JPS63126219A - 半導体ウエ−ハの熱処理方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの熱処理方法Info
- Publication number
- JPS63126219A JPS63126219A JP27235486A JP27235486A JPS63126219A JP S63126219 A JPS63126219 A JP S63126219A JP 27235486 A JP27235486 A JP 27235486A JP 27235486 A JP27235486 A JP 27235486A JP S63126219 A JPS63126219 A JP S63126219A
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- JP
- Japan
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- wafers
- wafer
- core tube
- treatment gas
- furnace core
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
危ｌと度机且分■
本発明は、炉芯管に半導体ウェーハ（以下、単にウェー
ハと称す）を整列・収納して管内に処理ガスを導入し咳
ウェーハを熱処理する方法に関するものである。
ハと称す）を整列・収納して管内に処理ガスを導入し咳
ウェーハを熱処理する方法に関するものである。
従」録ｌ支逝
半導体製造工程中、不純物拡散、酸化膜形成、アロイ等
はウェーハを炉芯管内に整列・収納して処理ガスを導入
し熱処理することにより行われ、その装置の一具体例を
第４図を参照して次に示す。図において、（１）は炉芯
管、（２）は炉芯管（１）内にその管軸に被処理面を略
垂直にして収納される複数のウェーハ、（３）はウェー
ハ（２）を所定のピッチ間隔で整列させて収納するボー
ト、（４）は炉芯管（１）の外周面に沿って非接触に配
置されているヒータ、（５）は炉芯管（１）とヒータ線
（４）を収納するが体である。そして、例えば不純物拡
散の場合、炉芯管（１）を加熱してその開口端（１ａ）
より不純物ガス（６）をキャリアガスと共に導入する。
はウェーハを炉芯管内に整列・収納して処理ガスを導入
し熱処理することにより行われ、その装置の一具体例を
第４図を参照して次に示す。図において、（１）は炉芯
管、（２）は炉芯管（１）内にその管軸に被処理面を略
垂直にして収納される複数のウェーハ、（３）はウェー
ハ（２）を所定のピッチ間隔で整列させて収納するボー
ト、（４）は炉芯管（１）の外周面に沿って非接触に配
置されているヒータ、（５）は炉芯管（１）とヒータ線
（４）を収納するが体である。そして、例えば不純物拡
散の場合、炉芯管（１）を加熱してその開口端（１ａ）
より不純物ガス（６）をキャリアガスと共に導入する。
そうすると、不純物ガス（６）は管軸に沿ってウェーハ
（２）の被処理面に垂直に進入し該被処理面を熱処理す
る。
（２）の被処理面に垂直に進入し該被処理面を熱処理す
る。
、■（η゛し ゝと７．、占
ところで、上述したように、炉芯管（１）内に複数のウ
ェーハ（２）を整列・収納して熱処理するに際し、炉芯
管（１）の開口端（ｌａ＞より処理ガス（６）を導入す
ると、ウェーハ（２）間の間隔が一定で、しかも狭いた
め、その隙間（２ａ）に処理ガス（６）が進入しにくく
ウェーハ中央部まで十分に流れ込まない。そのため、第
５図に示すように、ウェーハ（２）の中央部（２１１ン
と周辺部（２ｃ）とで処理状態が異なって、例えば不
純物拡散の場合、両部分の間で不純物の濃度と拡散深さ
がバラついて均一な特性が得られず、良品率が低下する
。
ェーハ（２）を整列・収納して熱処理するに際し、炉芯
管（１）の開口端（ｌａ＞より処理ガス（６）を導入す
ると、ウェーハ（２）間の間隔が一定で、しかも狭いた
め、その隙間（２ａ）に処理ガス（６）が進入しにくく
ウェーハ中央部まで十分に流れ込まない。そのため、第
５図に示すように、ウェーハ（２）の中央部（２１１ン
と周辺部（２ｃ）とで処理状態が異なって、例えば不
純物拡散の場合、両部分の間で不純物の濃度と拡散深さ
がバラついて均一な特性が得られず、良品率が低下する
。
■渇シ黒奢解゛−るための；コ。
本発明は、炉芯管にその管軸に被処理面を垂直にして複
数の半導体ウェーハを整列・収納すると共に上記炉芯管
開口端より処理ガスを導入して該ウェーハを熱処理する
にあたり、上記ウェーハ間に孔明きダミーウェーハを介
在させ、孔明きダミーウェーハの透孔部分を通して、上
記半導体ウェーハの中央部に処理ガスを流れ込ませて上
記半導体ウェーハを熱処理するようにしたことを特徴と
する。
数の半導体ウェーハを整列・収納すると共に上記炉芯管
開口端より処理ガスを導入して該ウェーハを熱処理する
にあたり、上記ウェーハ間に孔明きダミーウェーハを介
在させ、孔明きダミーウェーハの透孔部分を通して、上
記半導体ウェーハの中央部に処理ガスを流れ込ませて上
記半導体ウェーハを熱処理するようにしたことを特徴と
する。
作朋
炉芯管内に整列・収納したウェーハの間に孔明きダミー
ウェーハを介在させて、炉芯管内で処理ガスの流れを攪
乱し、ウェーハ間に処理ガスを流れ込ませてウェーハ被
処理面を熱処理すると、ウェーハ中央部まで処理ガスが
流れ込んで処理状態がウェーハ周辺部と中央部とでほぼ
均一になる。
ウェーハを介在させて、炉芯管内で処理ガスの流れを攪
乱し、ウェーハ間に処理ガスを流れ込ませてウェーハ被
処理面を熱処理すると、ウェーハ中央部まで処理ガスが
流れ込んで処理状態がウェーハ周辺部と中央部とでほぼ
均一になる。
尖止皿
本発明に係る半導体ウェーハの熱処理方法を第１図乃至
第３図を参照しその適用例について以下説明する。図中
、第４図と同一参照符号は同一物を示す。図において、
（１）は炉芯管、（２）は炉芯管（１）内にその管軸に
被処理面を略垂直にして収納される複数のウェーハ、（
３）はウェーハ（２）を所定のピッチ間隔で整列させて
支持するボート、（４）は炉芯管（１）の外周面に沿っ
て非接触に配置されているヒータ、（５）は炉芯管（１
）とヒータ（４）を収納する炉体、（７）は処理ガス、
例えば不純物ガス、（８）は各ウェーハ（２）間に介在
させる孔明きダミーウェーハで、第２図及び第３図に示
すように、ドーナツ形状を有しその外径（Ｄｌ）はウェ
ーハ（２）の外径（Ｄ２）よりも大きく、透孔部分（８
ａ）の直径（Ｄ３）はウェーハ（２）の外径（Ｄ２）よ
りも小さく設定しておく。
第３図を参照しその適用例について以下説明する。図中
、第４図と同一参照符号は同一物を示す。図において、
（１）は炉芯管、（２）は炉芯管（１）内にその管軸に
被処理面を略垂直にして収納される複数のウェーハ、（
３）はウェーハ（２）を所定のピッチ間隔で整列させて
支持するボート、（４）は炉芯管（１）の外周面に沿っ
て非接触に配置されているヒータ、（５）は炉芯管（１
）とヒータ（４）を収納する炉体、（７）は処理ガス、
例えば不純物ガス、（８）は各ウェーハ（２）間に介在
させる孔明きダミーウェーハで、第２図及び第３図に示
すように、ドーナツ形状を有しその外径（Ｄｌ）はウェ
ーハ（２）の外径（Ｄ２）よりも大きく、透孔部分（８
ａ）の直径（Ｄ３）はウェーハ（２）の外径（Ｄ２）よ
りも小さく設定しておく。
本発明の特徴は、炉芯管（１）内に整列・収納した複数
のウェーハ（２）の間に孔明きダミーウェーハ（８）を
介在させて開口６ｇ （１ａ ）より処理ガス（７）を
導入しウェーハ被処理面を熱処理するようにしたことで
ある。そうすると、ダミーウェーハ（８）はウェーハ（
２）より大きい外径を有するため、導入された処理ガス
（７）はウェーハ（２）周辺部を通過して進入する毎に
ダミーウェーハ（８）の周辺部（８ｂ）にｆＪｉ突して
攪乱され一部向きが変わってウェーハ面に沿って流れる
ようになる。そこで、ウェーハ面に沿って向きを変えた
一部の処理ガス（７）はウェーハ（２）の間に流れ込み
、更に透孔部分（８ａ）を通って後方のウェーハ中央部
に達する。そのため、ウェーハ周辺部と中央部とにほぼ
均一に処理ガス（７）が送り込まれるようになり、両部
分における処理状態がほぼ均一になる 尚、上記適用例ではダミーウェーハ（８）はボート（３
）とは別体に設けた場合であるが、ボート（３）に一体
に形成してもよい。
のウェーハ（２）の間に孔明きダミーウェーハ（８）を
介在させて開口６ｇ （１ａ ）より処理ガス（７）を
導入しウェーハ被処理面を熱処理するようにしたことで
ある。そうすると、ダミーウェーハ（８）はウェーハ（
２）より大きい外径を有するため、導入された処理ガス
（７）はウェーハ（２）周辺部を通過して進入する毎に
ダミーウェーハ（８）の周辺部（８ｂ）にｆＪｉ突して
攪乱され一部向きが変わってウェーハ面に沿って流れる
ようになる。そこで、ウェーハ面に沿って向きを変えた
一部の処理ガス（７）はウェーハ（２）の間に流れ込み
、更に透孔部分（８ａ）を通って後方のウェーハ中央部
に達する。そのため、ウェーハ周辺部と中央部とにほぼ
均一に処理ガス（７）が送り込まれるようになり、両部
分における処理状態がほぼ均一になる 尚、上記適用例ではダミーウェーハ（８）はボート（３
）とは別体に設けた場合であるが、ボート（３）に一体
に形成してもよい。
主班互訣果
本発明によれば、炉芯管にその管軸に被処理面を略垂直
にして複数のウェーハを整列・収納して管内に処理ガス
を導入し該ウェーハを熱処理するにあたり、ウェーハ間
に孔明きダミーウェーハを介在させて、炉芯管内で処理
ガスを攪乱し、ウェーハ間に処理ガスを流れ込ませてウ
ェーハを熱処理するようにしたから、ウェーハ周辺部と
中央部に処理ガスがほぼ均一に送り込まれて両部分の処
理状態がほぼ均一になり、特性のバラつきがなくなって
良品率が向上する。
にして複数のウェーハを整列・収納して管内に処理ガス
を導入し該ウェーハを熱処理するにあたり、ウェーハ間
に孔明きダミーウェーハを介在させて、炉芯管内で処理
ガスを攪乱し、ウェーハ間に処理ガスを流れ込ませてウ
ェーハを熱処理するようにしたから、ウェーハ周辺部と
中央部に処理ガスがほぼ均一に送り込まれて両部分の処
理状態がほぼ均一になり、特性のバラつきがなくなって
良品率が向上する。
第１図は本発明に係る半導体ウェーハの熱処理方法の一
実施例を示す部分４１１ ｒ；、側断面図、第２図と第
３図は本発明に用いるダミーウェーハの一例の平面図と
側断面図である。 第４図は従来の半導体ウェーハの熱処理方法を示す部分
概略側断面図、第５図は半導体ウェーハの平面図である
。 （１，） −ｍ−炉芯管、 （ｌａ＞−炉芯管開口
端、（２）・−半導体ウェーハ、 （４）−ヒータ、 （７） −処理ガス、（８）
−ダミーウェーハ。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 吾第２
図 第３図
実施例を示す部分４１１ ｒ；、側断面図、第２図と第
３図は本発明に用いるダミーウェーハの一例の平面図と
側断面図である。 第４図は従来の半導体ウェーハの熱処理方法を示す部分
概略側断面図、第５図は半導体ウェーハの平面図である
。 （１，） −ｍ−炉芯管、 （ｌａ＞−炉芯管開口
端、（２）・−半導体ウェーハ、 （４）−ヒータ、 （７） −処理ガス、（８）
−ダミーウェーハ。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 吾第２
図 第３図
Claims (1)
- （１）炉芯管内にその管軸に被処理面を略垂直にして複
数の半導体ウェーハを整列・収納すると共に上記炉芯管
開口端より処理ガスを導入して該ウェーハを熱処理する
にあたり、上記ウェーハ間に孔明きダミーウェーハを介
在させ、孔明きダミーウェーハの透孔部分を通して、上
記半導体ウェーハの中央部に処理ガスを流れ込ませて、
上記半導体ウェーハを熱処理するようしたことを特徴と
する半導体ウェーハの熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27235486A JPS63126219A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体ウエ−ハの熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27235486A JPS63126219A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体ウエ−ハの熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63126219A true JPS63126219A (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=17512708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27235486A Pending JPS63126219A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体ウエ−ハの熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63126219A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100857938B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2008-09-09 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 백 그라운드 웨이퍼의 이송 용기 및 수납 방법 |
| JPWO2021246024A1 (ja) * | 2020-06-04 | 2021-12-09 |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP27235486A patent/JPS63126219A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100857938B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2008-09-09 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 백 그라운드 웨이퍼의 이송 용기 및 수납 방법 |
| JPWO2021246024A1 (ja) * | 2020-06-04 | 2021-12-09 | ||
| WO2021246024A1 (ja) * | 2020-06-04 | 2021-12-09 | 株式会社Sumco | 横型熱処理炉を用いたシリコンウェーハの熱処理方法 |
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