JPS6214127Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6214127Y2 JPS6214127Y2 JP1980162555U JP16255580U JPS6214127Y2 JP S6214127 Y2 JPS6214127 Y2 JP S6214127Y2 JP 1980162555 U JP1980162555 U JP 1980162555U JP 16255580 U JP16255580 U JP 16255580U JP S6214127 Y2 JPS6214127 Y2 JP S6214127Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- core tube
- tube
- substrate
- molybdenum
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はモリブデン等から成る金属膜を半導体
基板等に成長させる金属膜気相成長装置に関す
る。
基板等に成長させる金属膜気相成長装置に関す
る。
高速化が要求される最近の半導体装置に於て
は、モリブデン等の金属材料が用いられている。
このモリブデン等の金属はその成長膜の純度の面
から蒸着法を用いて金属膜とする事は不向であ
る。従つて現在のところ気相成長法に依つて金属
膜を得ている。
は、モリブデン等の金属材料が用いられている。
このモリブデン等の金属はその成長膜の純度の面
から蒸着法を用いて金属膜とする事は不向であ
る。従つて現在のところ気相成長法に依つて金属
膜を得ている。
気相成長法に依つてモリブデン膜を成長させる
場合の一例を第１図に示す。同図に於て、１は角
型の石英管で、該石英管１には各種の成長ガスを
供給するガス源２が接続されている。３は石英管
１内に配置されたグラフアイト等から成るボー
ド、４はこのボード３を加熱高周波コイルで、高
周波発振器５に連つている。
場合の一例を第１図に示す。同図に於て、１は角
型の石英管で、該石英管１には各種の成長ガスを
供給するガス源２が接続されている。３は石英管
１内に配置されたグラフアイト等から成るボー
ド、４はこのボード３を加熱高周波コイルで、高
周波発振器５に連つている。
而してボート３上に半導体基板６を配置し、発
振器５からの高周波をコイル４に流しボート３を
誘導加熱すると同時にガス源２からモリブデンを
成長させるガスを供給して基板６表面にモリブデ
ンを成長させる。
振器５からの高周波をコイル４に流しボート３を
誘導加熱すると同時にガス源２からモリブデンを
成長させるガスを供給して基板６表面にモリブデ
ンを成長させる。
然し乍ら斯る成長装置に依ると、成長金属膜の
均一性の点で問題があり、また多量の基板にモリ
ブデンを成長させる事は出来ず、量産性に欠け
る。
均一性の点で問題があり、また多量の基板にモリ
ブデンを成長させる事は出来ず、量産性に欠け
る。
一方、円管形の石英製炉心管を用い赤外線加熱
ヒータに依つて基板を直接加熱する方法を用いる
と多量処理が可能となり、上述した問題点は解消
されるものの、次のような新たな問題が生じる。
即ち赤外線加熱ヒータからの輻射熱に依つて炉心
管壁も加熱されるので、その管壁にも金属膜が成
長する事となり、その管壁の金属膜が反射鏡の役
目を果して以後の輻射熱が炉心管内の基板へ到達
しなくなり、本来の金属膜を成長させる事が出来
なくなる。
ヒータに依つて基板を直接加熱する方法を用いる
と多量処理が可能となり、上述した問題点は解消
されるものの、次のような新たな問題が生じる。
即ち赤外線加熱ヒータからの輻射熱に依つて炉心
管壁も加熱されるので、その管壁にも金属膜が成
長する事となり、その管壁の金属膜が反射鏡の役
目を果して以後の輻射熱が炉心管内の基板へ到達
しなくなり、本来の金属膜を成長させる事が出来
なくなる。
本考案はこのような不都合を解消すべく為され
たものであつて、第２図を参照しつつ詳述する。
たものであつて、第２図を参照しつつ詳述する。
１０は石英製の円管形炉心管で、その内部に金
属膜を成長させる基板が多数設置されている。１
１はこの炉心管１０に金属成長ガスを供給するガ
ス源、１２は炉心管１０に輻射熱を与える赤外線
加熱ヒータ、１３はこのヒータ１２と炉心管１０
との間に冷却風を流す為の間隙を形成する外側石
英管である。
属膜を成長させる基板が多数設置されている。１
１はこの炉心管１０に金属成長ガスを供給するガ
ス源、１２は炉心管１０に輻射熱を与える赤外線
加熱ヒータ、１３はこのヒータ１２と炉心管１０
との間に冷却風を流す為の間隙を形成する外側石
英管である。
斯る構成を採る事に依つて炉心管１０の壁面が
間隙を流れる冷却風に依つて冷却され、その壁面
が金属膜成長温度にまでは達せず、結果的に炉心
管１０内に設置した基板のみが輻射熱に依つて加
熱され、所望の金属膜が成長する。
間隙を流れる冷却風に依つて冷却され、その壁面
が金属膜成長温度にまでは達せず、結果的に炉心
管１０内に設置した基板のみが輻射熱に依つて加
熱され、所望の金属膜が成長する。
次に本考案装置の具体例を記す。炉心管１０の
外径は120mm、内径は114mmで、あり、外側石英管
１３の内径は130mmであり、この両者の間隙は平
均５mmとなる。モリブデン膜を成長させる場合、
基板を650℃に加熱すれば良好なモリブデン膜が
成長する。この時炉心管１０の壁面温度は200℃
±10℃が好適であつた。
外径は120mm、内径は114mmで、あり、外側石英管
１３の内径は130mmであり、この両者の間隙は平
均５mmとなる。モリブデン膜を成長させる場合、
基板を650℃に加熱すれば良好なモリブデン膜が
成長する。この時炉心管１０の壁面温度は200℃
±10℃が好適であつた。
モリブデンの気相成長の場合、炉心管１０の壁
面温度が低過ぎると、未反応物質が壁面に付着
し、また高くなるとモリブデンが付着するので炉
心管１０壁面温度の制御も重要な事である。
面温度が低過ぎると、未反応物質が壁面に付着
し、また高くなるとモリブデンが付着するので炉
心管１０壁面温度の制御も重要な事である。
炉心管１０の壁面温度を上記した200℃±10℃
に保つには、ヒータ１２状態、炉心管１０や外側
石英管１３の形状に依つて微妙に変化するので一
概には云えないが、両管１０，１３の間隙に流す
空気の流速を30cm／sec〜100cm／secの間で変動
させて条件を決定する。本実施例に於ては冷却風
の流速を70cm／sec、流量1.4／secで上記した
炉心管の壁面温度、200℃±10℃を実現出来た。
に保つには、ヒータ１２状態、炉心管１０や外側
石英管１３の形状に依つて微妙に変化するので一
概には云えないが、両管１０，１３の間隙に流す
空気の流速を30cm／sec〜100cm／secの間で変動
させて条件を決定する。本実施例に於ては冷却風
の流速を70cm／sec、流量1.4／secで上記した
炉心管の壁面温度、200℃±10℃を実現出来た。
本考案は以上の説明から明らかな如く、炉心管
の壁面を冷却風に依つて冷却しているので、ヒー
タからの輻射熱に依つて壁面が加熱され、その壁
面に金属膜が成長する事が防止される。従つて均
一な金属膜を有する基板を多量に得る事が出来、
量産性に富んでいる。
の壁面を冷却風に依つて冷却しているので、ヒー
タからの輻射熱に依つて壁面が加熱され、その壁
面に金属膜が成長する事が防止される。従つて均
一な金属膜を有する基板を多量に得る事が出来、
量産性に富んでいる。
第１図は従来装置の概念図、第２図は本考案装
置の概念図であつて、１０は炉心管、１１はガス
源、１２はヒータ、１３は外側石英管、を夫々示
している。
置の概念図であつて、１０は炉心管、１１はガス
源、１２はヒータ、１３は外側石英管、を夫々示
している。
Claims (1)
- 石英からなる炉心管の内部に金属膜を成長させ
る基板を設置すると共に該基板を炉心管の外部か
ら輻射熱によつて直接加熱する加熱手段を有する
金属膜気相成長装置に於て、上記炉心管と加熱手
段との間に間隙を設け、該間隙に冷却用空気を流
して炉心管の壁面を冷却する冷却手段を備える事
を特徴とした金属膜気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980162555U JPS6214127Y2 (ja) | 1980-11-12 | 1980-11-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980162555U JPS6214127Y2 (ja) | 1980-11-12 | 1980-11-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5787057U JPS5787057U (ja) | 1982-05-28 |
| JPS6214127Y2 true JPS6214127Y2 (ja) | 1987-04-10 |
Family
ID=29521412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980162555U Expired JPS6214127Y2 (ja) | 1980-11-12 | 1980-11-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6214127Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4928463U (ja) * | 1972-06-15 | 1974-03-11 | ||
| JPS5421973A (en) * | 1977-07-20 | 1979-02-19 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas phase reaction apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068657U (ja) * | 1973-10-27 | 1975-06-19 |
-
1980
- 1980-11-12 JP JP1980162555U patent/JPS6214127Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4928463U (ja) * | 1972-06-15 | 1974-03-11 | ||
| JPS5421973A (en) * | 1977-07-20 | 1979-02-19 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas phase reaction apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5787057U (ja) | 1982-05-28 |
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