KR970001617A - 실리콘 단결정 넥에서의 전위 제거 방법 - Google Patents
실리콘 단결정 넥에서의 전위 제거 방법 Download PDFInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 11
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Abstract
상부, 중간부 및 하부를 갖는 넥을 포함하는 초크랄스키 방법에 의해 형성된 실리콘 단결정. 상부는 전위를 포함한다. 중간부는 상부와 하부 사이에 있다. 대부분의 중간부와 하부는 10밀리미터 이상의 직경을 가지며, 하부는 전위가 없다. 결정은 또한 넥의 하부에 인접한 바깥 방향으로 나팔형 부분, 및 바깥 방향으로 나팔형 부분에 인접한 본체를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 단결정 본체의 상부 영역을 도시한 종단면도, 제2도는 단결정의 넥의 길리에 따른 전위 밀도의 도면.
Claims (11)
- 초크랄스키 방법에 의해 형성된 실리콘 단결정 있어서, 상부는 전위를 포함하며, 중간부는 상부와 하부 사이에 있으며, 대부분의 중간부와 하부는 10밀리미터 이상의 직경을 가지며, 하부는 전위가 없는, 상부, 중간부 및 하부를 가진 넥, 상기 넥의 하부에 인접한 바깥 방향으로 나팔형 부분, 및 상기 바깥 방향으로 나팔형 부분에 인접한 본체를 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
- 제1항에 있어서, 상기 중간부 또는 하부 모두는 약8.5밀리미터 이하 또는 약 17밀리미터 이상의 직경을 갖지 않는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
- 제1항에 있어서, 상기 본체는 전위가 없으며 200㎜ 이상의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
- 초크랄스키 방법에 의해 형성된 실리콘 단결정에 있어서, 상부는 전위를 포함하며, 중간부는 상부와 하부 사이에 있으며, 중간부와 하부 모두 약 10밀리미터 이하의 직경을 갖지 않으며, 하부는 전위가 없는, 상부, 중간부 및 하부를 갖는 넥, 상기 넥의 하부에 인접한 외부로 플레어형 부분, 및 무게가 200킬로미터 이상이며 본체가 용융 실리콘으로부터 성장될 때 상기 넥에 의해 완전히 지지되는, 바깥 방향으로 나팔형 부분에 인접한 본체를 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
- 제4항에 있어서, 상기 본체는 전위가 없으며 200㎜ 이상의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
- 초크랄스키 방법에 의하여 p+-형 실리콘으로부터 형성된 실리콘 단결정에 있어서, 상부는 전위를 포함하며, 중간부는 상부와 중간부 사이에 있으며, 대부분의 중간부와 하부는 10밀리미터 이상의 직경을 가지며, 하부는 전위가 없으며, 중간부와 하부는 모두 약 8.5밀리미터 이하 또는 약 17밀리미터 이상의 직경을 갖지않는, 상부, 중간부 및 하부를 가진 넥, 상기 넥의 상기 하부에 인접한 바깥 방향으로 나팔형 부분, 및 상기 바깥 방향으로 나팔형 부분에 인접한 본체를 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
- 제6항에 있어서, 상기 본체는 전위가 없으며 200㎜ 이상의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정.
- 초크랄스키 방법에 의해 성장된 실리콘 단결정의 상기 넥의 전위를 제거하는 방법에 있어서, 도가니에서 폴리크리스탈린 실리콘을 가열시켜 용융물을 형성하는 단계, 시드 결정이 녹기 시작할 때까지 상기 시드 결정과 상기 용융물을 접촉시켜, 상기 시드 결정에 전위를 형성시키는 단계, 상부는 상기 시드 결정과 상기 중간부 사이에 있으며 전위를 포함하며, 대부분의 상기 중간부는 10밀리미터 이상의 직경을 가지는, 상부 및 중간부를 포함하는 넥을 형성시키기 위해 상기 시드 결정을 상기 용융물로부터 퇴출시키는 단계, 및 상기 넥의 중간부내에 상기 전위가 제거될 때까지 약 4.0㎜/min 이하의 비율로 상기 넥을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전위 제거 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 넥은 약 1.0㎜/min에서 약 3.0㎜/min까지의 비율로 성장되는 것을 특징으로 하는 전위 제거 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 중간부의 어느 부분도 약 8.5밀리미터 이하 또는 약 17밀리미터 이상의 직경을 갖지 않는 것을 특징으로 하는 전위 제거 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 넥의 전위가 제거된 후 상기 바깥 방향으로 나팔형 부분에 인접한 본체와 상기 넥아래의 바깥 방향으로 나팔형 부분을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전위 제거 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/483,304 | 1995-06-07 | ||
US08/483,304 US5578284A (en) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | Silicon single crystal having eliminated dislocation in its neck |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970001617A true KR970001617A (ko) | 1997-01-24 |
Family
ID=23919541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960020006A KR970001617A (ko) | 1995-06-07 | 1996-06-05 | 실리콘 단결정 넥에서의 전위 제거 방법 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5578284A (ko) |
EP (1) | EP0747512B1 (ko) |
JP (1) | JP3969766B2 (ko) |
KR (1) | KR970001617A (ko) |
CN (1) | CN1148103A (ko) |
DE (1) | DE69609574T2 (ko) |
MY (1) | MY112217A (ko) |
SG (1) | SG60003A1 (ko) |
TW (1) | TW283784B (ko) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5625979A (en) | 1992-09-04 | 1997-05-06 | Southpac Trust International, Inc. | Sleeve having a detachable portion forming a skirt and methods |
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JP2937115B2 (ja) * | 1996-03-15 | 1999-08-23 | 住友金属工業株式会社 | 単結晶引き上げ方法 |
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CN105177703B (zh) * | 2015-10-13 | 2017-10-17 | 邢台晶龙电子材料有限公司 | 提拉法制备单晶硅棒过程中引细颈的方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-06-07 US US08/483,304 patent/US5578284A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-23 TW TW084112471A patent/TW283784B/zh active
-
1996
- 1996-05-24 DE DE69609574T patent/DE69609574T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-24 EP EP96303756A patent/EP0747512B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-05 KR KR1019960020006A patent/KR970001617A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-06-06 CN CN96102274A patent/CN1148103A/zh active Pending
- 1996-06-06 MY MYPI96002286A patent/MY112217A/en unknown
- 1996-06-06 SG SG1996009997A patent/SG60003A1/en unknown
- 1996-06-06 JP JP14410596A patent/JP3969766B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-03 US US08/675,550 patent/US5628823A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5628823A (en) | 1997-05-13 |
US5578284A (en) | 1996-11-26 |
DE69609574T2 (de) | 2000-12-07 |
SG60003A1 (en) | 1999-02-22 |
EP0747512A2 (en) | 1996-12-11 |
JPH092898A (ja) | 1997-01-07 |
EP0747512B1 (en) | 2000-08-02 |
DE69609574D1 (de) | 2000-09-07 |
CN1148103A (zh) | 1997-04-23 |
EP0747512A3 (en) | 1997-08-20 |
JP3969766B2 (ja) | 2007-09-05 |
TW283784B (en) | 1996-08-21 |
MY112217A (en) | 2001-04-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |