TH1431A - ขบวนการและอุปกรณ์สำหรับการฉาบด้วยไอสารเคมี - Google Patents

ขบวนการและอุปกรณ์สำหรับการฉาบด้วยไอสารเคมี

Info

Publication number
TH1431A
TH1431A TH8301000316A TH8301000316A TH1431A TH 1431 A TH1431 A TH 1431A TH 8301000316 A TH8301000316 A TH 8301000316A TH 8301000316 A TH8301000316 A TH 8301000316A TH 1431 A TH1431 A TH 1431A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
reaction chamber
gas
base
vacuum chamber
temperature
Prior art date
Application number
TH8301000316A
Other languages
English (en)
Inventor
อี มิลเลอร์ นายนิโคลาส
เอ แคมป์เบลล์ นายไบรอันท์
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
อนิคอน อินซ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, อนิคอน อินซ์ filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH1431A publication Critical patent/TH1431A/th

Links

Abstract

อุปกรณ์สำหรับการฉาบไอสารเคมีที่ประกอบด้วยแหล่งความร้อนที่อยู่โดยรอบห้องปฏิกิริยาส่วนในอย่างค่อนข้างสม่ำเสมอ เพื่อ ก่อให้เกิดความสมดุลของอุณหภูมิ หรือเพื่อการควบคุม อุณหภูมิ ไว้ภายใน โดยห้องปฏิกิริยาถูกล้อมรอบไว้ด้วยผนังของห้อง สุญญากาศที่อยู่ห่างออกมา

Claims (15)

1. อุปกรณ์สำหรับฉาบที่สามารถควบคุมอุณหภูมิได้ ซึ่งประกอบด้วยชุดแผ่ความร้อนที่พันห้องปฏิกิริยาภายในเอาไว้ โดยรอบ เพื่อให้เกิดการควบคุมอุณหภูมิที่แน่นอน โดยห้องปฏิกิริยา ภายใน มีอุปกรณ์สำหรับส่งก๊าซเข้าภายใน และสำหรับดูดก๊าซออก พร้อม ด้วยห้องสูญญากาศที่อยู่โดยรอบห้องปฏิกิริยาภายในที่อยู่ใน ลักษณะของการก่อให้เกิดช่องว่างขึ้นระหว่างผนังเพื่อจะได้ คงไว้ ซึ่งสภาวะแห่งการเป็นสูญญากาศ
2. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งห้อง สูญญากาศประกอบด้วยโครงตัวถังรูปโค้ง และฐานที่ปฏิบัติงาน ร่วมกัน ซึ่งผลิตขึ้นจากวัสดุโปร่งใสสำหรับให้รังสีความ ร้อนผ่านไปได้ และอุปกรณ์สำหรับทำความร้อนได้รับการติดตั้ง ไว้ในผิวนอกของตัวถังรูปโค้ง กับฐาน เพื่อก่อให้เกิด อุณหภูมิซึ่งสามารถควบคุมได้ภายในห้องปฏิกิริยา
3. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งส่วน ฐานรวมไปถึงส่วนที่เป็นผนังรูปโค้ง
4. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งห้อง สูญญากาศประกอบด้วยโครงตัวถังรูปโค้ง และส่วนฐานที่ประกบ เข้ากันผลิตขึ้นจากวัสดุโปร่งใส และอุปกรณ์ในความร้อนดัง กล่าวถูกติดตั้งอยู่ที่ผิวนอกของโครงตัวถังรูปโค้ง และ ระหว่างฐานกับห้องปฏิกิริยา เพื่อก่อให้เกิดการควบคุม อุณหภูมิขึ้นภายในห้องปฏิกิริยานั้น
5. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งห้อง ปฏิกิริยาชั้นในถูกกำหนดขอบเขตไว้ด้วยปนังในที่อยู่ห่างจาก ห้องสุญญากาศดังกล่าว โดยผนังในเป็นวัสดุที่สามารถให้รังสี ความร้อนผ่านได้
6. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ซึ่งระบบ ส่งก๊าซรวมถึงชุดส่งก๊าซ และชุดเก็บก๊าซซึ่งอยู่ตรงข้ามกับ ส่วนสำหรับการฉาบวัตถุฐานเพื่อรับวัตถุฐาน
7. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งชุด ส่งก๊าวและชุดเก็บก๊าซประกอบขึ้นเป็นวิธีของการส่งก๊าซ ปฏิกิริยาเข้าไปในแนวที่ขนานกันกับผิวของวัตถุฐานที่วางตัว อยู่ในลัษณะตั้งเพียงครั้งเดียว อันเป็นเหตุให้การเปลี่ยน แปลงของอัตรส่วนผสมของก๊าซเกิดขึ้นเพียงเล็กน้อย
8. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ซึ่งแรง ดันของก๊าซฟอกเกิดขึ้นระหว่างห้องปฏิกิริยาด้านในส่วนที่ เป็นผนังกับห้องสุญญากาศ เพื่อช่วยป้องกันมิให้ก๊าซจากห้อง ปฏิกิริยาด้านในรั่วออกได้
9. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 2 รวมถึง อุปกรณ์สำหรับใช้ป้องกันการรั่วไหลที่ทำงานประสานกับโครง ตัวถังกับฐานเพื่อก่อให้เกิดความเป็นสุญญากาศขึ้นตรงกลาง และอุปกรณ์สำหรับป้องกันการรั่วไหลนี้มีส่วนซึ่งช่วยในการ ป้องกันความเสียหายจากความร้อนที่มาลักษณะเป็นของเหลวระบาย ความร้อน
10. ขบวนการสำหรับการฉาบด้วยไอสารเคมี ซึ่งสามารถควบคุม อุณหภูมิได้ให้กับวัตถุฐานประกอบด้วย การสัมผัสของก๊าซ ปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นบนผิวของวัตถุฐานที่ไหลไปในทิศทางที่ ขนานกันกับผิวนั้นในสภาวะที่มีการรควบคุมอุณหภูมิไว้ในเขต ของการทำปฏิกิริยาในระดับ 250 ถึง 1300 องศาเซลเซียสและมี ความดันต่ำกว่า 750 มม.ปรอท โดยความแตกต่างของอุณหภูมิ ตลอดเขตปฏิกิริยาอยู่ในระดับที่ต่ำกว่า 2 องศาเซลเซียสจาก อุณหภูมิที่ได้กำหนดไว้จากนั้นก๊าซที่ไหลผ่านก็จะถูกดูดออก หลังจากที่ไหลผ่านผิวของวัตถุฐานไปแล้วหนึ่งครึ้ง
11. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งเขตปฏิกิริยาเป็นเขต ที่มีดุลยภาพทางอุณหภูมิ และความแตกต่างของอุณหภูมิตลอดเขต ปฏิกิริยาอยู่ในระดับต่ำกว่า 2 องศาเซลเซียส
12. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งวัตถุฐานจำนวนหนึ่ง ถูกวางไว้ในลักษณะตั้งไปในแนวเดียวกันภายในห้องปฏิกิริยา ที่มีการควบคุมอุณหภูมิไว้ และก๊าซปฏิกิริยาไหลผ่านผิวของ วัตถุฐานในทิศทางตั้ง
13. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 12 ซึ่งการควบคุมอุณหภูมิภาย ในห้องปฏิกิริยาเกิดขึ้นได้โดยการให้ความร้อนจากแหล่งความ ร้อนที่อยู่โดยรอบห้องปฏิกิริยา โดยผนังของห้องปฏิกิริยา ผลิตขึ้นจากวัสดุโปร่งใส เพื่อให้รังสีความร้อนผ่านได้
14. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งห้องปฏิกิริยาถูกล้อม รอบไว้ด้วยตัวถังของห้องสุญญากาศในลักษณะที่มีช่องว่างอยู่ ระหว่างผนังโดยผนังของห้องสูญญากาศนี้ผลิตขึ้นจากวัสดุ โปร่งใส และการแผ่รังสีความร้อนจากแหล่งความร้อนเกิดขึ้น โดยรอบตัวถังของห้องสูญญากาศนั้น
15. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ซึ่งก๊าซฟอกที่มี คุณสมบัติเหมาะสมกับก๊าซปฏิกิริยาถูกส่งเข้าสู่ช่องว่าง ระหว่างตัวถังห้องสุญญากาศกับห้องปฏิกิริยา โดยความกดดัน ภายในห้องสุญญากาศระหว่างส่วนนอกกับห้องปฏิกิริยาอยู่ใน อัตราที่สูงกว่าความกดดันของก๊าซภายในห้องสุญญากาศ และการ ฉาบอขงไอสารเคมีที่มีต่อตัวถังของห้องสุญญากาศก็จะได้รับ การป้องกันไว้ (ข้อถือสิทธิ 15 ข้อ, 38 หน้า, - รูป)
TH8301000316A 1983-08-25 ขบวนการและอุปกรณ์สำหรับการฉาบด้วยไอสารเคมี TH1431A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH1431A true TH1431A (th) 1984-03-01

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910006786B1 (ko) 다중, 병렬 충전컬럼 증발기
US4901667A (en) Surface treatment apparatus
KR20260012819A (ko) 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
AU538152B2 (en) Chemical vapour deposition apparatus and process
KR920700468A (ko) 기판상의 층 용착 방법 및 그 처리 시스템
BR9505647A (pt) Processo e aparelho para o revestimento da superficie interna de um recipiente sensivel a temperatura
EP0431951A2 (en) An atmospheric plasma reaction method and a device therefor
JPS6258639A (ja) 化学的蒸着装置及びその方法
ATE72142T1 (de) Hohlfaserfilterpatrone und -verteiler.
SE8200235L (sv) Forfarande och apparat for kemisk angavsettning av filmer pa kiselskivor
JPS5766625A (en) Manufacture of film
US4419332A (en) Epitaxial reactor
CN213835530U (zh) 一种固态源瓶
JPS5821025B2 (ja) 気相化学蒸着装置
MX171806B (es) Viga distribuidora con control de temperatura para el deposito de vapor quimico
JPS6251919B2 (th)
EP0371086B1 (en) Deposition apparatus
JPH05170591A (ja) 分子線エピタキシィ用蒸発源装置
JPS60253212A (ja) 気相成長装置
JPH02225668A (ja) イオン注入用真空室
JPH04210466A (ja) 真空成膜装置
Girtan et al. Substrate thermal profiles in spray-CVD reactor
KR920006896B1 (ko) 내화금속박막 증착용 반도체 장치의 반응기
KR20240024953A (ko) 활성 증기 생성을 이용한 RTP(rapid thermal processing) 챔버 상의 선택적 산화
KR960026137A (ko) 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치