JPH05888A - 気相エピタキシー装置 - Google Patents
気相エピタキシー装置Info
- Publication number
- JPH05888A JPH05888A JP17614491A JP17614491A JPH05888A JP H05888 A JPH05888 A JP H05888A JP 17614491 A JP17614491 A JP 17614491A JP 17614491 A JP17614491 A JP 17614491A JP H05888 A JPH05888 A JP H05888A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- nozzle
- substrate
- flange
- heating means
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 反応管１０内に基板１３を支持するサセプタ
ー１４を設け、反応管１０の一端を熱伝導性を有するフ
ランジ１５にて閉蓋し、基板１３に原料ガスを供給する
ノズル１６をフランジ１５に挿通し、フランジ１５を加
熱可能な位置でしかも反応管１０内に挿入したノズル１
６設置部分における反応管１０の周囲に加熱手段２０を
設けたものである。 【効果】 原料ガスの微粉化を防げ、原料ガスの輸送効
率ならびに蒸着効率が向上し、しかも膜組成，品質の変
動を抑制することができ、さらに高品質の超電導膜の製
造が可能となる。
ー１４を設け、反応管１０の一端を熱伝導性を有するフ
ランジ１５にて閉蓋し、基板１３に原料ガスを供給する
ノズル１６をフランジ１５に挿通し、フランジ１５を加
熱可能な位置でしかも反応管１０内に挿入したノズル１
６設置部分における反応管１０の周囲に加熱手段２０を
設けたものである。 【効果】 原料ガスの微粉化を防げ、原料ガスの輸送効
率ならびに蒸着効率が向上し、しかも膜組成，品質の変
動を抑制することができ、さらに高品質の超電導膜の製
造が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に超電導層等を成
膜するための気相エピタキシー装置に関するものであ
る。
膜するための気相エピタキシー装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板上に超電導層を成膜する
には、酸化物超電導材料をＭＯＣＶＤ（有機金属気相エ
ピタキシャル法）にて基板上に成長させる方法がある。
具体的には、反応管内に設けたサセプターに基板を載
せ、反応管内に酸化物超電導材料の原料ガスを供給して
基板上に超電導層を成膜する。
には、酸化物超電導材料をＭＯＣＶＤ（有機金属気相エ
ピタキシャル法）にて基板上に成長させる方法がある。
具体的には、反応管内に設けたサセプターに基板を載
せ、反応管内に酸化物超電導材料の原料ガスを供給して
基板上に超電導層を成膜する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の気相エピタキシ
ー装置には、サセプター部分において反応管の外周に高
周波加熱用コイル等を設け、基板を加熱するコールドウ
ォールタイプがある。しかし、従来の気相エピタキシー
装置の場合、反応管に原料ガスを供給する途中で、低温
によって原料ガスが微粉化し、輸送効率が低下し、その
結果基板への蒸着効率も悪くなるという問題があった。
したがって、この発明の目的は、原料ガスの輸送効率が
向上し、蒸着効率が向上した気相エピタキシー装置を提
供することである。
ー装置には、サセプター部分において反応管の外周に高
周波加熱用コイル等を設け、基板を加熱するコールドウ
ォールタイプがある。しかし、従来の気相エピタキシー
装置の場合、反応管に原料ガスを供給する途中で、低温
によって原料ガスが微粉化し、輸送効率が低下し、その
結果基板への蒸着効率も悪くなるという問題があった。
したがって、この発明の目的は、原料ガスの輸送効率が
向上し、蒸着効率が向上した気相エピタキシー装置を提
供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明の気相エピタキ
シー装置は、反応管内に基板を支持するサセプターを設
け、基板に原料ガスを供給するノズルを反応管に挿通
し、反応管内に挿入したノズルを加熱手段にて加熱する
ものである。具体的には、反応管内に基板を支持するサ
セプターを設け、反応管の一端を熱伝導性を有するフラ
ンジにて閉蓋し、基板に原料ガスを供給するノズルをフ
ランジに挿通し、フランジに隣接させかつ反応管内に挿
入したノズル設置部分における反応管の周囲に加熱手段
を設けたものである。
シー装置は、反応管内に基板を支持するサセプターを設
け、基板に原料ガスを供給するノズルを反応管に挿通
し、反応管内に挿入したノズルを加熱手段にて加熱する
ものである。具体的には、反応管内に基板を支持するサ
セプターを設け、反応管の一端を熱伝導性を有するフラ
ンジにて閉蓋し、基板に原料ガスを供給するノズルをフ
ランジに挿通し、フランジに隣接させかつ反応管内に挿
入したノズル設置部分における反応管の周囲に加熱手段
を設けたものである。
【０００５】
【作用】この発明の気相エピタキシー装置によると、反
応管内に原料ガスを供給するノズル設置部分において、
反応管の周囲に加熱手段を設ける。そして反応管の一端
を閉蓋し、かつノズルを挿通した熱伝導性のフランジを
加熱可能な位置に設けたので、反応管ならびにフランジ
を介してノズルが加熱される。その結果、ノズルを通過
する原料ガスが低温によって微粉化するのを防げ、輸送
効率が向上し、膜組成，品質の変動を抑制でき、かつ高
品質の超電導膜の製造が可能となる。
応管内に原料ガスを供給するノズル設置部分において、
反応管の周囲に加熱手段を設ける。そして反応管の一端
を閉蓋し、かつノズルを挿通した熱伝導性のフランジを
加熱可能な位置に設けたので、反応管ならびにフランジ
を介してノズルが加熱される。その結果、ノズルを通過
する原料ガスが低温によって微粉化するのを防げ、輸送
効率が向上し、膜組成，品質の変動を抑制でき、かつ高
品質の超電導膜の製造が可能となる。
【０００６】
【実施例】この発明の一実施例を図１に基づいて説明す
る。図１において、１０は反応管であり、１１は反応管
１０の一端を閉蓋したフランジであって、反応管１０の
内部に突出したアーム１２の先端に基板１３を支持する
ためのサセプター１４が取付けられている。
る。図１において、１０は反応管であり、１１は反応管
１０の一端を閉蓋したフランジであって、反応管１０の
内部に突出したアーム１２の先端に基板１３を支持する
ためのサセプター１４が取付けられている。
【０００７】また、反応管１０の他端は、熱伝導性材料
（例えば、金属、ＳＵＳ３１６等）にて形成されたフラ
ンジ１５にて閉蓋されており、フランジ１５と反応管１
０の間は耐熱ゴム製Ｏリング（図示せず）にてシールさ
れている。フランジ１５には、二股に分かれたノズル１
６が挿通されており、ノズル１６の先端は基板１３に原
料ガスを供給する構造となっている。ノズル１６の二股
に分かれた一方の枝管１７にはＯ2 ガスが供給され、他
方の枝管１８には例えば超電導体材料であるＹ，Ｂａ，
Ｃｕ等の金属の有機金属ガス（例えば、Ｙ（ＤＰ
Ｍ）3 、Ｙ（ＨＦＡ）3 、Ｂａ（ＤＰＭ）2 、Ｂａ（Ｈ
ＦＡ）2 、Ｃｕ（ＤＰＭ）2 、Ｃｕ（ＡＣＡＣ）2 ）が
供給される。これら両枝管１７，１８にて供給されるＯ
2ガスと有機金属ガスとで、酸化物超電導材料の原料ガ
スがノズル１６の先端から基板１３に噴射される。
（例えば、金属、ＳＵＳ３１６等）にて形成されたフラ
ンジ１５にて閉蓋されており、フランジ１５と反応管１
０の間は耐熱ゴム製Ｏリング（図示せず）にてシールさ
れている。フランジ１５には、二股に分かれたノズル１
６が挿通されており、ノズル１６の先端は基板１３に原
料ガスを供給する構造となっている。ノズル１６の二股
に分かれた一方の枝管１７にはＯ2 ガスが供給され、他
方の枝管１８には例えば超電導体材料であるＹ，Ｂａ，
Ｃｕ等の金属の有機金属ガス（例えば、Ｙ（ＤＰ
Ｍ）3 、Ｙ（ＨＦＡ）3 、Ｂａ（ＤＰＭ）2 、Ｂａ（Ｈ
ＦＡ）2 、Ｃｕ（ＤＰＭ）2 、Ｃｕ（ＡＣＡＣ）2 ）が
供給される。これら両枝管１７，１８にて供給されるＯ
2ガスと有機金属ガスとで、酸化物超電導材料の原料ガ
スがノズル１６の先端から基板１３に噴射される。
【０００８】さらに、サセプター１４の設置部分におい
て反応管１０の周囲に高周波加熱用コイルまたはヒータ
等からなる第１加熱手段１９が設けられている。この第
１加熱手段１９にて基板１３が約８５０℃に加熱され
る。また、反応管１０内に挿入したノズル１６設置部分
における反応管１０の周囲にも、高周波加熱用コイルま
たはヒータ等からなる第２加熱手段２０が設けられてい
る。なお、第２加熱手段２０はフランジ１５をも加熱可
能な位置に設けられている。
て反応管１０の周囲に高周波加熱用コイルまたはヒータ
等からなる第１加熱手段１９が設けられている。この第
１加熱手段１９にて基板１３が約８５０℃に加熱され
る。また、反応管１０内に挿入したノズル１６設置部分
における反応管１０の周囲にも、高周波加熱用コイルま
たはヒータ等からなる第２加熱手段２０が設けられてい
る。なお、第２加熱手段２０はフランジ１５をも加熱可
能な位置に設けられている。
【０００９】そして、第２加熱手段２０にてフランジ１
５が加熱され、その加熱されたフランジ１５にてノズル
１６が加熱され、さらに反応管１０の周囲に配設した第
２加熱手段２０にて反応管１０を介してノズル１６が加
熱される。なお、第２加熱手段２０によるノズル１６の
加熱温度は、２００℃以上，より好ましくは２３０℃以
上である。
５が加熱され、その加熱されたフランジ１５にてノズル
１６が加熱され、さらに反応管１０の周囲に配設した第
２加熱手段２０にて反応管１０を介してノズル１６が加
熱される。なお、第２加熱手段２０によるノズル１６の
加熱温度は、２００℃以上，より好ましくは２３０℃以
上である。
【００１０】このように構成された気相エピタキシー装
置によると、ノズル１６を通過する際に原料ガスが第２
加熱手段２０にて加熱されため、従来のように微粉化す
ることなく、輸送効率が大幅に向上し、その結果基板１
３への蒸着効率も向上する。
置によると、ノズル１６を通過する際に原料ガスが第２
加熱手段２０にて加熱されため、従来のように微粉化す
ることなく、輸送効率が大幅に向上し、その結果基板１
３への蒸着効率も向上する。
【００１１】また、ノズル１６及び反応管１０の内面へ
の微粉体の沈着を防止してノズル１６及び反応管１０の
コンダクタンスを一定に保持できる。従って、沈着した
微粉体の脱離による基板上への浮遊がなくなり、膜組
成，品質の変動を抑制することができる。さらに、第２
加熱手段２０により、ノズル１６から射出された原料ガ
スの微粉化も防止でき、高品質の超電導膜の製造が可能
となる。
の微粉体の沈着を防止してノズル１６及び反応管１０の
コンダクタンスを一定に保持できる。従って、沈着した
微粉体の脱離による基板上への浮遊がなくなり、膜組
成，品質の変動を抑制することができる。さらに、第２
加熱手段２０により、ノズル１６から射出された原料ガ
スの微粉化も防止でき、高品質の超電導膜の製造が可能
となる。
【００１２】なお、前記実施例は、有機金属ガスが基板
に噴射されてなる超電導ＭＯＣＶＤであったが、有機金
属ガスであっても超電導材料に限られるものではなく、
また有機金属以外のガスを基板に供給するＣＶＤ（気相
エピタキシー）であっても本願の構成を適用することが
できる。また、前記実施例の第２加熱手段２０は、ノズ
ル１６の設置部分の周囲に設けられて反応管１０を介し
てノズル１６を加熱すると共に、フランジ１５をも加熱
してノズル１６を間接的に加熱するものであったが、原
料ガスが微粉化するのを防止できる程度にノズル１６を
加熱できるものであればよく、例えばフランジ１５は加
熱しないものや、逆にフランジ１５のみを加熱するもの
等であってもよい。
に噴射されてなる超電導ＭＯＣＶＤであったが、有機金
属ガスであっても超電導材料に限られるものではなく、
また有機金属以外のガスを基板に供給するＣＶＤ（気相
エピタキシー）であっても本願の構成を適用することが
できる。また、前記実施例の第２加熱手段２０は、ノズ
ル１６の設置部分の周囲に設けられて反応管１０を介し
てノズル１６を加熱すると共に、フランジ１５をも加熱
してノズル１６を間接的に加熱するものであったが、原
料ガスが微粉化するのを防止できる程度にノズル１６を
加熱できるものであればよく、例えばフランジ１５は加
熱しないものや、逆にフランジ１５のみを加熱するもの
等であってもよい。
【００１３】
【発明の効果】本発明の気相エピタキシー装置による
と、反応管内に原料ガスを供給するノズル設置部分にお
いて、反応管の周囲に加熱手段を設け、かつその加熱手
段を、反応管の一端を閉蓋ししかもノズルを挿通した熱
伝導性のフランジに隣接させたので、反応管ならびにフ
ランジを介してノズルが加熱される。その結果、ノズル
を通過する原料ガスが低温によって微粉化するのを防
げ、輸送効率の向上、ひいては蒸着効率の向上が図れ、
しかも膜組成，品質の変動を抑制することができ、さら
に高品質の超電導膜の製造が可能になる。
と、反応管内に原料ガスを供給するノズル設置部分にお
いて、反応管の周囲に加熱手段を設け、かつその加熱手
段を、反応管の一端を閉蓋ししかもノズルを挿通した熱
伝導性のフランジに隣接させたので、反応管ならびにフ
ランジを介してノズルが加熱される。その結果、ノズル
を通過する原料ガスが低温によって微粉化するのを防
げ、輸送効率の向上、ひいては蒸着効率の向上が図れ、
しかも膜組成，品質の変動を抑制することができ、さら
に高品質の超電導膜の製造が可能になる。
【図１】この発明の一実施例の一部破断正面図である。
１０ 反応管
１３ 基板
１４ サセプター
１５ フランジ
１６ ノズル
２０ 第２加熱手段
Claims (2)
- 【請求項１】 反応管と、この反応管内に設けられ基板
を支持するサセプターと、前記反応管に挿通し前記基板
に原料ガスを供給するノズルと、前記反応管内に挿入し
た前記ノズルを加熱する加熱手段とを備えた気相エピタ
キシー装置。 - 【請求項２】 反応管と、この反応管内に設けられ基板
を支持するサセプターと、前記反応管の一端を閉蓋した
熱伝導性を有するフランジと、このフランジに挿通し前
記基板に原料ガスを供給するノズルと、前記フランジを
加熱可能な位置でしかも前記反応管内に挿入した前記ノ
ズル設置部分における前記反応管の周囲に設けた加熱手
段とを備えた気相エピタキシー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17614491A JPH05888A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 気相エピタキシー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17614491A JPH05888A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 気相エピタキシー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05888A true JPH05888A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16008433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17614491A Pending JPH05888A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 気相エピタキシー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05888A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086516A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Sanyo Electric Co Ltd | サセプタ、ｃｖｄ装置、成膜方法、および半導体装置 |
| JP2007095957A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャル成長装置及びノズルの生成物除去方法 |
| CN114173938A (zh) * | 2019-07-26 | 2022-03-11 | 富士胶片株式会社 | 喷雾装置及喷涂方法 |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP17614491A patent/JPH05888A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086516A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Sanyo Electric Co Ltd | サセプタ、ｃｖｄ装置、成膜方法、および半導体装置 |
| JP2007095957A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャル成長装置及びノズルの生成物除去方法 |
| CN114173938A (zh) * | 2019-07-26 | 2022-03-11 | 富士胶片株式会社 | 喷雾装置及喷涂方法 |
| CN114173938B (zh) * | 2019-07-26 | 2023-05-30 | 富士胶片株式会社 | 喷雾装置及喷涂方法 |
| US11806741B2 (en) | 2019-07-26 | 2023-11-07 | Fujifilm Corporation | Spray device and spray coating method |
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