CN110331386A - 在半导体晶圆上形成薄膜的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，包括以下步骤：根据薄膜的参数类型及参数分布，确定形成薄膜时，半导体晶圆上的温度分布；根据温度分布加热半导体晶圆，而在半导体晶圆上形成多个温度区；以及在半导体晶圆上形成薄膜。

Description

在半导体晶圆上形成薄膜的方法
技术领域
本发明涉及一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，该在半导体晶圆上形成薄膜的方法可以有效提高薄膜的质量。
背景技术
在半导体芯片的制造过程中，需要在晶圆表面上生长数层材质不同、厚度不同的薄膜，包括导电膜层以及绝缘膜层等。薄膜的材料一般是厚度介于单原子到几毫米之间的薄金属或有机物层。常见的薄膜生长技术可以分为物理方法和化学方法。根据不同的作用和位置，薄膜生长技术可以包括热氧化法、化学气相沉积以及物理气相沉积等。薄膜的制备是半导体集成电路制造过程中的重要环节。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，该在半导体晶圆上形成薄膜的方法可以有效提高薄膜的质量。
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，包括以下步骤：根据薄膜的参数类型及参数分布，确定形成所述薄膜时，所述半导体晶圆上的温度分布；根据所述温度分布加热所述半导体晶圆，而在所述半导体晶圆上形成多个温度区；以及在所述半导体晶圆上形成薄膜。
在本发明的一实施例中，所述半导体晶圆上的所述温度分布与离所述半导体晶圆的中心的距离相关。
在本发明的一实施例中，所述温度分布中，离所述半导体晶圆的中心的距离越近，则温度越高；离所述半导体晶圆的中心的距离越近，则温度越低；离所述半导体晶圆的中心的距离从远到近，则温度先升高后降低；或者离所述半导体晶圆的中心的距离从远到近，则温度先降低后升高。
在本发明的一实施例中，所述半导体晶圆上的所述温度分布与以所述半导体晶圆的中心为极点的极坐标系的角度有关。
在本发明的一实施例中，所述参数类型包括厚度、折射率、消光系数和局部应力。
在本发明的一实施例中，还包括预先建立所述参数类型所对应的参数分布和所述温度分布的对应关系表。
在本发明的一实施例中，所述多个温度区之间的温度差小于或等于20℃。
在本发明的一实施例中，形成所述薄膜的方法包括PECVD、SACVD和HDPCVD。
在本发明的一实施例中，所述薄膜的材料包括适用于PECVD方法的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和碳，适用于SACVD方法的氧化硅和BPSG，以及适用于HDPCVD的氧化硅。
在本发明的一实施例中，所述薄膜的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳以及BPSG。
本发明由于采用以上技术方案，使之与现有技术相比，具有如下显著优点：
通过确定半导体晶圆上的温度分布，可以对薄膜上不同区域的各项参数类型，例如厚度、折射率、消光系数和局部应力等进行有效的控制，提高了薄膜的质量。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1是本发明一实施例的一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法的流程图；
图2是本发明一实施例的一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法的晶圆上的温度分布图；
图3A至图3E分别是本发明一实施例的一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法的晶圆上的不同类型的温度分布图；
图4是本发明一实施例的一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法的温度分布与薄膜厚度的示例性关系图；
图5是本发明一实施例的一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法的温度分布与晶圆消光系数的示例性关系图。
具体实施方式
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。
在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。例如，如果翻转附图中的器件，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件的方向将改为在所述其他元件或特征的“上方”。因而，示例性的词语“下方”和“下面”能够包含上和下两个方向。器件也可能具有其他朝向(旋转90度或处于其他方向)，因此应相应地解释此处使用的空间关系描述词。此外，还将理解，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
应当理解，当一个部件被称为“在另一个部件上”、“连接到另一个部件”、“耦合于另一个部件”或“接触另一个部件”时，它可以直接在该另一个部件之上、连接于或耦合于、或接触该另一个部件，或者可以存在插入部件。相比之下，当一个部件被称为“直接在另一个部件上”、“直接连接于”、“直接耦合于”或“直接接触”另一个部件时，不存在插入部件。同样的，当第一个部件被称为“电接触”或“电耦合于”第二个部件，在该第一部件和该第二部件之间存在允许电流流动的电路径。该电路径可以包括电容器、耦合的电感器和/或允许电流流动的其它部件，甚至在导电部件之间没有直接接触。
在晶圆表面形成薄膜是半导体芯片制程中的重要一环。期望所形成的薄膜的各个区域的各种参数都具有一致性。良好的薄膜一致性通常需要两个制程之间的互补和配合来实现最佳的效果。一种控制薄膜生长的方式是通过对承载晶圆的装置，例如机台设备等进行硬件硬调平校准(H/W hard leveling calibration)和空间微调(Spacing fine tune)。但是，这种方式仍然会受到机台本身的限制。例如，对于等离子体工艺的机台，通常情况下，晶圆中心部分往往是等离子体最集中的地方。这样，在薄膜的处理过程中，会损失一部分薄膜厚度，并造成更大的特征尺寸(critical dimension,CD)。另一方面，对机台等离子体的流量、解离粒子的功率等进行控制在操作上并不容易，且效果也不稳定。有鉴于此，需要改进控制薄膜生长的方式，以进一步提高薄膜的质量。其他薄膜参数，例如折射率、消光系数(extinction coefficient)和局部应力也会受到工艺的影响而造成参数分布不均匀。
本发明的以下实施例提出一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，该在半导体晶圆上形成薄膜的方法可以有效提高薄膜的质量，尤其是改善薄膜的一种或多种参数分布的一致性。
可以理解的是，下面所进行的描述仅仅示例性的，本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神的情况下，进行各种变化。
本申请的发明人发现，所形成的薄膜的参数分布，与形成薄膜的过程中的温度分布之间，存在规律性的关系。因此，在形成薄膜的过程中设定特定的温度分布，来影响所形成的薄膜的参数分布。根据本发明的一实施例，可以根据薄膜的参数类型及对应参数分布，确定形成薄膜时，半导体晶圆上的温度分布。这样，可以根据温度分布加热半导体晶圆，而在半导体晶圆上形成多个温度区。然后在这些温度区的温度分布中，在半导体晶圆上形成薄膜。在此，温度分布的设定既可以使使参数分布均匀，也可以是使参数分布不均匀。在后一种情况下，不均匀的参数分布可以补偿对薄膜的后续处理的不均匀，或者补偿前一层薄膜或后一层薄膜的形成和/或处理过程中导致的参数分布不均匀。以前述等离子体工艺为例，由于晶圆中心部分更多的厚度损失，可以让薄膜在晶圆中心更厚，从而补偿这一损失。
图1是本发明一实施例的一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法的流程图。参考图1所示，该在半导体晶圆上形成薄膜的方法包括以下步骤：
步骤110，根据薄膜的参数类型及参数分布，确定形成薄膜时，半导体晶圆上的温度分布。
在本发明的一实施例中，参数类型可包括厚度、折射率、消光系数和局部应力等，但不限于此。例如，可以根据薄膜的厚度及厚度的分布来确定形成薄膜时半导体晶圆上的温度分布。应当理解，可以只根据一种参数类型及该种参数的分布来确定形成薄膜时半导体晶圆上的温度分布，也可以同时根据一种以上的参数类型及该些参数的分布来确定形成薄膜时半导体晶圆上的温度分布，但本实施例并非以此为限。
在本发明的一实施例中，半导体晶圆上的温度分布与离半导体晶圆的中心的距离相关。图2是本发明一实施例的一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法的晶圆上的温度分布图。在图2所示的一个示例中，用圆形分隔线202和分隔线203将晶圆200的表面分为三个温度区。其中，分隔线202和分隔线203是以晶圆200的中心201为圆心的两个同心圆。三个温度区分别是离半导体晶圆200的中心201距离最近的温度区210，离半导体晶圆200的中心201距离次近的温度区220，以及离半导体晶圆的中心201距离最远的温度区230。
在本发明的一实施例中，半导体晶圆上的温度分布与以半导体晶圆的中心为极点的极坐标系的角度有关。在图2所示的一个示例中，以晶圆200的中心201为极点的极坐标系中，将晶圆200表面按逆时针方向从0°至360°分为4个区域，每个区域为一个温度区。可以理解，半导体晶圆上的温度分布可以既与离半导体晶圆的中心的距离相关，也与以半导体晶圆的中心为极点的极坐标系的角度有关。
应当注意，分隔线的具体形状和数量可以根据本领域技术人员的实际需要而做出相应的调整，本发明对其具体形态、布置方式并不加以限制。
在本发明的一实施例中，可以预先建立某种参数类型的参数分布和温度分布的对应关系表，从而根据参数分布来确定温度分布。
步骤120，根据温度分布加热半导体晶圆，而在半导体晶圆上形成多个温度区。
温度区之间的温度关系可以是多种多样的。在本发明的一些实施例中，不同的温度区可以具有相同或不同的温度分布。在本发明的一些实施例中，相邻的温度区可以具有不同的温度分布。在本发明的一些实施例中，同一温度区可以具有相同的温度分布。但本实施例并非以此为限。
各个温度区间的温度变化可以是多种多样的。在本发明的一实施例中，温度分布中，离半导体晶圆的中心的距离越近，则温度越高。在本发明的一实施例中，离半导体晶圆的中心的距离越近，则温度越低。在本发明的一实施例中，离半导体晶圆的中心的距离从远到近，则温度先升高后降低。在本发明的一实施例中，离半导体晶圆的中心的距离从远到近，则温度先降低后升高。
图3A至图3E分别是本发明一实施例的一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法的晶圆上的不同类型的温度分布图。
下面结合图2以及图3A至图3E对不同类型的温度分布进行说明。
图3A示出了离半导体晶圆200的中心201的距离越近，则温度越高的温度分布图。例如，将图2所示的晶圆200表面的三个温度区的温度大小关系设置为：温度区210>温度区220>温度区230，则可以得到如图3A所示的温度分布图。
图3B示出了离半导体晶圆200的中心201的距离越近，则温度越低的温度分布图。例如，将图2所示的晶圆200表面的三个温度区的温度大小关系设置为：温度区210<温度区220<温度区230，则可以得到如图3B所示的温度分布图。
图3C示出了离半导体晶圆200的中心201的距离从远到近，则温度先升高后降低的温度分布图。例如，将图2所示的晶圆200表面的三个温度区的温度大小关系设置为：温度区210<温度区220且温度区220>温度区230，则可以得到如图3C所示的温度分布图。可以理解，温度区210与温度区230的温度可以是相同的或不同的，但本实施例并非以此为限。
图3D示出了离半导体晶圆200的中心201的距离从远到近，则温度先降低后升高的温度分布图。例如，将图2所示的晶圆200表面的三个温度区的温度大小关系设置为：温度区210>温度区220且温度区220<温度区230，则可以得到如图3D所示的温度分布图。可以理解，温度区210与温度区230的温度可以是相同的或不同的，但本实施例并非以此为限。
图3E示出了以半导体晶圆200的中心201为极点的极坐标系的角度有关的温度分布图。例如，在图2所示的一个示例中，以晶圆200的中心201为极点的极坐标系中，将晶圆200表面按逆时针方向90°至180°范围的内的温度区的温度设置为小于晶圆200表面按逆时针方向180°至90°范围的内的温度区的温度时，则可以得到如图3E所示的温度分布图。
在本发明的一实施例中，多个温度区之间的温度差小于或等于20℃。例如，在图2所示的晶圆200表面的温度分布图中，相邻两个温度区之间的温度差可以小于或等于10℃。三个温度区(温度区210、温度区220和温度区230)之间的温度差小于或等于20℃。
可以理解，在具有大于或等于两个温度区的晶圆上，相邻两个温度区之间的温度差可以根据本领域技术人员的实际需要或实际经验而做出相应的调整，相邻或不相邻的多个温度区之间的温度差可以小于或等于20℃，但本实施例并非以此为限。
步骤130，在半导体晶圆上形成薄膜。
在本发明的一实施例中，形成薄膜的方法包括PECVD、SACVD和HDPCVD。
等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)是在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料的制备方法。PECVD通过激发气体，使其产生低温等离子体，以增强反应物质的化学活性，从而进行外延生长，并可在较低温度下形成固体膜。PECVD具有沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少以及膜层的附着力强等特点。
次大气压化学气相沉积法(Sub-atmospheric Chemical Vapor Deposition,SACVD)和高密度等离子体化学气相淀积法(High Density Plasma Chemical VaporDeposition,HDPCVD)是两种分别在次大气压下和高密度等离子体下进行的化学气相淀积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)。其中，化学气相沉积(Chemical VaporDeposition,CVD)是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。
在本发明的一实施例中，薄膜的材料可以包括氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)、碳(C)以及硼磷硅玻璃(Boro Phospho Silicate Glass,BPSG)。其中，硼磷硅玻璃是一种掺硼的二氧化硅(SiO2)玻璃，可采用化学气相沉积法来制备。BPSG的化学性质与PSG(磷硅玻璃)类似，在高温下具有较好的流动性，被广泛用作半导体芯片表面的层间绝缘膜。
在本发明的一实施例中，使用PECVD方法时，薄膜的材料可以包括但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和碳。使用SACVD方法时，薄膜的材料可以包括但不限于氧化硅和BPSG。使用HDPCVD方法时，薄膜的材料可以包括但不限于氧化硅。
可选的，本发明可以采用由AMAT(美国应用材料)、LAM等公司生产的Producer机台设备对晶圆200的外圈(例如温度区230)温度进行控制，以其表面形成各种薄膜。例如，使用AMAT公司的机台制备出的碳膜(Carbon film)可以用作半导体制程中的硬掩模(Hardmask)。
图4是本发明一实施例的一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法的温度分布与薄膜厚度的示例性关系图。
参考图2及图3A所示，将图2中的晶圆200表面的三个温度区的温度分别设置为：温度区210为基准温度，温度区220为低于基准温度2℃，温度区230为低于基准温度4℃。以距离晶圆200的圆心201为坐标原点，以距离圆心201的距离为横坐标，以薄膜厚度为纵坐标，则可以得到如图4所示的DZ-A曲线。
参考图2所示，将图2中的晶圆200表面的三个温度区的温度分别设置为：温度区210、温度区220及温度区230均为为基准温度。以距离晶圆200的圆心201为坐标原点，以距离圆心201的距离为横坐标，以晶圆200的厚度为纵坐标，则可以得到如图4所示的DZ-B曲线。
参考图2及图3B所示，将图2中的晶圆200表面的三个温度区的温度分别设置为：温度区210为基准温度，温度区220为高于基准温度2℃，温度区230为高于基准温度4℃。以距离晶圆200的圆心201为坐标原点，以距离圆心201的距离为横坐标，以晶圆200的厚度为纵坐标，则可以得到如图4所示的DZ-C曲线。
在本发明的以上实施例中，晶圆200上的薄膜厚度与晶圆200的表面温度成负相关。优选的，可以根据图3A所示的离半导体晶圆200的中心201的距离越近则温度越高的温度分布图，来设置晶圆200表面三个温度区的温度值。此时，晶圆200上的薄膜厚度与晶圆200的表面温度的关系如图4所示的DZ-A曲线。
应当注意，晶圆200上的薄膜厚度与晶圆200的表面温度之间的关系可以根据薄膜的材料而有所不同。
图5是本发明一实施例的一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法的温度分布与晶圆消光系数的示例性关系图。参考图2及图5所示，将图2中的晶圆200表面的三个温度区的温度分别设置为：温度区210为基准温度，温度区220为低于基准温度2℃，温度区230为低于基准温度4℃。以距离晶圆200的圆心201为坐标原点，以距离圆心201的距离为横坐标，以晶圆200的薄膜性质(消光系数)为纵坐标，则可以得到如图5所示的DZ-A’曲线。将图2中的晶圆200表面的三个温度区的温度分别设置为：温度区210、温度区220及温度区230均为为基准温度。以距离晶圆200的圆心201为坐标原点，以距离圆心201的距离为横坐标，以晶圆200的薄膜性质(消光系数)为纵坐标，则可以得到如图5所示的DZ-B’曲线。将图2中的晶圆200表面的三个温度区的温度分别设置为：温度区210为基准温度，温度区220为高于基准温度2℃，温度区230为高于基准温度4℃。以距离晶圆200的圆心201为坐标原点，以距离圆心201的距离为横坐标，以晶圆200的薄膜性质(消光系数)为纵坐标，则可以得到如图5所示的DZ-C’曲线。
在本发明的以上实施例中，参考DZ-A’曲线所示，当温度区230低于基准温度4℃时，晶圆200上的薄膜具有较低的消光系数。薄膜的消光系数随晶圆200的表面温度升高(例如，温度区220低于基准温度2℃，温度区210为基准温度)而等比递增。参考DZ-C’曲线所示，当温度区230高于基准温度4℃时，晶圆200上的薄膜具有较高的消光系数。薄膜的消光系数随晶圆200的表面温度降低(例如，温度区220高于基准温度2℃，温度区210为基准温度)而等比递减。
图4和图5的关系曲线可以预先通过试验获得，从而能够根据所需的厚度分布或消光系数分布来确定温度分布。类似地，也可以获得折射率、局部应力或其他参数与温度分布的关系。
以上使用了如图1所示的流程图用来说明根据本申请的实施例的方法所执行的操作。应当理解的是，前面的操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各种步骤。同时，或将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。
示例性的，利用上述在半导体晶圆上形成薄膜的方法制作的半导体芯片可以适用于多种类型的半导体产品中，例如处理器、存储器以及控制器等。其中，存储器可以是3DNAND等。
可以理解，上述在半导体晶圆上形成薄膜的方法利用晶圆表面多区域的温度可调技术，配合以后续制程，从而实现了包括孔径(Hole size)和线宽(Line)等关键尺寸(Critical Dimension,CD)在内的良好的薄膜一致性。
本发明的以上实施例提供一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，该在半导体晶圆上形成薄膜的方法可以有效提高薄膜的质量。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述发明披露仅仅作为示例，而并不构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。
同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
此外，除非权利要求中明确说明，本申请所述处理元素和序列的顺序、数字字母的使用、或其他名称的使用，并非用于限定本申请流程和方法的顺序。尽管上述披露中通过各种示例讨论了一些目前认为有用的发明实施例，但应当理解的是，该类细节仅起到说明的目的，附加的权利要求并不仅限于披露的实施例，相反，权利要求旨在覆盖所有符合本申请实施例实质和范围的修正和等价组合。例如，虽然以上所描述的系统组件可以通过硬件设备实现，但是也可以只通过软件的解决方案得以实现，如在现有的服务器或移动设备上安装所描述的系统。
同理，应当注意的是，为了简化本申请披露的表述，从而帮助对一个或多个申请实施例的理解，前文对本申请实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本申请对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
虽然本发明已参照当前的具体实施例来描述，但是本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，在没有脱离本发明精神的情况下还可作出各种等效的变化或替换，因此，只要在本发明的实质精神范围内对上述实施例的变化、变型都将落在本申请的权利要求书的范围内。

Claims (10)

1.一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，包括以下步骤：
根据薄膜的参数类型及参数分布，确定形成所述薄膜时，所述半导体晶圆上的温度分布；
根据所述温度分布加热所述半导体晶圆，而在所述半导体晶圆上形成多个温度区；以及
在所述半导体晶圆上形成薄膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶圆上的所述温度分布与离所述半导体晶圆的中心的距离相关。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述温度分布中，
离所述半导体晶圆的中心的距离越近，则温度越高；
离所述半导体晶圆的中心的距离越近，则温度越低；
离所述半导体晶圆的中心的距离从远到近，则温度先升高后降低；或者
离所述半导体晶圆的中心的距离从远到近，则温度先降低后升高。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶圆上的所述温度分布与以所述半导体晶圆的中心为极点的极坐标系的角度有关。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述参数类型包括厚度、折射率、消光系数和局部应力。
6.如权利要求1或5所述的方法，其特征在于，还包括预先建立所述参数类型所对应的参数分布和所述温度分布的对应关系表。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个温度区之间的温度差小于或等于20℃。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述薄膜的方法包括PECVD、SACVD和HDPCVD。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述薄膜的材料包括适用于PECVD方法的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和碳，适用于SACVD方法的氧化硅和BPSG，以及适用于HDPCVD方法的氧化硅。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳以及BPSG。
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