JPS5821025B2 - 気相化学蒸着装置 - Google Patents
気相化学蒸着装置Info
- Publication number
- JPS5821025B2 JPS5821025B2 JP12657476A JP12657476A JPS5821025B2 JP S5821025 B2 JPS5821025 B2 JP S5821025B2 JP 12657476 A JP12657476 A JP 12657476A JP 12657476 A JP12657476 A JP 12657476A JP S5821025 B2 JPS5821025 B2 JP S5821025B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase chemical
- reaction tube
- vapor deposition
- substrate
- chemical vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は気相化学蒸着装置に関し、同一基板内で気相化
学蒸着膜（以下、ＣＶＤ膜という）の厚みが均一で、蒸
着時に目的とする基板面にホコリの付着しない気相化学
蒸着装置（以下ＣＶＤ装置という）を提供することを目
的とする。
学蒸着膜（以下、ＣＶＤ膜という）の厚みが均一で、蒸
着時に目的とする基板面にホコリの付着しない気相化学
蒸着装置（以下ＣＶＤ装置という）を提供することを目
的とする。
従来より、ＣＶＤ装置は多種類作られており、その代表
的な２つの例を第１図に示す。
的な２つの例を第１図に示す。
第１図ａは水平型のＣＶＤ装置で、ガス導入口１、高周
波コイル２、反応管３、排気口４、ヒーター５からなり
、ヒーター５をガス流に対して傾斜させて、複数の基板
６上のＣＶＤ膜が均一に付くように作られている。
波コイル２、反応管３、排気口４、ヒーター５からなり
、ヒーター５をガス流に対して傾斜させて、複数の基板
６上のＣＶＤ膜が均一に付くように作られている。
しかしながら、この装置では、基板６内でのＣＶＤ膜の
バラツキは少いが、複数の各基板６間ではガス導入口１
に近いものでは厚く、排気口４に近いものは薄くなる。
バラツキは少いが、複数の各基板６間ではガス導入口１
に近いものでは厚く、排気口４に近いものは薄くなる。
第１図すは縦型のＣＶＤ装置であり、ガス導入口１１と
高周波コイル１２、反応室１３、排気口１４、ヒーター
１５とからなり、ヒーター１５上に複数の基板１６をセ
ットし、ヒーター１５を回転させることにより基板間の
バラツキを少くして、水平型の欠点を改良している。
高周波コイル１２、反応室１３、排気口１４、ヒーター
１５とからなり、ヒーター１５上に複数の基板１６をセ
ットし、ヒーター１５を回転させることにより基板間の
バラツキを少くして、水平型の欠点を改良している。
しかしながら、いずれの方式も、ヒーターと基板を密着
させて、基板を熱伝導により加熱しているので、基板が
曲っていた場合には基板内に温度むらを生じ、生成され
るＣＶＤ膜が不均一になる。
させて、基板を熱伝導により加熱しているので、基板が
曲っていた場合には基板内に温度むらを生じ、生成され
るＣＶＤ膜が不均一になる。
さらに大きな欠点として、いずれの方式も基板が上を向
いているため、ＣＶＤ膜のピンホールの原因となるホコ
リやガス中の反応で形成された蒸着物（たとえば５ｉ０
２）と同じ反応物（反応ガス中で形成されるＳ １０２
粒子）が表面に落下して付着しやすい欠点を有し、均一
なＣＶＤ膜形成の障害となっている。
いているため、ＣＶＤ膜のピンホールの原因となるホコ
リやガス中の反応で形成された蒸着物（たとえば５ｉ０
２）と同じ反応物（反応ガス中で形成されるＳ １０２
粒子）が表面に落下して付着しやすい欠点を有し、均一
なＣＶＤ膜形成の障害となっている。
そこで本発明は、このような問題に鑑み基板上に付くホ
コリをできるだけ少くし、均一でかつＣＶＤ膜厚の制御
性の良いＣＶＤ装置を得るもので、以下その一実施例の
装置を図面とともに説明する。
コリをできるだけ少くし、均一でかつＣＶＤ膜厚の制御
性の良いＣＶＤ装置を得るもので、以下その一実施例の
装置を図面とともに説明する。
第２図に本発明の一実施例にがかるＣＶＤ装置の断面図
を示す。
を示す。
この装置では、排気口バルブ２１、上部排気口２２、下
部排気口２３、耐熱パツキン２４、冷却水管２５、炉体
２６、反応管２１、抵抗ヒーター・２８、ガス導入口２
９、キャリヤー挿入用フタ３０からなり、複数の基板３
１の目的とする面（ＣＶＤ膜の形成される面）を下向に
セットしたキャリヤー３２を、上部より挿入できるよう
になっている。
部排気口２３、耐熱パツキン２４、冷却水管２５、炉体
２６、反応管２１、抵抗ヒーター・２８、ガス導入口２
９、キャリヤー挿入用フタ３０からなり、複数の基板３
１の目的とする面（ＣＶＤ膜の形成される面）を下向に
セットしたキャリヤー３２を、上部より挿入できるよう
になっている。
そして、キャリヤ−３２固定後上部、下部排気口２２．
２３より排気して減圧にした後、下部排気口２３だけを
閉め、上部排気口２２だけは排気させながらガス導入口
２９より反応ガスを入れ、反応管２７内で反応を生じせ
しめる構造である。
２３より排気して減圧にした後、下部排気口２３だけを
閉め、上部排気口２２だけは排気させながらガス導入口
２９より反応ガスを入れ、反応管２７内で反応を生じせ
しめる構造である。
この装置によれば、
（１）反応管２７内が減圧状態で、基板３１の目的とす
る面が下向にセットされているので、反応中に目的とす
る基板表面にホコリが付着しにくい。
る面が下向にセットされているので、反応中に目的とす
る基板表面にホコリが付着しにくい。
（２）キャリヤ−３２挿入時に、空気の流れが下向にな
っているので、ホコリが舞い上らない。
っているので、ホコリが舞い上らない。
（３）反応管２７の輻射熱により、基板３１が加熱され
るので、基板３１内および基板３１相互間での温度のバ
ラツキが少く、ＣＶＤ膜の均一性が良い等のすぐれた特
長を発揮する。
るので、基板３１内および基板３１相互間での温度のバ
ラツキが少く、ＣＶＤ膜の均一性が良い等のすぐれた特
長を発揮する。
なお、実施例では、反応管を垂直にした場合を示しであ
るが、傾斜させた場合にも、同じ効果が得られる。
るが、傾斜させた場合にも、同じ効果が得られる。
以上のように本発明のＣＶＤ装置は、基板へのホコリの
付着を極力防止し、厚みが均一なＣＶＤ膜を形成するこ
とができ、ＣＶＤ膜の形成にすぐれた効果を発揮するも
のである。
付着を極力防止し、厚みが均一なＣＶＤ膜を形成するこ
とができ、ＣＶＤ膜の形成にすぐれた効果を発揮するも
のである。
第１図ａは従来より用いられている水平型ＣＶＤ装置の
概略図、第１図すは同垂直型ＣＶＤ装置の概略図、第２
図は本発明の一実施例にがかるＣＶＤ装置の構造断面図
である。 ２２・・・・・・上部排気口、２３・・・・・・下部排
気口、２６・・・・・・炉体、２７・・・・・・反応管
、２９・・・・・・ガス導入口、３１・・・・・・基板
、３２・・・・・・キャリヤー。
概略図、第１図すは同垂直型ＣＶＤ装置の概略図、第２
図は本発明の一実施例にがかるＣＶＤ装置の構造断面図
である。 ２２・・・・・・上部排気口、２３・・・・・・下部排
気口、２６・・・・・・炉体、２７・・・・・・反応管
、２９・・・・・・ガス導入口、３１・・・・・・基板
、３２・・・・・・キャリヤー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 外部に加熱部と反応ガス導入部とを有する反応管と
、気相化学蒸着膜を被着せしめるべき基板表面を下向に
固定しかつ前記反応管に出し入れ可能な保持部と、前記
反応管に接続された下部排気部とを備え、前記保持部を
前記反応管に挿入する際前記下部排気部より排気を行な
うことを特徴とする気相化学蒸着装置。 ２ 前記反応ガス導入部が前記反応管の中部に設けられ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
気相化学蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12657476A JPS5821025B2 (ja) | 1976-10-20 | 1976-10-20 | 気相化学蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12657476A JPS5821025B2 (ja) | 1976-10-20 | 1976-10-20 | 気相化学蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5351187A JPS5351187A (en) | 1978-05-10 |
| JPS5821025B2 true JPS5821025B2 (ja) | 1983-04-26 |
Family
ID=14938524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12657476A Expired JPS5821025B2 (ja) | 1976-10-20 | 1976-10-20 | 気相化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821025B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013030676A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673694A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-18 | Fujitsu Ltd | Vertical type vapor phase growing method and apparatus |
| US4545327A (en) * | 1982-08-27 | 1985-10-08 | Anicon, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
| US4732110A (en) * | 1983-04-29 | 1988-03-22 | Hughes Aircraft Company | Inverted positive vertical flow chemical vapor deposition reactor chamber |
| US4539933A (en) * | 1983-08-31 | 1985-09-10 | Anicon, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
| JPS6334167U (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-04 | ||
| JPS633155Y2 (ja) * | 1987-03-12 | 1988-01-26 |
-
1976
- 1976-10-20 JP JP12657476A patent/JPS5821025B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013030676A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5351187A (en) | 1978-05-10 |
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