JPS6211961Y2 - - Google Patents
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- JPS6211961Y2 JPS6211961Y2 JP1982074442U JP7444282U JPS6211961Y2 JP S6211961 Y2 JPS6211961 Y2 JP S6211961Y2 JP 1982074442 U JP1982074442 U JP 1982074442U JP 7444282 U JP7444282 U JP 7444282U JP S6211961 Y2 JPS6211961 Y2 JP S6211961Y2
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- Japan
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- reaction tube
- reaction
- heating means
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- Expired
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はモリブデン等の金属膜を気相成長させ
るCVD装置に関する。
るCVD装置に関する。
近年、ウエハ上にモリブデンやタングステン等
の金属膜を形成する工程に於いて、量産性等の点
から減圧CVD装置が使用されつつある。このよ
うな減圧CVD装置においては石英等で形成され
た反応管内にウエハを配置し、反応管内に反応ガ
ス、例えばモリブデンの気相成長の場合、五塩化
モリブデンを反応ガス供給手段によつて供給する
とともに、反応管外に配置された抵抗加熱ヒータ
等の加熱手段を用いて前記反応管内のウエハに輻
射熱を供給してウエハ表面を加熱することにより
金属の気層成長膜を得ていた。
の金属膜を形成する工程に於いて、量産性等の点
から減圧CVD装置が使用されつつある。このよ
うな減圧CVD装置においては石英等で形成され
た反応管内にウエハを配置し、反応管内に反応ガ
ス、例えばモリブデンの気相成長の場合、五塩化
モリブデンを反応ガス供給手段によつて供給する
とともに、反応管外に配置された抵抗加熱ヒータ
等の加熱手段を用いて前記反応管内のウエハに輻
射熱を供給してウエハ表面を加熱することにより
金属の気層成長膜を得ていた。
ところがこのような減圧CVD装置において、
前記ヒータからの輻射熱は反応管壁を介して反応
管内のウエハに伝わるので、反応管壁が加熱され
この反応管壁に金属膜が成長すると云う現象が生
じる。このため、ヒータからの輻射熱は反応管壁
に成長した金属膜で遮断され、ウエハにまで達し
なくなり、ウエハ上に成長する金属膜の成長速度
の再現性が悪くなると云う欠点を有していた。
前記ヒータからの輻射熱は反応管壁を介して反応
管内のウエハに伝わるので、反応管壁が加熱され
この反応管壁に金属膜が成長すると云う現象が生
じる。このため、ヒータからの輻射熱は反応管壁
に成長した金属膜で遮断され、ウエハにまで達し
なくなり、ウエハ上に成長する金属膜の成長速度
の再現性が悪くなると云う欠点を有していた。
本考案は、このような欠点を解消すべく為され
たものであつて、反応管壁を冷却することによ
り、該管壁での金属膜の成長を阻止するものであ
る。
たものであつて、反応管壁を冷却することによ
り、該管壁での金属膜の成長を阻止するものであ
る。
以下図面を参照しつつ本考案を詳述する。第１
図、第２図は本考案減圧CVD装置の要部を示す
側部断面図及び前面図であつて、１は内部にウエ
ハ２，２…が配置される円筒形の反応管を示し、
石英等の透明な材料で形成されている。３はこの
反応管１内のガスを吸気する真空ポンプ（図示せ
ず）に結ばれた吸気管、４は反応ガス供給機構
（図示せず）から前記反応管１に五塩化モリブデ
ン等の反応ガスを供給する反応ガス供給管であ
る。５，５…は前記反応管１側壁周囲にこの反応
管１に平行に複数本設けられた赤外線ランプ等よ
りなるヒータであつて、前記反応管１側壁を介し
て反応管１内のウエハ２，２…に輻射熱を伝える
加熱手段を構成している。６，６…は前記反応管
１側壁周囲のヒータ５，５…が設られていない箇
所に設置されたフアンを示し、反応管１壁面に送
風をして冷却を行う冷却機構を構成している。
図、第２図は本考案減圧CVD装置の要部を示す
側部断面図及び前面図であつて、１は内部にウエ
ハ２，２…が配置される円筒形の反応管を示し、
石英等の透明な材料で形成されている。３はこの
反応管１内のガスを吸気する真空ポンプ（図示せ
ず）に結ばれた吸気管、４は反応ガス供給機構
（図示せず）から前記反応管１に五塩化モリブデ
ン等の反応ガスを供給する反応ガス供給管であ
る。５，５…は前記反応管１側壁周囲にこの反応
管１に平行に複数本設けられた赤外線ランプ等よ
りなるヒータであつて、前記反応管１側壁を介し
て反応管１内のウエハ２，２…に輻射熱を伝える
加熱手段を構成している。６，６…は前記反応管
１側壁周囲のヒータ５，５…が設られていない箇
所に設置されたフアンを示し、反応管１壁面に送
風をして冷却を行う冷却機構を構成している。
このような減圧CVD装置を用いてウエハ２，
２…上に金属膜を形成する場合、真空ポンプによ
つて、吸気管１を通して反応管１内のガスを排出
し反応管１内の圧力を0.5〜1.0torr程度に減圧し
た状態で反応ガス供給機構から反応ガス供給管４
を介して反応管１内に反応ガスを供給する。同時
にヒータ５，５…に通電してウエハ２，２…をヒ
ータ５，５…からの幅射熱によつて加熱するとと
もに、フアン６，６…を旋回せしめて反応管１壁
面に風を送り反応管１壁面を冷却する。このため
反応管１壁面は、フアン６，６…による送風で十
分に冷却される状態にあるので、ヒータ５，５…
に依る壁面の昇温はそれ程なく、反応管１壁面に
金属膜が形成されることはない。
２…上に金属膜を形成する場合、真空ポンプによ
つて、吸気管１を通して反応管１内のガスを排出
し反応管１内の圧力を0.5〜1.0torr程度に減圧し
た状態で反応ガス供給機構から反応ガス供給管４
を介して反応管１内に反応ガスを供給する。同時
にヒータ５，５…に通電してウエハ２，２…をヒ
ータ５，５…からの幅射熱によつて加熱するとと
もに、フアン６，６…を旋回せしめて反応管１壁
面に風を送り反応管１壁面を冷却する。このため
反応管１壁面は、フアン６，６…による送風で十
分に冷却される状態にあるので、ヒータ５，５…
に依る壁面の昇温はそれ程なく、反応管１壁面に
金属膜が形成されることはない。
一実験例としてヒータ５，５…のエネルギーを
10KW、フアン６，６…による送風量を10m3／
minに設定して７分間ウエハ２，２…を加熱した
ときのウエハ２，２…表面と反応管１壁面の温度
を第３図に示す。このとき、ウエハ２，２…の温
度はモリブデンの成長に好適な630℃前後で安定
し、反応管１壁面の温度は270℃前後で安定し
た。実際五塩化モリブデンをソースとして水素還
元によりモリブデンの気相成長をする場合反応管
１壁面を400℃以下にすれば壁面にモリブデン膜
が成長することはないので本実験例の如くヒータ
５，５…の加熱エネルギー及びフアン６，６…の
送風量を設定することにより反応管１壁面にモリ
ブデンを成長させることなくウエハ２，２…へモ
リブデン膜を形成することができる。尚、一点鎖
線、点線は夫々フアン６，６…で反応管１壁面に
送風をしながら冷却をしたときのウエハ２，２…
表面及び反応管１壁面の温度を示す。この第３図
でウエハ２，２…の温度は約３分程度でモリブデ
ンが外気と反応して酸化しない温度300℃まで下
がることがわかる。従つて、本装置を用いること
によつて、従来20〜30分かかつていたウエハ２，
２…の冷却時間も短かくすることが可能となる。
10KW、フアン６，６…による送風量を10m3／
minに設定して７分間ウエハ２，２…を加熱した
ときのウエハ２，２…表面と反応管１壁面の温度
を第３図に示す。このとき、ウエハ２，２…の温
度はモリブデンの成長に好適な630℃前後で安定
し、反応管１壁面の温度は270℃前後で安定し
た。実際五塩化モリブデンをソースとして水素還
元によりモリブデンの気相成長をする場合反応管
１壁面を400℃以下にすれば壁面にモリブデン膜
が成長することはないので本実験例の如くヒータ
５，５…の加熱エネルギー及びフアン６，６…の
送風量を設定することにより反応管１壁面にモリ
ブデンを成長させることなくウエハ２，２…へモ
リブデン膜を形成することができる。尚、一点鎖
線、点線は夫々フアン６，６…で反応管１壁面に
送風をしながら冷却をしたときのウエハ２，２…
表面及び反応管１壁面の温度を示す。この第３図
でウエハ２，２…の温度は約３分程度でモリブデ
ンが外気と反応して酸化しない温度300℃まで下
がることがわかる。従つて、本装置を用いること
によつて、従来20〜30分かかつていたウエハ２，
２…の冷却時間も短かくすることが可能となる。
以上述べた如く、本考案CVD装置は反応管周
囲に複数配置され、熱輻射によつて該反応管内の
ウエハに熱を加える加熱手段と、上記反応管周囲
の上記加熱手段間に配置され、これ等の加熱手段
間を介して反応管へ冷却風を送風する複数の冷却
機構と、を備えているので、反応管周囲から反応
管壁に均一に冷却風が与えられ、反応管に温度分
布差が生じることなく、均一に効率よく冷却され
る。従つて、小型の冷却機構で反応管壁に金属膜
が成長するのを抑制することが出来、金属膜が再
現性よく形成されるとともに、均質な膜厚の金属
膜が形成される。
囲に複数配置され、熱輻射によつて該反応管内の
ウエハに熱を加える加熱手段と、上記反応管周囲
の上記加熱手段間に配置され、これ等の加熱手段
間を介して反応管へ冷却風を送風する複数の冷却
機構と、を備えているので、反応管周囲から反応
管壁に均一に冷却風が与えられ、反応管に温度分
布差が生じることなく、均一に効率よく冷却され
る。従つて、小型の冷却機構で反応管壁に金属膜
が成長するのを抑制することが出来、金属膜が再
現性よく形成されるとともに、均質な膜厚の金属
膜が形成される。
第１図、第２図は夫々本考案CVD装置の要部
を表わす側部断面図、及び前面図、第３図はウエ
ハ表面及び反応管壁面の温度特性図である。 １……反応管、２……ウエハ、５……ヒータ、
６……フアン。
を表わす側部断面図、及び前面図、第３図はウエ
ハ表面及び反応管壁面の温度特性図である。 １……反応管、２……ウエハ、５……ヒータ、
６……フアン。
Claims (1)
- 反応管と、この反応管周囲に複数配置され、熱
輻射によつて該反応管内のウエハに熱を加える加
熱手段と、前記反応管内に金属反応ガスを供給す
る反応ガス供給手段と、上記反応管周囲の上記加
熱手段間に配置され、これ等の加熱手段間を介し
て反応管へ冷却風を送風する複数の冷却機構と、
を備えたCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7444282U JPS58176959U (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7444282U JPS58176959U (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58176959U JPS58176959U (ja) | 1983-11-26 |
| JPS6211961Y2 true JPS6211961Y2 (ja) | 1987-03-24 |
Family
ID=30083872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7444282U Granted JPS58176959U (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58176959U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4928463U (ja) * | 1972-06-15 | 1974-03-11 | ||
| JPS5630058A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-26 | Kawasaki Steel Corp | Preventing method for leakage of molten steel through porus brick |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP7444282U patent/JPS58176959U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4928463U (ja) * | 1972-06-15 | 1974-03-11 | ||
| JPS5630058A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-26 | Kawasaki Steel Corp | Preventing method for leakage of molten steel through porus brick |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58176959U (ja) | 1983-11-26 |
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