TH1431A - ขบวนการและอุปกรณ์สำหรับการฉาบด้วยไอสารเคมี - Google Patents
ขบวนการและอุปกรณ์สำหรับการฉาบด้วยไอสารเคมีInfo
- Publication number
- TH1431A TH1431A TH8301000316A TH8301000316A TH1431A TH 1431 A TH1431 A TH 1431A TH 8301000316 A TH8301000316 A TH 8301000316A TH 8301000316 A TH8301000316 A TH 8301000316A TH 1431 A TH1431 A TH 1431A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- reaction chamber
- gas
- base
- vacuum chamber
- temperature
- Prior art date
Links
Abstract
อุปกรณ์สำหรับการฉาบไอสารเคมีที่ประกอบด้วยแหล่งความร้อนที่อยู่โดยรอบห้องปฏิกิริยาส่วนในอย่างค่อนข้างสม่ำเสมอ เพื่อ ก่อให้เกิดความสมดุลของอุณหภูมิ หรือเพื่อการควบคุม อุณหภูมิ ไว้ภายใน โดยห้องปฏิกิริยาถูกล้อมรอบไว้ด้วยผนังของห้อง สุญญากาศที่อยู่ห่างออกมา
Claims (15)
1. อุปกรณ์สำหรับฉาบที่สามารถควบคุมอุณหภูมิได้ ซึ่งประกอบด้วยชุดแผ่ความร้อนที่พันห้องปฏิกิริยาภายในเอาไว้ โดยรอบ เพื่อให้เกิดการควบคุมอุณหภูมิที่แน่นอน โดยห้องปฏิกิริยา ภายใน มีอุปกรณ์สำหรับส่งก๊าซเข้าภายใน และสำหรับดูดก๊าซออก พร้อม ด้วยห้องสูญญากาศที่อยู่โดยรอบห้องปฏิกิริยาภายในที่อยู่ใน ลักษณะของการก่อให้เกิดช่องว่างขึ้นระหว่างผนังเพื่อจะได้ คงไว้ ซึ่งสภาวะแห่งการเป็นสูญญากาศ
2. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งห้อง สูญญากาศประกอบด้วยโครงตัวถังรูปโค้ง และฐานที่ปฏิบัติงาน ร่วมกัน ซึ่งผลิตขึ้นจากวัสดุโปร่งใสสำหรับให้รังสีความ ร้อนผ่านไปได้ และอุปกรณ์สำหรับทำความร้อนได้รับการติดตั้ง ไว้ในผิวนอกของตัวถังรูปโค้ง กับฐาน เพื่อก่อให้เกิด อุณหภูมิซึ่งสามารถควบคุมได้ภายในห้องปฏิกิริยา
3. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งส่วน ฐานรวมไปถึงส่วนที่เป็นผนังรูปโค้ง
4. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งห้อง สูญญากาศประกอบด้วยโครงตัวถังรูปโค้ง และส่วนฐานที่ประกบ เข้ากันผลิตขึ้นจากวัสดุโปร่งใส และอุปกรณ์ในความร้อนดัง กล่าวถูกติดตั้งอยู่ที่ผิวนอกของโครงตัวถังรูปโค้ง และ ระหว่างฐานกับห้องปฏิกิริยา เพื่อก่อให้เกิดการควบคุม อุณหภูมิขึ้นภายในห้องปฏิกิริยานั้น
5. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งห้อง ปฏิกิริยาชั้นในถูกกำหนดขอบเขตไว้ด้วยปนังในที่อยู่ห่างจาก ห้องสุญญากาศดังกล่าว โดยผนังในเป็นวัสดุที่สามารถให้รังสี ความร้อนผ่านได้
6. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ซึ่งระบบ ส่งก๊าซรวมถึงชุดส่งก๊าซ และชุดเก็บก๊าซซึ่งอยู่ตรงข้ามกับ ส่วนสำหรับการฉาบวัตถุฐานเพื่อรับวัตถุฐาน
7. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งชุด ส่งก๊าวและชุดเก็บก๊าซประกอบขึ้นเป็นวิธีของการส่งก๊าซ ปฏิกิริยาเข้าไปในแนวที่ขนานกันกับผิวของวัตถุฐานที่วางตัว อยู่ในลัษณะตั้งเพียงครั้งเดียว อันเป็นเหตุให้การเปลี่ยน แปลงของอัตรส่วนผสมของก๊าซเกิดขึ้นเพียงเล็กน้อย
8. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ซึ่งแรง ดันของก๊าซฟอกเกิดขึ้นระหว่างห้องปฏิกิริยาด้านในส่วนที่ เป็นผนังกับห้องสุญญากาศ เพื่อช่วยป้องกันมิให้ก๊าซจากห้อง ปฏิกิริยาด้านในรั่วออกได้
9. อุปกรณ์สำหรับฉาบไอสารเคมีตามข้อถือสิทธิข้อ 2 รวมถึง อุปกรณ์สำหรับใช้ป้องกันการรั่วไหลที่ทำงานประสานกับโครง ตัวถังกับฐานเพื่อก่อให้เกิดความเป็นสุญญากาศขึ้นตรงกลาง และอุปกรณ์สำหรับป้องกันการรั่วไหลนี้มีส่วนซึ่งช่วยในการ ป้องกันความเสียหายจากความร้อนที่มาลักษณะเป็นของเหลวระบาย ความร้อน
10. ขบวนการสำหรับการฉาบด้วยไอสารเคมี ซึ่งสามารถควบคุม อุณหภูมิได้ให้กับวัตถุฐานประกอบด้วย การสัมผัสของก๊าซ ปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นบนผิวของวัตถุฐานที่ไหลไปในทิศทางที่ ขนานกันกับผิวนั้นในสภาวะที่มีการรควบคุมอุณหภูมิไว้ในเขต ของการทำปฏิกิริยาในระดับ 250 ถึง 1300 องศาเซลเซียสและมี ความดันต่ำกว่า 750 มม.ปรอท โดยความแตกต่างของอุณหภูมิ ตลอดเขตปฏิกิริยาอยู่ในระดับที่ต่ำกว่า 2 องศาเซลเซียสจาก อุณหภูมิที่ได้กำหนดไว้จากนั้นก๊าซที่ไหลผ่านก็จะถูกดูดออก หลังจากที่ไหลผ่านผิวของวัตถุฐานไปแล้วหนึ่งครึ้ง
11. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งเขตปฏิกิริยาเป็นเขต ที่มีดุลยภาพทางอุณหภูมิ และความแตกต่างของอุณหภูมิตลอดเขต ปฏิกิริยาอยู่ในระดับต่ำกว่า 2 องศาเซลเซียส
12. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งวัตถุฐานจำนวนหนึ่ง ถูกวางไว้ในลักษณะตั้งไปในแนวเดียวกันภายในห้องปฏิกิริยา ที่มีการควบคุมอุณหภูมิไว้ และก๊าซปฏิกิริยาไหลผ่านผิวของ วัตถุฐานในทิศทางตั้ง
13. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 12 ซึ่งการควบคุมอุณหภูมิภาย ในห้องปฏิกิริยาเกิดขึ้นได้โดยการให้ความร้อนจากแหล่งความ ร้อนที่อยู่โดยรอบห้องปฏิกิริยา โดยผนังของห้องปฏิกิริยา ผลิตขึ้นจากวัสดุโปร่งใส เพื่อให้รังสีความร้อนผ่านได้
14. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งห้องปฏิกิริยาถูกล้อม รอบไว้ด้วยตัวถังของห้องสุญญากาศในลักษณะที่มีช่องว่างอยู่ ระหว่างผนังโดยผนังของห้องสูญญากาศนี้ผลิตขึ้นจากวัสดุ โปร่งใส และการแผ่รังสีความร้อนจากแหล่งความร้อนเกิดขึ้น โดยรอบตัวถังของห้องสูญญากาศนั้น
15. ขบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ซึ่งก๊าซฟอกที่มี คุณสมบัติเหมาะสมกับก๊าซปฏิกิริยาถูกส่งเข้าสู่ช่องว่าง ระหว่างตัวถังห้องสุญญากาศกับห้องปฏิกิริยา โดยความกดดัน ภายในห้องสุญญากาศระหว่างส่วนนอกกับห้องปฏิกิริยาอยู่ใน อัตราที่สูงกว่าความกดดันของก๊าซภายในห้องสุญญากาศ และการ ฉาบอขงไอสารเคมีที่มีต่อตัวถังของห้องสุญญากาศก็จะได้รับ การป้องกันไว้ (ข้อถือสิทธิ 15 ข้อ, 38 หน้า, - รูป)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH1431A true TH1431A (th) | 1984-03-01 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910006786B1 (ko) | 다중, 병렬 충전컬럼 증발기 | |
| US4901667A (en) | Surface treatment apparatus | |
| KR20260012819A (ko) | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 | |
| AU538152B2 (en) | Chemical vapour deposition apparatus and process | |
| KR920700468A (ko) | 기판상의 층 용착 방법 및 그 처리 시스템 | |
| BR9505647A (pt) | Processo e aparelho para o revestimento da superficie interna de um recipiente sensivel a temperatura | |
| EP0431951A2 (en) | An atmospheric plasma reaction method and a device therefor | |
| JPS6258639A (ja) | 化学的蒸着装置及びその方法 | |
| ATE72142T1 (de) | Hohlfaserfilterpatrone und -verteiler. | |
| SE8200235L (sv) | Forfarande och apparat for kemisk angavsettning av filmer pa kiselskivor | |
| JPS5766625A (en) | Manufacture of film | |
| US4419332A (en) | Epitaxial reactor | |
| CN213835530U (zh) | 一种固态源瓶 | |
| JPS5821025B2 (ja) | 気相化学蒸着装置 | |
| MX171806B (es) | Viga distribuidora con control de temperatura para el deposito de vapor quimico | |
| JPS6251919B2 (th) | ||
| EP0371086B1 (en) | Deposition apparatus | |
| JPH05170591A (ja) | 分子線エピタキシィ用蒸発源装置 | |
| JPS60253212A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH02225668A (ja) | イオン注入用真空室 | |
| JPH04210466A (ja) | 真空成膜装置 | |
| Girtan et al. | Substrate thermal profiles in spray-CVD reactor | |
| KR920006896B1 (ko) | 내화금속박막 증착용 반도체 장치의 반응기 | |
| KR20240024953A (ko) | 활성 증기 생성을 이용한 RTP(rapid thermal processing) 챔버 상의 선택적 산화 | |
| KR960026137A (ko) | 플라즈마가 적용된 저압 화학 증기 증착장치 |