JPH05259086A - 薄膜トランジスタアレイの製造装置 - Google Patents
薄膜トランジスタアレイの製造装置Info
- Publication number
- JPH05259086A JPH05259086A JP5121792A JP5121792A JPH05259086A JP H05259086 A JPH05259086 A JP H05259086A JP 5121792 A JP5121792 A JP 5121792A JP 5121792 A JP5121792 A JP 5121792A JP H05259086 A JPH05259086 A JP H05259086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- thin film
- substrate
- transistor array
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】大型基板上の薄膜トランジスタアレイの薄膜形
成工程で、基板の温度分布を向上させることにより、膜
厚分布，膜質分布の優れた薄膜を形成する。 【構成】成膜装置に用いられるヒータパネル２を第１の
ヒータ２１と第２のヒータ２２より構成する。これによ
り成膜時に基板周辺の温度が低下しないように制御し、
大面積でも膜厚膜質とも均一な優れた薄膜を形成するこ
とが可能となる。
成工程で、基板の温度分布を向上させることにより、膜
厚分布，膜質分布の優れた薄膜を形成する。 【構成】成膜装置に用いられるヒータパネル２を第１の
ヒータ２１と第２のヒータ２２より構成する。これによ
り成膜時に基板周辺の温度が低下しないように制御し、
大面積でも膜厚膜質とも均一な優れた薄膜を形成するこ
とが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタアレ
イの製造装置に関し、特に、薄膜形成装置に関する。
イの製造装置に関し、特に、薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示素子等に用いる３００〜
４００ｍｍ口程度の大型基板上の薄膜トランジスタアレ
イの製造工程で、アモルファスシリコン膜、シリコン窒
化膜，シリコン酸化膜等をプラズマＣＶＤの技術を用い
て成膜する場合、図３に示すような装置を用いて行われ
ていた。図３に於いて、成膜室１は、中央のヒーターパ
ネル２をはさんで両側にある複数の被成膜ガラス基板５
が取り付けられた基板ホルダー３と、高周波電力，反応
ガスを供給する電極板４とより構成される。処理能力を
向上させるため、複数のガラス基板５が取り付けられた
８００〜９００ｍｍ口の大面積の基板ホルダー２枚を同
時に処理できるようになっている。
４００ｍｍ口程度の大型基板上の薄膜トランジスタアレ
イの製造工程で、アモルファスシリコン膜、シリコン窒
化膜，シリコン酸化膜等をプラズマＣＶＤの技術を用い
て成膜する場合、図３に示すような装置を用いて行われ
ていた。図３に於いて、成膜室１は、中央のヒーターパ
ネル２をはさんで両側にある複数の被成膜ガラス基板５
が取り付けられた基板ホルダー３と、高周波電力，反応
ガスを供給する電極板４とより構成される。処理能力を
向上させるため、複数のガラス基板５が取り付けられた
８００〜９００ｍｍ口の大面積の基板ホルダー２枚を同
時に処理できるようになっている。
【０００３】しかし、成膜面積が広いため、温度の均一
性等から±５％以上の膜厚分布を得ることは、非常に困
難である。特に基板温度は、ヒータパネル２の熱の輻射
により保温されているが、基板ホルダー３の周辺部は、
中央部に比べて、熱が逃げ易い。従って、周辺部の温度
が下り膜厚分布も±２０％程度しか得られなかった。
性等から±５％以上の膜厚分布を得ることは、非常に困
難である。特に基板温度は、ヒータパネル２の熱の輻射
により保温されているが、基板ホルダー３の周辺部は、
中央部に比べて、熱が逃げ易い。従って、周辺部の温度
が下り膜厚分布も±２０％程度しか得られなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の一対の大面積の
基板ホルダーを有する成膜装置では、一系統のヒータ線
が埋め込まれたヒーターパネルにより温度制御されてい
たため、熱が逃げ易い基板ホルダーの周辺部と中央部を
同じ温度に保つことは困難であった。従って、上述した
装置で成膜した場合、基板の温度分布が悪いため良好な
膜厚、膜質分布が得られないという問題点があった。
基板ホルダーを有する成膜装置では、一系統のヒータ線
が埋め込まれたヒーターパネルにより温度制御されてい
たため、熱が逃げ易い基板ホルダーの周辺部と中央部を
同じ温度に保つことは困難であった。従って、上述した
装置で成膜した場合、基板の温度分布が悪いため良好な
膜厚、膜質分布が得られないという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜トランジス
タアレイの製造装置は、成膜時に基板の温度分布を均一
に保つため複数の領域から成り、それぞれの領域毎に制
御可能な単一のヒーターパネルを備えている。
タアレイの製造装置は、成膜時に基板の温度分布を均一
に保つため複数の領域から成り、それぞれの領域毎に制
御可能な単一のヒーターパネルを備えている。
【０００６】
【作用】本発明によれば、単一のヒーターパネルで、中
央部と周辺部を独立に制御可能なため、熱の逃げ易い周
辺部のヒータのパワーを上げることにより中央部と同一
の温度となり、良好な膜厚分布、膜質分布が得られる。
央部と周辺部を独立に制御可能なため、熱の逃げ易い周
辺部のヒータのパワーを上げることにより中央部と同一
の温度となり、良好な膜厚分布、膜質分布が得られる。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例を説明する図である。
図１（Ａ）は、本発明のヒーターパネルを備えたアラズ
マＣＶＤ装置の断面図で、１は成膜室，２はヒーターパ
ネル，５はガラス基板，３は基板ホルダー，４は電極板
を示す。図１（Ａ）に於けるヒーターパネルを拡大した
のが図１（Ｂ）で、中央部の第１のヒータ２１と周辺部
の第２のヒータ２２の２つの領域より構成され、それぞ
れのヒータは独立に制御可能である。従って、基板ホル
ダー３の温度分布は、図１（Ｃ）に示すように従来のヒ
ーターパネルに比べ均一である。
る。図１は本発明の第１の実施例を説明する図である。
図１（Ａ）は、本発明のヒーターパネルを備えたアラズ
マＣＶＤ装置の断面図で、１は成膜室，２はヒーターパ
ネル，５はガラス基板，３は基板ホルダー，４は電極板
を示す。図１（Ａ）に於けるヒーターパネルを拡大した
のが図１（Ｂ）で、中央部の第１のヒータ２１と周辺部
の第２のヒータ２２の２つの領域より構成され、それぞ
れのヒータは独立に制御可能である。従って、基板ホル
ダー３の温度分布は、図１（Ｃ）に示すように従来のヒ
ーターパネルに比べ均一である。
【０００８】本発明の構造のプラズマＣＶＤ装置を用い
て、モノシラン（ＳｉＨ4 ），アンモニア（ＮＨ3 ），
窒素（Ｎ2 ）を用いて、基板温度３００〜４００℃、高
周波電力１００Ｗでシリコン窒化膜を成膜した場合、膜
厚分布が従来±２０％であるのに対し、±５％の分布を
得ることができた。さらに、基板温度に大きな依存性を
持つ、バファードフッ酸に対するエッチングレートも、
従来、周辺部は中央部に比べ約２０％速かったが、ほと
んど差を無くすことができた。従って、本発明の構造の
ヒーターパネルを備えた成膜装置を用いることにより、
大型基板上に膜厚，膜質とも均一な薄膜を形成すること
ができる。
て、モノシラン（ＳｉＨ4 ），アンモニア（ＮＨ3 ），
窒素（Ｎ2 ）を用いて、基板温度３００〜４００℃、高
周波電力１００Ｗでシリコン窒化膜を成膜した場合、膜
厚分布が従来±２０％であるのに対し、±５％の分布を
得ることができた。さらに、基板温度に大きな依存性を
持つ、バファードフッ酸に対するエッチングレートも、
従来、周辺部は中央部に比べ約２０％速かったが、ほと
んど差を無くすことができた。従って、本発明の構造の
ヒーターパネルを備えた成膜装置を用いることにより、
大型基板上に膜厚，膜質とも均一な薄膜を形成すること
ができる。
【０００９】図２は本発明の第２の実施例のヒーターパ
ネル部分の平面図である。本実施例のヒーターパネル
は、図２に示すような第１のヒータ２１，第２のヒータ
２２，第３のヒータ２３，第４のヒータ２４および第５
のヒータ２５より構成され、それぞれの領域が独立に制
御可能な単一のヒーターパネルを用いることにより、第
１の実施例と同様な優れた温度分布を実現することがで
きる。従って、上述したヒーターパネルを備えたプラズ
マＣＶＤ装置を用いても、第１の実施例と同様に、大型
基板上に膜厚，膜質とも均一な薄膜を形成することがで
きる。
ネル部分の平面図である。本実施例のヒーターパネル
は、図２に示すような第１のヒータ２１，第２のヒータ
２２，第３のヒータ２３，第４のヒータ２４および第５
のヒータ２５より構成され、それぞれの領域が独立に制
御可能な単一のヒーターパネルを用いることにより、第
１の実施例と同様な優れた温度分布を実現することがで
きる。従って、上述したヒーターパネルを備えたプラズ
マＣＶＤ装置を用いても、第１の実施例と同様に、大型
基板上に膜厚，膜質とも均一な薄膜を形成することがで
きる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、成膜装置
に用いるヒータパネルにおいて、単一のヒーターパネル
を複数の領域毎に制御するため、熱の逃げ易い周辺部の
パワーを中央部より上げることにより、基板ホルダーの
温度分布つまり、被成膜基板の温度分布が均一となり、
膜厚均一性も従来±２０％であったのに対し±５％に向
上させることが可能となった。
に用いるヒータパネルにおいて、単一のヒーターパネル
を複数の領域毎に制御するため、熱の逃げ易い周辺部の
パワーを中央部より上げることにより、基板ホルダーの
温度分布つまり、被成膜基板の温度分布が均一となり、
膜厚均一性も従来±２０％であったのに対し±５％に向
上させることが可能となった。
【図１】本発明の第１の実施例を示し、（Ａ）図は成膜
装置の断面図，（Ｂ）図はヒータパネルの平面図，
（Ｃ）図は温度分布を説明する図である。
装置の断面図，（Ｂ）図はヒータパネルの平面図，
（Ｃ）図は温度分布を説明する図である。
【図２】本発明の第２の実施例のヒーターパネル部分の
平面図である。
平面図である。
【図３】従来技術を示す成膜装置の断面図である。
【符号の説明】 １ 成膜室 ２ ヒーターパネル ３ 基板ホルダー ４ 電極板 ５ ガラス基板 ２１ 第１のヒータ ２２ 第２のヒータ ２３ 第３のヒータ ２４ 第４のヒータ ２５ 第５のヒータ
Claims (1)
- 【請求項１】 成膜室の中央のヒーターパネルをはさん
で設置された基板ホルダーにガラス基板を取付け、成膜
室内にガスを導入しプラズマ化学反応により前記ガラス
基板上に成膜する薄膜トランジスタアレイの製造装置に
おいて、複数の領域のヒータ部より構成される単一のヒ
ーターパネルを具備することを特徴とする薄膜トランジ
スタアレイの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121792A JPH05259086A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 薄膜トランジスタアレイの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5121792A JPH05259086A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 薄膜トランジスタアレイの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259086A true JPH05259086A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12880759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5121792A Withdrawn JPH05259086A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 薄膜トランジスタアレイの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011139068A (ja) * | 2001-08-23 | 2011-07-14 | Applied Materials Inc | 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP5121792A patent/JPH05259086A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011139068A (ja) * | 2001-08-23 | 2011-07-14 | Applied Materials Inc | 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品 |
| JP2014209641A (ja) * | 2001-08-23 | 2014-11-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 薄膜均一性を制御する方法およびそれにより生産された製品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2875945B2 (ja) | Ｃｖｄにより大面積のガラス基板上に高堆積速度でシリコン窒化薄膜を堆積する方法 | |
| JP3164956B2 (ja) | Ｃｖｄにより大面積のガラス基板上に高堆積速度でアモルファスシリコン薄膜を堆積する方法 | |
| JP2981102B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH06318551A (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| JPS63187619A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP4439602B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0570957A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPH05259086A (ja) | 薄膜トランジスタアレイの製造装置 | |
| JPH0855804A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0831752A (ja) | Ｃｖｄ装置の反応室のクリーニング方法およびコーティング方法 | |
| JPH0610140A (ja) | 薄膜堆積装置 | |
| JPH05259087A (ja) | 薄膜トランジスタアレイの製造装置 | |
| JPH0766139A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP3406681B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH05166728A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3005976B2 (ja) | 半導体ウェーハ支持装置 | |
| JP2630089B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP3259452B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6037119A (ja) | プラズマ気相反応装置 | |
| JP3100702B2 (ja) | 減圧化学反応方法及びその装置 | |
| JPH0590939U (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0831750A (ja) | Ｃｖｄ装置の反応室のコーティング方法 | |
| JPH02268429A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP2504489B2 (ja) | 化学気相成長法 | |
| JP3406386B2 (ja) | 枚葉式プラズマｃｖｄ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |