面の温度が急激に上昇し、例え
ば４５０ ’Ｃのときに表面の温度が３００°Ｃという
温度差が実に１５０℃となる。このため、この温度差に
より半導体基板内に熱応力を生じせしめ、しばしば半導
体基板に割れをもたらすという問題がある。特に、半導
体基板の直径が大きくなると、厚みも大きくなるため、
この温度差がより大きくなるので益々割れる確率が高く
なるという問題がある。
６インチ直径の半導体基板を加熱すると、第４図に示す
ように、半導体基板の裏面の温度が急激に上昇し、例え
ば４５０ ’Ｃのときに表面の温度が３００°Ｃという
温度差が実に１５０℃となる。このため、この温度差に
より半導体基板内に熱応力を生じせしめ、しばしば半導
体基板に割れをもたらすという問題がある。特に、半導
体基板の直径が大きくなると、厚みも大きくなるため、
この温度差がより大きくなるので益々割れる確率が高く
なるという問題がある。
本発明の目的は、半導体基板の表裏面の温度の差を生ず
ることなく予備加熱することの出来る半導体基板の予備
加熱装置を提供することにある。
ることなく予備加熱することの出来る半導体基板の予備
加熱装置を提供することにある。
本発明の半導体基板の予備加熱装置は、半導体基板を収
容する室と、前記半導体基板を加熱する加熱機構部とを
備えてなる半導体基板の予備加熱装置において、前記半
導体基板を収容する石英製の室と、前記石英製室外に配
置されるとともに前記半導体基板の表面及び裏面をそれ
ぞれ照射する赤外線ランプとを備えて構成される。
容する室と、前記半導体基板を加熱する加熱機構部とを
備えてなる半導体基板の予備加熱装置において、前記半
導体基板を収容する石英製の室と、前記石英製室外に配
置されるとともに前記半導体基板の表面及び裏面をそれ
ぞれ照射する赤外線ランプとを備えて構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明による半導体基板の予備加熱装置の一例
を示す断面図、第２図は本発明の予備加熱装置を用いて
半導体基板を加熱したときの加熱時間に対する半導体基
板の表面及び裏面の温度を示す特性図である。この装置
は従来例と異る点は、炉芯管１の外側の半導体基板の表
面側に、新に赤外線ランプ４ｂを配置したことである。
を示す断面図、第２図は本発明の予備加熱装置を用いて
半導体基板を加熱したときの加熱時間に対する半導体基
板の表面及び裏面の温度を示す特性図である。この装置
は従来例と異る点は、炉芯管１の外側の半導体基板の表
面側に、新に赤外線ランプ４ｂを配置したことである。
その他は従来金側と同じである。
この装置を使用して半導体基板２を加熱したところ、第
２図に示すように、半導体基板２の表面と裏面の温度差
は数℃以内の範囲に収めることが出来た。その結果、半
導体基板に割れを生ずることなく薄膜を形成し得た。
２図に示すように、半導体基板２の表面と裏面の温度差
は数℃以内の範囲に収めることが出来た。その結果、半
導体基板に割れを生ずることなく薄膜を形成し得た。
以上説明したように本発明は、半導体基板の予備加熱装
置に半導体基板の両側面に赤外光を照射し、両面より加
熱するように、炉芯管外に赤外線ランプを設けることに
より、表面と裏面との温度差のない温度に加熱出来る半
導体基板の予備加熱装置が得られるという効果がある。
置に半導体基板の両側面に赤外光を照射し、両面より加
熱するように、炉芯管外に赤外線ランプを設けることに
より、表面と裏面との温度差のない温度に加熱出来る半
導体基板の予備加熱装置が得られるという効果がある。
用いて半導体基板を加熱したときの加熱時間に対する半
導体基板の表面及び裏面の温度を示す特性図である。
導体基板の表面及び裏面の温度を示す特性図である。
１・・・炉芯管、２・・・半導体基板、３・・・ハンド
リングアーム、４ａ、４ｂ・・・赤外線ランプ。
リングアーム、４ａ、４ｂ・・・赤外線ランプ。
代理人 弁理士 内・ 原 晋
第１図は本発明による半導体基板の予備加熱装置の実施
例を示す断面図、第２図は本発明の予備加熱装置を用い
て半導体基板を加熱したときの加熱時間に対する半導体
基板の表面及び裏面の温度を示す特性図、第３図は従来
の予備加熱装置の一例を示す断面図、第４図は従来の予
備加熱装置を（］ｒ〉巨葎可下う顧１司β覆〒「）〜４
ａ 撤ｙＬ簿にランフ。 第７図 躬 回 カυ然装置刊ｎ（＋りつ 惰４−図
例を示す断面図、第２図は本発明の予備加熱装置を用い
て半導体基板を加熱したときの加熱時間に対する半導体
基板の表面及び裏面の温度を示す特性図、第３図は従来
の予備加熱装置の一例を示す断面図、第４図は従来の予
備加熱装置を（］ｒ〉巨葎可下う顧１司β覆〒「）〜４
ａ 撤ｙＬ簿にランフ。 第７図 躬 回 カυ然装置刊ｎ（＋りつ 惰４−図
Claims (1)
- 半導体基板を収容する室と、前記半導体基板を加熱する
加熱機構部とを備えてなる半導体基板の予備加熱装置に
おいて、前記半導体基板を収容する石英製の室と、前記
石英製室外に配置されるとともに前記半導体基板の表面
及び裏面をそれぞれ照射する赤外線ランプとを備えたこ
とを特徴とする半導体基板の予備加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19695688A JPH0245914A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体基板の予備加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19695688A JPH0245914A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体基板の予備加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245914A true JPH0245914A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16366445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19695688A Pending JPH0245914A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体基板の予備加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245914A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012023233A1 (ja) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | 信越半導体株式会社 | ウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハの製造方法並びにシリコンウエーハ並びに熱処理装置 |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP19695688A patent/JPH0245914A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012023233A1 (ja) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | 信越半導体株式会社 | ウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハの製造方法並びにシリコンウエーハ並びに熱処理装置 |
| JP2012043931A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハの製造方法並びにシリコンウエーハ並びに熱処理装置 |
| CN103069545A (zh) * | 2010-08-18 | 2013-04-24 | 信越半导体股份有限公司 | 晶片的热处理方法、硅晶片的制造方法、硅晶片及热处理装置 |
| US20130098888A1 (en) * | 2010-08-18 | 2013-04-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for heat-treating wafer, method for producing silicon wafer, silicon wafer, and heat treatment apparatus |
| EP2608248A1 (en) * | 2010-08-18 | 2013-06-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Heat treatment method for wafer, method for producing silicon wafer, silicon wafer, and heat treatment apparatus |
| KR20130100987A (ko) * | 2010-08-18 | 2013-09-12 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 웨이퍼의 열처리 방법 및 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 및 열처리 장치 |
| EP2608248A4 (en) * | 2010-08-18 | 2014-05-07 | Shinetsu Handotai Kk | THERMAL PROCESSING METHOD FOR WAFER, METHOD FOR PRODUCING SILICON WAFER, SILICON WAFER, AND HEAT TREATMENT APPARATUS |
| TWI508180B (zh) * | 2010-08-18 | 2015-11-11 | Shinetsu Handotai Kk | Wafer heat treatment method, silicon wafer manufacturing method, silicon wafer and heat treatment device |
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