JP5917607B2 - 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品 - Google Patents
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Description
〔0001〕本発明は、一般的に薄膜堆積処理に関し、より具体的には、大きな表面領域の適用において堆積される薄膜の厚さ均一性を改善する為に当該処理を制御することに関する。
〔0002〕薄膜均一性(すなわち、全体的に膜が実質的に一定であること)は、ワークピースの全体にわたり良好な性能や実行可能な構成要素を得る為に、半導体やLCDの生産において重要な基準である。サセプタは、例えば、化学気相堆積、プラズマ増強型化学気相堆積(PECVD)、物理的気相堆積(PVD)のような製造ステップの為に処理チャンバ内で基板を保持する機械的部品である。サセプタは、処理チャンバ内で基板を上下動させるリフトアセンブリに沿ってステム上に取り付けられた基板取付板を含む。基板取付板は、製造処理を促進する為に加熱される。通常、加熱素子は、取付板の内部に配置される。CVDにより堆積された大抵の膜は、ソース材料を用いて処理チャンバ内で堆積されるが、その中に、数種のエネルギ(例えば、プラズマ、熱、マイクロ波)の少なくとも一つが入力され、堆積処理を容易にする。もちろん、ソース材料は、堆積されるべき層の種類に依存するが、ガス材料(例えば、SiH4、H2、N2、NH3、PH3、CH4、Si2H6、O2)及び/又は、例えば、TEOSのようなオルガノ珪酸塩成分及び金属イオンを含み得る液体ソース材料を含んでもよい。膜は、それらが堆積されるとき、特に、オルガノ珪酸塩膜液体ソースを用いて堆積されたものは、温度条件に非常に影響されやすいが、これは、オルガノ珪酸塩液体ソースの蒸気圧がかなり温度依存性を有するからである。したがって、温度制御は、フラットパネル産業で使用されるガラス基板のような大表面領域基板上に薄膜を堆積するとき、膜の整合性を達成する際に重要な要素になる。
〔0011〕本発明は、堆積される薄膜の全体にわたり薄膜の均一性の改善に向けられている。基板上に堆積される膜の厚さの均一性を制御する方法は、処理チャンバ内に基板を提供するステップと、上記基板の識別できる少なくとも2カ所で温度を制御するステップであって、上記2カ所には上記基板の表面周囲領域と、その周囲領域の内側表面領域を含む、上記ステップと、基板の表面周囲領域の温度を、上記周囲領域の内側表面領域の温度より約10℃低い温度から、上記周囲領域の内側表面領域の温度より約20℃高い温度の範囲内に維持するステップと、オルガノ珪酸塩膜を堆積するステップであって、堆積されたオルガノ珪酸塩膜は約10%以下の膜均一性を有する、上記ステップと、を含んでもよい。
〔0029〕本技術と膜を説明する前に、本発明は、説明された堆積や膜の特定方法に限定されず、これらは、もちろん変更可能であることが理解されよう。本願明細書で使用された用語は、特定の実施形態を説明する為のものであり、限定を意図するものではなく、本発明の範囲は、添付された特許請求の範囲だけに限定されることも理解されよう。
〔0034〕「基板」という用語は、広く、処理チャンバ内で処理される全ての対象物を包含する。「大型基板」という用語は、300mmウエハより大きい基板を指し、例えば、フラットパネルディスプレイやガラス基板を含む。
内側温度 外側温度 平均膜厚 膜均一性
390℃ 380℃ 927Å 10.1%
390℃ 390℃ 895Å 8.6%
390℃ 400℃ 900Å 5.0%
390℃ 410℃ 897Å 4.1%
〔0055〕堆積速度は、一般的に約1000Å/分であった。膜の全長にわたる(膜の中心を通る線における)1分間当たりの厚さ測定の結果は、表1で示された4つの実行の各々に対し、図6にグラフ的に示されている。
内側温度 外側温度 平均膜厚 膜均一性
400℃ 420℃ 8494Å 6.4%
430℃ 450℃ 6731Å 6.7%
450℃ 460℃ 8292Å 6.0%
〔0058〕本発明は、その特定実施形態を参照して説明されてきたが、当業者は、様々な変更が可能であり、同等物は、本発明の真の精神及び範囲を逸脱することなく置換可能であることが理解される筈である。例えば、特定の幾つかの実施例において、プラズマを発生する為に使用されたRFエネルギの電力密度は、約0.45W/cm2であったが、約0.3から0.7W/cm2、より好ましくは約0.4から0.5W/cm2の電力密度が効率よく使用されることに留意されたい。さらに、特定の状況、材料、物質の組成、処理、処理ステップを本発明の目的、精神、範囲に適合する為に多くの変形例がなされてもよい。そのような全ての変形例は、添付された請求の範囲の範囲内であることが意図されている。
Claims (12)
- プラズマCVDチャンバ内のガラス基板上に膜を堆積させるための装置であって、
プラズマCVDチャンバと、
少なくとも550×650mmの大きさを有するガラス基板を支持するように適合された、前記プラズマCVDチャンバ内のサセプタと、
堆積処理用前駆体材料を前記プラズマCVDチャンバ内に流す手段と、
前記サセプタの第1部分及び第2部分を加熱するように、それぞれ配置された第1加熱素子及び第2加熱素子であって、前記サセプタの前記第1部分は、前記サセプタの前記第2部分より放射状に外側にある、前記第1加熱素子及び第2加熱素子と、
前記サセプタの前記第1部分と前記第2部分にそれぞれ結合される第1熱電対及び第2熱電対であって、各熱電対は、温度読みを生み出す、前記第1熱電対及び第2熱電対と、
前記第1加熱素子に第1電流を供給し、前記第2加熱素子に第2電流を供給するように接続されたヒータ制御器と、を備え、
前記第1熱電対及び第2熱電対は、前記ヒータ制御器にフィードバックを与えるように接続しており、
前記基板が前記プラズマCVDチャンバ内のサセプタ上に載せられ、前記堆積処理用前駆体材料が前記プラズマCVDチャンバ内に流れ込んでいる間、前記ヒータ制御器は、前記第1熱電対の温度読みが前記第2熱電対の温度読みより10から20℃だけ高くなるように、前記第1電流と前記第2電流を制御する、装置。 - 前記ヒータ制御器は、前記膜が10%以下の厚みの均一性を有するように、前記第1電流と前記第2電流を制御する、請求項1に記載の装置。
- 前記堆積処理用前駆体材料が、TEOSである、請求項2に記載の装置。
- 前記堆積処理用前駆体材料が、TEOSである、請求項1に記載の装置。
- プラズマCVDチャンバ内のガラス基板上に膜を堆積させるための装置であって、
プラズマCVDチャンバと、
少なくとも550×650mmの大きさを有するガラス基板を支持するように適合された、前記プラズマCVDチャンバ内のサセプタと、
前記ガラス基板上に膜が堆積するように、堆積処理用前駆体材料を前記プラズマCVDチャンバ内に流す手段と、
前記サセプタの第1部分及び第2部分を加熱するように、それぞれ配置された第1加熱素子及び第2加熱素子であって、前記サセプタの前記第1部分は、前記サセプタの前記第2部分より放射状に外側にある、前記第1加熱素子及び第2加熱素子と、
前記サセプタの前記第1部分と前記第2部分にそれぞれ結合される第1熱電対及び第2熱電対であって、各熱電対は、温度読みを生み出す、前記第1熱電対及び第2熱電対と、
前記第1加熱素子に第1電流を供給し、前記第2加熱素子に第2電流を供給するように接続されたヒータ制御器と、を備え、
前記第1熱電対及び第2熱電対は、前記ヒータ制御器にフィードバックを与えるように接続しており、
前記基板が前記プラズマCVDチャンバ内のサセプタ上に載せられ、膜が前記基板上に堆積している間、前記ヒータ制御器は、前記第1熱電対の温度読みが前記第2熱電対の温度読みより10から20℃だけ高くなるように、前記第1電流と前記第2電流を制御する、装置。 - 前記ヒータ制御器は、前記膜が10%以下の厚みの均一性を有するように、前記第1電流と前記第2電流を制御する、請求項5に記載の装置。
- 前記堆積処理用前駆体材料が、TEOSである、請求項6に記載の装置。
- 前記堆積処理用前駆体材料が、TEOSである、請求項5に記載の装置。
- 前記サセプタの前記第1部分は、前記サセプタの周囲付近にある、請求項1から8のいずれか1項に記載の装置。
- プラズマCVDチャンバ内のガラス基板上に膜を堆積させる方法であって、
少なくとも550×650mmの大きさを有するガラス基板を、プラズマCVDチャンバ内のサセプタ上に支持するステップと、
前記基板上に膜が堆積するように、TEOSを前記プロセスチャンバ内に流すステップと、
前記サセプタの第1部分及び第2部分を加熱するように、それぞれ配置された第1加熱素子及び第2加熱素子を提供するステップであって、前記サセプタの前記第1部分は、前記サセプタの前記第2部分より放射状に外側にある、ステップと、
前記サセプタの前記第1部分と前記第2部分にそれぞれ結合される第1熱電対及び第2熱電対を提供するステップであって、各熱電対は、温度読みを生み出す、ステップと、
前記第1加熱素子に第1電流を供給し、前記第2加熱素子に第2電流を供給するステップと、
前記支持するステップと前記流すステップと同時に、前記第1熱電対の温度読みが前記第2熱電対の温度読みより10から20℃だけ高くなるように、前記第1電流と前記第2電流を制御するステップと、を備える、方法。 - 前記制御するステップは、前記膜が10%以下の厚みの均一性を有するように、前記第1電流と前記第2電流を制御するステップを備える、請求項10に記載の方法。
- 前記サセプタの前記第1部分は、前記サセプタの周囲付近にある、請求項10または11に記載の方法。
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