JPS5824437Y2 - 半導体熱処理容器 - Google Patents
半導体熱処理容器Info
- Publication number
- JPS5824437Y2 JPS5824437Y2 JP1979022555U JP2255579U JPS5824437Y2 JP S5824437 Y2 JPS5824437 Y2 JP S5824437Y2 JP 1979022555 U JP1979022555 U JP 1979022555U JP 2255579 U JP2255579 U JP 2255579U JP S5824437 Y2 JPS5824437 Y2 JP S5824437Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- treatment container
- diffusion
- semiconductor
- semiconductor substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は多数の半導体あるいは半導体ＩＣ基板に不純物
を拡散させるための閉管法に用いる半導体熱処理容器の
改良に関するものである。
を拡散させるための閉管法に用いる半導体熱処理容器の
改良に関するものである。
半導体工業におし、）て不純物拡散は周知のように半導
体デバイス製作プロセス上極めｆ重署な技術であり、従
来よりシリコン、ゲルマニウムまたは化合物半導体等の
基板にＰＮ接合を彰或＋る場合、その拡散方法には、大
別して拡散反応管が開管式のものと、開管式のものとが
用いられてきた。
体デバイス製作プロセス上極めｆ重署な技術であり、従
来よりシリコン、ゲルマニウムまたは化合物半導体等の
基板にＰＮ接合を彰或＋る場合、その拡散方法には、大
別して拡散反応管が開管式のものと、開管式のものとが
用いられてきた。
このうち、閉管式による拡散方法の一つとして、たとえ
ば透明石英製の封管状の熱処理容器内に不純物拡散源と
多数枚の半導体基板を整列して併置しておき、真空封止
するか、あるいは適当な気体を必要な圧力で封入した後
、該熱処理容器全体を所要の均熱温度分布を有する加熱
炉中で加熱し、拡散処理を行う手法が知られている。
ば透明石英製の封管状の熱処理容器内に不純物拡散源と
多数枚の半導体基板を整列して併置しておき、真空封止
するか、あるいは適当な気体を必要な圧力で封入した後
、該熱処理容器全体を所要の均熱温度分布を有する加熱
炉中で加熱し、拡散処理を行う手法が知られている。
この手法によれば、前記熱処理容器内で開管法のように
不純物ガスを流したりしないので、拡散処理後の多数枚
の半導体基板間および各基板内での拡散の均一性が良く
、つまり拡散のバラツキが少なく、従って１度に大量の
バッチ拡散処理が複雑な拡散装置を必要とせずに可能と
なる。
不純物ガスを流したりしないので、拡散処理後の多数枚
の半導体基板間および各基板内での拡散の均一性が良く
、つまり拡散のバラツキが少なく、従って１度に大量の
バッチ拡散処理が複雑な拡散装置を必要とせずに可能と
なる。
しかしながら、上記従来ρ閉管式の拡散法によって多数
枚の半導体基板を拡散処理した場合、熱処理容器内に配
列した半導体基板のうち両端部およびその近傍に配置し
た前記半導体基板では、拡散の均一性が得られないとい
う欠点があった。
枚の半導体基板を拡散処理した場合、熱処理容器内に配
列した半導体基板のうち両端部およびその近傍に配置し
た前記半導体基板では、拡散の均一性が得られないとい
う欠点があった。
つまり、熱処理容器の中央部に配置した半導体基板は隣
接した基板相互間の熱輻射により比較的高温に加熱され
るのに比べ、両端部・に位置する半導体基板ではそのよ
うな基板相互間の輻射による加熱効果が低下して逆に熱
放出が大きくなり、これがため両端部の基板の温度が低
下して拡散速度も低下し、拡散の均一性が損なわれるわ
けである。
接した基板相互間の熱輻射により比較的高温に加熱され
るのに比べ、両端部・に位置する半導体基板ではそのよ
うな基板相互間の輻射による加熱効果が低下して逆に熱
放出が大きくなり、これがため両端部の基板の温度が低
下して拡散速度も低下し、拡散の均一性が損なわれるわ
けである。
したがって本考案の目的は、上記従来の欠点に鑑み、多
数枚の半導体基板の不純物拡散において均一な拡散処理
が可能となる半導体熱処理容器を提供することにある。
数枚の半導体基板の不純物拡散において均一な拡散処理
が可能となる半導体熱処理容器を提供することにある。
かかる本考案の特徴は、処理すべき複数の半導体基板を
封入して加熱炉に挿入される容器の該半導体基板の配列
方向に沿った両端の管壁を不透明に形成したことにある
。
封入して加熱炉に挿入される容器の該半導体基板の配列
方向に沿った両端の管壁を不透明に形成したことにある
。
以下図面を用いて本考案の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本考案に係る半導体熱処理容器の一実施例を断
面側面図で示したものである。
面側面図で示したものである。
図において１は熱処理容器であり、例えば透明石英製の
カプセル状をなし、しかもその一方の半球状端面部２に
は機械的あるいは化学的に不透明加工を施しである。
カプセル状をなし、しかもその一方の半球状端面部２に
は機械的あるいは化学的に不透明加工を施しである。
しかして上記熱処理容器１内には不純物拡散源３、たと
えば燐、あるいは砒素、ボロン、またはその化合物等を
配置する。
えば燐、あるいは砒素、ボロン、またはその化合物等を
配置する。
また、拡散処理すべき多数枚の半導体基板４は、例えば
石英製ホルダー５に図示のごとく配列して前記熱処理容
器１の長手方向に配置する。
石英製ホルダー５に図示のごとく配列して前記熱処理容
器１の長手方向に配置する。
さらに前記熱処理容器１の開口端部６に前記熱処理容器
１の端面部２と同様の不透明加工を施した半球状端面部
８を有する封止蓋７を挿入し内部を真空にして封止する
。
１の端面部２と同様の不透明加工を施した半球状端面部
８を有する封止蓋７を挿入し内部を真空にして封止する
。
このように構成した熱処理容器１を均熱加熱部の長い加
熱炉（図示しない）中に挿入し、所要拡散温度で不純物
拡散源３を気相となし、前記多数枚の半導体基板４の表
面より拡散させ、拡散層を形成せしめる。
熱炉（図示しない）中に挿入し、所要拡散温度で不純物
拡散源３を気相となし、前記多数枚の半導体基板４の表
面より拡散させ、拡散層を形成せしめる。
この場合、封止した前記熱処理容器１の両端部２および
８がサンドブラストあるいは化学エツチング等によって
不透明状に処理されているので、この両端面部２および
８において両端部の半導体基板からの輻射熱が反射され
て従来のごとき熱放出が阻止される。
８がサンドブラストあるいは化学エツチング等によって
不透明状に処理されているので、この両端面部２および
８において両端部の半導体基板からの輻射熱が反射され
て従来のごとき熱放出が阻止される。
従って、両端部に配置された前記半導体基板４に対する
拡散条件が改善され、全体に均一な拡散処理が可能とな
る。
拡散条件が改善され、全体に均一な拡散処理が可能とな
る。
以上のようにして得られた前記半導体基板４の配列位置
と比抵抗値測定結果との関係を第２図に示す。
と比抵抗値測定結果との関係を第２図に示す。
比較のために従来例の結果も点線で同時に示す。
図によって明らかなように、端部に不透明処理を施さな
い従来の熱部理容・器を用いた拡散処理では点線Ａで示
すように、中央部の半導体基板列に比べて両端部位の半
導体基板の比抵抗値が蓄しく高い値となり均一な拡散処
理が得られていない。
い従来の熱部理容・器を用いた拡散処理では点線Ａで示
すように、中央部の半導体基板列に比べて両端部位の半
導体基板の比抵抗値が蓄しく高い値となり均一な拡散処
理が得られていない。
これに対して本考案による熱処理容器１を採用すること
により実線Ｂで示すように両端部位の半導体基板も中央
部の半導体基板と同じ比抵抗値となり、均一な拡散が行
なわれていることがわかる。
により実線Ｂで示すように両端部位の半導体基板も中央
部の半導体基板と同じ比抵抗値となり、均一な拡散が行
なわれていることがわかる。
なお上述した本考案の実施例における前記熱処理容器１
の両端面部２および８の不透明とする加工面は内側面あ
るいは外側面のいずれに施しても同様の効果が得られる
ことは勿論である。
の両端面部２および８の不透明とする加工面は内側面あ
るいは外側面のいずれに施しても同様の効果が得られる
ことは勿論である。
また上記の技術的思想から両端面部２および８を反射鏡
面にすることも考えられる。
面にすることも考えられる。
以上の説明から明らかなように本考案による半導体熱処
理容器は、その形状を変更することなく簡単な改良を施
すことで、１度に多数枚の半導体基板を均一に歩留りよ
く拡散処理することが可能となり、半導体装置の製造に
おいて大幅なコストダウンを遠戚することができる。
理容器は、その形状を変更することなく簡単な改良を施
すことで、１度に多数枚の半導体基板を均一に歩留りよ
く拡散処理することが可能となり、半導体装置の製造に
おいて大幅なコストダウンを遠戚することができる。
第１図は本考案に係る半導体熱処理容器の一実施例を説
明する断面側面図、第２図は熱処理容器中における各半
導体基板の配列位置と比抵抗値６との関係を示す図であ
る。 １：半導体熱処理容器、２および８：端面部、３：不純
物拡散源、４：半導体基板、７：封止蓋。
明する断面側面図、第２図は熱処理容器中における各半
導体基板の配列位置と比抵抗値６との関係を示す図であ
る。 １：半導体熱処理容器、２および８：端面部、３：不純
物拡散源、４：半導体基板、７：封止蓋。
Claims (1)
- 処理すべき複数の半導体基板を封入して加熱炉に挿入さ
れる容器の該半導体基板の配列方向に沿った両端の管壁
を不透明に形成したことを特徴とする半導体熱処理容器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979022555U JPS5824437Y2 (ja) | 1979-02-23 | 1979-02-23 | 半導体熱処理容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979022555U JPS5824437Y2 (ja) | 1979-02-23 | 1979-02-23 | 半導体熱処理容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55124847U JPS55124847U (ja) | 1980-09-04 |
| JPS5824437Y2 true JPS5824437Y2 (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=28857533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979022555U Expired JPS5824437Y2 (ja) | 1979-02-23 | 1979-02-23 | 半導体熱処理容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824437Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5080757A (ja) * | 1973-11-14 | 1975-07-01 | ||
| JPS5315763U (ja) * | 1976-07-20 | 1978-02-09 |
-
1979
- 1979-02-23 JP JP1979022555U patent/JPS5824437Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5080757A (ja) * | 1973-11-14 | 1975-07-01 | ||
| JPS5315763U (ja) * | 1976-07-20 | 1978-02-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55124847U (ja) | 1980-09-04 |
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