KR0147826B1 - 종형열처리장치 - Google Patents

종형열처리장치

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KR0147826B1
KR0147826B1 KR1019900012088A KR900012088A KR0147826B1 KR 0147826 B1 KR0147826 B1 KR 0147826B1 KR 1019900012088 A KR1019900012088 A KR 1019900012088A KR 900012088 A KR900012088 A KR 900012088A KR 0147826 B1 KR0147826 B1 KR 0147826B1
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heat treatment
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카즈히코 이와후치
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카자마 젠쥬
도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract

내용없음.

Description

종형(縱型)열처리 장치
제1도는 종래의 종형 열처리 장치를 나타내는 설명도.
제2도는 본 발명의 종형 열처리 장치의 1 실시예를 나타내는 설명도.
제3도는 본 발명의 종형 열처리 장치의 다른 실시예를 나타내는 설명도.
제4도는 처리온도와 핀 구조체의 핀유니트의 단수와의 관계를 나타내는 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10,30 : 내관 11,31 : 외관
12,22 : 히이터 13,38 : 반도체 웨이퍼
14,37 : 웨이터 보우트 15 : 보온통
16 : 중공부 17,33 : 매니 포울드(매니 포울드 수단)
18,34 : 가스 도입관 19,35 : 가스 배기관
20,42 : 받침대 21,48 : 자기 씨일축
22,46 : 플랜지 23,47 : 자성유체 씨일 유니트
24,25,36,49 : O 링 37a : 하단부
39 : 중공용기 40 : 상단 개구부
41 : 하단 개구부 42a : 제 1 의 단턱부
42b : 제 2 의 단락부 43 : 핀 구조제
44 : 스페이서 축 45 : 핀 (제1의 단열부재)
50 : 중공체(제2의 단열부재) 51 : 내부
본 발명은, 종형 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정에 있어서의 열확산처리 공정이나 막형성 공정에서 배치(batch)식 종형 열처리 장치가 사용되고 있다.
이 종형 열처리 장치에 의하면, 제조공정에서의 면적 절약화, 에너지 절약화, 자동화가 실현됨과 동시에, 큰 구경의 반도체 웨이퍼의 처리를 용이하게 할 수 있다.
종래의 종형 열처리 장치는, 예를들면, 제1도에 나타낸 바와같은 구조를 가진다.
외관 (11)과, 외관 (11)내에 수용된 내관 (10)으로 이루어지는 2중관의 주위에 히이터 (12)가 설치되어 있고, 반응로가 구성되어 있다.
반응로는, 거의 수직으로 배열설치 되어있다. 반응로내의 내관 (10)내에 다수의 반도체 웨이퍼 (13)를 수평으로 소정 간격으로 수용한 웨이퍼 보우트 (14)가 수직으로 배치되어 있다.
이 웨이퍼 보우트 (14)는, 반응로의 하부에 삽입된 속이빈 통형상의 보온통 (15)상에 탑재되어 있고, 반송기구에 의하여 보온통 (15)과 일체로 되어 상하로 움직임이 가능하게 되어있다.
보온통의 중공부 (16)내에는 예를들면, 석영울등이 채워져 있거나, 진공상태로 되어있어, 단열작용을 발휘하고 있다.
반응로의 하부에는, 내관 (10) 및 외관 (11) 을 지지하도록 매니 포울드 (17)가 연이어 접속되어 있다.
매니 포울드 (17)에는, 가스 도입관 (18) 및 가스 배기관 (19)이 배열설치 되어있다.
보온통 (15)은, 받침대 (20)에 지지되어 있다.
받침대 (20)의 바닥부 중앙부에는, 자기(磁氣) 씨일축 (21)이 연결되어 있다.
자기 씨일축(21)은, 매니 포올드(17)의 개구부를 밀폐하는 플랜지(22)에 고정된 자성유체 씨일 유니트(23)에 연결되어 있다.
일반적인 자성유체 씨일 유니트 (23)는, 자성체로 구성된 자기 씨일축 (21)과, 이 자기 씨일축 (21)에 간격을 유지하여 배치된 원통형상의 영구자석으로 이루어지는 회전체와, 이 간격에 봉입된 자성유체로 이루어진다.
자성유체는, 베이스 오일, 예를들면, 불소계 베이스 오일에 자성체 분말, 예를들면, 철분말을 분산 시킨 것이다.
자성유체는, 자기 씨일축 (21)과 회전체간의 자속회로의 작용에 의하여, 자기 씨일 유니트의 기밀성을 유지한 상태에서 자기 씨일축 (21)과 회전체 사이에서 회전운동을 전달한다.
또한, 매니 포울드 (17)가 외관 (11) 또는 플랜지 (22)와 맞닿는 위치에는, 씨일부재로서 O 링 (24),(25)이 각각 형성되어 있다.
이러한 구성의 종형 열처리 장치에서, SiN 막을 웨이퍼 (13)상에 막형성하는 처리에 대하여 설명한다.
먼저, 가스 도입관 (18)에서 처리가스로서 NH3, SiH2Cl2을 도입한다.
이때, 반응로내는, 히이터 (12)에 의하여 처리온도인 섭씨 600도 내지 900도로 가열되어 있다.
이 처리온도로 유지되어 있는 반응로의 균열(均熱)영역 에서는, 웨이퍼 (13)상에 SiN이 막형성 된다.
그러나, 반응로내의 온도가 섭씨 100도 내지 150도 이하인 저온영역에서는, 웨이퍼 (13)상에 SiN이 막형성 되지 않는다.
그 대신에, 이 저온영역에서는, 반응 부생성물로서 NH4Cl 이 생성된다.
특히, 매니 포울드 (17)의 부근은, 히이터 (12)로부터 떨어져 있기 때문에, 온도가 내려가기 쉽고, 그 경향이 현저하게 나타난다.
즉, 제1도에 나타낸 장치에서는, 단열효과에 뛰어난 보온통 (15)의 존재에 의하여, 히이터 (12)의 열이, 매니 포울드 (17)의 부근에는 전달되지 않는다.
따라서, 매니 포울드 (17)부근의 온도는, 섭씨 100도 이하의 저온으로 되기쉽다.
이 결과, 매니 포울드 (17) 및 플랜지 (22)의 내면에는, NH4Cl이 발생하기 쉽게 되어있다.
이 NH4Cl은, 입자형상으로 생성되기 때문에 외부 입자 발생의 원인으로 된다.
특히, 4M DRAM 과같은 미세가공을 행하는 경우에는, 직경 0.1㎛의 외부입자가 IC 의 수율에 크게 영향을 미친다.
이상의 문제를 방지하기 위하여, 보온통 (15)에서의 단열효과를 억제해버리면, 보온통 (15)부근에서 열대류가 생기기 때문에, 반응로의 균열영역에 열변동이 크게되어, 각 웨이퍼 (13)상에 균일하게 막형성할 수없게 된다.
더우기, 매니 포울드 (17)및 플랜지 (22)부근이 고온으로 되기 때문에, 이 부분에 배치한 O 링 (24),(25)이 단기간에 열화한다.
또한, 웨이퍼 보우트 (14)를 회전구동 시키는 경우, 보온통 (15) 중심축부의 구멍부를 투과한 복사열이 보온통 (15)하부에 배열설치된 자성유체 씨일 유니트 (23)에 도달하고, 이 자성유체 씨일 유니트(23)를 온도 상승 시킨다.
이것에 의하여, 자성유체 씨일 유니트 (23)내부의 자성유체의 베이스 오일이 증발해버리고, 반응로의 기밀성을 저하 시킨다고 하는 문제도 있었다.
상술한 외부입자의 발생을 억제하기 위하여는, 종래에는 보온통 (15)의 설계는, 경험, 연구, 또는 시행착오에 의하여 행하여져 왔었다.
이 때문에, 반응로내에서 소망의 단열효과를 얻을수 있는 단열체를 설계함은 매우 곤란하였다.
그러나, 예를들면, 섭씨 1000도 부근의 고온처리나 섭씨 600도 부근에서의 저온처리와 같이 각처리에 의하여 처리온도가 다르기 때문에, 어떠한 처리의 경우에 있어서도, 매니 포울드 (17)부근에서의 외부입자의 생성을 억제할 필요가 있다.
이 때문에, 각 처리에 대응한 단열 구조체의 설계도 불가결한 것으로 되었다.
본 발명의 목적은, 소망하는 단열효과를 얻기 위한 단열 구조체의 설계를 용이하게 할수 있으며, 또한, 처리온도가 상위한 각각의 처리에 대응하여 적절한 단열작용을 행하면서, 피처리체의 열처리를 할수있는 종형 열처리 장치를 제공함에 있다.
이 목적은, 내관과 외관으로 이루어지는 반응실과, 반응실의 바깥쪽에 배치된 히이터와로 이루어지는 반응로와, 반응실을 지지하도록 반응실의 하부와 연이어 접하고, 이를 통하여 가스의 도입 및 배기가 행하여지는 매니 포울드 수단과, 피처리체를 배치하는 보우트의 하단을 지지하고, 보우트와 함께 반응로내에 설치된 중공용기와, 중공용기내에 각각 부착 및 이탈이 자유롭게 배치된 복수의 제1의 단열부재를 구비하고, 제1의 단열부재의 수를 조정함에 의하여, 단열효과가 조절되는 종형 열처리 장치에 의하여 달성된다.
본 발명의 종형 열처리 장치에 있어서, 제1의 단열부재는, 수평으로 소정의 간격을 유지하여 배치된 핀과, 이 핀 사이의 간격을 유지하기 스페이서와로 이루어지는 핀 유니트로 구성되는 경우에 현저한 효과를 발휘한다.
[실시예]
이하, 본 발명의 1 실시예에 대하여, 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
제2도는, 본 발명의 종형 열처리 장치의 개략 설명도이다.
도면중 (30)은 원통형상의 내관이다.
내관 (30)의 바깥쪽에는, 내관을 내포하도록 원통형상의 외관 (31)이 배치되어 있다.
내관(30)과 외관(31)은, 석영등으로 되어있고, 반응실을 구성한다.
외관 (31)의 바깥쪽에는, 외관 (31)을 포위하도록 히이터 (32)가 설치되어 있다.
이들 내관 (30), 외관 (31), 및 히이터 (32)에 의하여 반응로가 구성된다.
반응실의 하부에는, 내관 (30) 및 외관 (31)과 연이어 접하여 내관 (30) 및 외관 (31)을 지지하는 매니 포울드 (33)가 얹혀놓여 있다.
매니 포울드 (33)에는, 내관 (30)내와 연이어 통하는 가스 도입관 (34)과, 외관 (31)내와 연이어 통하는 가스 배기관 (35)가 끼워 설치되어 있다.
외관 (31)의 하단면과 매니 포울드 (33)의 상단면은, O 링 (36)을 통하여 접하고, 씨일되어 있다.
한편, 반응로내에는, 웨이퍼 보우트 (37)의 하단부를 지지하기 위하여 중공(中空)용기 (30)가 배치되어 있다.
웨이퍼 보우트 (37)에는, 복수개의 웨이퍼 (38)가 수평으로 소정의 간격을 지키고 지지되어 있다.
중공용기 (39)는, 상단 개구부 (40) 및 하단 개구부 (41)를 가지며, 상단 개구부 (40)에는 웨이퍼 보우트 (37)의 하단부 (37a)에 의하여 폐쇄되어 있다.
하단 개구부 (41)는 받침대 (42)에 의하여 폐쇄되어 있다.
중공용기 (39)의 하단은, 받침대 (42)에 형성된 제1의 단턱부 (42a)에 끼워맞춤됨으로써 위치결정 된다.
이 중공용기 (39)의 재질로서는, 불순물을 발생하기 어려운 석영 또는 SiC가 바람직하다.
석영을 이용하는 경우에는, 복사열을 방지하기 위하여 불투명 석영을 사용하거나, 또는 석영의 표면을 샌드 블러스트 처리한 것을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 중공용기의 단면형상은, 단열효율을 높이기 위하여 원형일것이 바람직하다.
중공용기 (39)의 내부에는, 단열부재를 가지는 핀 구조체 (43)가 받침대 (42)상에 얹어놓여 형성되어 있다.
이 핀 구조체 (43)는, 예를들면 4개의 스페이서 축 (44)과, 이 스페이서축 (44)의 상단에 위치결정되어 지지되는, 핀 (45)으로 구성되는 핀 유니트를 복수단 쌓아 중첩 시킴으로써 구성되어 있다.
핀 구조체 (43)는, 핀 유니트의 부착 및 이탈이 용이하므로, 핀 유니트의 단수를 바꿈으로써, 열처리 온도에 따라서 단열효과를 자유로이 조절할수 있다.
제4도는, BPSG 막을 웨이퍼상에 형성하는 경우의 처리온도와 그 처리온도에 적합한 단열효과를 발휘 시키기 위한 핀 구조체의 핀 유니트 단수와의 관계를 나타낸 그래프로서, SiN 막, PSG 막, ASSG 막도 거의 동일하게 제4도가 적용 가능하다.
제4도에 나타낸 관계에 따라서 핀 구조체의 핀 유니트의 단수를 결정 함으로써, 열처리를 양호하게 행할수 있다.
또한, 이 핀 구조체 (43)의 재질도, 외부입자의 생성이 적지않고, 또한, 열복사를 방지할 수 있는 재질을 이용하는 것이 바람직하다.
이와같은 것으로서, 석영, sic, 석영 - sic, 그라파이트 - sic 등을 들 수 있다.
석영을 이용하는 경우에는, 열복사를 방지하기 위하여 불투명 석영을 이용하거나, 또는 석영의 표면을 샌드 블러스트 처리한 것을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 핀 (45)의 형상은, 효율좋게 열복사를 방지하기 위하여 원반현상인 것이 바람직하다.
또한, 최하단의 4개의 스페이서축 (44)은, 받침대 (42)의 제 2 의 단턱부 (42b)에 끼워맞춤됨으로써 위치결정되어 있다.
단열부재로서는, 용이하게 부착 및 이탈이 가능하고 단열효과를 조절할 수 있는 것이라면 좋다.
이와같은 단열부재로서, 핀 유니트의 외에, 예를들면, 중공부분을 진공으로한 중공체, 또는 단열재를 충진한 중공체등을 들 수 있다.
또한, 이들 중공체로 이루어지는 단열부재를 복수개 형성하고, 그 수를 가변하여 단열효과를 조절하여도 좋다.
받침대 (42)는, 플랜지 (46)에 형성된 자성유체 씨일 유니트 (47)의 자기 씨일축 (48)에 의하여 지지되어 있다.
플랜지 (46)는, 매니 포울드 (33)의 하단면과 O 링 (49)을 통하여 접하고 있고, 반응로 내부를 기밀하게 씨일하고 있다.
자성유체 씨일 유니트 (47)는, 그 내부에 자성유체가 수용되어 있고, 웨이퍼 보우트 (37)를 지지한 중공용기 (39)를 회전 시키도록 되어있다.
웨이퍼 보우트 (37)를 회전 시켜서 처리를 행함으로써, 웨이퍼 (38)의 표면위를 균일하게 처리할수 있다.
예를들면, 박막을 형성하는때에는, 막두께의 면내의 균일성을 향상 시킬수 있다.
웨이퍼 보우트 (37), 중공용기 (39), 받침대 (42), 플랜지 (46) 및 자기 씨일 유니트 (47)는, 상하운동 가능한 반송수단(도시않됨)에 의하여 일체로 이동할수 있다.
이것에 의하여, 웨이퍼 보우트 (37)에 지지된 웨이퍼 (38)를 반응로내의 균일영역에 설치할수 있다.
다음에, 이와같이 구성된 종형 열처리 장치를 사용하여 열처리를 행하는 때의 작용에 대하여 설명한다.
중공용기 (39)는, 받침대 (42)상에 지지되어 있기 때문에, 이 받침대 (42)로부터 중공용기 (39)를 이탈하여, 그 내부의 핀 구조체 (43)를 용이하게 꺼내는 것이 가능하다.
그리고, 이와같이 핀 구조체 (43)를 중공용기 (39)로부터 꺼내고, 처리 개시전에 핀 구조체 (43)의 핀 유니트의 단수를, 제4도에 나타낸 그래프에 따라서 처리온도에 적합한 단열효과가 얻어지도록 설정한다.
그후, 받침대 (42)상에, 중공용기 (39)내에 핀 구조체 (43)를 배치한다.
또한, 중공용기 (39)의 상단 개구부 (40)에 웨이퍼 보우트 (37)를 탑재한다.
도시하지 않은 반송수단에 의하여, 웨이퍼 보우트 (37), 중공용기 (39), 받침대 (42), 플랜지 (46) 및 자성유체 씨일 유니트 (47)를 일체로 상승시켜, 플랜지 (46)가 매니 포울드 (33)의 하단면에 맞닿을시에 반송수단의 구동을 정지 시킨다.
이 결과, 웨이퍼 보우트 (37)의 웨이퍼 (38)는, 내관 (30)의 균열영역에 설치되는 것으로 된다.
그후, 내관 (30)의 내부를 예를들면 N2퍼어지하고, 히이터 (32)에 의하여 처리온도로 온도 상승한다.
내관 (30)의 내부의 온도가 안정한 뒤에, 가스 도입관 (34)으로부터 프로세스가스, 예를들면, NH3가스, SiH2Cl2가스를 내관 (30)내에 도입한다.
가스 도입과 동시에 가스 배기관 (35)으로부터 배기함에 의하여 웨이퍼 보우트 (37)에 얹혀놓인 웨이퍼상으로의 SiN 막의 생성이 개시한다.
또한, 이 경우, 도시하지 않은 모우터에 의하여 자기 씨일축 (48)이 회전 구동함에 의하여, 받침대 (42), 중공용기 (39) 및 웨이퍼 보우트 (37)가 일체적으로 회전한다.
핀 (45)은, 내관 (30)내의 균열 영역으로부터의 복사열을 차폐한다.
이때, 핀 (45)에 불투명 석영을 사용하거나, 핀 (45)의 표면에 샌드 블러스트 처리를 실시함에 의하여 복사열의 투과율을 저하 시키는 것이 가능한 것이다.
핀 구조체는, 처리온도에 대응한 단열효과를 미리 설정 하였기 때문에, 이 단열작용에 의하여 매니 포울드 (33) 부근의 온도는, 예를들면 섭씨 140 내지 150 도로 되어있다.
NH4Cl이 생성되는 온도는, 통상 섭씨 80 내지 100도의 온도범위이기 때문에, 매니 포울드 (33) 부근에서의 NH4Cl의 생성을 저지할 수 있다.
또한, 이 단열효과에 의하여 내관 (30)내의 균열영역에서의 열변동을 감소 시킬수 있다.
매니 포울드 (33)부근에서의 온도를 섭씨 140 내지 150 도로 억제함으로써, 자성유체 씨일 유니트 (47)에서의 온도가 섭씨 50도 정도로 된다.
이 때문에, 자성유체 씨일 유니트 (47)내에 수용되어 있는 자성유체의 베이스 오일의 증발을 방지할수 있다.
따라서, 통상 반응로내를 씨일하는 것이 가능하다.
또한, 중공용기 (39)의 상단 개구부 (40)는 웨이퍼 보우트 (37)에 의하여, 중공용기 (39)의 하단 개구부 (41)는 받침대 (42)에 의하여 각각 막혀있기 때문에, 중공용기 (39)내에 프로세스 가스가 유입하는 것을 방지할수 있으나, 상단 개구부 (40) 및 하단 개구부 (41)는, 기밀 상태에서 씨일되지 않기 때문에, 어느 정도의 프로세스 가스의 유입은 회피할수 없다.
이것에 의하여, 핀 구조제 (43)의 저온부분에 반응생성물이 부착할 우려가 있다.
그러나, 중공용기 (39) 내부로 침입하는 프로세스 가스의 유속은 매우 낮고, 중공용기 (39)내에서 와류를 발생하지는 않기 때문에, 핀 (45)에 일단 부착한 반응 생성물은 박리하는 일은 없다.
만일, 핀 (45)에 일단 부착한 반응 생성물이 박리하여도, 중공용기 (39)에 의하여 입자로서 웨이퍼 (38)상에 부착하는 것을 확실하게 방지할수 있다.
또한, 매니 포울드 (33) 부근의 온도를 상기 온도로 설정 가능함에 따라, 매니 포울드 (33)의 씨일부재로서 사용되는 O 링 (36),(49)이 열로 열화하는것도 방지할수 있다.
더욱이, 매니포울드 (33)에서의 금속 불순물의 생성을 방지할수 있고, 이 불순물에 의하여 웨이퍼 (38)에 악영향을 미치는 것을 방지할수 있다.
본 실시예에서는, SiN 막을 웨이퍼상에 형성하는 경우를 기재하였으나, 이밖에도 PSG(인 실리케이트 글래스)막, BPSG(보론 인 실리케이트 글래스)막, ASSG(비소 실리케이트 글래스)막등의 형성에 있어서도 동일한 효과가 얻어진다.
이와같이, 본 발명의 종형 열처리 장치를 이용하여 처리를 행함으로써 수율을 향상 시킬수 있다.
또한, 본 발명은, 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지의 범위내에서 여러가지 변형예가 가능하다.
제3도는, 본 발명에 관한 종형 열처리 장치의 다른 실시예를 나타내는 설명도이다.
본 실시예에서는, 중공용기 (39)내에 핀 구조체 (43)에 더하여, 단열효과가 높은 중공체 (50)를 배열설치하고 있다.
이 중공체 (50)는, 예를들면, 석영으로 만들어져 있다.
중공체의 내부 (51)는, 진공상태로 되어 있거나, 또는 석영울 등의 단열재가 충진되어 있다.
이와같은 중공체(50)는, 내부 (51)에서 열대류를 확실하게 방지할수 있기 때문에, 단열효과의 조절부재로서 적용할수 있다.
특히, 종형 열처리 장치에 있어서는, 여러 가지 처리가 실시되기 때문에, 처리온도에 따라서 중공체 (50)를 소망하는 수배열설치하여 단열효과를 조절하는 것이 가능하다.
예를들면, 섭씨 1000도 정도의 높은 처리온도인 경우에, 이러한 단열 효과가 높은 중공체 (50)를 형성함으로써 매니 포울드 (33) 및 플랜지 (46) 부근은 소망의 온도로 설정함이 가능하게 된다.
또한, 자성유체 씨일 유니트 (47)내부에 수용되는 자성유체는 섭씨 50도로 되면 급격하게 짧아지기 때문에, 중공체 (50)를 받침대 (42)상에 얹어놓아 자성유체 씨일 유니트 (47)의 온도상승을 방지한다.
또한, 더욱 단열효과를 높이는 경우, 중공체 (50)를 복수개 배열 설치하면 좋다.
본 발명의 종형 열처리 장치는, SiN의 박막 형성 처리에 적용되는 것만이 아니고, SiO2, 다결정 실리콘등의 여러가지 박막 형성처리, 또는 박막 형성처리외의 다른 열처리에 적용하는것도 가능하다.
이 경우에도 외부입자의 발생을 방지할 수 있고, 수율을 향상 시킬수 있다.

Claims (6)

  1. 내관 (30)과 외관 (31)으로 이루어지는 반응실과, 이 반응실의 바깥측에 배치된 히이터 (32)로 구성되는 반응로와, 이 반응실을 지지하도록 이 반응실의 하부와 연이어 접하고, 이것을 통하여 가스의 도입·배기가 행하여지는 매니 포울드 수단 (33)과, 피처리체가 수용된 보우트 (37)의 아래끝단을 지지하고, 이 보우트 (37)와 함께 이 반응로내에 설치된 중공용기 (39)와, 이 중공용기 (39)내에 각각 부착 및 이탈이 자유롭게 배치된 복수의 제1의 단열부재를 구비하고, 상기 제1의 단열부재의 수를 조정 함으로써, 단열효과가 조절되는 종형 열처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 제1의 단열부재는, 수평으로 소정의 간격을 유지하여 배치된 핀 (45)과, 이 핀 (45)사이의 간격을 유지하기 위한 스페이서 (44)로 이루어지는 핀 유니트로 구성되는 종형 열처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 핀 (45) 및 스페이서 (44)는, 석영, SiC, 석영 - SiC, 그라파이트 - SiC 로 이루어지는 군에서 선택된 재료로 만들어지는 것인 종형 열처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 핀 (45)의 표면은, 열복사를 방지하는 기능을 가지는 종형 열처리 장치.
  5. 제2항에 있어서, 중공용기 (39)는, 부착 및 이탈이 가능한 제2의 단열부재를 적어도 한개 구비하는 종형 열처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 제2의 단열부재는, 진공흡인된 중공체(50) 또는 단열재가 충진된 중공체 (50)인 종형 열처리 장치.
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