JPS60137893A - 半導体単結晶引上用黒鉛ルツボ - Google Patents
半導体単結晶引上用黒鉛ルツボInfo
- Publication number
- JPS60137893A JPS60137893A JP25185883A JP25185883A JPS60137893A JP S60137893 A JPS60137893 A JP S60137893A JP 25185883 A JP25185883 A JP 25185883A JP 25185883 A JP25185883 A JP 25185883A JP S60137893 A JPS60137893 A JP S60137893A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphite crucible
- crucible
- slit
- cylindrical part
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体単結晶引上用黒鉛ルツボの改良に関する
。
。
シリコン等の半導体単結晶の製造は第１図に示すように
黒鉛ルツボｌ内に例えば石英ルツボ２を内装した装置を
用い、この石英ルツボ２内にシリコン多結晶体等の半導
体原料を収容してこれらの外部に配設されたヒータによ
り溶融し、この溶融シリコン３に種結晶を浸してこれを
引上げることにより行なわれている。 ” 従来、上記黒鉛ルツボｌは熱膨張を吸収するために第２
図及び第３図に示すように、いわゆる縦割で２分割以上
、例えば３分割されている。
黒鉛ルツボｌ内に例えば石英ルツボ２を内装した装置を
用い、この石英ルツボ２内にシリコン多結晶体等の半導
体原料を収容してこれらの外部に配設されたヒータによ
り溶融し、この溶融シリコン３に種結晶を浸してこれを
引上げることにより行なわれている。 ” 従来、上記黒鉛ルツボｌは熱膨張を吸収するために第２
図及び第３図に示すように、いわゆる縦割で２分割以上
、例えば３分割されている。
しかし、上述した従来の黒鉛ルツボは径方向の膨張力に
対しては拡がることができるが、高さ方向の膨張力に対
しては拡がることができず、第２図に示すようにクラッ
ク４が入るという欠点がある。
対しては拡がることができるが、高さ方向の膨張力に対
しては拡がることができず、第２図に示すようにクラッ
ク４が入るという欠点がある。
本発明は上記欠点を解消するためになされたものであり
、径方向及び高さ方向の両方向の＋Ｗ張力を吸収するこ
とができ、クシツクの入りにくい半導体単結晶引上用黒
鉛ルツボを提供しようとするものである。
、径方向及び高さ方向の両方向の＋Ｗ張力を吸収するこ
とができ、クシツクの入りにくい半導体単結晶引上用黒
鉛ルツボを提供しようとするものである。
すなわち本発明の半導体単結晶引上用黒鉛ルツボは、黒
鉛ルツボが少なくとも底部及び上部の円筒部からなり、
上部の円筒部に螺旋状のスリ、ントを段々たことを特徴
とするものである。
鉛ルツボが少なくとも底部及び上部の円筒部からなり、
上部の円筒部に螺旋状のスリ、ントを段々たことを特徴
とするものである。
このように−に部の円筒部に螺旋状のスリットを設けれ
ば、径方向及び高さ方向の両方向の膨張力を吸収するこ
とができ、クラックを入りにくくすることができる。
ば、径方向及び高さ方向の両方向の膨張力を吸収するこ
とができ、クラックを入りにくくすることができる。
本発明において、スリットの長さは上部円筒部のスリッ
トが設けられた部分の の展開図における対角線の長さ以上であることが望まし
い。これは、スリットの長さが １（高さ）２＋（外周）２未満では膨張力に対する拡が
りかたが少なく、クラックが入るのを防止する効果が少
ないためである。
トが設けられた部分の の展開図における対角線の長さ以上であることが望まし
い。これは、スリットの長さが １（高さ）２＋（外周）２未満では膨張力に対する拡が
りかたが少なく、クラックが入るのを防止する効果が少
ないためである。
また、本発明において、スリットにより形成される分割
面は黒鉛ルツボの厚み方向の断面に対して３０〜６０″
の範囲で傾斜して設けられていることが望ましい。これ
は上記角度が３０″未満ではヒータからの熱がスリット
を通して直接内装されている石英ルツボ等に伝わり易く
、石英ルツボ等の軟化変形やスリットへのくい込・みを
招くためである。一方、上記角度が６０’を超えると分
割面の端部が鋭角的になり、欠は易くなるためである。
面は黒鉛ルツボの厚み方向の断面に対して３０〜６０″
の範囲で傾斜して設けられていることが望ましい。これ
は上記角度が３０″未満ではヒータからの熱がスリット
を通して直接内装されている石英ルツボ等に伝わり易く
、石英ルツボ等の軟化変形やスリットへのくい込・みを
招くためである。一方、上記角度が６０’を超えると分
割面の端部が鋭角的になり、欠は易くなるためである。
以下、本発明の実施例を第４図〜第７図を参照して説明
する。
する。
第４図は未発りｊに係る黒鉛ルツボ１１の＋Ｅ面図を示
し、この黒鉛ルツボ１１は底部１２、円筒部１３及び上
端部１４から構成されている。前記底部１２は第４図及
び第５図に示す如く３分割されている。また、前記円筒
部１３には第４図に示す如く上端から下端まで連続的に
螺旋状のスリット１５が設けられている。このスリット
１５の長さ一一一−１■１暢−トーー□□□□甲□苧−
−１−１−１□−□−一は円筒部１３の１（高さ）２＋
（外周）２以に、すなわち円筒部１３の展開図における
対角線の長さ以上となっている。更に、これら底部１２
、円筒部１３及び上端部１４には第６図に示す如く対応
する凹凸が設けられ、互いに嵌合されている。
し、この黒鉛ルツボ１１は底部１２、円筒部１３及び上
端部１４から構成されている。前記底部１２は第４図及
び第５図に示す如く３分割されている。また、前記円筒
部１３には第４図に示す如く上端から下端まで連続的に
螺旋状のスリット１５が設けられている。このスリット
１５の長さ一一一−１■１暢−トーー□□□□甲□苧−
−１−１−１□−□−一は円筒部１３の１（高さ）２＋
（外周）２以に、すなわち円筒部１３の展開図における
対角線の長さ以上となっている。更に、これら底部１２
、円筒部１３及び上端部１４には第６図に示す如く対応
する凹凸が設けられ、互いに嵌合されている。
そして、第６図のＡ部分を拡大して示す第７図に示す如
く前記スリット１５により形成される分割面は黒鉛ルツ
ボ１１の厚み方向の断面に対してθ＝３０〜６０°の範
囲で傾斜して設けられている。
く前記スリット１５により形成される分割面は黒鉛ルツ
ボ１１の厚み方向の断面に対してθ＝３０〜６０°の範
囲で傾斜して設けられている。
しかして上記黒鉛ルツボ１１によれば、円筒部１３の上
端から下端まで連続的に螺旋状のスリット１５が設けら
れているので、径方向だけでなく高さ方向の１１１張力
に対しても有効に拡がることができ、極めてクラックが
入りにくくなる。
端から下端まで連続的に螺旋状のスリット１５が設けら
れているので、径方向だけでなく高さ方向の１１１張力
に対しても有効に拡がることができ、極めてクラックが
入りにくくなる。
事実、第２図及び第３図に示すような従来の黒鉛ルツボ
をシリコン単結晶の引上げに用いた場合その耐用回数は
２１回であってのに対し、上記黒鉛ルツボ１１の耐用回
数は３５回となり、大幅に耐用回数を向−１ニすること
ができた。
をシリコン単結晶の引上げに用いた場合その耐用回数は
２１回であってのに対し、上記黒鉛ルツボ１１の耐用回
数は３５回となり、大幅に耐用回数を向−１ニすること
ができた。
以［−詳述した如く本発明の半導体単結晶用」−用黒鉛
ルツボによれば、熱膨張によるクラックが入りにくくな
り、耐用回数を向上することができるものである。
ルツボによれば、熱膨張によるクラックが入りにくくな
り、耐用回数を向上することができるものである。
第１図は黒鉛ルツボの使用状態を示す断面図、ｔ５２図
は従来の黒鉛ルツボの正面図、第３図は同黒鉛ルツボの
平面図、第４図は本発明の実施例における黒鉛ルツボの
正面図、ｆｆ１５図は同黒鉛ルツボの底部の平面図、第
６図は同黒鉛ルツボの断面図、第７図は第６図のＡ部分
を拡大して示す断面図である。 １１・・・黒鉛ルツボ、１２・・・底部、１３・・・円
筒部、１４・・・上端部、１５・・・スリット。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第４図 第５図 第６図 第７図
は従来の黒鉛ルツボの正面図、第３図は同黒鉛ルツボの
平面図、第４図は本発明の実施例における黒鉛ルツボの
正面図、ｆｆ１５図は同黒鉛ルツボの底部の平面図、第
６図は同黒鉛ルツボの断面図、第７図は第６図のＡ部分
を拡大して示す断面図である。 １１・・・黒鉛ルツボ、１２・・・底部、１３・・・円
筒部、１４・・・上端部、１５・・・スリット。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (3)
- （１）半導体原料を収容し溶融させるルツボを内装する
半導体単結晶用」１川黒鉛ルツボにおいて。 前記黒鉛ルツボが少なくとも底部及び上部の円筒部から
なり、上部の円筒部に螺旋状のスリットを設けたことを
特徴とする半導体単結晶引上用黒鉛ルツボ。 - （２）スリットの長さが上部円筒部のスリットが設けら
れた部分のＪ（高さ）２＋（外周）２以上であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体単結晶引
上用黒鉛ルツボ。 - （３）スリットにより形成される分割面が黒鉛ルツボの
厚み方向の断面に対して３０〜６０°の範囲で傾斜して
設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体単結晶引上用黒鉛ルツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25185883A JPS60137893A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体単結晶引上用黒鉛ルツボ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25185883A JPS60137893A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体単結晶引上用黒鉛ルツボ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60137893A true JPS60137893A (ja) | 1985-07-22 |
| JPH0438718B2 JPH0438718B2 (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=17228964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25185883A Granted JPS60137893A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体単結晶引上用黒鉛ルツボ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60137893A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0971054A1 (de) * | 1998-07-09 | 2000-01-12 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Stütztiegel zur Stützung von Schmelztiegeln |
| US7048802B2 (en) * | 2000-11-07 | 2006-05-23 | Aixtron Ag | CVD reactor with graphite-foam insulated, tubular susceptor |
| WO2011067201A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Solarworld Innovations Gmbh | Device for holding silicon melt |
| CN102115909A (zh) * | 2010-10-13 | 2011-07-06 | 浙江舒奇蒙能源科技有限公司 | 一种三瓣石墨坩埚单晶炉 |
| WO2011096821A1 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | Nordic Ceramics As | Sectioned crucible |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP25185883A patent/JPS60137893A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0971054A1 (de) * | 1998-07-09 | 2000-01-12 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Stütztiegel zur Stützung von Schmelztiegeln |
| US7048802B2 (en) * | 2000-11-07 | 2006-05-23 | Aixtron Ag | CVD reactor with graphite-foam insulated, tubular susceptor |
| WO2011067201A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Solarworld Innovations Gmbh | Device for holding silicon melt |
| CN102713024A (zh) * | 2009-12-04 | 2012-10-03 | 太阳世界创新有限公司 | 用于保持硅熔体的装置 |
| JP2013512835A (ja) * | 2009-12-04 | 2013-04-18 | サン−ゴバン インドゥストリーケラミク レーデンタール ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | シリコン溶融物を保持する装置 |
| WO2011096821A1 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | Nordic Ceramics As | Sectioned crucible |
| CN102115909A (zh) * | 2010-10-13 | 2011-07-06 | 浙江舒奇蒙能源科技有限公司 | 一种三瓣石墨坩埚单晶炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0438718B2 (ja) | 1992-06-25 |
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