KR910005433A - 종형(從型) 열처리 장치 - Google Patents

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KR910005433A
KR910005433A KR1019900012088A KR900012088A KR910005433A KR 910005433 A KR910005433 A KR 910005433A KR 1019900012088 A KR1019900012088 A KR 1019900012088A KR 900012088 A KR900012088 A KR 900012088A KR 910005433 A KR910005433 A KR 910005433A
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KR
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heat insulating
heat treatment
reaction chamber
treatment apparatus
sic
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KR1019900012088A
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카즈히코 이와후치
Original Assignee
카자마 젠쥬
도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy

Abstract

내용 없음

Description

종형(從型)열처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는, 본 발명의 종형 열처리 장치의 1실시예를 나타내는 설명도.

Claims (6)

  1. 내관(30)과 외관(31)으로 이루어지는 반응실과, 이 반응실의 바깥측에 배치된 히이터(32)로 구성되는 반응로와, 이 반응실을 지지하도록 이 반응실의 하부와 연이어 접하고, 이것을 통하여 가스의 도입·배기가 행하여지는 매니 포울드 수단(33)과, 피처리체가 수용된 보우트(37)의 아래끝단을 지지하고, 이 보우트(37)와 함께 이 반응로내에 설치된 중공용기(39)와, 이 중공용기(39)내에 각각 부착 및 이탈이 자유롭게 배치된 복수의 제1의 단열부재를 구비하고, 상기 제1의 단열부재의 수를 조정 함으로써, 단열효과가 조절되는 종형 열처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 제1의 단열부재는, 수평으로 소정의 간격을 유지하여 배치된 핀(45)과, 이 핀(45) 사이의 간격을 유지하기 위한 스페이서(44)로 이루어지는 핀 유니트로 구성되는 종형 열처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 핀(45) 및 스페이스(44)는, 석영, Sic, 석영-Sic, 그라파이트-Sic로 이루어지는 군에서 선택된 재료로 만들어지는 것인 종형 열처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 핀(45)의 표면은, 열복사를 방지하는 기능을 가지는 종형 열처리 장치.
  5. 제2항에 있어서, 중공용기(39)는, 부착 이탈이 가능한 제2의 단열부재를 적어도 한 개 구비하는 종형 열처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 제2의 단열부재는, 진공흡입된 중공체(50) 또는 단열재가 충진된 중공체(50)인 종형 열처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012088A 1989-08-07 1990-08-07 종형열처리장치 KR0147826B1 (ko)

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