KR970027374A - 실리콘 단결정 성장노내의 가스 흐름을 원활하게 하기 위한 방법 및 이를 실현하기 위한 장치 - Google Patents
실리콘 단결정 성장노내의 가스 흐름을 원활하게 하기 위한 방법 및 이를 실현하기 위한 장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 노에서 발생하는 이산화탄소 또는 산화규소가스를 불활성 가스를 주입하여 외부로 효율적으로 배출하기 위한 장치를 제공하기 위한 것이다. 이를 위하여, 본 발명은 실리콘을 용해하며, 지주(6)로 하우징(7)내에 지탱되어지는, 흑연 도가니노(1); 도가니노 외부에 일정한 간격을 갖고 노의 외부를 둘러싸고 있는 흑연발열체(2); 흑연 도가니노에서 용융된 실리콘의 결정 성장을 위하여 도가니노 상부에 배열된 실리콘 시드(3); 도가니노 및 실리콘 시드의 공간을 외부에 대하여 밀폐의 구조로 유지하기 위하여 도가니노와 실리콘 시드를 내부에 포함하며, 내부 공간에는 그 상부에서 흑연 도가니로를 향하여 경사지게 뻗혀진 가스 가이드 판(5)이 형성된, 덮게(4); 도가니노, 흑연 발열체, 및 지주를 내부에 포함하며, 덮게와 결합하여 덮게의 하부 구조를 이루는 하우징(7)으로 구성되는 실리콘 단결정 성장노에 있어서, 덮게(4)의 벽(41)과 가스 가이드 판(5)으로 형성되는 공간의 상부 공간부가 형성되는 덮게의 벽에 가스 배출구(8)를 형성하고, 이 가스 배출구(8)는 하우징(7)의 외벽을 따라 형성된 배기 파이프(9)와 결합되어 덮게의 상부에서 공급된 불활성 가스의 흐름이 흑연 도가니노(1)의 상부를 거쳐 가스가이드 판(5)과 덮게의 벽(41)의 사이공간을 통과하여, 배출구(8)과 배기 파이프(9)로 노의 외부로 이어지게 하도록 하는 것을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (6)
- 실리콘을 용해하며, 지주(6)로 하우징(7)내에 지탱되어지는, 흑연 도가니노(1); 도가니노 외부에 일정한 간격을 갖고 노의 외부를 둘러싸고 있는 흑연 발열체(2); 흑연 도가니노에서 용융된 실리콘의 결정 성장을 위하여 도가니노 상부에 배열된 실리콘 시드(3); 도가니노 및 실리콘 시드의 공간을 외부에 대하여 밀폐의 구조로 유지하기 위하여 도가니노와 실리콘 시드를 내부에 포함하며, 내부공간에는 그 상부에서 흑연 도가니노를 향하여 경사지게 뻗혀진 가스 가이드 판(5)이 형성된, 덮게(4); 도가니노, 흑연 발열체, 및 지주를 내부에 포함하며, 덮게와 결합하여 덮게의 하부 구조를 이루는 하우징(7)으로 구성되는 실리콘 단결정 상장노에 있어서, 덮게(4)의 벽(41)과 가스 가이드 판(5)으로 형성되는 공간의 상부 공간부가 형성되는 덮게의 벽에 가스 배출구(8)를 형성하고, 이 가스 배출구(8)는 하우징(7)의 외벽을 따라 형성된 배기 파이프(9)와 결합되어 덮게의 상부에서 공급된 불활성 가스의 흐름이 흑연 도가니노(1)의 상부를 거쳐 가스 가이드 판(5)과 덮게의 벽(41)의 사이공간을 통과하여, 배출구(8)와 배기 파이프(9)로 노의 외부로 이어지게 하도록 하는 실리콘 단결정 성장노.
- 제1항에 있어서, 덮게의 벽에 형성된 배출구(8)의 수는 2개에서 8개정도로 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장노.
- 제2항에 있어서, 덮게의 벽에 형성된 배출구(8)의 수는 4개로 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장노.
- 제1항에 있어서, 한곳의 배출구(8)는 하나의 구멍으로 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장노.
- 제1항에 있어서, 한곳의 배출구(8)는 2개 이상의 다공의 구조로 구성함을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장노.
- 제5항에 있어서, 한곳의 배출구(8)는 2내지 3개의 작은 구멍으로 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 성장노.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950042533A KR0157365B1 (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 실리콘 단결정 성장노내의 가스 흐름을 원활하게 하기 위한 방법 및 이를 실현하기 위한 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950042533A KR0157365B1 (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 실리콘 단결정 성장노내의 가스 흐름을 원활하게 하기 위한 방법 및 이를 실현하기 위한 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970027374A true KR970027374A (ko) | 1997-06-24 |
KR0157365B1 KR0157365B1 (ko) | 1999-02-18 |
Family
ID=19434948
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950042533A KR0157365B1 (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 실리콘 단결정 성장노내의 가스 흐름을 원활하게 하기 위한 방법 및 이를 실현하기 위한 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0157365B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100486877B1 (ko) * | 2002-10-15 | 2005-05-03 | 주식회사 실트론 | 저융점 도판트 주입관이 설치된 실리콘 단결정 성장 장치및 저융점 도판트 주입 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101467075B1 (ko) * | 2013-01-24 | 2014-12-01 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 성장 장치 및 잉곳 성장 방법 |
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1995
- 1995-11-21 KR KR1019950042533A patent/KR0157365B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100486877B1 (ko) * | 2002-10-15 | 2005-05-03 | 주식회사 실트론 | 저융점 도판트 주입관이 설치된 실리콘 단결정 성장 장치및 저융점 도판트 주입 방법 |
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