KR920003424A - 표면처리 장치, 표면처리방법 및 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

표면처리 장치, 표면처리방법 및 반도체장치의 제조방법 Download PDF

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KR920003424A
KR920003424A KR1019910011877A KR910011877A KR920003424A KR 920003424 A KR920003424 A KR 920003424A KR 1019910011877 A KR1019910011877 A KR 1019910011877A KR 910011877 A KR910011877 A KR 910011877A KR 920003424 A KR920003424 A KR 920003424A
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데쯔오 오소
스스무 히라오까
사까에 사이또
구니오 하라다
미쯔히로 다찌바나
시게오 구보따
게이조 스즈끼
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미다 가쓰시게
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Abstract

내용 없음

Description

표면처리 장치, 표면처리방법 및 반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 관한 표면처리장치의 제1의 실시예의 구성을 도시한 횡단면도.

Claims (54)

  1. 시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단, 상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단, 그 제1의 내부공간내에 상기 제2의 수단을 수용하기 위한 제3의 수단, 그 제2의 내부공간내에서 상기 시료를 표면처리하기 위한 제4의 수단 및 상기 제2의 내부 공간내로 불황성 가스 공급하기 위한 제5의 수단을 가지며, 상기 제1의 내부공간과 상기 제2의 내부공간은 기밀적으로 분되어 있는 표면처리장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 수단은 반응가스, 공급관인 표면처리장치.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있으면서, 상기 제5의 수단을 불활성 가스 공급관인 표면처리장치.
  4. 시료를 표면처리 하기 위한 반응 가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단, 상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단, 그 제1의 내부공간내에 상기 제2의 수단을 수용하기 위한 제3의 수단, 그 제2의 내부 공간내에서 상기 시료를 표면처리하기 위한 제4도의 수단 및 상기 제2의 내부공간내를 감압하기 위한 제5의 수단을 가지며, 상기 제1의 내부공간과 상기 제2의 내부공간은 기밀적으로 분리되어 있는 표면처리장치.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 제1의 수단은 반응가스 공급관인 표면처리 장치.
  6. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 제5의 수단은 배기관인 표면처리장치.
  7. (a)시료를 표면처리하기 위한 반응 가스를 상기시료에 공급하기 위한 제1의 수단을 준하는 스텝,
    (b)상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단을 제1의 내부공간내에 준비하는 스텝,
    (c)상기 제1의 내부공간내로 불활성가스를 공급하는 스텝 및
    (d)상기 제1의 내부공간과는 기밀적으로 분리된 제2의 내부공간내에서 상기 시료를 표면처리하는 스텝을 포함하는 표면처리방법.
  8. (a)시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단을 준비하는 가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단을 준비하는 스텝.
    (b)상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단을 제1의 내부공간내에 준비하는 스텝,
    (c)상기 제1의 내부공간내를 감압하는 스텝 및,
    (d)상기 제1의 내부공간과는 기밀적으로 분리된 제2의 내부공간에서 상기 시료를 표면처리하는 스텝을 포함하는 표면처리방법.
  9. (a)반도체장치를 표면처리하기 위한 반응가스를 상가반도체장치에 공급하기 위한 제1의 수단을 준비하는 스텝,
    (b)상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단을 제1의 내부공간내에 준비하는 스텝,
    (c)상기 제1의 내부공간내로 감압하는 스텝 및
    (d)상기 제1의 내부공간과는 기밀적으로 분리된 제2의 내부공간내에서 상기 반도체장치를 표면처리하는 스텝을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  10. (a)반도체장치를 표면처리하기 위한 반응 가스를 상기 반도체장치에 공급하기 위한 제1의 수단을 준비하는 스텝,
    (b)상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단을 제1의 내부공간내에 준하는 스텝,
    (c)상기 젭의 내부공간내를 감압하는 스텝 및
    (d)상기 제1의 내부공간과는 기밀적으로 분리된 제2의 내부공간내에서 상기 반도체장치를 표면처리하는 스텝을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  11. 시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단, 상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단, 상기 제2의 수단을 수용하기 위한 제1의 공간, 그 내부에서 상기 시료를 표면처리하기 위한 제2의 공간, 상기 제1의 공간과 상기 제2의 공간을 부분적으로 연이어 통하게 하고, 또한 그 이외의 부분을 구분하기 위한 제3의 수단, 상기 제2의 수단과 상기 제2의 공간사이를 차폐하기 위한 제4의 수단 및 상기 제2의 내부공간내로 불홀성 가스를 공급하기 위한 제5의 수단을 갖는 표면처리장치.
  12. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 제1의 수단은 반응 가스 공급관인 표면처리장치.
  13. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 제5의 수단은 불황성 가스 공급관인 표면처리장치.
  14. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 제1의 수단은 상기 제3의 수단의 상기 연이어 통하는 부분에 근접하여 연장하고, 상기 제2의 수단은 상기 제1의 바깥둘레부 근방에 배치되어 있는 표면처리장치.
  15. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 제3의 수단은 간막이판인 표면처리장치.
  16. 시료를 표면처리하기 위한 반응 가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단, 상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단, 상기 제2의 수단을 수용하기 위한 제1의 공간, 그 내부에서 상기 시료를 표면처리하기 위한 제2의 공간, 상기 제1의 공간과 상기 제2의 공간을 부분적으로 연이어 통하게 하고, 또한 그 이외의 부분을 구분하기 위한 제3의 수단, 상기 제2의 수단과 상기 제2의 공간 사이를 차폐하기 위한 제4의 수단 및 상기 제2의 내부공간내를 감압하기 위한 제5의 수단을 갖는 표면처리장치.
  17. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 제1의 수단은 반응가스 공급관인 표면처리장치.
  18. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 제5의 수단은 배기관인 표면처리장치.
  19. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 제1의 수단은 상기 제3의 수단의 상기 연이어 통하는 부분에 근접하여 연장하고, 상기 제2의 수단은 상기 제1의 수단의 바깥둘레부 근방에 배치되어 있는 표면처리장치.
  20. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 제3의 수단은 간막이 판인 표면처리장치.
  21. (a)시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단을 준비하는 스텝,
    (b)상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단을 제1의 내부공간내에 준비하는 스텝,
    (c)상기 제1의 공간과 상기 시료를 표면처리하기 위한 제2의 공간을 부분적으로 연이어 통하게 하고, 또한 그 이외의 부분을 구분하기 위한 제3의 수단을 준비하는 스텝,
    (d)상기 제2의 수단과 상기 제2의 공간 사이를 차폐하기 위한 제4의 수단을 준비하는 스텝,
    (e)상기 제2의 내부공간내로 불활성가스를 공급하는 스텝 및
    (f)상기 제2의 내부공간내에서 상기 시료를 표면처리하는 스텝을 포함하는 표면처리방법.
  22. (a)시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단을 준비하는 스텝,
    (b)상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단을 제1의 내부공간내에 준비하는 스텝,
    (c)상기 제1의 공간과 상기 시료를 표면처리하기 위한 제2의 공간을 부분적으로 연이어 통하게 하고, 또한 그 이외의 부분을 구분하기 위한 제3의 수단을 준비하는 스텝,
    (d)상기 제2의 수단과 상기 제2의 공간 사이를 차폐하기 위한 제4의 수단을 준비하는 스텝,
    (e)상기 제2의 내부공간내를 감압하는 스텝 및
    (f)상기 제2의 내부공간내에서 상기 시료를 표면처리하는 스텝을 포함하는 표면처리방법.
  23. (a)반도체장치를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 반도체장치에 공급하기 위한 제1의 수단을 준비하는 스텝,
    (b)상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단을 제1의 내부공간내에 준비하느 스텝,
    (c)상기 제1의 공간과 상기 반도체장치를 표면처리장치로 하기 위한 제2의 공간을 부분적으로 연이어 통하게 하고, 또한 그 이외의 부분을 구분하기 위한 제3의 수단을 준비하는 스텝,
    (d)상기 제2의 수단과 상기 제2의 공간 사이를 차폐하기 위한 제4의 수단을 준비하는 스텝,
    (e)상기 제2의 내부공간내로 불활성가스를 공급하는 스텝 및
    (f)상기 제2의 내부공간내에서 상기 반도체장치를 표면처리하는 스텝을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  24. (a)반도체장치를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 반도체장치에 공급하기위한 제1의 수단을 준비하는 스텝,
    (b)상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단을 제1의 내부공간내에 준비하는 스텝,
    (c)상기 제1의 공간과 상기 반도체장치를 표면처리장치로 하기 위한 제2의 공간을 부분적으로 연이어 통하게 하고, 또한 그 이외의 부분을 구분하기 위한 제3의 수단을 준비하는 스텝,
    (d)상기 제2의 수단과 상기 제2의 공간 사이를 차폐하기 위한 제4의 수단을 준비하는 스텝,
    (e)상기 제2의 내부공간내로 불활성가스를 공급하는 스텝 및
    (f)상기 제2의 내부공간내에서 상기 반도체장치를 표면처리하는 스텝을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  25. 시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단, 상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단, 그 내부공간내에 상기 제1및 제2의 수단을 수용하기 위한 제3의 수단 및 상기 제2의 수단을 기밀하게 봉하여 막기 위한 제4의 수단을 갖는 표면처리장치.
  26. 특허청구의 범위 제25항에 있어서, 상기 제1의 수단은 반응가스 공급관인 표면처리장치.
  27. (a)시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단을 준비하는 스텝,
    (b)상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단을 제1의 내부공간내에 준비하는 스텝,
    (c)그 내부공간내에 상기 제1 및 제2의 수단을 수용하기 위한 제3의 수단을 준비하는 스텝.
    (d)상기 제2의 수단을 기밀하게 봉하여 막는 스텝 및
    (e)상기 내부공간내에서 상기 시료를 표면처리하는 스텝을 포함하는 표면처리방법.
  28. (a)반도체장치를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 반도체장치에 공급하기 위한 제1의 수단을 준비하는 스텝,
    (b)상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단을 준비하는 스텝,
    (c)그 내부공간내에 상기 제1 및 제2의 수단을 수용하기 위한 제3의 수단을 준비하는 스텝,
    (d)상기 제2의 수단을 기밀하게 봉하여 막는 스텝 및
    (e)상기 내부공간내에서 상기 반도체장치를 표면처리하는 스텝을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  29. 시료를 수용하기 위한 제1의 내부공간을 갖는 제1의 수단, 상기 시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 제1의 내부공간내에 공급하기 위한 제2의 수단, 상기 제1의 내부공간내에 공급된 상기 반응가스를 가열하기 위한 제3의 수단, 상기 제3의 수단을 그 제2의 내부공간내에 수용하기 위한 제4의 수단 및 상기 제2의 내부공간내에 불활성 가스를 공급하기 위한 제5의 수단을 가지며, 상기 제1의 내부공간과 상기 제2의 내부공간은 기밀적으로 분리되어 있는 표면처리장치.
  30. 특허청구의 범위 제29항에 있어서, 상기 제3의 수단은 가열판인 표면처리장치.
  31. 특허청구의 범위 제29항에 있어서, 상기 제1의 내부공간내에는 콜리메이터가 수용되어 있는 표면처리장치.
  32. 특허청구의 범위 제29항에 있어서, 상기 제2의 수단은 반응가스 공급관인 표면처리장치.
  33. 특허청구의 범위 제29항에 있어서, 상기 제5의 수단은 불활성가스 공급관인 표면처리장치.
  34. 시료를 수용하기 위한 제1의 내부공간을 갖는 제1의 수단, 상기 시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 가열하기 위한 제2의 수단, 상기 제2의 수단을 제2의 내부 공간내에 수용하기 위한 제3의 수단, 상기 제2의 내부공간내로 불활성가스를 공급하기 위한 제4의 수단 및 상기 제3의 수단이 갖는 활성면과 콜리메이터에 의해서 형성되고, 상기 콜리메이터를 거쳐서 상기 제1의 내부공간과 연이어 통하게 되고, 상기 제2의 내부공간과는 기밀적으로 분리된 제3의 내부공간, 상기 반응가스를 상기 제3의 내부공간내에 공급하기 위한 제5의 수단을 갖는 표면처리장치.
  35. 특허청구의 범위 제34항에 있어서, 상기 제3의 수단은 가열판인 표면처리장치.
  36. 특허청구의 범위 제34항에 있어서, 상기 제4의 수단은 불활성가스 공급관인 표면처리장치.
  37. 특허청구의 범위 제34항에 있어서, 상기 제5의 수단은 반응가스 공급관인 표면처리장치.
  38. 시료를 수용하기 위한 제1의 내부공간을 갖는 제1의 수단, 상기 시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 제1의 내부공간내에 공급하기 위한 제2의 수단, 상기 제1의 내부공간내에 공급된 상기 반응가스를 가열하기 위한 제3의 수단, 상기 제3의 수단을 그 제2의 내부공간내에 수용하기 위한 제4의 수단 및 상기 제2의 내부공간내를 감압하기 위한 제5의 수단을 가지며, 상기 제1의 내부공간과 상기 제2의 내부공간은 기밀적으로 분리되어 있는 표면처리장치.
  39. 특허청구의 범위 제38항에 있어서, 상기 제3의 수단은 가열판인 표면처리장치.
  40. 특허청구의 범위 제38항에 있어서, 상기 제1의 내부공간내에는 콜리메이터가 수용되어 있는 표면처리장치.
  41. 특허청구의 범위 제38항에 있어서, 상기 제2의 수단은 반응가스 공급관인 표면처리장치.
  42. 특허청구의 범위 제38항에 있어서, 상기 제5의 수단은 배기관인 표면처리장치.
  43. 시료를 수용하기 위한 제1의 내부공간을 갖는 제1의 수단, 상기 시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 가열하기 위한 제2의 수단, 상기 제2의 수단을 제2의 내부 공간내에 수용하기 위한 제3의 수단, 상기 제2의 내부공간내를 감압하기 위한 제4의 수단 및 상기 제3의 수단이 갖는 활성면과 콜리메이터에 의해서 형성되고, 상기 콜리메이터를 거쳐서 상기 제1의 내부공간과 연이어 통하게 되고, 상기 제2의 내부공간과는 기밀적으로 분리된 제3의 내부공간, 상기 반응가스를 상기 제3의 내부공간내에 공급하기 위한 제5의 수단을 갖는 표면처리장치.
  44. 특허청구의 범위 제43항에 있어서, 상기 제3의 수단은 가열판인 표면처리장치.
  45. 특허청구의 범위 제43항에 있어서, 상기 제4의 수단은 배기관인 표면처리 장치.
  46. 특허청구의 범위 제43항에 있어서, 상기 제5의 수단은 반응가스 공급관인 표면처리장치.
  47. 시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단, 상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단, 그 제1의 내부공간내에 상기 제2의 수단을 수용하기 위한 제3의 수단, 그 제2의 내부공간내에서 상기 시료를 표면처리하기 위한 제4의 수단 및 상기 제1의 내부공간내로 불활성가스를 공급하기 위한 제5의 수단을 가지며, 상기 제1의 내부공간과 상기 제2의 내부공간은 기밀적으로 분리되어 있는 표면처리장치.
  48. 특허청구의 범위 제47항에 있어서, 상기 제2의 내부공간내에는 콜리메이터가 수용되어 있는 표면처리장치.
  49. 특허청구의 범위 제47항에 있어서, 상기 제1의 수단은 반응가스 공급관인 표면처리장치.
  50. 특허청구의 범위 제47항에 있어서, 상기 제5의 수단은 불활성 가스 공급관인 표면처리장치.
  51. 시료를 표면처리하기 위한 반응가스를 상기 시료에 공급하기 위한 제1의 수단, 상기 제1의 수단을 가열하기 위한 제2의 수단, 그 제1의 내부공간내에 상기 제2의 수단을 수용하기 위한 제3의 수단, 그 제2의 내부공간내에서 상기 시료를 표면처리하기 위한 제4의 수단 및 상기 제1의 내부공간내를 감압하기 위한 제5의 수단을 가지며, 상기 제1의 내부공간과 상기 제2의 내부공간은 기밀적으로 분리되어 있는 표면처리장치.
  52. 특허청구의 범위 제51항에 있어서, 상기 제2의 내부공간내에는 콜리메이터가 수용되어 있는 표면처리장치.
  53. 특허청구의 범위 제51항에 있어서, 상기 제1의 수단은 반응가스 공급관인 표면처리장치.
  54. 특허청구의 범위 제51항에 있어서, 상기 제5의 수단은 배기관인 표면처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910011877A 1990-07-13 1991-07-12 표면처리 장치, 표면처리방법 및 반도체장치의 제조방법 KR920003424A (ko)

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