JPS60224217A - 二段拡散炉 - Google Patents
二段拡散炉Info
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- JPS60224217A JPS60224217A JP7947284A JP7947284A JPS60224217A JP S60224217 A JPS60224217 A JP S60224217A JP 7947284 A JP7947284 A JP 7947284A JP 7947284 A JP7947284 A JP 7947284A JP S60224217 A JPS60224217 A JP S60224217A
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- furnace core
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋１＋ 発明の技術分野
本発明はアンチモン（ＳｂｚＯ３）等の拡散工程で使用
する二段拡散炉に関する。
する二段拡散炉に関する。
（２）技術の背景
５ｂ２０３のような固体不純物ソースを用いて半導体基
板への不純物拡散を行なう場合には、ソースを昇華させ
る部分と拡散を行なう部分とが分離されている二段拡散
炉が使用されている。
板への不純物拡散を行なう場合には、ソースを昇華させ
る部分と拡散を行なう部分とが分離されている二段拡散
炉が使用されている。
前述のｓｂλ０３に限らず半導体基板への不純物拡散技
術に於いて、拡散層抵抗の均一性、再現性の改善は恒久
的な課題である。
術に於いて、拡散層抵抗の均一性、再現性の改善は恒久
的な課題である。
（３）従来技術と問題点
以下、図を用いて従来の二段拡散炉の問題点につき説明
する。第１図は従来の二段拡散炉の構造を来園であり、
１は主炉芯管、２は副使芯管、３は主炉芯管用ヒータ、
４は副使芯管用ヒータ、５は半導体基板、６は不純物ボ
ードである。第２．３図は従来の二段拡散炉に於ける温
度分布を示す図であり、縦軸は温度、横軸は副使芯管２
から主炉芯管１方向へ向かう距離を示している。
する。第１図は従来の二段拡散炉の構造を来園であり、
１は主炉芯管、２は副使芯管、３は主炉芯管用ヒータ、
４は副使芯管用ヒータ、５は半導体基板、６は不純物ボ
ードである。第２．３図は従来の二段拡散炉に於ける温
度分布を示す図であり、縦軸は温度、横軸は副使芯管２
から主炉芯管１方向へ向かう距離を示している。
５ｂ２０ａ等を拡散する場合には、５ｂ２０＋ソースを
不純物ボート６に載せ、副使芯管２内で例えば６３０℃
程度に加熱して５ｂ２０３を昇華させる。そして昇華し
たｓｂス０３を窒素（Ｎ２）のキャリヤガスを用いて、
１２５０℃程度に加熱された主炉芯管１へ送り込み、半
導体基板５に対する３ｂ２ｏａの拡散を行なう。
不純物ボート６に載せ、副使芯管２内で例えば６３０℃
程度に加熱して５ｂ２０３を昇華させる。そして昇華し
たｓｂス０３を窒素（Ｎ２）のキャリヤガスを用いて、
１２５０℃程度に加熱された主炉芯管１へ送り込み、半
導体基板５に対する３ｂ２ｏａの拡散を行なう。
このとき、主炉芯管１と副使芯管２が近いと、副使芯管
２は主炉芯管１の副射熱をもろに受け、副使芯管の温度
分布は第２図に示すように急な勾配をもってしまう。そ
の結果、不純物ソースの温度が不均一になり、５ｂ２０
．ｉが結晶化して半導体基板５上に付着して、安定な抵
抗が得られないという問題が生ずる。そこで、主炉芯管
１と副使芯管との距離を離すことを試みたが、そうする
と第３図に示す様に主炉芯管１と副使例えば不純物温度
が１０℃ずれると拡散層の表面抵抗は約ｌθ％ずれてし
まう。
２は主炉芯管１の副射熱をもろに受け、副使芯管の温度
分布は第２図に示すように急な勾配をもってしまう。そ
の結果、不純物ソースの温度が不均一になり、５ｂ２０
．ｉが結晶化して半導体基板５上に付着して、安定な抵
抗が得られないという問題が生ずる。そこで、主炉芯管
１と副使芯管との距離を離すことを試みたが、そうする
と第３図に示す様に主炉芯管１と副使例えば不純物温度
が１０℃ずれると拡散層の表面抵抗は約ｌθ％ずれてし
まう。
（４）発明の目的
本発明は副使芯管２内の温度を均一化し、不純物ソース
の温度を一定に保つことで上述の問題点を解消すること
を目的とするものである。
の温度を一定に保つことで上述の問題点を解消すること
を目的とするものである。
（５）発明の構成
上記の目的は、被処理物を載置して拡散処理を行なうた
めの主炉芯管と、不純物を昇華させるための副使芯管と
が連結されてなり、該副使芯管と加熱用ヒータとの間に
該副使芯管の温度分布を均一化するための均熱用チュー
ブが配置されていることを特徴とする二段拡散炉によっ
て達成される。
めの主炉芯管と、不純物を昇華させるための副使芯管と
が連結されてなり、該副使芯管と加熱用ヒータとの間に
該副使芯管の温度分布を均一化するための均熱用チュー
ブが配置されていることを特徴とする二段拡散炉によっ
て達成される。
（６）発明の実施例
以下、図を用いて本発明の一実施例につき詳述する。第
４図は本発明の一実施例である二段拡散炉の構造を示す
図であり、７は均熱用チューブを示す。尚、第１図と同
一部位は同一番号で示す。第５図は第４図のＡ−Ａ’線
に於ける断面図である。第６図は第４図の実施例に於け
る温度分布を示す図であり、縦軸、横軸の関係は第２．
３図と同一である。
４図は本発明の一実施例である二段拡散炉の構造を示す
図であり、７は均熱用チューブを示す。尚、第１図と同
一部位は同一番号で示す。第５図は第４図のＡ−Ａ’線
に於ける断面図である。第６図は第４図の実施例に於け
る温度分布を示す図であり、縦軸、横軸の関係は第２．
３図と同一である。
本発明の実施例に於いて、従来の二段拡散炉と石英から
なる副使芯管２との間に均熱用チューブ７を第４図、第
５図に示す様に配置した点にある。均熱用チューブ７は
例えばＳｉＣやムライト等の熱容量の大きい材料でつく
られている。この均熱用チューブ７を設けることによっ
て、主炉芯管１の加熱部と副使芯管２の加熱部との距離
を離しても副使芯管２の温度分布は均一化され、第６図
に示すようになる。したがって不純物ボート６から昇水
した５ｂ２０３等の不純物の温度も安定に保たれるので
、半導体基板５に表面異常をきたすことなく、且つばら
つきの少ない安定した表面抵抗が得られる。
なる副使芯管２との間に均熱用チューブ７を第４図、第
５図に示す様に配置した点にある。均熱用チューブ７は
例えばＳｉＣやムライト等の熱容量の大きい材料でつく
られている。この均熱用チューブ７を設けることによっ
て、主炉芯管１の加熱部と副使芯管２の加熱部との距離
を離しても副使芯管２の温度分布は均一化され、第６図
に示すようになる。したがって不純物ボート６から昇水
した５ｂ２０３等の不純物の温度も安定に保たれるので
、半導体基板５に表面異常をきたすことなく、且つばら
つきの少ない安定した表面抵抗が得られる。
（７）発明の詳細
な説明した様に、本発明にかかる二段拡散炉によれば主
炉芯管からの副射熱を避けるために、副使芯管を主炉芯
管から離しても、第３図のような温度分布の谷間ができ
ず、拡散層抵抗の均一性、再現性の向上をはかることが
できる。
炉芯管からの副射熱を避けるために、副使芯管を主炉芯
管から離しても、第３図のような温度分布の谷間ができ
ず、拡散層抵抗の均一性、再現性の向上をはかることが
できる。
第１図は従来の二段拡散炉の構造を示す図。
第２図および第３図は従来の二段拡散炉の温度分布を示
す図、第４図は本発明にかかる二段拡散炉の構造を示す
図、第５図は第４図のＡ−Ａ′線に於ける断面図、第６
図は第４図に示す二段拡散炉に於ける温度分布を示す図
である。 ｌ−・・主炉芯管、２・・−副使芯管、３−主炉芯管用
ヒータ、４−・副使芯管用ヒータ、５〜半導体基板、６
−・不純物ボート、７−・均熱川チューブ第１図 ７・＄４図 気 秀 ５ 図 芽 ２ 図 ｊｊＦＩ炉を着 玄妙む菅
す図、第４図は本発明にかかる二段拡散炉の構造を示す
図、第５図は第４図のＡ−Ａ′線に於ける断面図、第６
図は第４図に示す二段拡散炉に於ける温度分布を示す図
である。 ｌ−・・主炉芯管、２・・−副使芯管、３−主炉芯管用
ヒータ、４−・副使芯管用ヒータ、５〜半導体基板、６
−・不純物ボート、７−・均熱川チューブ第１図 ７・＄４図 気 秀 ５ 図 芽 ２ 図 ｊｊＦＩ炉を着 玄妙む菅
Claims (1)
- 被処理物を載置して拡散処理を行なうための主炉芯管と
、不純物を昇華させるための副使芯管とが連結されてな
り、該副使芯管と加熱用ヒータとの間に該副使芯管の温
度分布を均一化するための均熱用チューブが配置されて
いることを特徴とする二段拡散炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59079472A JPH0628248B2 (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 二段拡散炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59079472A JPH0628248B2 (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 二段拡散炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60224217A true JPS60224217A (ja) | 1985-11-08 |
| JPH0628248B2 JPH0628248B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=13690827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59079472A Expired - Lifetime JPH0628248B2 (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | 二段拡散炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628248B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049524A (en) * | 1989-02-28 | 1991-09-17 | Industrial Technology Research Institute | Cd diffusion in InP substrates |
| WO1996009738A1 (de) * | 1994-09-20 | 1996-03-28 | Negawatt Gmbh | Elektrisches heizelement |
| CN107437573A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-12-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池硅片的扩散方法、管式扩散炉、太阳能电池 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4509433B2 (ja) | 2001-07-12 | 2010-07-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143720U (ja) * | 1974-09-28 | 1976-03-31 | ||
| JPS54153569A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | Heat treatment method for semiconductor wafer |
-
1984
- 1984-04-20 JP JP59079472A patent/JPH0628248B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143720U (ja) * | 1974-09-28 | 1976-03-31 | ||
| JPS54153569A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | Heat treatment method for semiconductor wafer |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049524A (en) * | 1989-02-28 | 1991-09-17 | Industrial Technology Research Institute | Cd diffusion in InP substrates |
| WO1996009738A1 (de) * | 1994-09-20 | 1996-03-28 | Negawatt Gmbh | Elektrisches heizelement |
| CN107437573A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-12-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池硅片的扩散方法、管式扩散炉、太阳能电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628248B2 (ja) | 1994-04-13 |
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